一种自调q激光器的制造方法
【专利摘要】一种自调Q激光器，由沿光路依次排列泵浦源、聚焦透镜、自调Q激光晶体组成，泵浦源放置于聚焦透镜前的焦距上，自调Q激光晶体放置于聚焦透镜后的焦距上；在自调Q激光晶体的表面镀有介质膜。所述泵浦源为产生808nm光的半导体激光器。所述自调Q激光晶体采用Nd:LGS晶体。所述钕掺杂硅酸镓镧晶体靠近半导体激光器的通光面镀以对1064nm高反射的介质膜和808nm高透射的介质膜；远离半导体激光器的通光面镀以对1064nm高透过的介质膜，Nd:LGS晶体双X面镀金。本发明自调Q激光器采用钕掺杂硅酸镓镧晶体，实现激光晶体与调Q器件合二为一，简化了系统结构，提高了稳定性，适合批量化生产。
【专利说明】—种自调Q激光器
[0001]
【技术领域】
[0002]本发明属于激光【技术领域】，特别涉及一种自调Q激光器。
【背景技术】
[0003]半导体泵浦的全固态激光器，近年来发展迅速，其具有高效率、长寿命、结构紧凑及光束质量好等优点，在激光打孔、切割、焊接、打标、光通讯、医学诊断、激光雷达、激光光谱分析、高功率激光等领域都有重要应用。
[0004]调Q技术的出现和发展，是激光发展史上的一个重要突破，它是将激光能量压缩到宽度极窄的脉冲中发射，从而使光源的峰值功率可提高几个数量级的一种技术。
[0005]一般调Q激光器核心包括泵浦源、激光晶体、调Q器件，其存在的缺点是:激光晶体与调Q器件需要独立设置，结构复杂，稳定性较差，不适合批量化生产。
【发明内容】
[0006]本发明针对现有调Q激光器的不足，提供一种基于钕掺杂硅酸镓镧晶体的自调Q激光器。
[0007]术语说明:
1、LD,半导体激光器的简称；
2、Nd:LGS，钕掺杂硅酸镓镧的通用简称；
本发明的技术方案如下:
一种自调Q激光器。该激光器由半导体激光器、聚焦透镜、钕掺杂娃酸镓镧晶体以及表面介质膜组成，可实现1064nm的自调Q激光输出。
[0008]所述半导体泵浦源为产生808nm激光的半导体激光器(LD)；
所述的自调Q激光晶体是钕掺杂硅酸镓镧晶体；
根据本发明，所述的钕掺杂硅酸镓镧晶体的钕离子掺杂浓度为0.r30at% ;优选的钕离子掺杂浓度为2?10at%。晶体按通光方向切割，切割方向为Z方向。晶体为圆柱形或者长方体；通光方向长度为20?80 mm ;优选长度为35?50mm。
[0009]根据本发明，所述聚焦透镜的焦距长为f 100mm，优选的焦距长为5?30mm。
[0010]根据本发明，所述钕掺杂硅酸镓镧晶体靠近半导体激光器的通光面镀以对1064nm高反射的介质膜和808nm高透射的介质膜，远离半导体激光器的通光面镀以对1064nm高透过的介质膜，NdiLGS晶体双X面镀金。
[0011]本发明自调Q激光器采用钕掺杂硅酸镓镧晶体，实现激光晶体与调Q器件合二为一，简化了系统结构，提高了稳定性，适合批量化生产。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]图1为本发明的示意图。
[0013]图面说明如下:1.半导体激光器，2.聚焦透镜，3.钕掺杂硅酸镓镧晶体，4.1064nm绿色激光。
[0014]
【具体实施方式】
[0015]下面结合实施例对本发明做进一步描述，但不限于此。
[0016]为了说明更简洁实施例中采用以下方式对通光面进行说明:自调Q激光晶体靠近LD的通光面称为前表面，远离LD的通光面为后表面。倍频晶体靠近LD的通光面为前表面，远离LD的通光面为后表面。
[0017]实施例1:一种自调Q激光器，包括半导体激光器1、聚焦透镜2、自调Q激光晶体
3、1064nm绿色激光4，沿光路依次排列。
[0018]结构如图1所示，发射波长为808nm的半导体激光器1，放置于聚焦透镜2前的焦距上，聚焦透镜2的聚焦长度为5mm，自调Q激光晶体3放置于聚焦透镜2后的焦距上。
