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【专利摘要】本发明的发光装置具备：第一像素电极；第二像素电极；包含发光层的有机层；像素分离层，其夹设在第一像素电极的外缘部以及第二像素电极的外缘部与有机层之间，并分离第一像素区域以及第二像素区域；以及共用电极，其设置在有机层的与设置有第一像素电极以及第二像素电极的一侧相反侧，其中，像素分离层与第一像素电极中的俯视时的重叠宽度以及像素分离层与第二像素电极中的俯视时的重叠宽度大于有机层或者电荷输送层的膜厚。
【专利说明】发光装置以及电子设备
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及发光装置以及电子设备。
【背景技术】
[0002]从以往，作为电子设备的显示装置，使用将多个有机电致发光(Electroluminescence,以下，缩写为EL)元件配置成矩阵状的发光装置(例如参照专利文献I)。各个有机EL元件经由驱动用晶体管等与电源线连接，以与从电源线供给的驱动电流对应的亮度发光。提出了一种将多个电源线以与多个信号线一一对应的方式设置在显示区域内的有源矩阵方式的有机EL装置(例如参照专利文献2)。
[0003]专利文献1:日本特开2012 - 138226号公报
[0004]专利文献2:日本特开2012 - 084371号公报
[0005]一般地，在有机EL装置等发光装置中，在基板上依次层叠像素电极、发光层、以及共用电极，发光层通过在像素电极与共用电极之间流动的电流发光。但是，在有源矩阵方式的发光装置中，像素电极被配置成矩阵状，所以若相邻的像素电极的电位不同，则存在漏电流在相邻的像素电极间流动的情况。在该情况下，本来应从像素电极流向共用电极而贡献于发光的电流朝向相邻的像素电极流动，所以得不到所希望的灰度、色调，产生显示品质降低的问题。这在像素间隔狭窄的高精细的显示装置用的发光装置中成为特别显著的问题。
【发明内容】
[0006]本发明的一个方式是为了解决上述的课题而完成的，目的之一在于提供能够减少相邻的像素电极间的漏电流的发光装置。本发明的一个方式的目的之一在于提供具备这种发光装置，且具备显示品质优良的显示部的电子设备。
[0007]为了实现上述的目的，本发明的第一方式的发光装置具备:第一像素电极；第二像素电极；有机层，其包含发光层；像素分离层，其夹设在上述第一像素电极的外缘部以及上述第二像素电极的外缘部与上述有机层之间；以及共用电极，其设置在上述有机层的与设置有上述第一像素电极以及上述第二像素电极的一侧相反侧，其中，上述像素分离层与上述第一像素电极中的俯视时的重叠宽度、以及上述像素分离层与上述第二像素电极中的俯视时的重叠宽度大于上述有机层的膜厚。
[0008]在本发明的第一方式的发光装置中，第一像素电极和第二像素电极在俯视时与有机层重叠，像素分离层中的与第一像素电极以及第二像素电极的重叠宽度大于有机层的膜厚。因此，这些构成要素能够虚拟地看作为将第一像素电极以及第二像素电极中与像素分离层重叠的部分设为栅极、将其他的部分设为源极或漏极、将位于与第一像素电极以及第二像素电极重叠的像素分离层上的有机层设为沟道区域的有机薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,以下,缩写为TFT)以二极管连接的构造。其结果，通过二极管连接构造而第一像素电极以及第二像素电极间的电阻上升，所以抑制第一像素电极与第二像素电极之间的电流。这样，能够实现能够减少相邻的像素电极间的漏电流的发光装置。
[0009]优选在本发明的第一方式的发光装置中，上述像素分离层的膜厚比上述有机层的膜厚薄。
[0010]根据该结构，强烈表现出二极管连接的影响，更加充分地抑制第一像素电极与第二像素电极之间的电流。
[0011]优选在本发明的第一方式的发光装置中，上述重叠宽度是上述有机层的膜厚的3倍以上10倍以下。
[0012]在该结构中，充分确保相对于有机层的重叠宽度，所以能够增强二极管连接的作用。因此，充分抑制电流在第一像素电极与第二像素电极之间流动。
[0013]优选在本发明的第一方式的发光装置中，上述第一像素区域与上述第二像素区域的间隔是上述有机层的膜厚的20倍以下。
[0014]在该结构中，因像素间隔狭窄而相邻的像素电极间的漏电流的问题变得更加显著。因此，本发明的一个方式的发光装置的效果更加有效。
[0015]本发明的第二方式的发光装置具备:第一像素电极；第二像素电极；发光层；电荷输送层，其设置在上述发光层与上述第一像素电极以及上述第二像素电极之间；像素分离层，其夹设在上述第一像素电极的外缘部以及上述第二像素电极的外缘部与上述电荷输送层之间；以及共用电极，其设置在上述发光层的与设置有上述第一像素电极以及上述第二像素电极的一侧相反侧，上述像素分离层与上述第一像素电极中的俯视时的重叠宽度、以及上述像素分离层与上述第二像素电极中的俯视时的重叠宽度大于上述电荷输送层的膜厚。
[0016]在本发明的第二方式的发光装置中，第一像素电极与第二像素电极在俯视时与电荷输送层重叠，像素分离层中的与第一像素电极以及第二像素电极的重叠宽度大于电荷输送层的膜厚。因此，这些构成要素能够虚拟地看作为将第一像素电极以及第二像素电极中与像素分离层重叠的部分设为栅极，将其他的部分设为源极或漏极，将位于与第一像素电极以及第二像素电极重叠的像素分离层上的电荷输送层设为沟道区域的有机薄膜晶体管(Thin Film Transistor,以下,缩写为TFT)以二极管连接的构造。其结果，通过二极管连接构造而第一像素电极以及第二像素电极间的电阻上升，所以抑制第一像素电极与第二像素电极之间的电流。这样，能够实现能够减少相邻的像素电极间的漏电流的发光装置。
[0017]优选在本发明的第二方式的发光装置中，上述像素分离层的膜厚比上述电荷输送层的膜厚薄。
[0018]根据该结构，强烈地表现出二极管连接的影响，更加充分地抑制第一像素电极与第二像素电极之间的电流。
[0019]优选在本发明的第二方式的发光装置中，上述重叠宽度是包含上述发光层以及上述电荷输送层的有机层的膜厚的3倍以上10倍以下。
[0020]在该结构中，充分确保相对于有机层的重叠宽度，所以能够增强二极管连接的作用。因此，更加充分地抑制电流在第一像素电极与第二像素电极之间流动。
[0021]优选在本发明的第二方式的发光装置中，上述第一像素区域与上述第二像素区域的间隔是包含上述发光层以及上述电荷输送层的有机层的膜厚的20倍以下。
