Tft背板的利记博彩app及tft背板结构的利记博彩app
【专利摘要】本发明提供一种TFT背板的利记博彩app及TFT背板结构，该方法包括：步骤1、在基板(1)上形成栅极(2)与第一金属电极M1；步骤2、在栅极(2)、第一金属电极M1与基板(1)上连续成膜，依次形成栅极绝缘层(3)、半导体层、刻蚀阻挡层，并通过一道光刻制程形成岛状的半导体层(4)与岛状的刻蚀阻挡层(5)；步骤3、通过一道光刻制程图案化岛状的刻蚀阻挡层(5)与栅极绝缘层(3)，形成数个刻蚀阻挡层过孔(51)与栅极绝缘层过孔(31)；步骤4、形成源/漏极(6)与第二金属电极M2；步骤5、形成钝化保护层(7)；步骤6、形成平坦层(8)；步骤7、形成像素电极层(9)；步骤8、形成像素定义层(10)；步骤9、形成隔离柱(11)。
【专利说明】
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示【技术领域】，尤其涉及一种TFT背板的利记博彩app及TFT背板结构。 TFT背板的利记博彩app及TFT背板结构
【背景技术】
[0002] 平面显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的 平面显示装置主要包括液晶显示装置（Liquid Crystal Display, IXD)及有机电致发光显 不装置（Organic Light Emitting Display，OLED) 〇
[0003] OLED由于同时具备自发光，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、 可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异特性，被认为是下一代平面 显示装置的新兴应用技术。
[0004] 薄膜晶体管（TFT)是平面显示装置的重要组成部分。由于TFT可形成在玻璃基板 或塑料基板上，所以它们通常作为开光装置和驱动装置用在诸如LCD、0LED、电泳显示装置 (ETO)上。
[0005] 氧化物半导体TFT技术是当前的热门技术。由于氧化物半导体具有较高的电子迁 移率，而且相比低温多晶硅（LTPS)，氧化物半导体制程简单，与非晶硅制程相容性较高，可 以应用于IXD、0LED、柔性显示（Flexible)等领域，且与高世代生产线兼容，可应用于大中 小尺寸显示，具有良好的应用发展前景。
[0006] 现有的较为成熟的氧化物半导体TFT背板的结构是具有刻蚀阻挡层的结构。如图 1至图10所示，现有的氧化物半导体TFT背板的利记博彩app，包括如下步骤：
[0007] 步骤1、提供一基板100,在该基板100上成膜第一金属层，通过一道光刻制程图案 化该第一金属层，形成位于基板100 -侧的栅极200与位于基板100另一侧的第一金属电 极Ml ;
[0008] 步骤2、在所述栅极200、第一金属电极Ml与基板100上成膜栅极绝缘层300,通过 一道光刻制程图案化该栅极绝缘层300,形成栅极绝缘层过孔310,以露出部分栅极200 ;
[0009] 步骤3、在所述栅极绝缘层300上成膜并通过一道光刻制程图案化，形成岛状的氧 化物半导体层400 ;
[0010] 步骤4、在所述氧化物半导体层400与栅极绝缘层300上成膜刻蚀阻挡层500,并 通过一道光刻制程图案化该刻蚀阻挡层500,形成数个刻蚀阻挡层过孔510,以露出部分氧 化物半导体层400 ;
[0011] 步骤5、在所述刻蚀阻挡层500上成膜第二金属层，通过一道光刻制程图案化该第 二金属层，形成位于所述基板100 -侧的源/漏极600与位于基板100另一侧的第二金属 电极M2,所述源/漏极600填充数个刻蚀阻挡层过孔510与氧化物半导体层400连接，所述 源/漏极600填充栅极绝缘层过孔310与栅极200连接；
[0012] 所述第一金属电极Ml、第二金属电极M2、及夹在第一、第二金属电极Ml、M2之间的 部分栅极绝缘层300与部分刻蚀阻挡层500形成存储电容C ;
