发光二极体料带结构的利记博彩app
【专利摘要】一种发光二极体料带结构，其包含一连接框架、数个承载片及数个绝缘框。每一承载片的一端分别连接连接框架，每一承载片分别包含数个间隔配置的导电段，且相邻导电段之间藉由一绝缘段相连接。绝缘框成形在各承载片上且相互间隔配置，各绝缘框分别对应其中一绝缘段的位置而在其所在承载片的一表面上围设成一凹穴，各绝缘段以及该绝缘段所相连的二导电段露出在相对应的凹穴内。对应不同的使用需求，可对发光二极体料带作不同形式的裁切。
【专利说明】发光二极体料带结构
【技术领域】
[0001]本实用新型有关于发光二极体料带，尤指一种组装简易的发光二极体料带结构。【背景技术】
[0002]习知的发光二极体料带的结构系将发光二极体晶粒设置在料带上并加以封装，料带上的各发光二极体晶粒为相互绝缘。其使用前必需先将已封完成的各发光二极体晶粒自料带上裁下后配合不同的使用需求进行组装。因此习知技艺中，发光二极体晶粒虽能够以料带型式封装以加速封装制程，但其封装后的组装手续仍是相当费时费工。
[0003]有鉴于此，本创作人遂针对上述现有技术，特潜心研究并配合学理的运用，尽力解决上述的问题点，即成为本创作人改良的目标。
实用新型内容
[0004]本实用新型的主要目的，在于提供一种组装简易的发光二极体料带结构。
[0005]为了达成上述的目的，本实用新型提供一种发光二极体料带结构，其特征在于包含:
[0006]一连接框架，
[0007]数个承载片，每一该承载片的一端分别连接该连接框架，每一该承载片分别包含数个间隔配置的导电段，且任意二个相邻的该导电段之间藉由一绝缘段相连接；及
[0008]数个绝缘框，成形在各该承载片上且相互间隔配置，各该绝缘框分别对应其中一该绝缘段的位置而在所在的该承载片的一表面上围设成一凹穴，各该绝缘段以及该绝缘段所相连的二该导电段露出在相对应的该凹穴内。
[0009]其中，各该承载片分别包含数个绝缘段，且各该绝缘段分别被相对应的该绝缘框包围。
[0010]其中，该些绝缘框所构成的该些凹穴具有相同的开口方向。
[0011]其中，该承载片的另一表面上凸出形成有相互间隔配置的数个凸块，且各该凸块分别介于二个相邻的该绝缘框之间。
[0012]其中，该绝缘段以及该绝缘段所相连的二该导电段露出在相对应的该凹穴内的底部。
[0013]其中，露出在该凹穴内的其中一该导电段上设有一发光二极体晶粒。
[0014]其中，该发光二极体晶粒与该凹穴内的另一该导电段藉由一导线电性连接。
[0015]其中，该凹穴内填满有一透光结构。
[0016]其中，各该绝缘段分别在该承载片的另一表面上沿该承载片的纵向延伸而包覆相邻的至少一该导电段。
[0017]其中，该承载片的另一表面上包覆有一绝缘层。
[0018]本实用新型的发光二极体料带结构，其上所设置的发光二极体晶粒已相互电性连接。因此本实用新型的发光二极体料带结构只需对应不同的使用需求简易地裁切后，即能通电使用。其相较于习知技艺，不需要繁复的组装程序。
【专利附图】
【附图说明】
[0019]图1:本实用新型第一实施例的发光二极体料带结构的一示意图。
[0020]图2:本实用新型第一实施例的发光二极体料带结构的另一示意图。
[0021]图3:本实用新型第一实施例的发光二极体料带结构中承载片的示意图。
[0022]图4:图3中承载片的纵向剖视图。
[0023]图5:图4的部分放大图。
[0024]图6:本实用新型第二实施例的发光二极体料带结构的示意图。
[0025]图7:图6中发光二极体料带结构的部分放大图。
[0026]图8:本实用新型第三实施例的发光二极体料带结构的示意图。
[0027]图9:图8中发光二极体料带结构的部分放大图。
[0028]图10:本实用新型的发光二极体料带结构的一使用状态示意图。
[0029]图11:本实用新型的发光二极体料带结构的另一使用状态示意图。
【具体实施方式】
[0030]参阅图1及图2，本实用新型的第一实施例提供一种发光二极体料带结构，其包含有二连接框架110/120、数个承载片200及数个绝缘框300。各连接框架110/120皆为长条状的金属片，二连接框架110/120呈相互平行间隔配置。
[0031]参阅图3及图4，各承载片200皆呈长条状，每一个承载片200分别包含有数个金属制成的导电段210以及数个绝缘段220。在每一承载片200中，该些导电段210呈一列排列且相互间隔配置，位于承载片200 二端的各导电段210的一端分别连接于相对应的连接框架110/120而使得承载片200相互并行地设置在二连接框架110/120之间，于本实施例中，位于承载片200 二端的各导电段210较佳地与相连的连接框架110/120为一体成型。各绝缘段220则分别连接在二个相邻的导电段210之间藉以阻断各导电段210之间的电性连接。
[0032]参阅图5，该些绝缘框300较佳地以包覆设出成型的方式成形在各承载片200上，在各承载片200上的该些绝缘框300呈相互间隔配置在该承载片200的同一表面上。承载片200的另一表面上包覆有一绝缘层230，藉以阻断相邻导电段210之间的电弧效应。各绝缘框300分别包围其所在承载片200上相对应的其中一个绝缘段220而在所承载片200的表面上围设成一凹穴310，藉以使得该绝缘段220以及其所相连的二导电段210露出在凹穴310内的底部，且该些凹穴310具有相同的开口方向。