[0022]在该结构中，因像素间隔狭窄而相邻的像素电极间的漏电流的问题更加显著。因此，本发明的一个方式的发光装置的效果更加有效。
[0023]在本发明的一个方式的发光装置中，也可以是从上述发光层发出的光从上述共用电极侧射出的结构。
[0024]根据该结构，在顶部发光型的发光装置中，能够减少相邻的像素电极间的漏电流。
[0025]在本发明的一个方式的发光装置中，也可以是从上述发光层发出的光从上述基板侧射出的结构。
[0026]根据该结构，在底部发射型的发光装置中，能够减少相邻的像素电极间的漏电流。
[0027]本发明的一个方式的电子设备具备本发明的第一或者第二方式的发光装置。
[0028]根据本发明的一个方式的电子设备，通过具备本发明的第一或者第二方式的发光装置，能够实现具备显示品质优良的显示部的电子设备。
【专利附图】
【附图说明】
[0029]图1是本发明的第一实施方式的发光装置的俯视图。
[0030]图2是构成发光装置的像素的等效电路图。
[0031]图3是发光装置的剖视图。
[0032]图4是说明与电源电位的供给相关的构成要素的位置关系的图。
[0033]图5是连接用导体的俯视图。
[0034]图6是第一电源导体的俯视图。
[0035]图7是第一电源导体、第二电源导体、以及保护导电层的位置关系的说明图。
[0036]图8是抽出比第一电源导体靠上层侧的结构来表示的剖视图。
[0037]图9是第一像素区域与第二像素区域的等效电路图。
[0038]图10是本发明的第二实施方式的发光装置的剖视图。
[0039]图11是本发明的第三实施方式的发光装置的剖视图。
[0040]图12是本发明的第四实施方式的发光装置的剖视图。
[0041]图13是作为电子设备的一个例子的头部佩戴型显示装置的示意图。
【具体实施方式】
[0042]第一实施方式
[0043]以下，使用图1?图9对本发明的第一实施方式进行说明。
[0044]第一实施方式的发光装置是从密封层(共用电极)侧射出光的顶部发光型的有机EL装置的一个例子。
[0045]在以下的各附图中为了容易观察各结构要素，有时根据构成要素使尺寸的比例尺不同来表示。
[0046]图1是第一实施方式的发光装置100的俯视图。
[0047]第一实施方式的发光装置100是将利用了有机EL材料的发光元件形成在基板10上的有机EL装置。基板10是由硅等半导体材料形成的板状部件(半导体基板)，作为形成多个发光元件的基材被利用。
[0048]如图1所示，在基板10的表面设置有显示区域12、周边区域14、以及安装区域16。显示区域12是排列有多个像素P的矩形状的区域。在显示区域12中形成有沿X方向延伸的多条扫描线22、与各扫描线22对应地沿X方向延伸的多条控制线24、以及沿与X方向交叉的Y方向延伸的多条信号线26。像素P是与多条扫描线22和多条信号线26的各个交叉对应的区域。因此，多个像素P遍及X方向以及Y方向排列成矩阵状。
[0049]周边区域14是包围显示区域12的矩形框状的区域。驱动电路30被设置在周边区域14。驱动电路30是驱动显示区域12内的各像素P的电路。驱动电路30包含2条扫描线驱动电路32和信号线驱动电路34。发光装置100是驱动电路30由直接形成在基板10的表面上的晶体管等能动元件构成的电路内置型的显示装置。此外，不直接贡献于图像显示的虚拟像素也可以形成在周边区域14内。
[0050]安装区域16设置在隔着周边区域14与显示区域12相反侧(即周边区域14的外侦D的区域。在安装区域16排列有多个安装端子38。控制信号、电源电位从控制电路、电源电路等各种外部电路(省略图示)被供给至安装端子38。外部电路例如安装于与安装区域16接合的可挠性的配线基板(省略图示)。
[0051]图2是显示区域12内的一个像素(像素电路)P的电路图。
[0052]如图2所示，像素P具备发光元件45、驱动晶体管TDR、发光控制晶体管TEL、选择晶体管TSL、以及电容元件C。此外，在第一实施方式中，由P沟道型的晶体管构成像素P的晶体管(TDR、TEL、TSL)，但也可以利用N沟道型的晶体管来构成。
[0053]发光兀件45是将包含有机EL材料的发光层的有机层46夹设在像素电极(阳极)El与共用电极(阴极)E2之间的电光学元件。像素电极El以像素P为单位独立地形成，共用电极E2遍及多个像素P连续地形成。
[0054]如图2所示，发光元件45配置在将第一电源导体41和第二电源导体42连结起来的电流路径上。第一电源导体41是供给高电位侧的电源电位VEL的电源配线。第二电源导体42是供给低电位侧的电源电位VCT的电源配线。
[0055]驱动晶体管TDR和发光控制晶体管TEL在将第一电源导体41和第二电源导体42连结起来的电流路径上与发光元件45串联连接。具体而言，驱动晶体管TDR的一对电流端中的一方(源极)与第一电源导体41连接。发光控制晶体管TEL作为控制驱动晶体管TDR的一对电流端中的另一方(漏极)和发光元件45的像素电极El的导通状态(导通/非导通)的开关发挥作用。驱动晶体管TDR生成同与自身的栅极一源极间的电压对应的电流量相当的驱动电流。
[0056]在发光控制晶体管TEL被控制为导通状态的状态下，驱动电流从驱动晶体管TDR经由发光控制晶体管TEL被供给至发光元件45。此时，发光元件45以与驱动电流的电流量对应的亮度发光。在发光控制晶体管TEL被控制为截止状态的状态下，针对发光元件45的驱动电流的供给被切断。此时，发光元件45熄灭。发光控制晶体管TEL的栅极与控制线24连接。
[0057]图2所示的选择晶体管TSL作为控制信号线26与驱动晶体管TDR的栅极的导通状态(导通/非导通)的开关发挥作用。选择晶体管TSL的栅极与扫描线22连接。电容元件C是在第一电容电极Cl和第二电容电极C2之间夹设电介质的静电电容。第一电容电极Cl与驱动晶体管TDR的栅极连接。第二电容电极C2与第一电源导体41 (驱动晶体管TDR的源极)连接。因此，电容元件C保持驱动晶体管TDR的栅极一源极间的电压。
[0058]图1所示的信号线驱动电路34将从外部电路供给的图像信号作为与为每个像素P所指定的灰度对应的灰度电位(数据信号)，在每个写入期间(水平扫描期间)并列地供给至多条信号线26。另一方面，扫描线驱动电路32通过对多条扫描线22的各个供给扫描信号，在每个写入期间依次选择多条扫描线22的各个。与扫描线驱动电路32所选择出的扫描线22对应的像素P的选择晶体管TSL变迁为导通状态。此时，经由信号线26和选择晶体管TSL向各像素P的驱动晶体管TDR的栅极供给灰度电位，与灰度电位对应的电压被保持在电容元件C。