[0013] 步骤6、在源/漏极600与第二金属电极M2上形成钝化保护层700,并通过一道光 刻制程使其图案化；
[0014] 步骤7、在所述钝化保护层700上形成平坦层800,并通过一道光刻制程使其图案 化；
[0015] 步骤8、在所述平坦层800上形成像素电极层900,并通过一道光刻制程使其图案 化；
[0016] 步骤9、在所述像素电极层900与平坦层800上形成像素定义层1000,并通过一道 光刻制程使其图案化；
[0017] 步骤10、在所述像素定义层1000上形成隔离柱1100。
[0018] 该现有的氧化物半导体TFT背板的利记博彩app存在一定的问题，主要表现在三个方 面：一、氧化物半导体TFT背板的制作共需要十道光刻制程，其中刻蚀阻挡层500的制作需 要一道完整的光刻制程（包括成膜、黄光、蚀刻、剥离等制程工序），造成工序流程较长，生 产效率较低，生产成本增加，而工序越多，累积的良率问题也越凸显；二、栅极绝缘层300、 氧化物半导体层400与刻蚀阻挡层500非连续成膜，氧化物半导体层400与其它两层的界 面容易受到蚀刻液、剥离液的污染，存在造成TFT性能下降的风险；三、存储电容C由第一金 属电极Ml、第二金属电极M2、夹在第一、第二金属电极Ml、M2之间的部分栅极绝缘层300与 部分刻蚀阻挡层500形成，由于多了刻蚀阻挡层500的厚度，造成存储电容C需要较大的面 积，引起开口率下降。
[0019] 因此，需要对该方法进行改进，以消除其存在的问题。
【发明内容】
[0020] 本发明的目的在于提供一种TFT背板的利记博彩app，能够减少光刻制程，缩短工序 流程，提高生产效率，降低生产成本，提升良率；避免半导体层与栅极绝缘层、刻蚀阻挡层的 界面受到污染，保证TFT的性能；并使得存储电容面积减小，提高开口率。
[0021] 本发明的目的还在于提供一种TFT背板的结构，其工序流程较短，生产效率及良 率较高，生产成本较低，能够保证TFT的性能，且存储电容面积较小，开口率较高。
[0022] 为实现上述目的，本发明首先提供一种TFT背板的利记博彩app，包括如下步骤：步骤 1、提供一基板，在该基板上成膜第一金属层，并图案化该第一金属层，形成位于基板一侧的 栅极与位于基板另一侧的第一金属电极Ml ;
[0023] 步骤2、在所述栅极、第一金属电极Ml与基板上连续成膜，依次形成栅极绝缘层、 半导体层、与刻蚀阻挡层，并通过一道光刻制程图案化所述半导体层与刻蚀阻挡层，形成岛 状的半导体层与岛状的刻蚀阻挡层；
[0024] 步骤3、通过一道光刻制程图案化所述岛状的刻蚀阻挡层与栅极绝缘层，形成数个 刻蚀阻挡层过孔、与栅极绝缘层过孔，分别露出部分半导体层、与栅极；
[0025] 步骤4、在所述岛状的刻蚀阻挡层与栅极绝缘层上成膜第二金属层，并图案化该第 二金属层，形成位于所述基板一侧的源/漏极与位于基板另一侧的第二金属电极M2 ;所述 源/漏极填充数个刻蚀阻挡层过孔与半导体层连接；所述源/漏极填充栅极绝缘层过孔与 栅极连接；位于所述基板另一侧的部分栅极绝缘层夹在第二金属电极M2与第一金属电极 Ml之间；
[0026] 步骤5、在源/漏极与第二金属电极M2上形成钝化保护层，并图案化该钝化保护 层；
[0027] 步骤6、在所述钝化保护层上形成平坦层，并图案化该平坦层；
[0028] 步骤7、在所述平坦层上形成像素电极层，并图案化该像素电极层；所述像素电极 与源/漏极连接；
[0029] 步骤8、在所述像素电极层与平坦层上形成像素定义层，并图案化该像素定义层。
[0030] 所述TFT背板的利记博彩app，还包括步骤9、在所述像素定义层上形成隔离柱。
[0031] 所述第一金属电极Ml、第二金属电极M2、及夹在第一、第二金属电极Ml、M2之间的 部分栅极绝缘层形成存储电容C。
[0032] 所述半导体层为氧化物半导体层或非氧化物半导体层。
[0033] 所述氧化物半导体层为IGZ0半导体层。
