浅沟槽隔离的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种浅沟槽隔离的制造方法，通过在浅沟槽填充氧化物与热退火之间，添加硅离子注入的步骤，使填充氧化物，如二氧化硅等，含有甚至充满硅原子，在热退火的过程中产生的氧原子可以与之结合，有效避免氧原子扩散氧化浅沟槽侧面的衬底硅，从而避免了由此导致浅沟槽尺寸缩小的问题；更甚者，向浅沟槽侧面的硅衬底同时注入硅离子，可以在硅衬底形成无定型硅，无定型硅在退火后重结晶，释放浅沟槽中的压力，从而提高器件性能。本发明可以大大增加有源区浅沟槽隔离填充工艺段的健壮性和工艺窗口，提升器件性能、可靠性和良率。
【专利说明】浅沟槽隔离的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体制造【技术领域】，尤其涉及一种浅沟槽隔离的制造方法。
【背景技术】
[0002] 随着超大型集成电路尺寸微缩化的持续发展，电路元器件的尺寸越来越小且对 其运行速度的要求越来越高，但直到目前为止，提高CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导）器件运行速度的方法都集中于减小其沟道长度以 及栅介质层的厚度。然而，在小于l〇〇nm的沟道长度情况下，若器件尺寸进一步缩小就会受 到物理极限以及设备成本的限制。随着集成电路工艺逐步进入40nm、32nm甚至是28nm时 代，栅氧厚度和栅极长度的减小趋势都已经逐步放缓，微电子工业界开始寻找其它方式以 继续提高CMOS器件性能。
[0003] 目前，集成电路包括许多形成在半导体衬底上的晶体管，一般来说，晶体管是通 过绝缘或隔离结构而彼此间隔开。现有技术中，用来形成隔离结构的工艺是浅沟槽隔离 (Shallow Trench Isolation，简称STI)工艺，传统的STI工艺通常包括以下简化步骤：首 先，在硅衬底上热生长或淀积氮化硅层；接下来，通过光刻和刻蚀选择性去除该氮化硅层和 硅衬底，在该硅衬底中形成浅沟槽；最后向浅沟槽里填充绝缘层二氧化硅。
[0004] 在45nm/40nm及以下的高阶半导体制造工艺中，由于浅沟槽开口尺寸越来越小， 有源区浅沟槽隔离填充工艺变得越来越难，陆续用到HARP，eHARP以及FCVD填充工艺，后续 用热退火工艺使二氧化硅薄膜致密化，并消除沟槽内缝隙缺陷（seam)。
[0005] 然而，由于上述工艺沉积的二氧化硅薄膜富含氧元素，在高温的热退火过程中会 扩散氧化衬底硅，导致有源区尺寸缩小，如图1所示，这对器件性能、可靠性和良率都带来 影响，而且随着工艺节点不断缩小越来越不可控。此外，即使采用高热预算的退火工艺，也 不能完全消除缝隙缺陷。
[0006] 申请号为201310753728. 7的中国专利申请提供了一种浅沟槽隔离的制造方法， 包括用多晶硅填充浅沟槽后离子注入锗，并退火。该申请虽然可以提供沟道的应力，提高硅 的载流子迁移率，但并不能解决二氧化硅填充浅沟槽后退火所导致氧原子扩散氧化衬底硅 使有源区尺寸缩小的技术问题。
[0007] 申请号为201010198373. 6的中国专利申请提供了一种浅沟槽隔离结构的制造方 法，通过直接在需要制作浅沟槽隔离结构的位置处，对露出的单晶硅进行氧离子注入，并退 火形成二氧化硅隔离区。该申请虽然流程简洁，不受浅沟槽宽度尺寸的限制，但对浅沟槽的 尺寸和形貌无法准确把握，注入的氧离子也会在退火过程中扩散氧化衬底硅，从而影响器 件性能、质量。
【发明内容】
[0008] 为了解决上述现有技术存在的问题，本发明提供一种浅沟槽隔离的制造方法，以 解决有源区浅沟槽隔离填充工艺的缝隙缺陷问题以及后续的高温的热退火过程中扩散氧 化衬底硅而导致有源区尺寸缩小的问题。
[0009] 本发明提供的浅沟槽隔离的制造方法，其包括以下步骤：
[0010] 步骤S01，在硅片的硅衬底中形成浅沟槽；
[0011] 步骤S02,向该浅沟槽内填充氧化物；
[0012] 步骤S03,对该浅沟槽进行硅离子注入，以使得该浅沟槽内的填充氧化物区域含有 硅原子；
[0013] 步骤S04,对该硅片进行热退火。
[0014] 进一步地，步骤S03还包括对该浅沟槽进行硅离子注入，以使得该浅沟槽内的填 充氧化物结构被打散。
