一种有机发光二极管显示器件及其制备方法
【专利摘要】本发明的有机发光二极管显示器件，包括像素单元层，所述像素单元层一侧对应设置阳极层，另一侧对应设置阴极层，通过将至少一发光颜色的子像素对应的阴极层厚度设置与其余发光颜色的子像素对应的阴极层厚度不同，从而改善不同发光颜色有机发光二极管的微腔效应，进而有效改善了所述有机发光二极管显示器件的发光效率、亮度、色彩再现性等性能。所述的一种有机发光二极管显示器件的制备方法，通过通用金属掩膜板制备第一阴极层，通过精细金属掩膜板制备第二阴极层，就可以达到改善所述有机发光二极管显示器件性能的效果，制备工艺简单，能有效降低所述有机发光二极管显示器件的制备和应用成本。
【专利说明】-种有机发光二极管显示器件及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明设及有机电致发光领域，具体设及一种发光效率高、亮度高、色彩再现性能 优的有机发光二极管显示器件及其制备方法。
【背景技术】
[000引有机发光二极管显示器件（英文全称化ganic Li曲t血itting Display)是主动 发光器件，具有高对比度、广视角、低功耗、体积更薄等优点，有望成为下一代主流平板显示 技术，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。
[0003] 有机发光二极管显示器件中的像素单元层包括若干并置的有机发光二极管（英 文全称化ganic Li曲t-Emitting Diode,简称OL邸）。各有机发光二极管至少包括具有高 功函数的阳极层、低功函数的阴极层，W及夹合在阳极层和阴极层之间的发光层。为了简化 器件结构和制作工艺，同一有机发光二极管显示器件中的不同有机发光二极管通常共用一 个阴极。
[0004] 根据有机发光二极管的光线射出方向，有机发光二极管显不器件可W分为底发射 装置和顶发射装置。由于底发射装置光线从透明阳极射出后还要通过包括薄膜晶体管的像 素电路层，严重影响装置的开口率和发光效率；因此，光线直接从透明阴极射出，从而实现 高开口率和高发光效率的顶发射装置受到人们的广泛关注。通常，为了进一步提高有机发 光二极管显示器件的发光效率，通常将阳极制成具有金属反射层的反射电极。
[0005] 尽管反射电极能极大提高有机发光二极管显示器件的发光效率，但是，由于不同 颜色的有机发光二极管器件的反射阳极和透明阴极之间的光学长度不同，加上有机发光二 极管显示器件中每个像素单元至少包括=种发光颜色，如红光（时、绿光佑)、藍光炬）等， 不同发光颜色二极管的发光波长相差较大，该就使得同一有机发光二极管显示器件中共阴 极的不同有机发光二极管各自的微腔效应不能都达到最佳化，直接影响了不同发光颜色的 有机发光二极管的发光效率和亮度，从而影响了有机发光二极管显示器件的功耗W及相关 电学性能。
【发明内容】
[0006] 为此，本发明所要解决的现有降低顶发射有机发光二极管显示器件发光效率低、 亮度低的问题，从而提供一种发光效率高、亮度高的有机发光二极管显示器件及其制备方 法。
[0007] 为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：
[000引本发明所述的一种有机发光二极管显示器件，包括像素单元层，所述像素单元层 一侧对应设置阳极层，另一侧对应设置阴极层，所述像素单元层包括若干发光颜色不全相 同且呈阵列排布的子像素，至少一发光颜色的子像素对应的阴极层厚度与其余发光颜色的 子像素对应的阴极层厚度不同。
[0009] 在其中一个实施例中，各所述子像素对应的阴极层均包括第一阴极层，至少一种 发光颜色的子像素对应的阴极层包括第二阴极层，且所述第二阴极层不全覆盖所有发光颜 色的子像素；所述第二阴极层堆叠设置在所述第一阴极层的上侧或下侧。
[0010] 在其中一个实施例中，所述第一阴极层为M、Ag及其合金中的一层或多层形成的 堆叠层，M为Mg、Li、K、Ca、化、Sr、Cs、Ba、孔中的一种；所述第二阴极层为Mg、Ag及其合金 中的一层或多层形成的堆叠层，或Li、K、Ca、化、Sr、Cs、Ba、孔中的一层或多层形成的堆叠 层。