[0034] 所述钝化保护层的材料为无机材料，所述平坦层的材料为有机材料，所述像素电 极层的材料为ΙΤ0或ΙΖ0,所述像素定义层的材料为有机材料。
[0035] 本发明还提供一种由上述TFT背板的利记博彩app制得的TFT背板结构，包括：基板、 位于基板一侧上的栅极、位于基板另一侧上的第一金属电极Ml、位于栅极、第一金属电极 Ml与基板上的栅极绝缘层、位于栅极绝缘层上的岛状半岛体层、位于半导体层上的岛状刻 蚀阻挡层、位于刻蚀阻挡层上的源/漏极、位于第一金属电极Ml上方的栅极绝缘层上的第 二金属电极M2、位于源/漏极与第二金属电极M2上的钝化保护层、位于钝化保护层上的平 坦层、位于平坦层上的像素电极层、位于像素电极层上的像素定义层，所述栅极绝缘层具有 栅极绝缘层过孔，所述刻蚀阻挡层具有数个刻蚀阻挡层过孔，所述源/漏极填充数个刻蚀 阻挡层过孔与半导体层连接，所述源/漏极填充栅极绝缘层过孔与栅极连接，所述第一金 属电极Ml、第二金属电极M2、及夹在第一、第二金属电极M1、M2之间的部分栅极绝缘层形成 存储电容C，所述像素电极与源/漏极连接。
[0036] 所述TFT背板结构，还包括位于像素定义层上的隔离柱。
[0037] 所述半导体层为氧化物半导体层或非氧化物半导体层，所述钝化保护层的材料为 无机材料，所述平坦层的材料为有机材料，所述像素电极层的材料为ΙΤ0或ΙΖ0,所述像素 定义层的材料为有机材料。
[0038] 所述氧化物半导体层为IGZ0半导体层。
[0039] 本发明的有益效果：本发明的TFT背板的利记博彩app，通过连续成膜依次形成栅极 绝缘层、半导体层、与刻蚀阻挡层，并通过一道光刻制程形成岛状的半导体层与岛状的刻蚀 阻挡层，一道光刻制程形成数个刻蚀阻挡层过孔与栅极绝缘层过孔，能够减少光刻制程，缩 短工序流程，提高生产效率，降低生产成本，提升良率；避免半导体层与栅极绝缘层、刻蚀阻 挡层的界面受到污染，保证TFT的性能；并使得第一与第二金属电极之间仅夹有一层栅极 绝缘层，存储电容的面积得以减小，开口率得以提高。本发明的TFT背板结构，通过设置岛 状的半导体层与刻蚀阻挡层，使得工序流程较短，生产效率及良率较高，生产成本较低，能 够保证TFT的性能，且第一与第二金属电极之间仅夹有一层栅极绝缘层，使得存储电容面 积较小，开口率较高。
【专利附图】
【附图说明】
[0040] 为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细 说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
[0041] 附图中，
[0042] 图1为现有的氧化物半导体TFT背板的利记博彩app步骤1的示意图；
[0043] 图2为现有的氧化物半导体TFT背板的利记博彩app步骤2的示意图；
[0044] 图3为现有的氧化物半导体TFT背板的利记博彩app步骤3的示意图；
[0045] 图4为现有的氧化物半导体TFT背板的利记博彩app步骤4的示意图；
[0046] 图5为现有的氧化物半导体TFT背板的利记博彩app步骤5的示意图；
[0047] 图6为现有的氧化物半导体TFT背板的利记博彩app步骤6的示意图；
[0048] 图7为现有的氧化物半导体TFT背板的利记博彩app步骤7的示意图；
[0049] 图8为现有的氧化物半导体TFT背板的利记博彩app步骤8的示意图；
[0050] 图9为现有的氧化物半导体TFT背板的利记博彩app步骤9的示意图；
[0051] 图10为现有的氧化物半导体TFT背板的利记博彩app步骤10的示意图；
[0052] 图11为本发明的TFT背板的利记博彩app的流程图；
[0053] 图12为本发明的TFT背板的利记博彩app步骤1的示意图；
[0054] 图13为本发明的TFT背板的利记博彩app步骤2的示意图；
[0055] 图14为本发明的TFT背板的利记博彩app步骤3的示意图；
[0056] 图15为本发明的TFT背板的利记博彩app步骤4的示意图；