[0015] 进一步地，步骤S03为多次硅离子注入，以使得该浅沟槽内的填充氧化物区域充 满娃原子。
[0016] 进一步地，步骤S03中硅离子注入的注入深度为该浅沟槽深度的5-100%。
[0017] 进一步地，步骤S03中娃离子注入的娃浓度为lE1Qcnt/cm2-lE 16cnt/cm2。
[0018] 进一步地，步骤S03中硅离子注入为常温离子注入、低温离子注入或高温离子注 入。
[0019] 进一步地，步骤S04中热退火为Spike退火、RTA退火、激光退火或高温炉管退火， 热退火温度为600-1250°C。
[0020] 进一步地，步骤S04中热退火包括第一步快速退火和第二步常规退火，该第一步 快速退火中填充氧化物内的硅原子快速锁定退火所产生的氧原子并与之结合，该第二步常 规退火中致密填充氧化物，以消除浅沟槽中缝隙缺陷。
[0021] 进一步地，该第一步快速退火为RTA退火，退火时间为10-60秒；该第二步常规退 火为高温炉管退火，退火时间为5-30分钟。
[0022] 进一步地，步骤S02中填充氧化物为HARP工艺、eHARP工艺、ALD工艺或FCVD工 艺。
[0023] 本发明的浅沟槽隔离的制造方法，通过在浅沟槽填充氧化物与热退火之间，添加 硅离子注入的步骤，使填充氧化物，如二氧化硅等，含有甚至充满硅原子，在热退火的过程 中产生的氧原子可以与之结合，有效避免氧原子扩散氧化浅沟槽侧面的衬底硅，从而避免 了由此导致浅沟槽尺寸缩小的问题；另一方面，向浅沟槽内填充氧化物注入硅离子，可以使 本身就呈无定型的氧化层被打得更散，被打散后的无定型氧化层在退火后重结晶，结构变 得更紧密，可以有效消除浅沟槽氧化层内的缝隙和空洞缺陷，从而提高器件性能。本发明可 以大大增加有源区浅沟槽隔离填充工艺段的健壮性和工艺窗口，提升器件性能、可靠性和 良率。
【专利附图】
【附图说明】
[0024] 为能更清楚理解本发明的目的、特点和优点，以下将结合附图对本发明的较佳实 施例进行详细描述，其中：
[0025] 图1是现有工艺中浅沟槽填充氧化物后与退火后的对比结构示意图；
[0026] 图2是本发明第一实施例浅沟槽隔离制造方法的流程示意图。
【具体实施方式】
[0027] 第一实施例
[0028] 请参阅图2,本实施例中的浅沟槽隔离的制造方法，包括以下步骤：
[0029] 步骤S01，在硅片的硅衬底中形成浅沟槽；本步骤可通过刻蚀等现有方法，不再赘 述；
[0030] 步骤S02,向该浅沟槽内填充氧化物，如二氧化硅等；
[0031] 步骤S03,对该浅沟槽进行硅离子注入，以使得该浅沟槽内的二氧化硅区域含有 硅原子，用来与后续退火过程中产生的氧原子结合，避免氧原子扩散氧化浅沟槽旁的衬底 硅；
[0032] 步骤S04,对该硅片进行热退火，使二氧化硅变得致密，消除缝隙缺陷等。
[0033] 本实施例通过在浅沟槽填充氧化物与热退火之间，添加硅离子注入的步骤，使填 充氧化物区域含有甚至充满硅原子，在热退火的过程中产生的氧原子可以与之结合，有效 避免氧原子扩散氧化浅沟槽侧面的衬底硅，从而避免了由此导致浅沟槽尺寸缩小的问题。 本实施例可以大大增加有源区浅沟槽隔离填充工艺段的健壮性和工艺窗口，提升器件性 能、可靠性和良率。
[0034] 第二实施例
[0035] 本实施例中的浅沟槽隔离的制造方法，包括以下步骤：
[0036] 步骤S01，在硅片的硅衬底中形成浅沟槽，该浅沟槽的深度为3200A，最小尺寸为 630 A;本步骤可通过刻蚀等现有方法，不再赘述。
[0037] 步骤S02,向该浅沟槽内填充二氧化硅，二氧化硅的厚度为5000 A;本步骤可以是 HARP工艺、eHARP工艺、ALD工艺或FCVD工艺，可以针对不同尺寸的浅沟槽。
[0038] 步骤S03,对该浅沟槽进行硅离子注入，以使得该浅沟槽内的二氧化硅区域含有硅 原子，用来与后续退火过程中产生的氧原子结合，避免氧原子扩散氧化浅沟槽旁的衬底硅； 并且使得浅沟槽内二氧化硅层的结构被打散，打散后的无定型二氧化硅在退火后重结晶， 结构变得更紧密，从而消除缝隙和空洞缺陷，提高器件性能；
[0039] 其中，本步骤包括两步常温硅离子注入：第一步高能量低剂量注入硅离子，注入 深度3000A,剂量5E 12cnt/cm2 ;第二步低能量高剂量注入硅离子，注入深度2500A,剂量 lE14cnt/cm2。本步骤通过两次硅离子注入，使得浅沟槽内的填充氧化物区域充满硅原子；离 子注入的注入深度可根据实际需要进行调整，较佳地为浅沟槽深度的5-100% ;离子注入的 硅浓度较佳地为lE1(lCnt/Cm2-lE 16Cnt/Cm2 ;硅离子注入工艺可以是常温离子注入、低温离子 注入或高温离子注入工艺。
