排气设备和具有排气设备的衬底处理设备的利记博彩app
【专利摘要】衬底处理设备以及用于衬底处理设备中的排气设备。所述衬底处理设备包含：排气装置，将在衬底的处理过程中产生的副产物排出到腔室的外部；以及激光产生单元，将激光束辐射到设置在衬底支撑件上的所述衬底上，其中所述排气装置侧壁包含排气端口，所述排气端口形成于除了所述腔室的上部和下部之外的侧壁处，且以单个或多个设置到所述侧壁。可容易地排出在处理的执行过程中产生的所述副产物。且，所述设备可防止副产物污染所述设备，且最终提高在完成所述处理之后所制造的产品的质量。此外，因为所述腔室的真空是不必要的，所以衬底处理设备可减少现有技术中由于真空状态中所消耗的处理而引起的氮气的量。
【专利说明】排气设备和具有排气设备的衬底处理设备
【技术领域】
[0001]本发明涉及排气设备和具有排气设备的衬底处理设备，且更明确地说，涉及能够容易地将副产物排出到腔室的外部的排气设备和具有排气设备的衬底处理设备。
【背景技术】
[0002]近年来，因为已提高准分子激光束的稳定性和输出，所以准分子激光束的使用范围对处理半导体材料的处理已更加广泛。
[0003]尤其是为了形成例如发光二极管(LED)等装置，主要通过产生激光束的激光处理设备来执行将薄膜与晶片衬底分离的处理。此处理被称作激光剥离(LLO)。(此处，图1是用于描述相关技术中的激光处理设备的视图)。
[0004]参看图1，激光处理设备I包含具有用于接纳衬底S的空间的腔室10，且气体入口12和气体出口 14设置到腔室10，且传输窗口 30安装在腔室10的上端上。激光辐射构件50安装在传输窗口 30的上侧上，且从激光辐射构件50辐射的激光束55通过传输窗口 30且到达腔室10中的衬底。
[0005]图2(a)、图2(b)是用于描述从辐射构件50辐射的激光束55的形式的视图，其中图2 (a)是衬底的俯视图且图2(b)是衬底的透视图。如图2(a)、图2(b)所示，激光束55以线状辐射在衬底S上。衬底S在垂直于激光束55的线的方向(箭头方向)上移动，以执行激光束55对衬底S的整个表面的辐射。
[0006]在完成此处理之后，图3所示的排气设备可通过腔室10的下部的侧表面的气体出口 14a和14b来排出在处理的执行中产生的副产物P。然而，因为气体出口形成在比设置衬底的地点低的位置处，所以定位在衬底的上部处的副产物不容易排出到腔室10的外部。因此，副产物保持在腔室内。且，因为副产物P通过自然循环而移动到出口并不容易，所以降低了腔室10的内部的清洁度。
[0007]因此，所产生的副产物污染并且损坏其它配置元件，从而导致激光处理设备的耐用性方面的降低。
[0008]此外，因为存在于衬底的上部上的副产物由于设置出口的位置而不容易排出，所以完成处理的产品的质量可能最终降低。
[0009]因此，在此之前已在真空中执行激光处理设备的处理来移除腔室中的颗粒。然而，存在一个问题，其中在完成处理之后，用于提高处理的良率且中断真空的氮气的量由于在真空状态下执行的处理而过多。此外，虽然在密封的氮气氛围中执行处理来防止外来颗粒的流入，但不容易移除腔室10内产生的副产物。
[0010]相关技术文献
[0011]专利文献
[0012](专利文献1)KR2004-0096317A1
【发明内容】
[0013]本发明提供能够容易地将在衬底的处理过程中产生的副产物排出到腔室的外部的排气设备和具有排气设备的衬底处理设备。
[0014]本发明还提供能够提高处理效率和生产率的排气设备和具有排气设备的衬底处理设备。
[0015]本发明还提供能够提高处理设备的耐用性的排气设备和具有排气设备的衬底处理设备。
[0016]根据示范性实施例，一种衬底处理设备包含:腔室，形成处理衬底的内部空间；排气装置，将在衬底的处理过程中产生的副产物排出到腔室的外部；衬底支撑件，在所述腔室的所述内部空间中支撑所述衬底；以及激光产生单元，将激光束辐射到设置在所述衬底支撑件上的所述衬底上，其中所述排气装置包含排气端口，所述排气端口形成于除了所述腔室的上部和下部之外的侧壁处，且以单个或多个设置到所述侧壁。