[0057] 图16为本发明的TFT背板的利记博彩app步骤5的示意图；
[0058] 图17为本发明的TFT背板的利记博彩app步骤6的示意图；
[0059] 图18为本发明的TFT背板的利记博彩app步骤7的示意图；
[0060] 图19为本发明的TFT背板的利记博彩app步骤8的示意图；
[0061] 图20为本发明的TFT背板的利记博彩app步骤9的示意图，也是本发明的TFT背板结 构的示意图。
【具体实施方式】
[0062] 为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施 例及其附图进行详细描述。
[0063] 请参阅图11，本发明首先提供一种TFT背板的利记博彩app，该方法包括如下步骤：
[0064] 步骤1、请参阅图12,提供一基板1，在该基板1上成膜第一金属层，并通过一道光 刻制程图案化该第一金属层，形成位于基板1 一侧的栅极2与位于基板1另一侧的第一金 属电极Ml。
[0065] 所述基板1为透明基板，优选的，所述基板1为玻璃基板。
[0066] 步骤2、请参阅图13,在所述栅极2、第一金属电极Ml与基板1上连续成膜，依次形 成栅极绝缘层3、半导体层、与刻蚀阻挡层，并通过一道光刻制程图案化所述半导体层与刻 蚀阻挡层，形成岛状的半导体层4与岛状的刻蚀阻挡层5。
[0067] 在该步骤2中，由于栅极绝缘层3、半导体层、与刻蚀阻挡层连续成膜，能够避免岛 状的半导体层4与栅极绝缘层3、岛状的刻蚀阻挡层5的界面受到污染，保证TFT的性能，使 TFT的性能稳定。
[0068] 具体的，所述半导体层4为氧化物半导体层或非氧化物半导体层，进一步的，所述 氧化物半导体层为铟镓锌氧化物（IGZO)半导体层。
[0069] 步骤3、请参阅图14,通过一道光刻制程图案化所述岛状的刻蚀阻挡层5与栅极绝 缘层3,形成数个刻蚀阻挡层过孔51、与栅极绝缘层过孔31，分别露出部分半导体层4、与栅 极2。
[0070] 所述步骤2结合该步骤3,通过两道光刻制程即完成了对栅极绝缘层3、半导体层4 与刻蚀阻挡层5的图案化，相比于现有的氧化物半导体TFT背板的利记博彩app节省了一道光 刻制程，从而缩短了工序流程，提高了生产效率，降低了生产成本，提升了产品良率。
[0071] 步骤4、请参阅图15,在所述岛状的刻蚀阻挡层5与栅极绝缘层3上成膜第二金属 层，并图案化该第二金属层，形成位于所述基板1 一侧的源/漏极6与位于基板1另一侧的 第二金属电极M2。
[0072] 所述源/漏极6填充数个刻蚀阻挡层过孔51与半导体层4连接；所述源/漏极6 填充栅极绝缘层过孔31与栅极2连接。
[0073] 位于所述基板1另一侧的部分栅极绝缘层3夹在第二金属电极M2与第一金属电 极Ml之间。所述第一金属电极Ml、第二金属电极M2、及夹在第一、第二金属电极Ml、M2之 间的部分栅极绝缘层3形成存储电容C。相比于现有的氧化物半导体TFT背板的利记博彩app， 由于形成存储电容C的第一与第二金属电极Ml、M2之间无刻蚀阻挡层，所述第一与第二金 属电极Ml、M2的间距变小，在相同的有效电容下，所述存储电容C可以具有较小的面积，从 而增加开口率。
[0074] 步骤5、请参阅图16,在源/漏极6与第二金属电极M2上形成钝化保护层7,并通 过一道光刻制程图案化该钝化保护层7。
[0075] 具体的，所述钝化保护层7的材料为为无机材料。
[0076] 步骤6、请参阅图17,在所述钝化保护层7上形成平坦层8,并通过一道光刻制程图 案化该平坦层8。
[0077] 具体的，所述平坦层8的材料为有机材料。
[0078] 步骤7、请参阅图18,在所述平坦层8上形成像素电极层9,并通过一道光刻制程图 案化该像素电极层9。
[0079] 所述像素电极9与源/漏极6连接。
[0080] 所述像素电极9的材料为氧化铟锡（ΙΤ0)或氧化铟锌（ΙΖ0)。
[0081] 步骤8、请参阅图19,在所述像素电极层9与平坦层8上形成像素定义层10,并通 过一道光刻制程图案化该像素定义层10。
