一种降低锂离子电池自放电率的化成工艺的利记博彩app
【专利摘要】本发明提供一种降低锂离子电池自放电率的化成工艺：步骤一，待化成的锂离子电池首先进行充电使电芯达到正极单质金属除Li外都能腐蚀的电压；步骤二，将电芯存放在高温环境中一段时间，使正极的所有单质金属杂质全部缓慢的氧化，从而扩散至周围分多通道迁移至负极表面析出，降低正极金属单质迁移至负极表面析出堆积刺破隔膜导致微短路的比例；步骤三，按照0.2C充电至满电，降低锂离子电池的自放电率。本发明设计一种能够降低锂离子电池在化成是金属单质堆积的化成流程，使用后可大幅降低电池自放电比例。
【专利说明】-种降低结离子电池自放电率的化成工艺
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种电池的化成工艺，特别适用于一种降低裡离子电池自放电率的化 成工艺。
[0002]
【背景技术】
[0003] 裡电池具有比能量高，自放电率低，高低温性能好和充放电寿命长，无记忆效应等 特点。目前被广泛应用于笔记本电脑、摄像机、数码相机、个人数字助理（PDA)、移动通讯终 端产品及电动工具等产品上。高倍率性能圆柱18650裡离子二次电池广泛应用于电动自行 车、电动汽车、动力工具、矿用安全仓备用电源等领域，需求量巨大。对电池的一致性要求很 高，电池自放电是电池一致性的致命缺陷，电池自放电直接降低电池组是使用寿命，因此需 要对化成工艺进行相应的改进，W降低电池自放电比例。
[0004]
【发明内容】
[0005] 针对W上问题，本发明设计一种能够降低裡离子电池在化成是金属单质堆积的化 成流程，使用后可大幅降低电池自放电比例，为达此目的，本发明提供一种降低裡离子电池 自放电率的化成工艺： 步骤一，待化成的裡离子电池首先进行充电使电芯达到正极单质金属除Li外都能腐 蚀的电压； 步骤二，将电芯存放在高温环境中一段时间，使正极的所有单质金属杂质全部缓慢的 氧化，从而扩散至周围分多通道迁移至负极表面析出，降低正极金属单质迁移至负极表面 析出堆积刺破隔膜导致微短路的比例； 步骤H，按照0. 2C充电至满电，降低裡离子电池的自放电率。
[0006] 作为本发明进一步改进，步骤一中裡离子电池充电的充电时间为20?40min，裡 离子电池充电的充电大小为50?200mA，由于本发明要进行充电使电芯达到正极单质金属 除Li外都能腐蚀的电压因此充电时间和大小最好很短，经测试充电时间为20?40min，充 电大小为50?200mA。
[0007] 作为本发明进一步改进，步骤二高温环境温度为45摄氏度，高温环境的存放时间 为12?36h，考虑裡电池情况高温环境的温度应为45摄氏度，存放时间为12?36h。
[0008] 作为本发明进一步改进，待化成的裡离子电池为圆柱18650裡电池，经测试本发 明化成方法特别适用于裡电池。
[0009] 本发明是一种裡离子二次电池的化成流程，待化成电芯先进行小电流短时间充 电，然后再存放在高温环境中使裡离子电池正极的金属单质杂质充分腐蚀和扩散，增加正 极的单质金属从正极迁移至负极的迁移通道，使金属单质在负极表面不发生堆积刺破隔 膜，从而降低裡离子电池的自放电率，从而得到可减少50%的自放电电芯。
[0010]
【专利附图】
【附图说明】
[0011] 图1为采用本发明化成工艺的化成曲线图； 图2为未采用本发明化成工艺的化成曲线图。
[0012]
【具体实施方式】
[0013] W下结合附图和实施例对发明做详细的说明： 本发明设计一种能够降低裡离子电池在化成是金属单质堆积的化成流程，使用后可大 幅降低电池自放电比例。
[0014] 本发明化成工艺具有如下： 待化成的裡离子电池首先进行短时间、小电流（20?40min、50?200mA)充电使电芯达 到正极单质金属（Li除外)都能腐蚀的电压，再将电芯存放在45摄氏度的高温环境中12? 36h，是正极的所有单质金属杂质全部缓慢的氧化，从而扩散至周围分多通道迁移至负极表 面析出，降低正极金属单质迁移至负极表面析出堆积刺破隔膜导致微短路的比例，最后按 照0. 2C充电至满电，降低裡离子电池的自放电率，W下为实验方法验证及结果： 将待化成电池装入化成柜上，分成两组电池，一组W W下模式进行充电： W 100mA的电流进行CC模式充电，充电时间设置为30min, 将电池取出，放入45度环境中，静置12?36h， 取出电池重新上柜后，将电池按正常流程进行化成， 化成曲线图如图1所示： 另一组W正常流程进行化成的化成曲线图如图2所示： W上两组电池化成结束后，按照正常流程完成后续的工步。
[0015] 对两种方式的自放电进行对比：
【权利要求】
1. 一种降低裡离子电池自放电率的化成工艺，其特征在于： 步骤一，待化成的裡离子电池首先进行充电使电芯达到正极单质金属除Li外都能腐 蚀的电压； 步骤二，将电芯存放在高温环境中一段时间，使正极的所有单质金属杂质全部缓慢的 氧化，从而扩散至周围分多通道迁移至负极表面析出，降低正极金属单质迁移至负极表面 析出堆积刺破隔膜导致微短路的比例； 步骤H，按照0. 2C充电至满电，降低裡离子电池的自放电率。
2. 如权利要求1所述的降低裡离子电池自放电率的化成工艺，其特征在于：步骤一中 裡离子电池充电的充电时间为20?40min。
3. 如权利要求1所述的降低裡离子电池自放电率的化成工艺，其特征在于：步骤一中 裡离子电池充电的充电大小为50?200mA。
4. 如权利要求1所述的降低裡离子电池自放电率的化成工艺，其特征在于：步骤二高 温环境温度为45摄氏度。
5. 如权利要求1所述的降低裡离子电池自放电率的化成工艺，其特征在于：步骤二高 温环境的存放时间为12?36h。
6. 如权利要求1所述的降低裡离子电池自放电率的化成工艺，其特征在于：待化成的 裡离子电池为圆柱18650裡电池。
【文档编号】H01M10/058GK104466257SQ201410729989
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年12月5日 优先权日:2014年12月5日
【发明者】侯峰, 黄满湘, 张波 申请人:江苏天鹏电源有限公司