[0017]所述排气端口可形成于所述腔室的除了所述腔室的所述上部或所述下部之外的整个侧壁处，或形成于所述腔室的除了所述腔室的所述上部和所述下部以及形成进入口的侧壁之外的整个侧壁处。
[0018]以上排气设备可还包含注射器，所述注射器具有设置在所述排气端口的上侧处且朝向下部注射气体的注射喷嘴。
[0019]多个注射孔可形成于所述注射喷嘴处，且所述注射孔可形成为朝向腔室的侧壁方向注射气体。
[0020]从所述激光产生单元产生的激光束所通过的传输窗口可形成于所述腔室的上侧上，且所述注射喷嘴可环绕所述传输窗口而设置。
[0021]所述腔室可包含:下部块，其中所述衬底支撑件设置在其上部上；以及盖，覆盖所述下部块的上部以密封所述下部块，其中装载或卸载所述衬底所通过的衬底进入口形成于侧壁中的除了所述盖的上部侧壁之外的至少一个侧壁中。
[0022]用于吸入副产物的吸入器可设置到衬底支撑件的两侧的下部，其中所述吸入器可包含:压力调整单元，调整用于吸入所述副产物的压力；以及吸入喷嘴，具有通过其吸入所述副产物的吸入孔。
[0023]所述衬底支撑件可为能够在所述腔室内传递所述衬底的衬底传递单元。
[0024]所述衬底传递单元可包含:一对导轨，在与所述吸入喷嘴的两端交叉的方向上彼此平行地设置，且在第一轴方向上彼此间隔开；第一轴滑块，具有在所述导轨之间连接的第二轴方向的长度，且沿着所述导轨与所述吸入喷嘴一起在所述第一轴方向上前后滑动；第二轴滑块，设置在所述第一轴滑块的上部上，且沿着所述第一滑块在所述第二轴方向上前后滑动；旋转轴导引件，插入到所述第二轴滑块的中央内部中；以及衬底支撑板，设置到所述旋转轴导引件的上部。
[0025]根据另一实施例，一种用于衬底处理设备中的排气设备，所述排气设备包含:排气端口，设置到衬底的侧表面；至少一个注射喷嘴；以及供应单元，将气体供应给所述注射喷嘴。
[0026]所述排气端口可形成于除了所述衬底的上部和下部之外的整个表面处，或形成于所述衬底的除了所述衬底的所述上部和所述下部以及所述衬底的进入方向之外的整个表面处。
[0027]所述注射喷嘴可包含:多个第一注射喷嘴，在一个方向上彼此平行地设置；以及多个第二注射喷嘴，在所述第一注射喷嘴的外部处在与所述一个方向交叉的另一方向上彼此平行地设置，其中所述注射喷嘴可形成为朝向所述衬底的外部方向注射气体。
[0028]吸入器可与衬底的下部间隔地而设置，以吸入存在于所述衬底的所述下部上的副产物。
【专利附图】
【附图说明】
[0029]可结合附图从以下描述更详细地理解示范性实施例。
[0030]图1是用于描述现有的激光处理设备的视图。
[0031]图2(a)、图2(b)是用于描述激光束的形状的视图。
[0032]图3是说明现有的排气设备和排气流的示意图。
[0033]图4是说明根据示范性实施例的具有排气设备的衬底处理设备的视图。
[0034]图5是说明根据示范性实施例的设有排气端口和注射器的盖的视图。
[0035]图6是说明图5的盖的内部上表面的视图。
[0036]图7(a)、图7(b)是说明从注射喷嘴注射的气体的注射方向的视图。
[0037]图8a、图Sb、图Sc是说明根据示范性实施例的衬底支撑件和吸入器的视图。
[0038]【主要元件标号说明】
[0039]10:腔室
[0040]12:气体入口
[0041]14:气体出口
[0042]14a:气体出口
[0043]14b:气体出口
[0044]30:传输窗口
[0045]50:辐射构件
[0046]55:激光束
[0047]100:腔室
[0048]110:下部块
[0049]130:盖
[0050]135:衬底进入口
[0051]200:排气设备
[0052]220:排气端口
[0053]240:注射器
[0054]245:注射喷嘴
[0055]247:注射孔
[0056]260:吸入器
[0057]265:吸入喷嘴
[0058]267:吸入孔
[0059]300:衬底支撑件
[0060]310:线性马达导轨
[0061]330:第一轴滑块
[0062]350:第二轴滑块
[0063]355:旋转轴导引件
[0064]400:传输窗口
[0065]500:激光产生单元
[0066]550:反射镜
[0067]551:激光束
