一种刻蚀的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开一种刻蚀机，所述刻蚀机包括承载极板、M个压力检测装置、上电极板和处理器，所述承载极板用于承载被刻蚀物，所述承载极板包括M个承载区域，所述M为大于等于2的整数；所述M个压力检测装置分别设置于所述M个承载区域上，用于检测所述被刻蚀物承载于所述M个承载区域上的M个部分的M个压力值；所述上电极板包括与所述M个承载区域对应的M个电极部；所述处理器与所述M个压力检测装置连接，用于根据所述M个压力值，控制所述被刻蚀物的M个部分的被刻蚀速度。
【专利说明】一种刻蚀机
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电子工艺【技术领域】，尤其涉及一种刻蚀机。
【背景技术】
[0002]当前，随着信息化建设在蓬勃发展，作为信息发布的终端显示设备，已经广泛应用于工作和生活的各个方面。
[0003]在显示设备的生产工艺中，需要进行刻蚀。现有的刻蚀方式包括干法刻蚀，将被刻蚀物放置于刻蚀机内的两电极板中的一电极板上，在所述两电极板通电时，被电离的等离子会在电场的作用下向承载所述被刻蚀物的电极板高速移动，以对被刻蚀物表面进行轰击，破坏所述被刻蚀物的膜层表面，对所述被刻蚀物进行刻蚀。
[0004]但上述现有技术存在如下技术问题:
[0005]在刻蚀的过程中，发现部分被刻蚀物在中间部分已经发生过刻时，边缘部分有的地方还没有刻蚀充分，从而导致被刻蚀物的不良率较高。
实用新型内容
[0006]本申请提供一种刻蚀机，改善了现有技术中被刻蚀物在中间部分已经发生过刻时，边缘部分有的地方还没有刻蚀充分，导致被刻蚀物的不良率较高的技术问题，达到提高所述被刻蚀物的刻蚀均一性，降低被刻蚀物的不良率的技术效果。
[0007]本申请提供一种刻蚀机，所述刻蚀机包括承载极板、M个压力检测装置、上电极板和处理器，所述承载极板用于承载被刻蚀物，所述承载极板包括M个承载区域，所述M为大于等于2的整数；所述M个压力检测装置分别设置于所述M个承载区域上，用于检测所述被刻蚀物承载于所述M个承载区域上的M个部分的M个压力值；所述上电极板包括与所述M个承载区域对应的M个电极部；所述处理器与所述M个压力检测装置连接，用于根据所述M个压力值，控制所述被刻蚀物的M个部分的被刻蚀速度。
[0008]优选地，在刻蚀过程中，所述刻蚀机还包括用于调整刻蚀速度的刻蚀速度调节器，以使得所述被刻蚀物的M个部分在刻蚀前和刻蚀后的重量差值相同；
[0009]在所述M个压力值中的一压力值等于一预设值时，所述处理器控制所述刻蚀速度调节器，以停止对所述被刻蚀物中与检测该压力值的压力检测装置对应的部分的刻蚀；
[0010]在所述M个压力值中的一压力值的变化量大于所述M个压力值中的其它压力值时，所述处理器控制所述刻蚀速度调节器，以降低对所述被刻蚀物中与检测该压力值的压力检测装置对应的部分的被刻蚀速度；
[0011 ] 在所述M个压力值中的一压力值的变化量小于其它压力值时，所述处理器控制所述刻蚀速度调节器，以升高对所述被刻蚀物中与检测该压力值的压力检测装置对应的部分的被刻蚀速度。
[0012]优选地，所述刻蚀速度调节器具体为气体浓度调节器；
[0013]在所述M个压力值中的一压力值的变化量大于其它压力值时，所述处理器控制所述气体浓度调节器，以使得所述承载极板和所述上电极板之间与检测该压力值的压力检测装置对应的区域的浓度降低；
[0014]在所述M个压力值中的一压力值的变化量小于其它压力值时，所述处理器控制所述气体浓度调节器，以使得所述承载极板和所述上电极板之间与检测该压力值的压力检测装置对应的区域的浓度升高。
[0015]优选地，所述刻蚀速度调节器具体为温度调节器；
[0016]在所述M个压力值中的一压力值的变化量大于其它压力值时，所述处理器控制所述温度调节器，以使得所述承载极板和所述上电极板之间与检测该压力值的压力检测装置对应的区域的温度降低；