[0059]另一方面，若写入期间的扫描线22的选择结束，则扫描线驱动电路32通过向各控制线24供给控制信号，将与该控制线24对应的像素P的发光控制晶体管TEL控制为导通状态。因此，与在之前的写入期间被保持在电容元件C中的电压对应的驱动电流从驱动晶体管TDR经由发光控制晶体管TEL被供给至发光元件45。如上所述，发光元件45以与灰度电位对应的亮度发光，从而将图像信号所指定的任意的图像显示于显示区域12。
[0060]图3是发光装置100的剖视图。
[0061]如图3所示，在由硅等半导体材料形成的基板10的表面中的显示区域12内形成有像素P的晶体管T(TDR、TEL、TSL)，在周边区域14内形成有驱动电路30的晶体管T。晶体管T构成为包含形成在基板10的表面上的能动区域1A(源极/漏极区域)、覆盖基板10的表面的绝缘层LO (栅极绝缘膜)、以及形成在绝缘层LO上的栅极G。能动区域1A由向基板10内注入杂质离子而成的离子注入区域构成。像素P的晶体管T(TDR、TEL、TSL)的沟道区域存在于源极区域与漏极区域之间。向沟道区域注入与能动区域1A不同种类的离子，但省略图示。各晶体管T的栅极G配置在隔着绝缘层LO与沟道区域对置的位置。
[0062]如图3所示，在形成有各晶体管T的栅极G的绝缘层LO上形成有交替地层叠多个绝缘层(LA?LF)和多个配线层(WA?WF)而成的多层配线层。各绝缘层例如由硅化合物(典型的为氮化硅、氧化硅)等绝缘性的无机材料形成。各配线层W由含有铝、银等低电阻的导电材料形成。在以下的说明中，将通过选择性地除去导电层(单层或者多层)来利用相同工序一并地形成多个要素的关系记载为“由同层形成”。
[0063]图3的绝缘层LA形成在形成有各晶体管T的栅极G的绝缘层LO的面上。在绝缘层LA的面上，由同层(配线层WA)形成有包含多个中继电极QA(QAl?QA4)的导体图案。中继电极QAl经由贯通绝缘层LA和绝缘层LO的导通孔(接触孔)与发光控制晶体管TEL的能动区域1A(漏极)导通。中继电极QA2经由贯通绝缘层LA的导通孔与驱动晶体管TDR的栅极G导通。中继电极QA3经由贯通绝缘层LA以及绝缘层LO的导通孔与驱动晶体管TDR的能动区域1A(源极)导通。中继电极QA4经由贯通绝缘层LA以及绝缘层LO的各导通孔与发光控制晶体管TEL的能动区域1A(源极)、和驱动晶体管TDR的能动区域1A(漏极)导通。即，如图2所示，驱动晶体管TDR与发光控制晶体管TEL串联连接。此夕卜，为了方便，省略选择晶体管TSL的图示、与驱动电路30内的各晶体管T相关的具体的配线的图示等。
[0064]图3的绝缘层LB形成在形成有配线层WA的绝缘层LA的面上。在绝缘层LB的面上，由同层(配线层WB)形成有包含连接用导体52和多个中继电极QB(QB1、QB2)的导体图案。连接用导体52经由贯通绝缘层LB的导通孔与配线层WA的中继电极QA3导通。S卩，连接用导体52与驱动晶体管TDR的能动区域1A(源极)导通。
[0065]图4是发光装置100中，与电源电位(VEUVCT)的供给相关的要素的示意图。
[0066]如图4所不,连接用导体52是包含导电部521和导电部522的导体图案。导电部521是在俯视时遍及显示区域12的整个区域的大致矩形状的整体图案。所谓的整体图案不是线状或者带状的图案或其组合(例如格子状)的图案，而意味着至少除去导通用的开口部等，像涂敷显示区域12的大致整个面那样均匀地连续的面状的导体图案。
[0067]图5是导电部521中，与在X方向上相邻的三个像素P对应的部分的示意图。
[0068]如图5所示，在导电部521以像素P为单位形成有开口部54A以及开口部54B。中继电极QBl形成在开口部54A的内侧。中继电极QB2形成在开口部54B的内侧。换言之，导电部521具有开口部54A以及开口部54B，在俯视时以包围中继电极QBl以及中继电极QB2的方式形成在显示区域12的整个区域。开口部54A以及开口部54B是用于使配线层WB的上层的要素与下层的要素电导通的开口(即将上层的要素和下层的要素连结起来的路径所通过的开口)。中继电极QBl以及中继电极QB2通过形成为与连接用导体52分离的位置以及形状，而与连接用导体52电绝缘。
[0069]如图3以及图5所示，中继电极QBl经由贯通绝缘层LB的导通孔Hll与配线层WA的中继电极QAl导通。中继电极QB2经由贯通绝缘层LB的导通孔H12与配线层WA的中继电极QA2导通。
[0070]连接用导体52的导电部522 (第一导电部)如图4所示，是从位于显示区域12内的导电部521通过周边区域14延伸到安装区域16的直线状的导体图案。导电部522与配置在安装区域16的多个安装端子38中被供给高电位侧的电源电位VEL的安装端子381电连接。
[0071]如图3所示，绝缘层LC形成在形成有配线层WB的绝缘层LB的面上。在绝缘层LC的面上，由同层(配线层WC)形成有包含电容元件C的第一电容电极Cl和多个中继电极QC(QC1、QC4)的导体图案。第一电容电极Cl经由贯通绝缘层LC的导通孔与配线层WB的中继电极QB2导通。S卩，如图2所示，电容元件C的第一电容电极Cl经由中继电极QB2和中继电极QA2与驱动晶体管TDR的栅极G导通。图3的中继电极QCl经由贯通绝缘层LC的导通孔与中继电极QBl导通。中继电极QC4形成在安装区域16，经由贯通绝缘层LC的导通孔与连接用导体52 (导电部522)导通。
[0072]图3的绝缘层LD形成在形成有配线层WC的绝缘层LC的面上。在绝缘层LD的面上，由同层(配线层WD)形成有包含电容元件C的第二电容电极C2、多个中继电极QD (QD1、QD4)以及导电部56的导体图案。第二电容电极C2形成为在俯视时与第一电容电极Cl重叠的形状以及位置。由此，以像素P为单位形成由第一电容电极Cl和第二电容电极C2夹持绝缘层LD的构造的电容元件C。
[0073]中继电极QDl经由贯通绝缘层LD的导通孔与配线层WC的中继电极QCl导通。中继电极QD4形成在安装区域16，经由贯通绝缘层LD的导通孔与配线层WC的中继电极QC4导通。另一方面，导电部56如图4所示，是从周边区域14延伸到安装区域16的导体图案。导电部56与被供给低电位侧的电源电位VCT的安装端子382电连接。
