一种低等效串联电阻电容器的制造方法
【专利摘要】一种低等效串联电阻电容器，它涉及电容器【技术领域】。它包括外壳、芯子单元、电极焊片，所述的外壳内有多个芯子单元并联连接后与外壳上方的两个电极焊片连接，所述电极焊片上开有一个长椭圆形孔，所述电极焊片间的间距等于IGBT的连接孔的孔距。本实用新型它采用左右电极焊片，几乎无连接电感，内部单元芯子采用多层内串结构，等效串联电阻低，对IGBT的尖峰保护效果好。
【专利说明】-种低等效串联电阻电容器
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及电容器【技术领域】，尤其涉及一种低等效串联电阻电容器。
【背景技术】
[0002] 电容器是一种常用的电子产品，同时电容器也有很多的分类，有高载流的、滤波 的、防爆的等等，这些不同功能的电容均可满足了一定的要求，电子产品中常用到一种IGBT 高精密半导体元器件，其既具有M0SFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极 型器件饱和压降低而容量大的优点，但是这种元器件常受到尖峰电压的损害，而普通电容 器因为电感高、等效串联电阻使得对该元器件保护效果不佳。 实用新型内容
[0003] 本实用新型的目的是提供一种低等效串联电阻电容器，它采用左右电极焊片，几 乎无连接电感，内部单元芯子采用多层内串结构，等效串联电阻低，对IGBT的尖峰保护效 果好。
[0004] 为了解决【背景技术】中所存在的问题，本实用新型是采用以下技术方案：它包括外 壳、芯子单元、电极焊片，所述的外壳内有多个芯子单元并联连接后与外壳上方的两个电极 焊片连接，所述电极焊片上开有一个长椭圆形孔，所述电极焊片间的间距等于IGBT的连接 孔的孔距。
[0005] 本实用新型它采用左右电极焊片，几乎无连接电感，内部单元芯子采用多层内串 结构，等效串联电阻低，对IGBT的尖峰保护效果好。
【专利附图】
【附图说明】
[0006] 图1是本实用新型的结构示意图；
[0007] 图2为图1的左视图。
【具体实施方式】
[0008] 参见图1-2, 一种低等效串联电阻电容器，它包括外壳1、芯子单元2、电极焊片3， 所述的外壳1内有多个芯子单元2并联连接后与外壳1上方的连个电极焊片3连接，所述 电极焊片3上开有一个长椭圆形孔，所述电极焊片3间的间距等于IGBT的连接孔的孔距。 安装时将电极焊片上的长椭圆形孔对准IGBT的连接孔，然后固定住，这样电容器直接固定 在IGBT上，几乎无连接电感，同时外壳内部单元芯子采用多层并联结构，使得芯子接触面 积大，从而使其低等效串联电阻大大减小，因此本实用新型具有良好的尖峰吸收效果，保护 效果更佳。
【权利要求】
1. 一种低等效串联电阻电容器，其特征在于，它包括外壳、芯子单元、电极焊片，所述的 外壳内有多个芯子单元并联连接后与外壳上方的两个电极焊片连接，所述电极焊片上开有 一个长椭圆形孔，所述电极焊片间的间距等于IGBT的连接孔的孔距。
【文档编号】H01G4/236GK203882808SQ201420135692
【公开日】2014年10月15日 申请日期:2014年3月25日 优先权日:2014年3月25日
【发明者】崔银林 申请人:铜陵市汇特电子有限责任公司