[0017]在所述M个压力值中的一压力值的变化量小于其它压力值时，所述处理控制所述温度调节器，以使得所述承载极板和所述上电极板之间与检测该压力值的压力检测装置对应的区域的温度升高。
[0018]优选地，所述刻蚀速度调节器具体为电压调节器；
[0019]在所述M个压力值中的一压力值的变化量大于其它压力值时，所述处理器控制所述电压调节器，以使得与检测该压力值的压力检测装置对应的所述承载极板和上电极板之间电压减小；
[0020]在所述M个压力值中的一压力值的变化量小于其它压力值时，所述处理控制所述电压调节器，以使得与检测该压力值的压力检测装置对应的所述承载极板和上电极板之间电压增大。
[0021 ] 优选地，所述刻蚀机还包括压力调节器，在所述刻蚀机刻蚀所述被刻蚀物之前，所述处理器控制所述压力调节器，以将所述M个压力检测装置的M个初始压力值调整为零。
[0022]优选地，所述刻蚀机还包括清洁装置，在刻蚀完成N个被刻蚀物后，所述处理器用于判断所述M个压力值中每个第一压力值与对应的第二压力值之间的差值是否大于第二预设值时，所述处理器控制所述清洁装置，对所述承载极板进行清洁，其中，所述N为大于等于I的整数，所述第一压力值为刻蚀所述N个被刻蚀物之前的压力值，所述第二压力值为刻蚀完成所述N个被刻蚀物之后的压力值。
[0023]优选地，所述承载极板的每个承载区域上凸设有一个或多个用于支撑所述被刻蚀物的弧形凸起。
[0024]优选地，所述刻蚀机还包括用于固定所述承载极板的固定部。
[0025]优选地，所述固定部具体为陶瓷块，所述陶瓷块固定于所述承载极板的周缘。
[0026]本申请有益效果如下:
[0027]上述刻蚀机通过将所述承载极板划分为M个承载区域，并在每个承载区域设置压力检测装置检测被刻蚀物上分别承载于所述M个承载区域上的M个部分的压力值，从而在刻蚀过程中，根据该M个压力值所述处理器控制所述M个部分的被刻蚀速度，以提高所述被刻蚀物的刻蚀的均一性，改善了现有技术中被刻蚀物在中间部分已经发生过刻时，边缘部分有的地方还没有刻蚀充分，导致被刻蚀物的不良率较高的技术问题，达到提高所述被刻蚀物的刻蚀均一性，降低被刻蚀物的不良率的技术效果。
【专利附图】
【附图说明】[0028]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例。
[0029]图1为本申请第一较佳实施方式刻蚀机的结构示意图。
【具体实施方式】
[0030]本申请实施例通过提供一种刻蚀机，改善了现有技术中被刻蚀物在中间部分已经发生过刻时，边缘部分有的地方还没有刻蚀充分，导致被刻蚀物的不良率较高的技术问题，达到提高所述被刻蚀物的刻蚀均一性，降低被刻蚀物的不良率的技术效果。
[0031]本申请实施例中的技术方案为解决上述技术问题，总体思路如下:
[0032]一种刻蚀机，所述刻蚀机包括承载极板、M个压力检测装置、上电极板和处理器，所述承载极板用于承载被刻蚀物，所述承载极板包括M个承载区域，所述M为大于等于2的整数；所述M个压力检测装置分别设置于所述M个承载区域上，用于检测所述被刻蚀物承载于所述M个承载区域上的M个部分的M个压力值；所述上电极板包括与所述M个承载区域对应的M个电极部；所述处理器与所述M个压力检测装置连接，用于根据所述M个压力值，控制所述被刻蚀物的M个部分的被刻蚀速度。
[0033]上述刻蚀机通过将所述承载极板划分为M个承载区域，并在每个承载区域设置压力检测装置检测被刻蚀物上分别承载于所述M个承载区域上的M个部分的压力值，从而在刻蚀过程中，根据该M个压力值所述处理器控制所述M个部分的被刻蚀速度，以提高所述被刻蚀物的刻蚀的均一性，改善了现有技术中被刻蚀物在中间部分已经发生过刻时，边缘部分有的地方还没有刻蚀充分，导致被刻蚀物的不良率较高的技术问题，达到提高所述被刻蚀物的刻蚀均一性，降低被刻蚀物的不良率的技术效果。