[0011] 在其中一个实施例中，所述第一阴极层的厚度为100 A?300 A，所述第二阴极 层的厚度为20 A?200A。
[0012] 在其中一个实施例中，所述阳极层为X层或依次堆叠的X层/Ag层/X层，X为铜 锡氧化物（IT0)、铜锋氧化物（IZ0)、侣锋氧化物（AZ0)中的一种。
[0013] 在其中一个实施例中，所述有机发光二极管显示器件包括电极引线，所述子像素 的阵列外围还设置有导电条，所述导电条覆盖所述阴极层端部W及所述电极引线的部分区 域，用于搭接导通所述阴极层与所述电极引线，所述导电条为Ag、Al、化、Au及其合金中的 一层或多层形成的堆叠层，所述导电条的厚度为100 A?1000 A。
[0014] 在其中一个实施例中，所述阴极层上还设置有连续的覆盖所有所述有机发光二极 管的光学覆盖层。
[0015] 一种有机发光二极管显示器件的制备方法，包括如下步骤：
[0016] 在衬底上形成阳极层；
[0017] 在所述阳极层上形成像素单元层，所述像素单元层包括若干发光颜色不全相同且 呈阵列排布的子像素；
[0018] 在所述像素单元层上形成阴极层，其中，至少一发光颜色的子像素对应的阴极层 厚度与其余发光颜色的子像素对应的阴极层厚度不同。
[0019] 在其中一个实施例中，所述在像素单元层上形成阴极层的步骤，具体包括；在所述 像素单元层上形成覆盖所有子像素的第一阴极层；在至少一种发光颜色相同的子像素上形 成第二阴极层，且所述第二阴极层不全覆盖所有发光颜色的子像素。
[0020] 在其中一个实施例中，还包括在阳极层外围形成导电条的步骤，所述导电条用于 搭接导通所述阴极层与电极引线，还包括在所述阴极层上形成光学覆盖层的步骤。
[0021] 本发明的上述技术方案相比现有技术具有W下优点：
[0022] 有机发光二极管的阳极层与阴极层之间的微腔效应的强弱不仅和微腔长度有关， 而且还跟阴极的厚度相关，特别是顶发射器件中，透明阴极的反射率和透过率均会影响到 有机发光二极管的微腔效应。本发明所述的一种有机发光二极管显示器件，包括像素单元 层，所述像素单元层包括若干发光颜色不全相同且呈阵列排布的子像素，将其中至少一发 光颜色的子像素对应的阴极层厚度设置与其余发光颜色的子像素对应的阴极层厚度不同， 从而调整不同发光颜色的有机发光二极管的微腔效应，进而提高所述有机发光二极管显示 器件的发光效率和亮度，W降低所述有机发光二极管显示器件的功耗。
【专利附图】
【附图说明】
[0023] 为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合 附图，对本发明作进一步详细的说明，其中
[0024] 图1是本发明实施例1中所述有机发光二极管显示器件剖视图；
[0025] 图2是本发明实施例2中所述有机发光二极管显示器件剖视图；
[0026] 图3是本发明实施例3中所述有机发光二极管显示器件剖视图；
[0027] 图4是本发明实施例4中所述有机发光二极管显示器件剖视图；
[002引图5是本发明实施例5中所述有机发光二极管显示器件剖视图；
[0029] 图6是本发明实施例6中所述有机发光二极管显示器件剖视图；
[0030] 图7是本发明实施例7中所述有机发光二极管显示器件剖视图；
[0031] 图8是本发明实施例8中所述有机发光二极管显示器件剖视图；
[0032] 图9是本发明实施例9中所述有机发光二极管显示器件剖视图；
[0033] 图10是本发明实施例10中所述有机发光二极管显示器件剖视图；
[0034] 图11是本发明实施例11中所述有机发光二极管显示器件剖视图；
[0035] 图12是本发明实施例12中所述有机发光二极管显示器件剖视图；
[0036] 图13是本发明实施例13中所述有机发光二极管显示器件剖视图；
[0037] 图14是本发明实施例14中所述有机发光二极管显示器件剖视图；
[003引图15是本发明实施例15中所述有机发光二极管显示器件剖视图；
[0039] 图16是本发明实施例16中所述有机发光二极管显示器件剖视图；
[0040] 图17是本发明实施例17中所述有机发光二极管显示器件剖视图；
[0041] 图18是本发明实施例18中所述有机发光二极管显示器件剖视图；