[0082] 具体的，所述像素定义层10的材料为有机材料。
[0083] 步骤9、请参阅图20,在所述像素定义层10上形成隔离柱11。
[0084] 值得一提的是，依据产品或制程需求，所述步骤9可以省略。
[0085] 如图20所示，本发明还提供一种由该方法制得的TFT背板结构，包括基板1、位于 基板1 一侧上的栅极2、位于基板1另一侧上的第一金属电极Ml、位于栅极2、第一金属电极 Ml与基板1上的栅极绝缘层3、位于栅极绝缘层3上的岛状半岛体层4、位于半导体层4上 的岛状刻蚀阻挡层5、位于刻蚀阻挡层5上的源/漏极6、位于第一金属电极Ml上方的栅极 绝缘层3上的第二金属电极M2、位于源/漏极6与第二金属电极M2上的钝化保护层7、位 于钝化保护层7上的平坦层8、位于平坦层8上的像素电极层9、位于像素电极层9与平坦 层8上的像素定义层10,还包括位于像素定义层10上的隔离柱11。
[0086] 所述栅极绝缘层3具有栅极绝缘层过孔31，所述刻蚀阻挡层5具有数个刻蚀阻挡 层过孔51，所述源/漏极6填充数个刻蚀阻挡层过孔51与半导体层4连接，所述源/漏极 6填充栅极绝缘层过孔31与栅极2连接。所述第一金属电极Ml、第二金属电极M2、及夹在 第一、第二金属电极Ml、M2之间的部分栅极绝缘层3形成存储电容C。所述像素电极9与 源/漏极6连接。
[0087] 所述栅极绝缘层3、半导体层4、与刻蚀阻挡层5连续成膜，通过一道光刻制程形成 岛状的半导体层4与岛状刻蚀阻挡层5,在通过一道光刻制程形成数个刻蚀阻挡层过孔51 与栅极绝缘层过孔31，使得工序流程较短，生产效率及良率较高，生产成本较低，并能够保 证TFT的性能。形成存储电容C的第一与第二金属电极Ml、M2之间仅夹有一层栅极绝缘层 3,使得存储电容C的面积较小，开口率较高。
[0088] 具体的，所述半导体层4为氧化物半导体层或非氧化物半导体层，所述钝化保护 层7的材料为无机材料，所述平坦层8的材料为有机材料，所述像素电极层9的材料为ΙΤ0 或ΙΖ0,所述像素定义层10的材料为有机材料。
[0089] 进一步的，所述氧化物半导体层为IGZ0半导体层。
[0090] 综上所述，本发明的本发明的TFT背板的利记博彩app，通过连续成膜依次形成栅极 绝缘层、半导体层、与刻蚀阻挡层，并通过一道光刻制程形成岛状的半导体层与岛状的刻蚀 阻挡层，一道光刻制程形成数个刻蚀阻挡层过孔与栅极绝缘层过孔，能够减少光刻制程，缩 短工序流程，提高生产效率，降低生产成本，提升良率；避免半导体层与栅极绝缘层、刻蚀阻 挡层的界面受到污染，保证TFT的性能；并使得第一与第二金属电极之间仅夹有一层栅极 绝缘层，存储电容的面积得以减小，开口率得以提高。本发明的TFT背板结构，通过设置岛 状的半导体层与刻蚀阻挡层，使得工序流程较短，生产效率及良率较高，生产成本较低，能 够保证TFT的性能，且第一与第二金属电极之间仅夹有一层栅极绝缘层，使得存储电容面 积较小，开口率较高。
[0091] 以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术 构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利 要求的保护范围。
【权利要求】
1. 一种TFT背板的利记博彩app，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1、提供一基板（1)，在该基板（1)上成膜第一金属层，并图案化该第一金属层，形 成位于基板（1) 一侧的栅极（2)与位于基板（1)另一侧的第一金属电极Ml ; 步骤2、在所述栅极（2)、第一金属电极Ml与基板（1)上连续成膜，依次形成栅极绝缘 层（3)、半导体层、与刻蚀阻挡层，并通过一道光刻制程图案化所述半导体层与刻蚀阻挡层， 形成岛状的半导体层（4)与岛状的刻蚀阻挡层（5); 步骤3、通过一道光刻制程图案化所述岛状的刻蚀阻挡层（5)与栅极绝缘层（3)，形 