[0040] 步骤S04,对该硅片进行热退火，使二氧化硅变得致密，消除缝隙缺陷等。
[0041] 其中，本步骤包括两步退火：第一步RTA快速退火和第二步高温炉管常规退火， 第一步快速退火的退火温度为1050°C，退火时间为30秒，该步使得填充氧化物内的硅原 子快速锁定退火所产生的氧原子并与之结合；第二步常规退火的退火温度为1050°C，退火 时间为15分钟，该步使得填充二氧化硅变得更加致密，以消除浅沟槽中缝隙缺陷。实际 应用中，退火工艺还可以Spike退火、RTA退火、激光退火或高温炉管退火，热退火温度为 600-1250°C。第一步快速退火的退火时间可以为10-60秒；第二步常规退火的退火时间可 以为5-30分钟。
[0042] 本实施例可以应用于32/28纳米工艺平台有源区浅沟槽隔离填充工艺中，也可以 用于16/14纳米FinFET工艺平台等其他有源区浅沟槽隔离填充工艺中。
【权利要求】
1. 一种浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤： 步骤SOI，在硅片的硅衬底中形成浅沟槽； 步骤S02,向该浅沟槽内填充氧化物； 步骤S03,对该浅沟槽进行硅离子注入，以使得该浅沟槽内的填充氧化物区域含有硅原 子； 步骤S04,对该硅片进行热退火。
2. 根据权利要求1所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：步骤S03还包括对该 浅沟槽进行硅离子注入，以使得该浅沟槽内的填充氧化物结构被打散。
3. 根据权利要求2所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：步骤S03为多次硅离 子注入，以使得该浅沟槽内的填充氧化物区域充满硅原子。
4. 根据权利要求3所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：步骤S03中硅离子注 入的注入深度为该浅沟槽深度的5-100%。
5. 根据权利要求3所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：步骤S03中硅离子注 入的娃浓度为 lElclcnt/cm2-lE16cnt/cm2。
6. 根据权利要求3所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：步骤S03中硅离子注 入为常温离子注入、低温离子注入或高温离子注入。
7. 根据权利要求1所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：步骤S04中热退火为 Spike退火、RTA退火、激光退火或高温炉管退火，热退火温度为600-1250°C。
8. 根据权利要求7所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：步骤S04中热退火包 括第一步快速退火和第二步常规退火，该第一步快速退火中填充氧化物内的硅原子快速锁 定退火所产生的氧原子并与之结合，该第二步常规退火中致密填充氧化物，以消除浅沟槽 中缝隙缺陷。
9. 根据权利要求8所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：该第一步快速退火为 RTA退火，退火时间为10-60秒；该第二步常规退火为高温炉管退火，退火时间为5-30分 钟。
10. 根据权利要求1所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：步骤S02中填充氧化 物为HARP工艺、eHARP工艺、ALD工艺或FCVD工艺。
【文档编号】H01L21/762GK104269376SQ201410491604
【公开日】2015年1月7日 申请日期:2014年9月24日 优先权日:2014年9月24日
【发明者】李润领 申请人:上海华力微电子有限公司