[0068]1000:衬底处理设备
[0069]P:副产物
[0070]S:衬底
【具体实施方式】
[0071]下文中，将参看附图来详细地描述示范性实施例。然而，本发明可按照许多不同形式体现，且不应被解释为限于本文中所陈述的实施例；而是，提供这些实施例以使得本发明将彻底且完整，且将向所属领域的技术人员完全地传达本发明的概念。全文中，相同的参考数字表示相同的元件。
[0072]下文中，将作为包含排气设备的衬底处理设备的激光处理设备描述为实例，但根据示范性实施例的排气设备的应用不限于此。也就是说，可将排气设备应用于必须有效地移除在处理预定空间内的衬底时产生的副产物的各种设备以及激光处理设备。
[0073]图4是说明根据示范性实施例的激光处理设备的视图。图5是说明根据示范性实施例的设有排气端口和注射器的盖的视图。图6是说明图5的盖的内部上表面的视图。图7(a)、图7(b)是说明从注射喷嘴注射的气体的注射方向的视图。图8a、图Sb、图Sc是说明根据示范性实施例的衬底支撑件和吸入器的视图。
[0074]激光处理设备是使用激光束将PI薄膜与玻璃衬底的边界表面分离的设备。激光处理设备包含:腔室100，形成处理衬底S的内部空间；排气设备200，将腔室100内的副产物排出到腔室100的外部；衬底支撑件300，在腔室100的内部空间中支撑衬底S ;以及激光产生单元500，设置在衬底支撑件300上且将激光束551辐射到设置在衬底支撑件300上的衬底S上。
[0075]激光处理设备还包含安装在腔室100的面向衬底S的一个侧表面处的传输窗口400，及在腔室100的外部设置在传输窗口 400上方以面向传输窗口 400的反射镜550。
[0076]腔室100包含:下部块110，其上部是开放的；以及盖130，设置在下部块110的上部上以密封下部块110。就这来说，腔室100不限于上文所描述的配置，且可例如以一体类型形成。当腔室100如上文所描述一体地形成时，门(未图示)可设置到腔室100的至少任何一个地方。
[0077]下部块110设有设置在其上部上的衬底支撑件300，衬底支撑件300具有平坦上表面和预定厚度。此时，虽然在图式中未图示，但可形成通道，其中，能够连接到衬底支撑件300和排气设备200的供应线连接到所述通道。
[0078]盖130用于覆盖下部块110的上部以密封下部块110。此时，当将衬底供应到腔室100中的装载锁腔室(未图示)连接到侧壁的除了盖130的上表面之外的至少任何一个侧壁时，形成衬底进入口 135，以使得衬底通过衬底进入口 135而装载或卸载。
[0079]下文中，将详细描述包含于本发明的排气设备200中的排气端口 220、注射器240和吸入器260。
[0080]排气设备200是用于处理衬底S的系统中的设备，且将在衬底S的处理过程中产生的副产物排出到腔室100的外部。排气设备200包含:排气端口 220，形成于除了腔室100的上部和下部之外的侧壁处；注射器240，设置到腔室100内的盖的底表面；以及吸入器260，配备在传递衬底S的支撑件300的两侧处，以在腔室100的底部上吸入副产物。
[0081]至少一个排气端口 220形成于除了腔室100的上部和下部之外的所述侧壁处，从而排出腔室100中的副产物，以使得腔室100内的副产物可被快速且容易地排出。排气端口 220可形成于除了腔室100的所述上部和所述下部之外的整个侧壁处，或形成于除了腔室100的所述上部和所述下部以及形成衬底进入口 135的侧壁之外的剩余侧壁处。当排气端口 220几乎形成于所有侧壁处且多个排气端口 220形成于每一侧壁处时，有利的是，可将腔室100内的副产物快速地排出到外部。
[0082]此时，能够将副产物排出到外部的导管(未图示)或软管(未图示)可连接到排气端口 220，以使得还可通过所述导管或软管将副产物排出到腔室100的外部。然而，在本发明中，当满足应将多个排气端口 220设置到腔室100时，连接到排气端口 220的元件不受限制。