[0034]为了更好的理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。
[0035]如图1所示，为本申请第一较佳实施方式刻蚀机100的结构示意图。所述刻蚀机100包括壳体10、上电极板20、承载极板30、M个压力检测装置40、处理器50。
[0036]所述壳体10内开设有一封闭的容置空间11，所述上电极板20、承载极板30和M个压力检测装置40设置于所述容置空间11内。所述容置空间11内有一定浓度的气体如惰性气体，在需要刻蚀时，所述气体会被电离成等离子。
[0037]所述上电极板20和所述承载极板30中其中一个为阳极板,一个为阴极板。在刻蚀时，所述上电极板20和所述承载极板30会被通入电压，以在所述上电极板20和所述承载极板30之间形成一电场，所述被电离的等离子会在电场的作用下向所述承载极板30高速移动，以对被刻蚀物表面进行轰击，破坏所述被刻蚀物的膜层表面。
[0038]所述承载极板30用于承载被刻蚀物200，所述承载极板30包括M个承载区域31，所述M为大于等于2的整数。也就是说，所述承载极板30至少会被划分成两个承载区域31，当然，所述承载区域31的个数可以为两个、三个、四个、五个、六个等任意个数，具体个数可以根据需要设置。另外，所述承载区域31各区域的大小可以相同，也可以不同。
[0039]在【具体实施方式】中，为了减少被刻蚀物200与所述承载极板30的接触面积，且提供冷却气体的空间，所述承载极板30的每个承载区域31上凸设有一个或者多个用于支撑所述被刻蚀物200的弧形凸起32。所述刻蚀机100还包括用于固定所述承载极板30的固定部33。具体地，所述固定部33为陶瓷块，所述陶瓷块固定于所述承载极板30的周缘。
[0040]所述M个压力检测装置40分别设置于所述M个承载区域31上，用于检测所述被刻蚀物200承载于所述M个承载区域31上的M个部分的M个压力值。所述M个压力检测装置40中的每个压力检测装置40可以为一个压力传感器，也可以包括多个压力传感器。在所述每个压力检测装置40为一个压力传感器时，所述压力值等于该一个压力传感器检测到的压力值；在所述每个压力检测装置40包括多个压力传感器时，所述压力值等于该多个压力传感器的值之和。
[0041 ] 所述处理器50与所述M个压力检测装置40连接，用于根据所述M个压力值，控制所述被刻蚀物200的M个部分的被刻蚀速度。
[0042]以所述M等于3时举例进行说明。在所述M等于3时，所述M个压力检测装置40中的第一个压力检测装置40用于检测第一个承载区域31上的所述被刻蚀物200的第一部分的压力值，所述M个压力检测装置40中的第二个压力检测装置40用于检测第二个承载区域31上的所述被刻蚀物200的第二部分的压力值，所述M个压力检测装置40中的第三个压力检测装置40用于检测第三个承载区域31上的所述被刻蚀物200的第三部分的压力值。所述处理器50会根据第一、第二、第三压力值分别控制被刻蚀物200的第一部分、第二部分、第三部分的被刻蚀速度。
[0043]上述刻蚀机100通过将所述承载极板划分为M个承载区域，并在每个承载区域设置压力检测装置40检测被刻蚀物200上分别承载于所述M个承载区域上的M个部分的压力值，从而在刻蚀过程中，根据该M个压力值所述处理器50控制所述M个部分的被刻蚀速度，以提高所述被刻蚀物200的刻蚀的均一性，改善了现有技术中被刻蚀物在中间部分已经发生过刻时，边缘部分有的地方还没有刻蚀充分，导致被刻蚀物的不良率较高的技术问题，达到提高所述被刻蚀物的刻蚀均一性，降低被刻蚀物的不良率的技术效果。