[0074]图3的绝缘层LE形成在形成有配线层WD的绝缘层LD的面上。在绝缘层LE的面上，由同层(配线层WE)形成有包含第一电源导体41、第二电源导体42、以及多个中继电极QE(QE1、QE4)的导体图案。配线层WE由含有铝、银等的光反射性的导电材料形成。
[0075]中继电极QEl经由贯通绝缘层LE的导通孔与配线层WD的中继电极QDl导通。中继电极QE4形成在安装区域16，经由贯通绝缘层LE的导通孔与配线层WD的中继电极QD4导通。如图3所示，中继电极QE4经由后述的中继电极QF4与电源电位VEL的供给用的安装端子381电连接。即，电源电位VEL的安装端子381经由中继电极QF4、中继电极QE4、中继电极QD4、以及中继电极QC4与连接用导体52(导电部522)导通。
[0076]如图4所示，第一电源导体41与连接用导体52的导电部521相同，形成为在俯视时遍及显示区域12的大致整个区域的矩形状的整体图案。如上所述，第一电源导体41由例如含有铝、银等光反射性的导电材料形成。具体而言，第一电源导体41也可以是铝、银等单体材料，例如也可以由钛(Ti)/AlCu(铝-铜合金)的层叠膜等构成。
[0077]图6是第一电源导体41的部分俯视图。
[0078]如图6所示，第一电源导体41是至少除去以像素P为单位形成的开口部41A，以涂敷显示区域12的大致整个区域的方式均匀地连续的面状的导体图案。上述的中继电极QEl形成在开口部41A的内侧。具体而言，中继电极QEl在开口部41A的内侧形成为与第一电源导体41分离的位置以及形状，并与第一电源导体41电绝缘。
[0079]此外，在图4中省略开口部41A、中继电极QEl的图示。如以上说明那样，第一电源导体41具有开口部41A，在俯视时以包围中继电极QEl的方式形成在显示区域12的大致整个区域。开口部41A是用于使配线层WE的上层的要素和下层的要素电导通的开口(即将上层的要素和下层的要素连结起来的路径所通过的开口)。
[0080]第一实施方式的第一电源导体41在俯视时以占据显示区域12的80%以上的方式形成为面状。优选，第一电源导体41占据显示区域12的90%以上。更优选，第一电源导体41占据显示区域12的95%以上。例如，若将开口部41A形成为纵0.9 μ mX横0.9 μ m的矩形状，将像素P的面积假定为纵7.5 μ mX横2.5 μ m的矩形状，则遍及显示区域12的约96%形成第一电源导体41。也与上述的连接用导体52的导电部521相同，形成为在俯视时表示显示区域12的80%以上的整体状，优选占据显示区域12的90%以上(更优选为95%以上)。
[0081]如图3以及图6所示，第一电源导体41经由贯通绝缘层LE的多个导通孔H22与配线层WD的第二电容电极C2导通。以像素P为单位形成在Y方向上排列的多个(5个)导通孔H22。第一电源导体41如图6所示，经由贯通位于第一电源导体41与连接用导体52(导电部521)的层间的绝缘层L(LE、LD、LC)的多个导通孔H23与配线层WB的连接用导体52 (导电部521)导通。多个导通孔H23在俯视时形成在相互相邻的各像素P之间的区域。具体而言，多个导通孔H23在Y方向相邻的各像素P的间隙在沿着X方向延伸的带状的区域(像素P的各行间)内，沿着X方向排列成直线状。即，沿着X方向的多个导通孔H23遍及多行相互隔开间隔并列在Y方向上。
[0082]如以上所述，第一电源导体41经由导通孔H23与连接用导体52导通。S卩，第一电源导体41如图3以及图6所示，经由连接用导体52的导电部521和中继电极QA3与驱动晶体管TDR的能动区域1A(源极)导通，并且经由连接用导体52的导电部521以及导电部522和从中继电极QC4至中继电极QF4与电源电位VEL的供给用的安装端子381导通。
[0083]如图4所示，第二电源导体42是形成在显示区域12的周围的周边区域14内的带状的电极。具体而言，第二电源导体42形成为在俯视时包围第一电源导体41的环状(矩形框状的封闭图形)。因此，基板10的表面中，由周边区域14内的晶体管T构成的驱动电路30被第二电源导体42覆盖。第一电源导体41和第二电源导体42以相互分离的方式形成而电绝缘。如图3以及图4所示，第二电源导体42经由贯通绝缘层LE的导通孔H24与配线层WD的导电部56导通。S卩，向安装端子382供给的低位侧的电源电位VCT经由导电部56被供给至第二电源导体42。
[0084]如图3以及图4所示，连接用导体52的导电部522由与第二电源导体42不同的层形成，从显示区域12内的导电部521在周边区域14内通过第二电源导体42的下层(即，与第二电源导体42立体交叉)延伸到安装区域16。即，连接用导体52的导电部522在俯视时与第二电源导体42重叠。
[0085]图3的第一光学调整层LF形成在形成有配线层WE的绝缘层LE的面上。在第一光学调整层LF的面上，由同层(配线层WF)形成有包含多个中继电极QF(QF1、QF4)和保护导电层58的导体图案。配线层WF例如由遮光性的导电材料(例如氮化钛)形成。
[0086]中继电极QFl经由贯通第一光学调整层LF的导通孔与中继电极QEl导通。如图3所示，中继电极QFl形成为在俯视时与第一电源导体41的开口部41A重叠。S卩，中继电极QFl的外周缘在俯视时位于开口部41A的内周缘的外侧。由于中继电极QFl由遮光性的导电材料形成，所以通过中继电极QFl阻止针对多层配线层的来自开口部41A的外光的侵入。因此，具有能够防止由光照射引起的各晶体管T的电流泄漏的优点。另一方面，安装区域16内的中继电极QF4经由贯通第一光学调整层LF的导通孔与配线层WE的中继电极QE4导通。
[0087]图3的保护导电层58经由贯通第一光学调整层LF的导通孔与第二电源导体42导通。图7是第一电源导体41、第二电源导体42以及保护导电层58的平面位置关系的说明图。在图7中，保护导电层58的一部分以实线图示，其他的一部分的外形以点划线图示。
[0088]如图7所示，保护导电层58形成为与第二电源导体42类似的环状(矩形框状)，形成为在俯视时与第一电源导体41以及第二电源导体42双方重叠的带状。具体而言，保护导电层58的内周缘在俯视时位于第一电源导体41的周缘的内侧。即，保护导电层58与第一电源导体41中周缘的附近的区域重叠。保护导电层58的外周缘在俯视时位于第二电源导体42的外周缘的外侧。即，保护导电层58在俯视时与第二电源导体42的整个区域重叠。如以上说明的那样，保护导电层58在俯视时与第一电源导体41和第二电源导体42的间隙的区域(即显示区域12与周边区域14的边界的附近的区域)重叠。