[0083]注射器240设置在排气端口 220上方且用于在向下方向上(腔室100内的下侧)推动副产物。更详细来说，多个注射器240设置到腔室100的内部上表面(盖130的内部上表面)。注射器240包含:气体供应单元(未图示)，设置在腔室100的外部以供应气体；以及注射喷嘴245，将从气体供应单元供应的气体注射到腔室100的内部中。此时，注射喷嘴245安装在腔室100的内部的上侧处，且形成有多个注射孔247，其中通过注射孔247来注射气体。更详细来说，多个注射喷嘴245安装在盖130的内部上表面上，且以一种方式连接，以使得可从设置到腔室100的外部的气体供应单元供应气体，以便将气体注射到腔室100的内部。
[0084]同时，多个注射喷嘴245可在腔室100的每一侧壁上彼此间隔开且在平行于侧壁的方向上安装。因此，如图6所示，多个注射喷嘴245可分别在平行于腔室100的侧壁的方向上以预定数目设置，且可分别安装成在腔室的侧壁上具有方向性。更详细来说，注射喷嘴245包含:多个第一注射喷嘴，在一个方向上彼此平行地设置；以及多个第二喷嘴，在所述第一注射喷嘴的外部处在与所述一个方向交叉的另一方向上彼此平行地设置。因此，第一注射喷嘴和第二喷嘴环绕传输窗口而设置。
[0085]此外，形成于注射喷嘴245中的每一者中的注射孔247在面向腔室100的侧壁中的每一者的方向上形成，以使得通过注射孔247注射的气体具有方向性。也就是说，注射孔247形成为使得从朝向腔室的侧壁偏置的注射孔247注射的气体也在侧壁方向上移动。因此，当将气体注射到衬底的上部中(即，在正交于腔室100的上部的方向上)时，抑制副产物掉落在衬底的上部上，以使得可抑制对衬底的污染。且，由于气体具有朝向排气端口 220的方向性，可通过排气端口 220将腔室100内的副产物快速地排出到腔室100的外部。此夕卜，注射孔247可将副产物推动到腔室100的底部，以使得副产物不会被吸收到设置在衬底S的上部上的传输窗口 400。
[0086]如上配置的排气设备200可包含吸入器260，其中，吸入器260能够吸入并移除存在于腔室100的内部的底表面(即，下部块110的上表面)上的副产物。
[0087]图8a、图Sb、图Sc是说明根据示范性实施例的衬底支撑件和注射器的视图。图8a是说明配备有衬底支撑件和注射器的下部块的透视图。图8b是图8a的平面图，且图Sc是吸入器的透视图。
[0088]吸入器260是设置到衬底支撑件300的两个侧表面的下部以吸入存在于下部块110的上表面上的副产物的装置。也就是说，吸入器260吸入通过注射器240推动和向下移动到腔室100的下部且保持在腔室100内的底部上的副产物。因此，吸入器260设有设置到腔室100的外部的压力调整单元(未图示)和形成有吸入孔267的吸入喷嘴265，其中，副产物通过压力调整单元的吸力通过吸入孔267来吸入。
[0089]压力调整单元是一种装置，其连接到设置在腔室100的内部中的吸入喷嘴265以调整压力，以使得副产物通过吸入孔267而吸入到吸入喷嘴265中。压力调整单元吸入腔室100内的气体，以使得副产物可朝向吸入孔267移动。
[0090]吸入喷嘴265设置到衬底支撑件300的侧表面中的至少一者，能够在衬底移动时根据衬底支撑件300的移动而移动，且因此可吸入在衬底支撑件300的移动范围内的副产物。此时，吸入喷嘴265可如图Sc所示以杆状形成，且固定到衬底支撑件300的两个侧表面。
[0091]此时，本发明中的衬底支撑件300可为用于在腔室内支撑一个衬底的单一支撑件，且因此在其两个侧表面处设有吸入孔。然而，当使用多个支撑件(例如，两个支撑件)来提高衬底的产量时，可为每一支撑件设置至少一个吸入喷嘴。
[0092]同时，支撑衬底的衬底支撑件300可为能够在腔室100内水平地传递衬底S的衬底传递单元。因此，将参考图8a、图Sb、图Sc所示的图式来描述衬底滑块300。
[0093]首先，衬底S在垂直于激光束551的线的方向(箭头方向)上水平移动，以使得所述激光束辐射在衬底S的整个表面上。传递衬底S的衬底传递单元通过线性马达(LM)导引件来配置。也就是说，衬底传递单元具有沿着导轨线性地移动的结构。