[0042] 图19是本发明实施例3中所述有机发光二极管显示器件俯视图；
[0043] 图20是本发明实施例3中所述有机发光二极管显示器件设置导电条后的俯视图。
[0044] 图中附图标记表示为；1-衬底、2-阳极层、31-红光子像素、32-绿光子像素、 33-藍光子像素、34-Y发光层、4-第一阴极层、5-第二阴极层、51-第一部分、52-第二部分、 6-导电条。
【具体实施方式】
[0045] 为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的实 施方式作进一步地详细描述。
[0046] 本发明可许多不同的形式实施，而不应该被理解为限于在此阐述的实施例。 相反，提供该些实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将把本发明的构思充分传达给 本领域技术人员，本发明将仅由权利要求来限定。在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区 域的尺寸和相对尺寸。应当理解的是，当元件例如层、区域或基板被称作"形成在"或"设置 在"另一元件"上"时，该元件可W直接设置在所述另一元件上，或者也可W存在中间元件。 相反，当元件被称作"直接形成在"或"直接设置在"另一元件上时，不存在中间元件。
[0047] 实施例1
[0048] 本实施例提供一种有机发光二极管显示器件，如图1所示，包括形成在衬底1上的 像素单元层，所述像素单元层包括若干呈阵列排布的红光子像素31、绿光子像素32、藍光 子像素33。
[0049] 所述像素单元层一侧对应设置阳极层2,另一侧对应设置阴极层。
[0050] 作为本发明的可变换实施例，所述有机发光二极管的结构与制备方法同现有技 术，均可W实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
[0化1] 各所述子像素对应的阴极层均包括共通的第一阴极层4,此外，至少一种发光颜色 的子像素对应的阴极层包括第二阴极层，且所述第二阴极层不全覆盖所有发光颜色的子像 素；所述第二阴极层堆叠设置在所述第一阴极层的上侧或下侧。
[0化引本实施例中，所述第一阴极层4为Mg ;Ag合金层，厚度为240 A，作为本发明的可 变换实施例，所述第一阴极层4还可W为M、Ag及其合金中的一层或多层形成的堆叠层，其 中M为Mg、Li、K、化、化、Sr、Cs、Ba、孔等低功函数金属中的一种。所述第一阴极层4的厚 度为100 A?300 A，均可W实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
[0化3] 如图1所示，本实施例中所述第二阴极层为Mg ;Ag合金层，其中，第二阴极层包括 第一部分51 (独立设置在红光子像素31上的部分）和第二部分52 (独立设置在绿光子像 素32上的部分），于本实施例中，第一部分51与第二部分52的厚度不同，第一部分51的厚 度为30 A，第二部分52的厚度为60 A。作为本发明的其他实施例，所述第二阴极层还可 W为Mg、Ag及其合金中的一层或多层形成的堆叠层，或Li、K、Ca、化、Sr、Cs、Ba、孔等低功 函数金属中的一层或多层形成的堆叠层；所述第二阴极层的厚度为20 A?200A，均可 W实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
[0054] 各所述所述阳极层2为X层或依次堆叠的X层/Ag层/X层，X为铜锡氧化物（IT0)、 铜锋氧化物（IZ0)、侣锋氧化物（AZ0)等高功函数金属或金属氧化物中的一种；本实施例 中，所述阳极层2为口O/Ag/ITO层，厚度为200 A /1500 A /200 A。作为本发明的可变换 实施例，所述阳极层2的厚度还可W为200?2500 A，均可W实现本发明的目的，属于本发 明的保护范围。