[0044]具体地，所述刻蚀机100还包括用于调整刻蚀速度的刻蚀速度调节器，在所述M压力值中的一压力值等于一预设值时，所述处理器50控制所述刻蚀速度调节器，以停止对所述被刻蚀物200中与检测该压力值的压力检测装置40对应的部分的刻蚀。继续以前述部分的所述M等于3时为例进行说明，假设所述三个压力值中的第一个压力值小于一预设压力值时，则控制对所述被刻蚀物200的第一部分停止刻蚀，对应地，在第二个压力值小于一预设压力值时，则控制对所述被刻蚀物200的第二部分停止刻蚀，在第三个压力值小于一预设压力值时，则控制对所述被刻蚀物200的第三部分停止刻蚀。
[0045]具体地，所述被刻蚀物200的M个部分在刻蚀前和刻蚀后的重量差值相同。具体可以按照被刻蚀到的重量进行划分M个部分，或者M个部分的大相同，刻蚀的图形相同。在刻蚀过程中，所述M个压力值中的一压力值的变化量大于所述M个压力值中的其它压力值时，所述处理器50控制所述刻蚀速度调节器，以降低对所述被刻蚀物200中与检测该压力值的压力检测装置40对应的部分的被刻蚀速度；所述M个压力值中的一压力值的变化量小于其它压力值时，所述处理器50控制所述刻蚀速度调节器，以升高对所述被刻蚀物200中与检测该压力值的压力检测装置40对应的部分的被刻蚀速度。
[0046]继续以前述部分的所述M等于3时为例进行说明，假设所述三个压力值中的第一个压力值的变化量大于第二压力值和第三压力值的变化量时，则降低对所述被刻蚀物200的第一部分的被刻蚀速度，若第一压力值的变化量小于第二压力值和第三压力值的变化量时，则升高对所述被刻蚀物200的第一部分的被刻蚀速度；同理，在所述第二压力值的变化量大于所述第一压力值和第三压力值的变化量时，则降低所述被刻蚀物200的第二部分的被刻蚀速度，若第二压力值的变化量小于所述第一压力值和第三压力值的变化量时，则，升高对所述被刻蚀物200的第二部分的被刻蚀速度；在所述第三压力值的变化量大于所述第一压力值和所述第二压力值的变化量时，则降低所述被刻蚀物200的第三部分的被刻蚀速度，若第三压力值的变化量小于所述第一压力值和所述第二压力值的变化量时，则升高所述被刻蚀物200的第三部分的被刻蚀速度。
[0047]具体地，所述刻蚀速度调节器可以为以下三种中的一种或者多种，以下方式改变所述被刻蚀物200的被刻蚀速度:
[0048]第一种:所述刻蚀速度调节器具体为气体浓度调节器51，即所述处理器50与一气体浓度调节器51连接。如:在第一压力值的变化量与所述第二压力值和第三压力值的变化量不同时，所述处理器50根据所述第一压力值控制所述气体浓度调节器51，以改变所述第一部分和上电极板20之间的空间内的气体浓度，从而改变所述第一部分和上电极板20之间的等离子浓度，改变单位时间内轰击第一部分的等离子个数，达到改变第一部分的被刻蚀速度。
[0049]具体地，在所述M个压力值中的一压力值的变化量大于其它压力值时，所述处理器50控制所述气体浓度调节器51，以使得所述承载极板30和所述上电极板20之间与检测该压力值的压力检测装置40对应的区域的浓度降低；
[0050]在所述M个压力值中的一压力值的变化量小于其它压力值时，所述处理器50控制所述气体浓度调节器51，以使得所述承载极板30和所述上电极板10之间与检测该压力值的压力检测装置40对应的区域的浓度升高。
[0051]第二种:所述刻蚀速度调节器具体为温度调节器52，即所述处理器50与一温度调节器52连接。如:在第一压力值的变化量与所述第二压力值和第三压力值的变化量不同时，所述处理器50根据所述第一压力值控制所述温度调节器52，以改变所述第一部分表面的温度，从而改变等离子的运行速度，改变单位时间内轰击第一部分的等离子个数，达到改变第一部分的被刻蚀速度。
[0052]具体地，在所述M个压力值中的一压力值的变化量大于其它压力值时，所述处理器50控制所述温度调节器52，以使得所述承载极板30和所述上电极板20之间与检测该压力值的压力检测装置40对应的区域的温度降低；