[0019]自调Q激光晶体3为Nd = LGS晶体，Nd掺杂浓度为5at%，通光方向长度为50mm，切害I]方向为Z方向，自调Q激光晶体3的前表面镀以对1064nm高反射的介质膜和对808nm高透射的介质膜，后表面镀以对1064nm高透过的介质膜，NdiLGS晶体双X面镀金。
[0020]泵浦源半导体激光器I发出808nm激光，经Nd = LGS晶体转化为1064nm激光。当Nd:LGS晶体侧面有电压信号时，激光输出停止，激光能量集聚，当去掉电压信号时，集聚的能量释放，输出1064nm脉冲激光。
[0021]实施例2: —种自调Q激光器，包括半导体激光器1、聚焦透镜2、自调Q激光晶体
3、1064nm绿色激光4，沿光路依次排列。
[0022]结构如图1所示，发射波长为808nm的半导体激光器1，放置于聚焦透镜2前的焦距上，聚焦透镜2的聚焦长度为5mm，自调Q激光晶体3放置于聚焦透镜2后的焦距上。
[0023]自调Q激光晶体3为Nd = LGS晶体，Nd掺杂浓度为8at%，通光方向长度为40mm，切割方向为Z方向，NdiLGS晶体前表面镀以对1064nm高反射的介质膜和对808nm高透射的介质膜，后表面镀以对1064nm高透过的介质膜，NdiLGS晶体双X面镀金。
[0024]泵浦源半导体激光器I发出808nm激光，经Nd = LGS晶体转化为1064nm激光。当Nd:LGS晶体侧面有电压信号时，激光输出停止，激光能量集聚，当去掉电压信号时，集聚的能量释放，输出1064nm脉冲激光。
[0025]摘要:
一种自调Q激光器，由沿光路依次排列泵浦源、聚焦透镜、自调Q激光晶体组成，泵浦源放置于聚焦透镜前的焦距上，自调Q激光晶体放置于聚焦透镜后的焦距上；在自调Q激光晶体的表面镀有介质膜。所述泵浦源为产生808nm光的半导体激光器。所述自调Q激光晶体采用Nd = LGS晶体。所述钕掺杂硅酸镓镧晶体靠近半导体激光器的通光面镀以对1064nm高反射的介质膜和808nm高透射的介质膜；远离半导体激光器的通光面镀以对1064nm高透过的介质膜，NdiLGS晶体双X面镀金。本发明自调Q激光器采用钕掺杂硅酸镓镧晶体，实现激光晶体与调Q器件合二为一，简化了系统结构，提高了稳定性，适合批量化生产。
【权利要求】
1.一种自调Q激光器，由沿光路依次排列泵浦源、聚焦透镜、自调Q激光晶体组成，泵浦源放置于聚焦透镜前的焦距上，自调Q激光晶体放置于聚焦透镜后的焦距上；在自调Q激光晶体的表面锻有介质月吴。
2.如权利要求1所述的自调Q激光器，其特征在于，所述泵浦源为产生808nm光的半导体激光器。
3.如权利要求1所述的自调Q激光器，其特征在于，自调Q激光晶体按通光方向切割，切割方向为Z方向。
4.如权利要求1所述的自调Q激光器，其特征在于，所述自调Q激光晶体通光方向长度为20?80 mm ;优选长度为35?50mm。
5.如权利要求1所述的自调Q激光器，其特征在于，所述自调Q激光晶体采用Nd:LGS晶体，其钕离子掺杂浓度为0.r30at% ;优选的钕离子掺杂浓度为2?10at%。
6.如权利要求5所述的自调Q激光器，其特征在于，所述钕掺杂硅酸镓镧晶体靠近半导体激光器的通光面镀以对1064nm高反射的介质膜和808nm高透射的介质膜；远离半导体激光器的通光面镀以对1064nm高透过的介质膜，NdiLGS晶体双X面镀金。
7.如权利要求1所述的自调Q激光器，其特征在于，所述聚焦透镜的焦距长为f 100mm，优选的焦距长为5?30mm。
【文档编号】H01S5/06GK104051959SQ201410316020
【公开日】2014年9月17日 申请日期:2014年7月4日 优先权日:2014年7月4日
【发明者】马长勤 申请人:青岛镭视光电科技有限公司