[0化5] 所述有机发光二极管显示器件还包括其他有机层，所述其他有机层包括空穴注 入层化IL)、电子阻挡层巧化)、空穴传输层化TL)、电子传输层巧化)、空穴阻挡层化BL)、 电子注入层巧IL)中的一种或多层的堆叠。本实施例中红光有机发光二极管的结构为 m-MTDATA〇nL 2230A)/NPB(HTL l〇〇A)/Bebq2:BAlq(20 % ):lHb化）2(acacH6 % ) (EML, 3〇2A)/Bebq2 巧 TL，25〇A)/Liq(E比，10 A)/Mg:Ag(273A)/Alq3(CPL 850A );绿光有机发光二极管的结构为m-MTDATA(HIL 1660A )/NPB(HTL lOOA )/ ADN:C545T(5 % ) (EML, 400A )/Bebq2(ETL 250A )/Liq(E比，lOA )/Mg:Ag (303A) Alq3(CPL 850A );藍光有机发光二极管的结构为m-MTDATAOnL，llOOA )/ NPB 化化，1OOA )/MADN:DPVBi (7 % )巧肥，430A )/Bebq2 巧化，250A )/Liq (EILIOA) / Mg:Ag 口43A). 'Alq3(CPL %〇A)。
[0化6] 本实施例中，所述阴极层上还设置有连续的覆盖所有所述子像素的光学覆盖层 (为了清晰起见，图1中未示出），所述光学覆盖层为带隙宽、折射率高的透明有机材料层或 无机材料层，厚度为300?1000 A;本实施例中CPL为Alq3层，厚度为850 A。
[0化7] 所述的有机发光二极管显示器件的制备方法，包括如下步骤：
[0化引 S1、在衬底1上形成阳极层2 ;所述衬底1可W为TFT阵列基板也可W为玻璃基板， 本实施例优选为TFT阵列基板。
[0化9] S2、在阳极层2上形成像素单元层，包括阵列排布的红光子像素31、绿光子像素 32、藍光子像素33。
[0060] S3、通过通用金属掩膜板（open mask)在红光子像素31、绿光子像素32、藍光子像 素33上形成覆盖红光子像素31、绿光子像素32、藍光子像素33的第一阴极层4。
[006U S4、通过精细金属掩膜板（shadow mask)在所述第一阴极层4上对应红光子像素 31的位置形成第二阴极层，其中所述第二阴极层包括设置在红光子像素31上的第一部分 51 W及设置在绿光子像素32上的第二部分52。
[0062] S5、在所述第二阴极层上形成覆盖所述第一阴极层4和所述第二阴极层的光学覆 盖层。
[0063] 所述阳极层2、红光子像素31、绿光子像素32、藍光子像素33、第一阴极层4、第二 阴极层和光学覆盖层的制备工艺同现有技术，本实施例中不再寶述。
[0064] 实施例2
[00化]本实施例提供一种有机发光二极管显示器件，如图2所示，其具体结构与制备工 艺同实施例1，唯一不同的是所述第二阴极层层叠设置在所述第一阴极层4的下侧。
[0066] 所述有机发光二极管显示器件的制备方法，先通过精细金属掩膜板（shadow mask)分别在红光子像素31、绿光子像素32上形成第二阴极层；再通过通用金属掩膜板 (open mask)在红光子像素31、绿光子像素32、藍光子像素33上形成覆盖红光子像素31、 绿光子像素32、藍光子像素33和第二阴极层的第一阴极层4。
[0067] 实施例3
[0068] 本实施例提供一种有机发光二极管显示器件，如图3所示，其具体结构与制备工 艺同实施例1，唯一不同的是设置在红光子像素31和绿光子像素32上的所述第二阴极层5 连续设置且厚度相同，本实施例中第二阴极层5的厚度为50 A。作为本发明的可变换实施 例，所述第二阴极层5的厚度为20 A?200A，均可W实现本发明的目的，属于本发明的 保护范围。
[0069] 如图20所示，所述所有子像素的阵列外围还设置有导电条6,所述导电条6覆盖各 所述有机发光二极管的阴极层端部W及所述有机发光二极管显示器件中的电极引线的部 分区域，用于搭接导通所述阴极层与所述电极引线。
[0070] 所述导电条6为Ag、A1、化、Au及其合金中的一层或多层形成的堆叠层，所述导电 条的厚度为100 A?1000 A，本实施例优选为500A厚的Ag层。
[0071] 如图3、图19与图20所示，所述的有机发光二极管显示器件的制备方法，包括如下 步骤：
[0072] S1、在衬底1上形成阳极层2 ;所述衬底1可W为TFT阵列基板也可W为玻璃基板， 本实施例优选为TFT阵列基板。