[0089]如图3所示，在形成有配线层WF的第一光学调整层LF的面上形成有第二光学调整层60。第一光学调整层LF以及第二光学调整层60是规定各像素P的共振构造(详细内容后述)的共振波长的透光性的膜体。具体而言，第一光学调整层LF以及第二光学调整层60由硅化合物(典型的是氮化硅、氧化硅)等透光性的绝缘材料形成。
[0090]如图3所示，在第二光学调整层60的面上，由同层形成有显示区域12内的每个像素P的像素电极E1、周边区域14内的导通用电极63、以及安装区域16内的多个安装端子38。像素电极E1、导通用电极63、以及安装端子38例如由ITO(Indium Tin Oxide:氧化铟锡)等透光性的导电材料形成。像素电极El如使用图2说明的那样，是作为发光元件45的阳极发挥作用的大致矩形状的电极(像素电极)。经由贯通第二光学调整层60的导通孔与中继电极QFl导通。即，像素电极El经由多层配线层的各中继电极(QF1、QE1、QD1、QC1、QBUQA1)与发光控制晶体管TEL的能动区域1A(漏极)导通。如以上说明的那样，多层配线层的各中继电极(QFl、QEl、QDl、QCl、QBl、QAl)是用于电连接像素电极El和晶体管(在第一实施方式的例示中是发光控制晶体管TEL)的部件。另一方面，周边区域14内的导通用电极63经由贯通第二光学调整层60的导通孔与保护导电层58导通。
[0091]安装区域16内的各安装端子38适当地与多层配线层内的配线导通。例如被供给高电位侧的电源电位VEL的安装端子381如图3所示，经由多层配线层的各中继电极(QF4、QE4、QD4、QC4)与连接用导体52 (导电部522)导通。因此，向安装端子381供给的高电位的电源电位VEL经由各中继电极(QF4、QE4、QD4、QC4)和连接用导体52被供给至第一电源导体41。被供给低电位侧的电源电位VCT的安装端子382经由多层配线层的导电部56与第二电源导体42导通。因此，低电位的电源电位VCT被供给至第二电源导体42。
[0092]在形成有像素电极E1、导通用电极63、以及安装端子38的第二光学调整层60的面上，如图3所示，遍及基板10的整个区域形成有像素分离层65。像素分离层65例如由硅化合物(典型的是氮化硅、氧化硅)等绝缘性的无机材料形成。如图3所示，在像素分离层65形成有与显示区域12内的像素电极El对应的开口部65A、与周边区域14内的导通用电极63对应的开口部65B、以及与安装区域16内的各安装端子38对应的开口部65C。安装端子38经由开口部65C与外部电路电连接。即，形成在像素分离层65的开口部65A如后述那样构成发光装置100中的各像素区域。以下，根据需要有时也将开口部65A称为像素区域。
[0093]如图3所示，在形成有像素分离层65的第二光学调整层60的面上形成有有机层46。有机层46形成在显示区域12内并遍及多个像素P连续地设置。有机层46未形成在周边区域14、安装区域16。例如，也可以在周边区域14中显示区域12侧的区域形成有机层46。有机层46构成为包含由有机EL材料形成的发光层。在图3中省略了图示，但有机层46包含空穴注入层、发光层、电子注入层(参照图8)。有机层46通过电流的供给来放射白色光。白色光是具有横跨蓝色的波长范围、绿色的波长范围以及红色的波长范围的光谱的光，在可见光的波长范围内至少具有2个峰值。
[0094]在形成有有机层46的第二光学调整层60的面上，遍及显示区域12以及周边区域14双方形成有共用电极E2。共用电极E2如图2所示，作为发光元件45的阴极发挥作用。如图3所示，有机层46中在像素分离层65的开口部65A的内侧被像素电极El和共用电极E2夹持的区域作为发光区域发光。S卩，在开口部65A的内侧层叠有像素电极E1、有机层46以及共用电极E2的部分作为发光元件45发挥作用。如以上说明的那样，像素分离层65规定各像素P的发光元件45的平面形状、尺寸。
[0095]第一实施方式的发光装置100是高精细地配置有发光元件45的显示装置，是所谓的微型显示器。例如一个发光元件45的面积(一个开口部65A的面积)被设定成40 μ m2以下。例如，在X方向上相互相邻的各发光元件45的间距被设定成5μπι以下，发光元件45间的间隔被设定成I?2μπι的范围。另外如后述那样，构成发光元件的有机层的膜厚是100?130nm左右。因此，发光元件45间的间隔即、相邻的像素区域间的间隔(相邻的开口部65A间的间隔)为有机层的膜厚的20倍以下左右。
[0096]共用电极E2中位于周边区域14内的部分如图3所示，经由像素分离层65的开口部65B与导通用电极63导通。在周边区域14中导通用电极63和共用电极E2导通的区域、其外侧的区域未形成有机层46。S卩，横跨显示区域12以及周边区域14双方的共用电极E2经由周边区域14内的导通用电极63和保护导电层58与第二电源导体42导通。因此，向安装端子382供给的低电位侧的电源电位VCT经由导电部56、第二电源导体42、保护导电层58、以及导通用电极63被供给至共用电极E2。
[0097]图3的共用电极E2作为使到达表面的光的一部分透过并且使剩余的反射的性质(半透过反射性)的半透过反射层发挥作用。半透过反射性的共用电极E2通过使例如含有银、镁的合金等光反射性的导电材料形成为充分薄的膜厚而形成。来自有机层46的放射光在第一电源导体41和共用电极E2之间往复，特定的共振波长的成分被选择性地放大后透过共用电极E2向观察侧(与基板10相反侧)射出。即，在作为反射层发挥作用的第一电源导体41和作为半透过反射层发挥作用的共用电极E2之间形成有使来自有机层46的射出光共振的共振构造。第二光学调整层60是用于以像素P的显示色为单位分别独立地设定共振构造的共振波长(显示色)的要素。具体而言，通过根据第一光学调整层LF以及第二光学调整层60的膜厚来适当地调整构成共振构造的第一电源导体41和共用电极E2之间的光路长(光学的距离)，以显示色为单位设定各像素P的射出光的共振波长。
[0098]如图3所示，在共用电极E2的面上形成有遍及显示区域12以及周边区域14的密封层70。密封层70是通过对形成在基板10上的各构成要素进行密封，来防止外部空气、水分的侵入的透光性的膜体。密封层70由无机材料、有机材料的单层或者多层形成。如图3所示，密封层70未形成在安装区域16，而在安装区域16中露出各安装端子38。