[0033]各凹穴310内分别设置有一发光二极体晶粒410，发光二极体晶粒410较佳地配置在凹穴310内的其中一导电段210上，且发光二极体晶粒410与凹穴310内的另一导电段210藉由一导线420跨接而电性连接，使该些导电段之间彼此正负极性相接。凹穴310内填满有一透光结构500，透光结构500较佳地为填注在凹穴310中且固化的萤光胶所构成。
[0034]参阅图6及图7，本实用新型的第二实施例提供一种发光二极体料带结构，其包含有二连接框架110/120、数个承载片200及数个绝缘框300。本实施例的构造大致如同前述第一实施例，其相同之处于此不再赘述。本实施例与第一实施例不同之处在于，各绝缘段220分别在承载片200的另一表面上沿着承载片200的纵向延伸而包覆相邻的至少一导电段210，藉此在承载片200的纵向上延伸相邻导电段210之间的绝缘距离以阻断邻导电段210之间的电弧效应。
[0035]参阅图8及图9，本实用新型的第三实施例提供一种发光二极体料带结构，其包含有二连接框架110/120、数个承载片200及数个绝缘框300。本实施例的构造大致如同前述第一实施例，其相同之处于此不再赘述。本实施例与第一实施例不同之处在于，各导电段210分别在承载片200的另一表面上凸出形成有相互间隔配置的数个凸块211，且各凸块211分别介于二个相邻的绝缘框300之间。本实用新型的发光二极体料带结构，其上的发光二极体晶粒410相互电性连接，因此只需要依据使用的需求将需要的部分截断分离即能够构成一片状的发光模组。凸块211用以接触发光模组的设置面以将发光二极体晶粒410发光时所产生的热能散出。
[0036]参阅图10，本实用新型的发光二极体料带结构，其二个发光二极体料带结构能够交叉叠置而相互跨接。其中一个发光二极体料带结构的承载片200透过其任一导电段210搭接另一个发光二极体料带结构中承载片200上的另一个导电段210，藉以使得二承载片200相交叉且电性连接。
[0037]参阅图11，本实用新型的发光二极体料带结构只需要将各承载片200自连接框架110/120上截断分离即能够构成一发光模组，其上的数个发光二极体晶粒410构成串联配置，且藉由其承载片200 二端的导电段210分别电性连接至对应的电极即能够透过电极对发光模组供电以驱动各发光二极体晶粒410发光。再者，数个承载片200藉由连接框架110/120也能够构成一发光模组使其上的发光二极体晶粒410构成并联配置，且藉由其二连接框架110/120分别电性连接至对应的电极即能够透过电极对发光模组供电以驱动各发光二极体晶粒410发光。
[0038]本实用新型的发光二极体料带结构经置发光二极体晶粒410加工完成后，其各发光二极体晶粒410已相互电性连接，因此只需简易地裁切即能够构成适用于不同的使用需求的发光模组。再者，各导电段210皆具有弹性，因此发光模组能够配合其设置的空间或使用需求作适度的弯曲。
[0039]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，非用以限定本实用新型的专利范围，其他运用本实用新型的专利精神的等效变化，均应俱属本实用新型的专利范围。
【权利要求】
1.一种发光二极体料带结构，其特征在于包含: 一连接框架， 数个承载片，每一该承载片的一端分别连接该连接框架，每一该承载片分别包含数个间隔配置的导电段，且任意二个相邻的该导电段之间藉由一绝缘段相连接；及 数个绝缘框，成形在各该承载片上且相互间隔配置，各该绝缘框分别对应其中一该绝缘段的位置而在所在的该承载片的一表面上围设成一凹穴，各该绝缘段以及该绝缘段所相连的二该导电段露出在相对应的该凹穴内。
2.如权利要求1所述的发光二极体料带结构，其特征在于，各该承载片分别包含数个绝缘段，且各该绝缘段分别被相对应的该绝缘框包围。
3.如权利要求1所述的发光二极体料带结构，其特征在于，该些绝缘框所构成的该些凹穴具有相同的开口方向。
4.如权利要求2所述的发光二极体料带结构，其特征在于，该承载片的另一表面上凸出形成有相互间隔配置的数个凸块，且各该凸块分别介于二个相邻的该绝缘框之间。
5.如权利要求1所述的发光二极体料带结构，其特征在于，该绝缘段以及该绝缘段所相连的二该导电段露出在相对应的该凹穴内的底部。
6.如权利要求1所述的发光二极体料带结构，其特征在于，露出在该凹穴内的其中一该导电段上设有一发光二极体晶粒。
7.如权利要求6所述的发光二极体料带结构,其特征在于,该发光二极体晶粒与该凹穴内的另一该导电段藉由一导线电性连接。
8.如权利要求7所述的发光二极体料带结构，其特征在于，该凹穴内填满有一透光结构。
9.如权利要求1所述的发光二极体料带结构，其特征在于，各该绝缘段分别在该承载片的另一表面上沿该承载片的纵向延伸而包覆相邻的至少一该导电段。
10.如权利要求1所述的发光二极体料带结构，其特征在于，该承载片的另一表面上包覆有一绝缘层。
【文档编号】H01L33/48GK203707178SQ201420058320
【公开日】2014年7月9日 申请日期:2014年2月8日 优先权日:2014年2月8日
【发明者】林佑任, 李廷玺 申请人:一诠精密电子工业(中国)有限公司