[0073] S2、在阳极层2上形成像素单元层，所述像素单元层包括红光子像素31、绿光子像 素32、藍光子像素33。
[0074] S3、通过通用金属掩膜板（open mask)在红光子像素31、绿光子像素32、藍光子像 素33上形成覆盖红光子像素31、绿光子像素32、藍光子像素33的第一阴极层4。
[0075] S4、通过精细金属掩膜板（shadow mask)在所述第一阴极层4上对应红光子像素 31和对应绿光子像素32的位置形成第二阴极层5。
[0076] S5、通过通用金属掩膜板（open mask)在阳极层2外围形成导电条6,所述导电条 6用于搭接导通所述阴极层与电极引线。
[0077] 所述阳极层2、红光子像素31、绿光子像素32、藍光子像素33第一阴极层4、第二 阴极层5的制备工艺同现有技术，本实施例中不再寶述。
[007引 实施例4
[0079] 本实施例提供一种有机发光二极管显示器件，如图4所示，其具体结构与制备工 艺同实施例3,唯一不同的是所述第二阴极层5层叠设置在所述第一阴极层4的下侧。
[0080] 所述有机发光二极管显示器件的制备方法，先通过精细金属掩膜板（shadow mask)在红光子像素31、绿光子像素32上形成第二阴极层5 ;再通过通用金属掩膜板（open mask)在红光子像素31、绿光子像素32、藍光子像素33上形成覆盖红光子像素31、绿光子 像素32、藍光子像素33和第二阴极层5的第一阴极层4。
[0081] 实施例5
[0082] 本实施例提供一种有机发光二极管显示器件，如图5所示，其具体结构与制备工 艺同实施例1，唯一不同的是所述第二阴极层5设置在所述红光子像素31和藍光子像素33 上，所述绿光子像素32上未设置第二阴极层5。且设置在红光子像素31和藍光子像素33 上的所述第二阴极层5厚度相同，本实施例中为50 A。作为本发明的可变换实施例，所述 第二阴极层5的厚度为20 A?200A，均可W实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
[0083] 实施例6
[0084] 本实施例提供一种有机发光二极管显示器件，如图6所示，其具体结构与制备工 艺同实施例5,唯一不同的是所述第二阴极层5层叠设置在所述第一阴极层4的下侧。
[0085] 所述有机发光二极管显示器件的制备方法，先通过精细金属掩膜板在红光子像素 31、藍光子像素33上形成第二阴极层5 ;再通过通用金属掩膜板在红光子像素31、绿光子像 素32、藍光子像素33上形成覆盖红光子像素31、绿光子像素32、藍光子像素33和第二阴极 层5的第一阴极层4。
[0086] 实施例7
[0087] 本实施例提供一种有机发光二极管显示器件，如图7所示，其具体结构与制备工 艺同实施例1，唯一不同的是所述第二阴极层5设置在所述绿光子像素32和藍光子像素33 上，所述红光子像素31上未设置第二阴极层5。且设置在绿光子像素32和藍光子像素33上 的所述第二阴极层5厚度相同，本实施例中为50 A。作为本发明的可变换实施例，所述第 二阴极层5的厚度为20 A?200A,均可W实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。 [008引实施例8
[0089] 本实施例提供一种有机发光二极管显示器件，如图8所示，其具体结构与制备工 艺同实施例7,唯一不同的是所述第二阴极层5层叠设置在所述第一阴极层4的下侧。
[0090] 所述有机发光二极管显示器件的制备方法，先通过精细金属掩膜板在绿光子像素 32、藍光子像素33上形成第二阴极层5 ;再通过通用金属掩膜板在红光子像素31、绿光子像 素32、藍光子像素33上形成覆盖红光子像素31、绿光子像素32、藍光子像素33和第二阴极 层5的第一阴极层4。
[0091] 实施例9
[0092] 本实施例提供一种有机发光二极管显示器件，如图9所示，其具体结构与制备工 艺同实施例1，唯一不同的是所述第二阴极层5仅设置在所述红光子像素31上，所述藍光子 像素33和所述绿光子像素32上未设置第二阴极层5。
[0093] 实施例10