[0099]图8是表示相邻的2个像素区域的剖视图。此外，在图8中，抽出比第一电源导体41靠上层侧的结构来表示。以下，为了便于说明，将图8中的左侧的像素区域设为第一像素区域65AL，将右侧的像素区域设为第二像素区域65AR，将左侧的第一像素区域65AL的像素电极设为第一像素电极E1L，将右侧的第二像素区域65AR的像素电极设为第二像素电极E1R。
[0100]划分第一像素区域65AL以及第二像素区域65AR的像素分离层65设置在第二光学调整层60的上表面中的被第一像素电极和第二像素电极夹持的区域。在图3中省略了图示，但有机层46从下层侧朝向上层侧具有空穴注入层(电荷输送层)47、发光层48、以及电子注入层49。并且，有机层46也可以具有空穴输送层、电子输送层。
[0101]因此，在本实施方式中，空穴注入层47被设置为覆盖第一像素电极的上表面、第二像素电极的上表面、以及像素分离层65。
[0102]在图8中，着眼于以下的3个结构。
[0103](I)第一像素电极ElL以及第二像素电极ElR以与空穴注入层47接触的方式相互隔着间隔地设置。
[0104](2)像素分离层65形成为覆盖第一像素电极ElL以及第二像素电极ElR的外缘部的状态，第一像素电极ElL以及第二像素电极ElR的一部分经由像素分离层65与空穴注入层47对置。
[0105](3)像素分离层65中的第一像素电极以及第二像素电极的重叠宽度大于有机层46的膜厚。
[0106]在着眼于(I)?(3)的结构时，若将第一像素电极ElL以及第二像素电极ElR中，与像素分离层65重叠的部分看作栅极、将其他的部分看作源极和漏极的一方，则能够虚拟地当作将以与第一像素电极ElL以及第二像素电极ElR重叠的像素分离层65上的有机层46(空穴注入层47)为沟道区域的TFT以二极管连接的构造。这里，栅极和源极以及漏极的一方由相同的第一像素电极ElL (第二像素电极ElR)构成，所以成为电连接的状态。另夕卜，源极以及漏极的另一方是不与第一像素电极ElL以及第二像素电极ElR重叠的有机层46 (空穴注入层47)。以下，将该二极管连接的一组TFT称为虚拟二极管连接构造。
[0107]图9是用于说明本实施方式中的漏电流减少的原理的图，是表示第一像素区域65AL以及第二像素区域65AR这2个像素区域的等效电路图。在之前说明的图2中，示出一个像素区域的等效电路图，但图2的结构要素中，省略了没有直接参与以下的说明的发光控制晶体管TEL、选择晶体管TSL、电容元件C等的图示。
[0108]假定使第一像素区域65AL以相对高的亮度发光，使第二像素区域65AR以相对低的亮度发光。此时，对第一像素电极ElL供给例如5V的电位VI，并对第二像素电极ElR供给例如2V的电位V2。如图9所示，第一驱动晶体管TDRl的源极和漏极的任意一方与第一像素电极ElL电连接，另一方与第一电源导体41电连接。同样，第二驱动晶体管TDR2的源极和漏极的任意一方与第二像素电极ElR电连接，另一方与第一电源导体41电连接。
[0109]此外，与第一像素电极ElL和第一电源导体41之间的电流路径连接的元件也可以不只是第一驱动晶体管TDR1，也可以包含其他的晶体管(例如上述的发光控制晶体管TEL、选择晶体管TSL)、电阻、二极管、电容元件等。因此，所谓的第一驱动晶体管TDRl在第一像素电极ElL和第一电源导体41之间电连接的状态也包含具备上述的其他的元件的结构。对于第二驱动晶体管TDR2也相同。
[0110]在第一像素电极ElL的电位Vl是5V、第二像素电极ElR的电位V2是2V的情况下，在第一像素区域65AL中的虚拟二极管连接构造中二极管连接的TFT截止，在第二像素区域65AR中的虚拟二极管连接构造中二极管连接的TFT导通。此时，第一像素电极ElL以及第二像素电极ElR间的电阻升高，所以在第一像素电极ElL以及第二像素电极ElR间电流难以流动。由此，与未设置虚拟二极管连接构造的情况相比，能够减少第一像素电极ElL以及第二像素电极ElR间的漏电流。此外，在第一像素电极ElL的电位Vl与第二像素电极ElR的电位V2相同的情况下，例如，在均为2V或者5V的情况下，在第一像素电极一第二像素电极间不会流过漏电流。
[0111]为了使上述的虚拟二极管连接构造有效地发挥作用，需要充分确保第一像素电极ElL以及第二像素电极ElR与作为栅极绝缘膜发挥作用的像素分离层65的重叠宽度。因此，在本实施方式中，为了使虚拟二极管连接构造有效地发挥作用，像素分离层65与第一像素电极ElL中的俯视时的重叠宽度H、以及像素分离层65与第二像素电极ElR中的俯视时的重叠宽度H大于有机层46的膜厚。并且，在本实施方式中，使上述重叠宽度H比有机层46中的空穴注入层47的膜厚大。另外，在本实施方式中，优选使像素分离层65的膜厚比有机层46的膜厚薄。并且，优选重叠宽度为有机层46的3倍以上10倍以下。
[0112]S卩，若将像素分离层65的膜厚设为t、将有机层46的膜厚设为toled，则优选满足t < toled、toledX 3 ^ H ^ toledX 10。
[0113]作为具体例，将有机层46的膜厚设为130mn，将空穴注入层47的膜厚设为50nm，将像素分离层65的膜厚设为20nm，将重叠宽度H设为400nm，将第一像素区域65AL以及第二像素区域65AR间的间隔设为lOOOnm，将像素面积设为40μπι2以下。在该情况下，重叠宽度H为400nm、有机层46的膜厚toled为130nm，所以满足t < toled以及toledX3彡H彡toledXlO。另外，由于重叠宽度H为400nm，所以空穴注入层47的膜厚大于50nm，从而满足上述条件。
[0114]另外，在将第一像素区域65AL以及第二像素区域65AR间的间隔设为2000nm的情况下，重叠宽度H为800nm。在这种情况下，也满足上述条件。
[0115]作为发光装置中的以往的漏电流对策，研究出例如提高空穴注入层的电阻值、在相邻的像素区域间挖设用于绝缘的槽等对策。然而，在提高空穴注入层的电阻值的情况下，为了发光装置的驱动需要高电压，难以进行驱动电压的低电压化。另外，在相邻的像素区域间挖设槽的情况下，难以进行像素的微细化，伴随于此难以密封。这样，各个对策都具有问题点。
[0116]与此相对，在本实施方式的发光装置100中，在相邻的像素电极El的上层侧经由比有机层46的膜厚大的宽度的像素分离层65配置有空穴注入层47。该结构与在相邻的像素电极间设置了虚拟地被二极管连接的有机晶体管等效。由此，即使相邻的像素电极间的间隔变短，也能够充分地减少相邻的像素电极间的漏电流。根据条件，采用本实施方式的发光装置100，能够将漏电流的值减少到不具有上述的结构的以往的发光装置的1/10以下。