[0094]如图8a、图8b、图8c所示，第一轴滑块330沿着LM导轨310移动，且充当衬底支撑板的第二轴滑块350与第一轴滑块330 —起移动。因此，在热处理期间，衬底通过第二轴方向上的移动和水平旋转运动以及第一轴方向上的移动而安放在适当的位置处。此处，第一轴和第二轴是形成二维平面的任何轴，且可简单地表达为X轴和Y轴。
[0095]导轨310实施于一对轨道中，且所述一对轨道在下部块的上表面(腔室100的底表面)上在Y轴方向(第一轴方向)上彼此间隔开地彼此平行地设置。也就是说，导轨310设置成与吸入喷嘴265的两端交叉，且在第一轴方向上彼此间隔开地设置。
[0096]第一轴滑块330具有在所述一对导轨310之间连接的第二轴方向上的长度，且与吸入喷嘴265 —起在所述第一轴方向上前后滑动。参看图8b，第一轴滑块330具有形成有U形线凹槽的长度，且允许第一轴滑块330的主体的内部具有以线形制成的中空空间。
[0097]第二轴滑块350设置在第一轴滑块330的上部上，且沿着第一轴滑块330在第二轴方向上前后滑动。第二轴滑块350安装成内凹地覆盖第一轴滑块330的上部。此处，因为第二轴滑块350安装成内凹地覆盖第一轴滑块330，所以可降低衬底支撑件300的总高度。
[0098]且，因为旋转轴导引件(未图示)以插入到第二轴滑块350的中央内部中的形状来安装，所以此形状也有助于降低衬底支撑件300的总高度。选择此类结构的原因是补偿分别在第二轴滑块350堆叠在第一轴滑块330上且旋转轴导引件堆叠在第二轴滑块350上时由于衬底支撑件的总高度的增大而占用的过多空间的问题，且还补偿衬底传递的稳定性方面减小的问题。
[0099]因为衬底支撑件300具有如上文所描述的结构，所以第一轴滑块330沿着彼此平行地安装的两个导轨310而滑动，且第二轴滑块350与第一轴滑块330 —起滑动。旋转轴导引件(未图示)插入到第二轴滑块350的中央内部中，且衬底支撑板355安装在旋转轴导引件上。第一轴滑块330和第二轴滑块350通过线性马达而移动，且旋转轴导引件将旋转操作赋予衬底S。这样，衬底S通过衬底支撑件300来传递。
[0100]同时，根据修改的示范性实施例的衬底处理设备1000可通过使用两个传递单元来执行处理。此处，在通过一个传递单元传递的衬底的处理完成之后，可立即处理下一衬底的处理，进而提高衬底的产量。
[0101]在设置了多个传递单元的衬底处理设备1000中，因为吸入喷嘴形成于所述多个传递单元的两个表面中的一者处，所以可由于两个传递单元的移动来处理腔室的副产物。
[0102]因此设置到根据修改的示范性实施例的衬底处理设备的元件可具有与设置到根据示范性实施例的衬底处理设备的元件相同或相似的功能，且根据示范性实施例的衬底处理设备可应用于根据修改的示范性实施例的衬底处理设备。
[0103]如上文所描述，排气设备和具有排气设备的衬底处理设备可容易地将衬底S内的副产物排出到腔室的外部。也就是说，所述副产物不浮动在衬底处理设备的上部中，且通过设置到盖内的上表面的注射器而被推向下部。
[0104]因为设置到注射器的注射喷嘴是在两个侧方向上以预定角度形成的，所以通过注射喷嘴注射的气体可具有方向性且处理副产物。因此，副产物可通过形成于腔室的盖的侧表面处的排气孔快速地排出。
[0105]此外，因为在腔室内传递衬底的传递单元的滑块的两个侧表面的下部处设置吸入器，所以可从吸入喷嘴吸入副产物且可容易地移除存在于腔室的底表面上的副产物。此处，因为吸入喷嘴可根据传递单元的移动而移动，所以可根据传递单元的移动而移除腔室的底表面的几乎所有区域中的副产物。
[0106]根据示范性实施例，可容易地排出在加压氛围下的处理的执行中产生的副产物。举例来说，可容易地排出在通过激光处理设备的激光剥离处理分离形成于晶片衬底上的薄膜时而产生的聚合物等副产物。因此，可防止副产物残留在处理设备内并污染设备。
[0107]且，因为至少一个排气端口形成于除了装载或卸载衬底的侧壁之外的所有侧壁中，所以可提高副产物到腔室的外部的排出速度，进而提高处理效率和生产率。
[0108]此外，可通过从上部注射气体而将浮动在衬底上的副产物快速地排出到腔室的外部。因此，可解决根据现有的排气设备的形成位置而不容易移除副产物的问题。因此，在完成处理之后，产品的质量可得到提高。