[0094] 本实施例提供一种有机发光二极管显示器件，如图10所示，其具体结构与制备工 艺同实施例9,唯一不同的是所述第二阴极层5层叠设置在所述第一阴极层4的下侧。
[0095] 所述有机发光二极管显示器件的制备方法，先通过精细金属掩膜板在红光子像素 31上形成第二阴极层5 ;再通过通用金属掩膜板在红光子像素31、绿光子像素32、藍光子像 素33上形成覆盖红光子像素31、绿光子像素32、藍光子像素33和第二阴极层5的第一阴 极层4。
[00M] 实施例11
[0097] 本实施例提供一种有机发光二极管显示器件，如图11所示，其具体结构与制备工 艺同实施例1，唯一不同的是所述第二阴极层5仅设置在所述绿光子像素32上，所述藍光子 像素33和所述红光子像素31上未设置第二阴极层5。
[009引 实施例12
[0099] 本实施例提供一种有机发光二极管显示器件，如图12所示，其具体结构与制备工 艺同实施例11，唯一不同的是所述第二阴极层5层叠设置在所述第一阴极层4的下侧。
[0100] 所述有机发光二极管显示器件的制备方法，先通过精细金属掩膜板在红光子像素 31上形成第二阴极层5 ;再通过通用金属掩膜板在红光子像素31、绿光子像素32、藍光子像 素33上形成覆盖红光子像素31、绿光子像素32、藍光子像素33和第二阴极层5的第一阴 极层4。
[0101] 实施例13
[0102] 本实施例提供一种有机发光二极管显示器件，如图13所示，其具体结构与制备工 艺同实施例1，唯一不同的是所述第二阴极层5仅设置在所述藍光子像素33上，所述绿光子 像素32和所述红光子像素31上未设置第二阴极层5。
[0103] 实施例14
[0104] 本实施例提供一种有机发光二极管显示器件，如图14所示，其具体结构与制备工 艺同实施例13,唯一不同的是所述第二阴极层5层叠设置在所述第一阴极层4的下侧。
[0105] 所述有机发光二极管显示器件的制备方法，先通过精细金属掩膜板在藍光子像素 33上形成第二阴极层5 ;再通过通用金属掩膜板在红光子像素31、绿光子像素32、藍光子像 素33上形成覆盖红光子像素31、绿光子像素32、藍光子像素33和第二阴极层5的第一阴 极层4。
[0106] 实施例15
[0107] 本实施例提供一种有机发光二极管显示器件，如图15所示，包括形成在衬底1上 的像素单元层，其具体结构与制备工艺同实施例1，唯一不同的是所述像素单元层包括若干 呈阵列排布的黄光子像素、藍光子像素。所述黄光子像素包括依次堆叠设置的阳极层2、Y 发光层34和阴极层；所述第二阴极层5仅设置在所述Y发光层34上。所述黄光子像素的 结构为 m-MTDATA 化比，1800A ) /NPB 化化，1OOA ) /CBP (270A) : Ir @T) 2 (acac) (10 % ) (EML, 3〇〇A)/Bebq2 巧化，25〇A)/Liq(E比，l〇A)/Mg:Ag(273 A) /Alq3(CPL 850A )〇
[010引 实施例16
[0109] 本实施例提供一种有机发光二极管显示器件，如图16所示，其具体结构与制备工 艺同实施例15,唯一不同的是所述第二阴极层5层叠设置在所述第一阴极层4的下侧。
[0110] 所述有机发光二极管显示器件的制备方法，先通过精细金属掩膜板在Y发光层 34、上形成第二阴极层5 ;再通过通用金属掩膜板在藍光子像素33、Y发光层34上形成覆盖 藍光子像素33、Y发光层34和第二阴极层5的第一阴极层4。
[0111] 实施例17
[0112] 本实施例提供一种有机发光二极管显示器件，如图17所示，其具体结构与制备工 艺同实施例15,唯一不同的是所述第二阴极层5仅设置在所述藍光子像素33上。
[0113] 实施例18
[0114] 本实施例提供一种有机发光二极管显示器件，如图18所示，其具体结构与制备工 艺同实施例17,唯一不同的是所述第二阴极层5层叠设置在所述第一阴极层4的下侧。
[0115] 所述有机发光二极管显示器件的制备方法，先通过精细金属掩膜板在藍光子像素 33、上形成第二阴极层5 ;再通过通用金属掩膜板在藍光子像素33、Y发光层34上形成覆盖 藍光子像素33、Y发光层34和第二阴极层5的第一阴极层4。