成数个刻蚀阻挡层过孔（51)与栅极绝缘层过孔（31)，分别露出部分半导体层（4)、与栅极 ⑵； 步骤4、在所述岛状的刻蚀阻挡层（5)与栅极绝缘层（3)上成膜第二金属层，并图案化 该第二金属层，形成位于所述基板（1) 一侧的源/漏极（6)与位于基板（1)另一侧的第二 金属电极M2 ;所述源/漏极（6)填充数个刻蚀阻挡层过孔（51)与半导体层（4)连接；所述 源/漏极（6)填充栅极绝缘层过孔（31)与栅极（2)连接；位于所述基板（1)另一侧的部分 栅极绝缘层（3)夹在第二金属电极M2与第一金属电极Ml之间； 步骤5、在源/漏极（6)与第二金属电极M2上形成钝化保护层（7)，并图案化该钝化保 护层（7); 步骤6、在所述钝化保护层（7)上形成平坦层（8)，并图案化该平坦层（8); 步骤7、在所述平坦层（8)上形成像素电极层（9)，并图案化该像素电极层（9);所述像 素电极（9)与源/漏极（6)连接； 步骤8、在所述像素电极层（9)与平坦层（8)上形成像素定义层（10)，并图案化该像素 定义层（10)。
2. 如权利要求1所述的TFT背板的利记博彩app，其特征在于，还包括步骤9、在所述像素 定义层（10)上形成隔离柱（11)。
3. 如权利要求1所述的TFT背板的利记博彩app，其特征在于，所述第一金属电极Ml、第二 金属电极M2、及夹在第一、第二金属电极Ml、M2之间的部分栅极绝缘层（3)形成存储电容 C〇
4. 如权利要求1所述的TFT背板的利记博彩app，其特征在于，所述半导体层⑷为氧化物 半导体层或非氧化物半导体层。
5. 如权利要求4所述的TFT背板的利记博彩app，其特征在于，所述氧化物半导体层为 IGZO半导体层。
6. 如权利要求1所述的TFT背板的利记博彩app，其特征在于，所述钝化保护层（7)的材料 为无机材料，所述平坦层（8)的材料为有机材料，所述像素电极层（9)的材料为ITO或IZO， 所述像素定义层（10)的材料为有机材料。
7. -种TFT背板结构，其特征在于，包括基板（1)、位于基板（1) 一侧上的栅极（2)、位 于基板（1)另一侧上的第一金属电极Ml、位于栅极（2)、第一金属电极Ml与基板（1)上的 栅极绝缘层（3)、位于栅极绝缘层（3)上的岛状半岛体层（4)、位于半导体层（4)上的岛状 刻蚀阻挡层（5)、位于刻蚀阻挡层（5)上的源/漏极（6)、位于第一金属电极Ml上方的栅极 绝缘层（3)上的第二金属电极M2、位于源/漏极（6)与第二金属电极M2上的钝化保护层 (7)、位于钝化保护层（7)上的平坦层（8)、位于平坦层（8)上的像素电极层（9)、位于像素 电极层（9)与平坦层（8)上的像素定义层（10)，所述栅极绝缘层（3)具有栅极绝缘层过孔 (31)，所述刻蚀阻挡层（5)具有数个刻蚀阻挡层过孔（51)，所述源/漏极（6)填充数个刻蚀 阻挡层过孔（51)与半导体层（4)连接，所述源/漏极（6)填充栅极绝缘层过孔（31)与栅 极（2)连接，所述第一金属电极Ml、第二金属电极M2、及夹在第一、第二金属电极Ml、M2之 间的部分栅极绝缘层（3)形成存储电容C，所述像素电极（9)与源/漏极（6)连接。
8. 如权利要求7所述的TFT背板结构，其特征在于，还包括位于像素定义层（10)上的 隔尚柱（11)。
9. 如权利要求7所述的TFT背板结构，其特征在于，所述半导体层（4)为氧化物半导体 层或非氧化物半导体层，所述钝化保护层（7)的材料为无机材料，所述平坦层（8)的材料为 有机材料，所述像素电极层（9)的材料为ITO或IZO,所述像素定义层（10)的材料为有机材 料。
10. 如权利要求9所述的TFT背板结构，其特征在于，所述氧化物半导体层为IGZO半导 体层。
【文档编号】H01L27/12GK104091785SQ201410351330
【公开日】2014年10月8日 申请日期:2014年7月22日 优先权日:2014年7月22日
【发明者】李文辉, 王宜凡, 苏智昱, 吕晓文 申请人:深圳市华星光电技术有限公司