[0109]此外，因为腔室的真空是不必要的，所以衬底处理设备可减少由于真空状态中的处理而消耗的氮气的量。
[0110]虽然已参考特定实施例描述了本发明，但本发明不限于此。因此，所属领域的技术人员应易于理解，在不脱离由所附权利要求书定义的本发明的精神和范围的情况下可对其进行各种修改和改变。
【权利要求】
1.一种衬底处理设备，其特征在于包括: 腔室，形成处理衬底的内部空间； 排气装置，将在所述衬底的处理过程中产生的副产物排出到所述腔室的外部； 衬底支撑件，在所述腔室的所述内部空间中支撑所述衬底；以及 激光产生单元，将激光束辐射到设置在所述衬底支撑件上的所述衬底上， 其中排气装置侧壁包含排气端口，所述排气端口形成于除了所述腔室的上部和下部之外的侧壁处，且以单个或多个设置到所述侧壁。
2.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中所述排气端口形成于所述腔室的除了所述腔室的所述上部和所述下部之外的整个侧壁处，或形成于所述腔室的除了所述腔室的所述上部和所述下部以及形成进入口的侧壁之外的所述整个侧壁处。
3.根据权利要求2所述的衬底处理设备，还包括注射器，所述注射器具有设置在所述排气端口的上侧处且朝向下部注射气体的注射喷嘴。
4.根据权利要求3所述的衬底处理设备，其中多个注射孔形成于所述注射喷嘴处，且 所述注射孔形成为朝向所述腔室的侧壁方向注射所述气体。
5.根据权利要求4所述的衬底处理设备，其中从所述激光产生单元产生的激光束所通过的传输窗口形成于所述腔室的上侧上，且所述注射喷嘴环绕所述传输窗口而设置。
6.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中所述腔室包括: 下部块，所述衬底支撑件设置在其上部上；以及 盖，覆盖所述下部块的上部以密封所述下部块， 其中装载或卸载所述衬底所通过的衬底进入口形成于所述侧壁中的除了所述盖的上部侧壁之外的至少一个侧壁中。
7.根据权利要求5所述的衬底处理设备，其中用于吸入副产物的吸入器设置到所述衬底支撑件的两侧的下部， 其中所述吸入器包括: 压力调整单元，调整用于吸入所述副产物的压力；以及 吸入喷嘴，具有吸入所述副产物所通过的吸入孔。
8.根据权利要求7所述的衬底处理设备，其中所述衬底支撑件是能够在所述腔室内传递所述衬底的衬底传递单元。
9.根据权利要求8所述的衬底处理设备，其中所述衬底传递单元包括: 一对导轨，在与所述吸入喷嘴的两端交叉的方向上彼此平行地设置，且在第一轴方向上彼此间隔开； 第一轴滑块，具有在所述导轨之间连接的第二轴方向的长度，且沿着所述导轨与所述吸入喷嘴一起在所述第一轴方向上前后滑动； 第二轴滑块，设置在所述第一轴滑块的上部上，且沿着所述第一滑块在所述第二轴方向上前后滑动； 旋转轴导引件，插入到所述第二轴滑块的中央内部中；以及 衬底支撑板，设置到所述旋转轴导引件的上部。
10.一种用于衬底处理设备中的排气设备，其特征在于所述排气设备包括: 排气端口，设置到衬底的侧表面； 至少一个注射喷嘴，在所述衬底上彼此间隔开地设置；以及 供应单元，将气体供应给所述注射喷嘴。
11.根据权利要求10所述的排气设备，其中所述排气端口形成于除了所述衬底的上部和下部之外的整个表面处，或形成于所述衬底的除了所述衬底的所述上部和所述下部以及所述衬底的进入方向之外的整个表面处。
12.根据权利要求10所述的排气设备，其中所述注射喷嘴包括: 多个第一注射喷嘴，在一个方向上彼此平行地设置；以及 多个第二注射喷嘴，在所述第一注射喷嘴的外部处在与所述一个方向交叉的另一方向上彼此平行地设置， 其中所述注射喷嘴形成为朝向所述衬底的外部方向注射气体。
13.根据权利要求10所述的排气设备，其中吸入器与所述衬底的下部间隔地设置，以吸入存在于所述衬底的所述下部上的副产物。
【文档编号】H01L21/67GK104425317SQ201410427830
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2014年8月27日 优先权日:2013年8月28日
【发明者】沈亨基, 金锺明, 白种化, 金炳秀 申请人:Ap系统股份有限公司