[0053]在所述M个压力值中的一压力值的变化量小于其它压力值时，所述处理器50控制所述温度调节器52，以使得所述承载极板30和所述上电极板20之间与检测该压力值的压力检测装置40对应的区域的温度升高。
[0054]第三种:所述刻蚀速度调节器具体为电压调节器53，用以改变上电极板20和承载极板30之间的电压，所述电压调节器53与所述处理器50连接。如:在第一压力值的变化量与所述第二压力值和第三压力值的变化量不同时，所述处理器50根据所述第一压力值控制电压调节器53，改变承载所述第一部分的第一承载区域31与上电极板20之间的电压，从而改变等离子的运行速度，改变单位时间内轰击第一部分的等离子个数，达到改变第一部分的被刻蚀速度。[0055]在所述M个压力值中的一压力值的变化量大于其它压力值时，所述处理器50控制所述电压调节器53，以使得与检测该压力值的压力检测装置40对应的所述承载极板30和上电极板20之间电压减小；
[0056]在所述M个压力值中的一压力值的变化量小于其它压力值时，所述处理器50控制所述电压调节器53，以使得与检测该压力值的压力检测装置40对应的所述承载极板30和上电极板20之间电压增大。
[0057]具体地，所述刻蚀机100还包括压力调节器60，在所述刻蚀机100刻蚀所述被刻蚀物200之前，所述处理器50控制所述压力调节器60，以将所述M个压力检测装置40的M个初始压力值调整为零，再将所述被刻蚀物200放置在所述承载极板30之间进行刻蚀，此时，所述M个压力检测装置40显示的压力值为被刻蚀物200的M个部分的施加与所述M个承载区域上的压力值。通过将M个压力检测装置40的M个初始压力值设置为零，从而在承载所述被刻蚀物200后，便于观察所述M个检测装置40的压力变化情况，以便于根据压力变化量对所述M个部分的被刻蚀速度进行调整。
[0058]具体地,所述刻蚀机100还包括清洁装置70,在所述被刻蚀物200承载于所述承载极板30之前，记录所述M个第一压力值，在刻蚀完成N个被刻蚀物后，在所述承载极板30未承载新的被刻蚀物200之前，记录所述M个第二压力值，在所述M个压力值中一个第一压力值与对应的第二压力值之间的差值是否大于第二预设值时，所述处理器20控制所述清洁装置70，对所述承载极板30进行清洁其中，所述N为大于等于I的整数。所述第二预设值可以根据需要设置，以不影响刻蚀被刻蚀物200的刻蚀质量为前提。在本实施方式中，当所述第一压力值为O时，则直接判断所述第二压力值是否大于所述第二预设值，若大于，则发出提示清洁信息，若不大于，则继续刻蚀。
[0059]上述刻蚀机100通过将所述承载极板划分为M个承载区域，并在每个承载区域设置压力检测装置40检测被刻蚀物200上分别承载于所述M个承载区域上的M个部分的压力值，从而在刻蚀过程中，根据该M个压力值所述处理器50控制所述M个部分的被刻蚀速度，以提高所述被刻蚀物200的刻蚀的均一性，改善了现有技术中被刻蚀物在中间部分已经发生过刻时，边缘部分有的地方还没有刻蚀充分，导致被刻蚀物的不良率较高的技术问题，达到提高所述被刻蚀物的刻蚀均一性，降低被刻蚀物的不良率的技术效果。
[0060]尽管已描述了本实用新型的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本实用新型范围的所有变更和修改。
[0061]显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
【权利要求】
1.一种刻蚀机，其特征在于，所述刻蚀机包括: 承载极板，用于承载被刻蚀物，所述承载极板包括M个承载区域，所述M为大于等于2的整数； M个压力检测装置，分别设置于所述M个承载区域上，用于检测所述被刻蚀物承载于所述M个承载区域上的M个部分的M个压力值； 上电极板，包括与所述M个承载区域对应的M个电极部； 处理器，与所述M个压力检测装置连接，用于根据所述M个压力值，控制所述被刻蚀物的M个部分的被刻蚀速度。