[0117]第二实施方式
[0118]以下，使用图10对本发明的第二实施方式进行说明。
[0119]第二实施方式的发光装置的基本结构与第一实施方式的发光装置相同，是顶部发光型的有机EL装置。第二实施方式的发光装置具备以像素为单位具备了最优化的共振器构造这一点与第一实施方式的发光装置不同。
[0120]图10是第二实施方式的发光装置的剖视图。
[0121]在图10中，对于在第一实施方式中使用的与图3共用的构成要素标注相同的符号，省略详细的说明。
[0122]在图10的剖视图中，左侧的像素区域表示蓝色像素区域PXB，中央的像素区域表示绿色像素区域PXG，右侧的像素区域表示红色像素区域PXR。
[0123]在第二实施方式的发光装置200中，将多个导体分别图示为I层金属层或2?3层金属层的层叠膜。第一电源导体41由钛(Ti)/AlCu(铝-铜合金)的层叠膜构成。与第一实施方式相同，第一电源导体41遍及相邻的像素区域而形成。因此，第一电源导体41位于像素电极El的下方，并且延伸到像素电极El的外侧。
[0124]在蓝色像素区域PXB中，第一光学调整层LF以覆盖第一电源导体41的方式形成在绝缘层LE的上表面。像素电极El形成在第一光学调整层LF的上表面。图10的以符号BB所示的位置与相邻的像素电极间的层叠构造对应。若观察符号BB所示的位置，则像素分离层65与第一实施方式相同，形成为覆盖像素电极El的外缘部的状态。
[0125]在绿色像素区域PXG中，第一光学调整层LF以覆盖第一电源导体41的方式形成在绝缘层LE的上表面。第三光学调整层61形成在第一光学调整层LF的上表面。像素电极El形成在第三光学调整层61的上表面。图10的以符号GG所示的位置与相邻的像素电极间的层叠构造对应。若观察符号GG所示的位置，像素分离层65与第一实施方式相同，形成为覆盖像素电极El的外缘部的状态。
[0126]在红色像素区域PXR中，第一光学调整层LF以覆盖第一电源导体41的方式形成在绝缘层LE的上表面。第二光学调整层60形成在第一光学调整层LF的上表面。第三光学调整层61形成在第二光学调整层60的上表面。像素电极El形成在第三光学调整层61的上表面。图10的以符号RR所示的位置与相邻的像素电极间的层叠构造对应。若观察以符号RR所示的位置，则像素分离层65与第一实施方式相同，形成为覆盖像素电极El的外缘部的状态。
[0127]即使在第二实施方式中，优选使与构成虚拟二极管连接构造的像素分离层65中的像素电极El的重叠宽度H大于有机层46的膜厚。此外，即使在第二实施方式的情况下，像素分离层65也由栅极绝缘膜构成。
[0128]作为具体例，将第一光学调整层LF的膜厚设为50nm、将第二光学调整层60的膜厚设为50nm、将第三光学调整层61的膜厚设为50nm、将像素分离层65的膜厚设为20nm、将有机层的膜厚设为130nm。
[0129]在该情况下，在蓝色像素区域PXB中，栅极绝缘膜由像素分离层65构成，所以绝缘膜的膜厚t为20nm，有机层46的膜厚toled为130nm。
[0130]另外，在绿色像素区域PXG中，栅极绝缘膜由像素分离层65构成，所以绝缘膜的膜厚为20nm，有机层46的膜厚toled为130nm。
[0131]另外，在红色像素区域PXR中，栅极绝缘膜由像素分离层65构成，所以绝缘膜的膜厚t为20nm，有机层46的膜厚为130nm。
[0132]在本实施方式的发光装置200中，也可以得到利用能够设在相邻的像素电极El间的虚拟二极管连接构造，能够充分地减少相邻的像素电极间的漏电流这样的与第一实施方式相同的效果。另外，能够实现按照各色的每个像素区域具有最佳的共振器长的彩色发光
>J-U ρ?α装直。
[0133]第三实施方式
[0134]以下，使用图11对本发明的第三实施方式进行说明。
[0135]第三实施方式的发光装置与第一实施方式、第二实施方式的发光装置不同，是使来自发光层的光从基板侧射出的底部发射型的有机EL装置的一个例子。
[0136]图11是第三实施方式的发光装置的剖视图。
[0137]在图11中，对于在第一实施方式中使用的与图8共用的构成要素标注相同的符号，并省略详细的说明。
[0138]在第三实施方式的发光装置300中，如图11所不，第一电源导体51经由第一光学调整层LF以及第二光学调整层60设置在第一像素电极ElL以及第二像素电极ElR的下层侦U。第一电源导体51由例如含有铝、银等的光反射性的导电材料形成。但是，相对于在第一、第二实施方式中，在第一像素电极ElL以及第二像素电极ElR的正下方配置有第一电源导体41，在本实施方式中，在第一像素电极ElL以及第二像素电极ElR的正下方没有配置第一电源导体51。换言之,第一电源导体51在与第一像素电极ElL以及第二像素电极ElR的正下方的位置具有开口部51Η。
[0139]在本实施方式中，构成虚拟二极管连接构造的像素分离层65中的与第一像素电极ElL以及第二像素电极ElR的重叠宽度H也大于有机层46的膜厚。
[0140]图3中所示的各种晶体管、电容元件、配线等构成要素配置在第一电源导体51的开口部51Η以外的区域，S卩，配置在透光区域以外的区域。共用电极EC由例如含有铝、银等的光反射性的导电材料形成。因此，从发光层48发出的光被共用电极EC反射，透过第一像素电极ElL或第二像素电极ElR,通过第一电源导体51的开口部51Η从基板侧射出。
[0141]在本实施方式的发光装置300中，也可以得到利用能够设在相邻的像素电极E1L、ElR间的虚拟二极管连接构造，能够充分地减少相邻的像素电极间的漏电流这样的与第一、第二实施方式相同的效果。
[0142]第四实施方式
[0143]以下，使用图12对本发明的第四实施方式进行说明。
[0144]第四实施方式的发光装置与第三实施方式的发光装置相同，是底部发射型的有机EL装置的一个例子。
[0145]图12是第四实施方式的发光装置的剖视图。
[0146]在图12中，对于在第一实施方式中使用的与图8共用的构成要素标注相同的符号，省略详细的说明。
