晶片的干燥方法
【专利摘要】本发明公开了一种晶片的干燥方法，属于集成电路制造领域。本发明将晶片放入装有浸泡液A燥槽中浸泡，其中所述浸泡液A为流动状态，浸泡液由去离子水与异丙醇溶液按质量比为2：1的比例混合制得；再用浸泡液B置换干燥槽内的浸泡液A，继续浸泡晶片，其中所述浸泡液B为流动状态，所述浸泡液B由异丙醇溶液与氮气蒸汽按质量比为5：1的比例混合制得；接着快速排出干燥槽内浸泡液B，然后通入氮气进行干燥；其中，所述氮气为流动状态。本发明提供了一种晶片的干燥方法，用该方法干燥晶体，晶体表面不会留下任何水痕缺陷或颗粒。
【专利说明】晶片的干燥方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明属于集成电路制造领域，尤其涉及一种晶片的干燥方法。
【背景技术】
[0002]在材料加工科学的不断推动下，半导体器件和集成电路制作工艺取得长足进步，发生了巨大的变化。半导体晶体最为有效的清洗方法是湿法清洗工艺，一直未能被取代。然而，随着晶体表面洁净要求的不断提高，清洗工艺的焦点已经逐步由清洗液、超声波等转移到晶体的干燥上。干燥作为湿法清洗的最后一个步骤，最终决定了晶片的表面质量，是清洗工艺的核心所在。在晶片的干燥过程中，不仅要求表面达到脱水效果，还要避免在表面留下任何水痕缺陷或颗粒。
【发明内容】
[0003]本发明提供了一种晶片的干燥方法，用该方法干燥晶体，晶体表面不会留下任何水痕缺陷或颗粒。
[0004]为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是:
一种晶片的干燥方法，该方法包括以下步骤:
A、将晶片放入装有50°C?55°C浸泡液A燥槽中浸泡20分钟?30分钟；其中，所述浸泡液A为流动状态，浸泡液由去离子水与异丙醇溶液按质量比为2:1的比例混合制得；
B、待步骤A晶片浸泡结束后，用50°C?55°C浸泡液B置换干燥槽内的浸泡液A，继续浸泡晶片10钟?20分钟；其中，所述浸泡液B为流动状态，所述浸泡液B由异丙醇溶液与氮气蒸汽按质量比为5:1的比例混合制得；
C、待步骤B晶片浸泡结束后，快速排出干燥槽内浸泡液B，然后通入65°C?80°C的氮气进行干燥；其中，所述氮气为流动状态。
【具体实施方式】
[0005]实施例1
一种晶片的干燥方法，该方法包括以下步骤:
A、将晶片放入装有50°C浸泡液A燥槽中浸泡30分钟；其中，所述浸泡液A为流动状态，浸泡液由去离子水与异丙醇溶液按质量比为2:1的比例混合制得；
B、待步骤A晶片浸泡结束后，用50°C浸泡液B置换干燥槽内的浸泡液A，继续浸泡晶片20分钟；其中，所述浸泡液B为流动状态，所述浸泡液B由异丙醇溶液与氮气蒸汽按质量比为5:1的比例混合制得；
C、待步骤B晶片浸泡结束后，快速排出干燥槽内浸泡液B，然后通入80°C的氮气进行干燥；其中，所述氮气为流动状态。
[0006]实施例2
一种晶片的干燥方法，该方法包括以下步骤: A、将晶片放入装有55°C浸泡液A燥槽中浸泡20分钟；其中，所述浸泡液A为流动状态，浸泡液由去离子水与异丙醇溶液按质量比为2:1的比例混合制得；
B、待步骤A晶片浸泡结束后，用55°C浸泡液B置换干燥槽内的浸泡液A，继续浸泡晶片10钟；其中，所述浸泡液B为流动状态，所述浸泡液B由异丙醇溶液与氮气蒸汽按质量比为5:1的比例混合制得；
C、待步骤B晶片浸泡结束后，快速排出干燥槽内浸泡液B，然后通入65°C的氮气进行干燥；其中，所述氮气为流动状态。
[0007]实施例3
一种晶片的干燥方法，该方法包括以下步骤:
A、将晶片放入装有52°C浸泡液A燥槽中浸泡25分钟；其中，所述浸泡液A为流动状态，浸泡液由去离子水与异丙醇溶液按质量比为2:1的比例混合制得；
B、待步骤A晶片浸泡结束后，用52°C浸泡液B置换干燥槽内的浸泡液A，继续浸泡晶片15分钟；其中，所述浸泡液B为流动状态，所述浸泡液B由异丙醇溶液与氮气蒸汽按质量比为5:1的比例混合制得；
C、待步骤B晶片浸泡结束后，快速排出干燥槽内浸泡液B，然后通入75°C的氮气进行干燥；其中，所述氮气为流动状态。
【权利要求】
1.一种晶片的干燥方法，其特征在包括以下制作步骤: A、将晶片放入装有50°C?55°C浸泡液A燥槽中浸泡20分钟?30分钟；其中，所述浸泡液A为流动状态，浸泡液由去离子水与异丙醇溶液按质量比为2:1的比例混合制得； B、待步骤A晶片浸泡结束后，用50°C?55°C浸泡液B置换干燥槽内的浸泡液A，继续浸泡晶片10钟?20分钟；其中，所述浸泡液B为流动状态，所述浸泡液B由异丙醇溶液与氮气蒸汽按质量比为5:1的比例混合制得； C、待步骤B晶片浸泡结束后，快速排出干燥槽内浸泡液B，然后通入65°C?80°C的氮气进行干燥；其中，所述氮气为流动状态。
【文档编号】H01L21/02GK104037067SQ201410297682
【公开日】2014年9月10日 申请日期:2014年6月29日 优先权日:2014年6月29日
【发明者】陈昆 申请人:陈昆