2.如权利要求1所述的刻 蚀机，其特征在于，所述刻蚀机还包括用于调整刻蚀速度的刻蚀速度调节器，以使得所述被刻蚀物的M个部分在刻蚀前和刻蚀后的重量差值相同； 在所述M个压力值中的一压力值等于一预设值时，所述处理器控制所述刻蚀速度调节器，停止对所述被刻蚀物中与检测该压力值的压力检测装置对应的部分的刻蚀； 在所述M个压力值中的一压力值的变化量大于所述M个压力值中的其它压力值时,所述处理器控制所述刻蚀速度调节器，以降低所述被刻蚀物中与检测该压力值的压力检测装置对应的部分的被刻蚀速度； 在所述M个压力值中的一压力值的变化量小于其它压力值时，所述处理器控制所述刻蚀速度调节器，以升高所述被刻蚀物中与检测该压力值的压力检测装置对应的部分的被刻蚀速度。
3.如权利要求2所述的刻蚀机，其特征在于，所述刻蚀速度调节器具体为气体浓度调节器; 在所述M个压力值中的一压力值的变化量大于其它压力值时，所述处理器控制所述气体浓度调节器，以使得所述承载极板和所述上电极板之间与检测该压力值的压力检测装置对应的区域的浓度降低； 在所述M个压力值中的一压力值的变化量小于其它压力值时，所述处理器控制所述气体浓度调节器，以使得所述承载极板和所述上电极板之间与检测该压力值的压力检测装置对应的区域的浓度升高。
4.如权利要求2所述的刻蚀机，其特征在于，所述刻蚀速度调节器具体为温度调节器； 在所述M个压力值中的一压力值的变化量大于其它压力值时，所述处理器控制所述温度调节器，以使得所述承载极板和所述上电极板之间与检测该压力值的压力检测装置对应的区域的温度降低； 在所述M个压力值中的一压力值的变化量小于其它压力值时，所述处理器控制所述温度调节器，以使得所述承载极板和所述上电极板之间与检测该压力值的压力检测装置对应的区域的温度升高。
5.如权利要求2所述的刻蚀机，其特征在于，所述刻蚀速度调节器具体为电压调节器； 在所述M个压力值中的一压力值的变化量大于其它压力值时，所述处理器控制所述电压调节器，以使得与检测该压力值的压力检测装置对应的所述承载极板和上电极板之间电压减小； 在所述M个压力值中的一压力值的变化量小于其它压力值时，所述处理器控制所述电压调节器，以使得与检测该压力值的压力检测装置对应的所述承载极板和上电极板之间电压增大。
6.如权利要求1-5中任一权利要求所述的刻蚀机，其特征在于，所述刻蚀机还包括压力调节器，在所述刻蚀机刻蚀所述被刻蚀物之前，所述处理器控制所述压力调节器，以将所述M个压力检测装置的M个初始压力值调整为零。
7.如权利要求1-5中任一权利要求所述的刻蚀机，其特征在于，所述刻蚀机还包括清洁装置，在刻蚀完成N个被刻蚀物后，所述M个压力值中一个第一压力值与对应的第二压力值之间的差值大于第二预设值时，所述处理器控制所述清洁装置，对所述承载极板进行清洁，其中，所述N为大于等于I的整数，所述第一压力值为刻蚀所述N个被刻蚀物之前的压力值，所述第二压力值为刻蚀完成所述N个被刻蚀物之后的压力值。
8.如权利要求1-5中任一权利要求所述的刻蚀机，其特征在于，所述承载极板的每个承载区域上凸设有一个或多个用于支撑所述被刻蚀物的弧形凸起。
9.如权利要求1-5中任一权利要求所述的刻蚀机，其特征在于，所述刻蚀机还包括用于固定所述承载极板的固定部。
10.如权利要求9所述的刻蚀机，其特征在于，所述固定部具体为陶瓷块，所述陶瓷块固定于所述承载极板的周缘。
【文档编号】H01L21/3065GK203760425SQ201420154267
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2014年4月1日 优先权日:2014年4月1日
【发明者】刘宇, 张琨鹏, 王凤国, 白妮妮, 康峰, 高鹏飞, 韩帅 申请人:鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司, 京东方科技集团股份有限公司