[0147]在第四实施方式的发光装置400中，如图12所示，第一电源导体83包含由光反射性材料构成的第一导体81、和由透光性材料构成的第二导体82。第一导体81由例如含有铝、银等的光反射性的导电材料形成。第二导体82由ITO等透光性的导电材料形成。第一导体81在俯视时设置在第一像素区域65AL与第二像素区域65AR之间的区域。第二导体82以俯视时遍及第一像素区域65AL和第二像素区域65AR的方式设置。将第二导体82设置在第一像素电极ElL与基板(省略图示)之间以及第二像素电极ElR与基板之间，经由贯通第一光学调整层的接触孔84与第一导体81电连接。在向第一电源导体83供给发光兀件驱动用的高电位这一点与第一、第二实施方式相同。
[0148]在本实施方式中，构成虚拟二极管连接构造的像素分离层65中的与第一像素电极ElL以及第二像素电极ElR的重叠宽度H也大于有机层46的膜厚。
[0149]图3所示的各种晶体管、电容元件、配线等构成要素配置在第一导体81的下方的区域，即，配置在透光区域以外的区域。共用电极EC由例如包含铝、银等的光反射性的导电材料形成。因此，从发光层48发出的光被共用电极EC反射，依次透过第一像素电极ElL或第二像素电极E1R、第二导体82从基板侧射出。
[0150]在本实施方式的发光装置400中，也可以得到利用能够设在相邻的像素电极E1L、ElR间的虚拟二极管连接构造，能够充分地减少相邻的像素电极间的漏电流这样的与第一?第三实施方式相同的效果。另外，构成第二导体82的ITO等透光性材料一般来说电阻率较高。然而，通过第二导体82与第一导体81电连接，第一导体81起到降低第二导体82的电阻率的作用。
[0151]电子设备
[0152]将上述的各实施方式所例示的发光装置100作为各种电子设备的显示装置适当地利用。在图13中，作为电子设备例示出利用了在各实施方式中例示的发光装置100的头部佩戴型的显不装置90 (HMD:Head Mounted Display)。
[0153]显示装置90是能够佩戴在人的头部的电子设备，具备与使用者的左眼重叠的透过部(透镜)92L、与使用者的右眼重叠的透过部92R、左眼用的发光装置100L以及半透半反镜94L、以及右眼用的发光装置100R以及半透半反镜94R。发光装置100L和发光装置100R被配置为射出光相互向相反方向行进。左眼用的半透半反镜94L使透过部92L的透过光向使用者的左眼侧透过，并且使来自发光装置100L的射出光向使用者的左眼侧反射。同样，右眼用的半透半反镜94R使透过部92R的透过光向使用者的右眼侧透过，并且使来自发光装置10R的射出光向使用者的右眼侧反射。
[0154]因此，使用者觉察重叠了经由透过部92L以及透过部92R观察的像和各发光装置100的显示图像的图像。另外，使相互给予了视差的立体视图像(左眼用图像以及右眼用图像)显示于发光装置100L和发光装置100R，从而能够使使用者觉察显示图像的立体感。
[0155]此外，应用各实施方式的发光装置100的电子设备并不限于图13的显示装置90。例如，也能够将本发明的发光装置适当地利用在摄像机、静像照相机等拍摄装置所利用的电子式取景器(EVF-Electronic View Finder)。另外，能够在移动电话机、便携信息终端(智能手机)、电视或个人计算机等的显示器、车辆导航装置等各种电子设备中采用本发明的发光装置。
[0156]此外，本发明的技术范围并不限于上述实施方式，能够在不脱离本发明的主旨的范围中添加各种变更。上述实施方式的发光装置中的各种电极、配线、晶体管、电容元件、绝缘膜等的构成材料、形状、配置、尺寸、膜厚等的具体记载只不过是一个例子，能够适当地变更。
[0157]符号说明
[0158]10…基板；46…有机层；47…空穴注入层(电荷输送层);48…发光层;65…像素分离层；90…显不装置(电子设备)；E1L...第一像素电极；E1R…第二像素电极；E2…共用电极；65AL...第一像素区域；65AR...第二像素区域；H…重叠宽度
【权利要求】
1.一种发光装置，其特征在于，具备: 第一像素电极； 第二像素电极； 有机层，其包含发光层； 像素分离层，其夹设在所述第一像素电极的外缘部以及所述第二像素电极的外缘部与所述有机层之间；以及 共用电极，其设置在所述有机层的与设置有所述第一像素电极以及所述第二像素电极的一侧相反侧， 其中，所述像素分离层与所述第一像素电极中的俯视时的重叠宽度、以及所述像素分离层与所述第二像素电极中的俯视时的重叠宽度大于所述有机层的膜厚。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于， 所述像素分离层的膜厚比所述有机层的膜厚薄。
3.根据权利要求1或者2所述的发光装置，其特征在于， 所述重叠宽度是所述有机层的膜厚的3倍以上10倍以下。
4.根据权利要求1?3中的任意一项所述的发光装置，其特征在于， 所述第一像素区域与所述第二像素区域的间隔是所述有机层的膜厚的20倍以下。
5.一种发光装置，其特征在于，具备: 第一像素电极； 第二像素电极； 发光层; 电荷输送层，其设置在所述发光层与所述第一像素电极以及所述第二像素电极之间；像素分离层，其夹设在所述第一像素电极的外缘部以及所述第二像素电极的外缘部与所述电荷输送层之间；以及 共用电极，其设置在所述发光层的与设置有所述第一像素电极以及所述第二像素电极的一侧相反侧， 其中，所述像素分离层与所述第一像素电极中的俯视时的重叠宽度、以及所述像素分离层与所述第二像素电极中的俯视时的重叠宽度大于所述电荷输送层的膜厚。
6.根据权利要求5所述的发光装置，其特征在于， 所述像素分离层的膜厚比所述电荷输送层的膜厚薄。
7.根据权利要求5或者6所述的发光装置，其特征在于， 所述重叠宽度是包含所述发光层以及所述电荷输送层的有机层的膜厚的3倍以上10倍以下。
8.根据权利要求5?7中的任意一项所述的发光装置，其特征在于， 所述第一像素区域与所述第二像素区域的间隔是包含所述发光层以及所述电荷输送层的有机层的膜厚的20倍以下。
9.根据权利要求1?8中的任意一项所述的发光装置，其特征在于， 从所述发光层发出的光从所述共用电极侧射出。
10.根据权利要求1?8中的任意一项所述的发光装置，其特征在于， 从所述发光层发出的光从所述基板侧射出。
11.一种电子设备，其特征在于，具备权利要求1?10中的任意一项所述的发光装置。
【文档编号】H01L51/52GK104466005SQ201410458201
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年9月10日 优先权日:2013年9月20日
【发明者】腰原健 申请人:精工爱普生株式会社