[0116] 对比例
[0117] 本实施例提供一种有机发光二极管显示器件，其具体结构与制备工艺同实施例1， 唯一不同的是各所述子像素的阴极层仅设置有第一阴极层4,不含第二阴极层51、52。
[0118] 通过McScience公司提供的I化设备（即电流-电压-亮度测试设备）对上述实 施例1与对比例中所述的有机发光二极管显示器件进行测试，测试数据如下表所示：
[0119]
【权利要求】
1. 一种有机发光二极管显示器件，包括像素单元层，所述像素单元层一侧对应设置阳 极层，另一侧对应设置阴极层，所述像素单元层包括若干发光颜色不全相同且呈阵列排布 的子像素，其特征在于，至少一发光颜色的子像素对应的阴极层厚度与其余发光颜色的子 像素对应的阴极层厚度不同。
2. 根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器件，其特征在于，各所述子像素对应 的阴极层均包括第一阴极层，至少一种发光颜色的子像素对应的阴极层包括第二阴极层， 且所述第二阴极层不全覆盖所有发光颜色的子像素；所述第二阴极层堆叠设置在所述第一 阴极层的上侧或下侧。
3. 根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器件，其特征在于，所述第一阴极层为 M、Ag及其合金中的一层或多层形成的堆叠层，M为Mg、Li、K、Ca、Na、Sr、Cs、Ba、Yb中的一 种；所述第二阴极层为Mg、Ag及其合金中的一层或多层形成的堆叠层，或Li、K、Ca、Na、Sr、 Cs、Ba、Yb中的一层或多层形成的堆叠层。
4. 根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器件，其特征在于，所述第一阴极层的 厚度为100A?300A,所述第二阴极层的厚度为20A~20〇A。
5. 根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器件，其特征在于，所述阳极层为X层或 依次堆叠的X层/Ag层/X层，X为铟锡氧化物（ΙΤ0)、铟锌氧化物（ΙΖ0)、铝锌氧化物（AZO) 中的一种。
6. 根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器件，其特征在于，所述有机发光二极 管显示器件包括电极引线，所述子像素的阵列外围还设置有导电条，所述导电条覆盖所述 阴极层端部以及所述电极引线的部分区域，用于搭接导通所述阴极层与所述电极引线，所 述导电条为Ag、Al、Cu、Au及其合金中的一层或多层形成的堆叠层，所述导电条的厚度为 loo A?loot) A。
7. 根据权利要求1-6中任一项所述的有机发光二极管显示器件，其特征在于，所述阴 极层上还设置有连续的覆盖所有所述有机发光二极管的光学覆盖层。
8. -种权利1-7任一项所述的有机发光二极管显示器件的制备方法，其特征在于，包 括如下步骤： 在衬底上形成阳极层； 在所述阳极层上形成像素单元层，所述像素单元层包括若干发光颜色不全相同且呈阵 列排布的子像素； 在所述像素单元层上形成阴极层，其中，至少一发光颜色的子像素对应的阴极层厚度 与其余发光颜色的子像素对应的阴极层厚度不同。
9. 根据权利要求8所述的有机发光二极管显示器件的制备方法，其特征在于，所述在 像素单元层上形成阴极层的步骤，具体包括：在所述像素单元层上形成覆盖所有子像素的 第一阴极层；在至少一种发光颜色相同的子像素上形成第二阴极层，且所述第二阴极层不 全覆盖所有发光颜色的子像素。
10. 根据权利要求8所述的有机发光二极管显示器件的制备方法，其特征在于，还包括 在阳极层外围形成导电条的步骤，所述导电条用于搭接导通所述阴极层与电极引线，还包 括在所述阴极层上形成光学覆盖层的步骤。
【文档编号】H01L27/32GK104466022SQ201410789043
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年12月17日 优先权日:2014年12月17日
【发明者】陈红, 彭兆基, 金波 申请人:昆山国显光电有限公司