柔性显示装置及其制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种柔性显示装置，所述柔性显示装置包括基底、多个第一像素和多个第二像素。基底包括可折叠的弯曲区域和不可折叠的非弯曲区域。每个第一像素设置在弯曲区域中。每个第一像素与相邻的第一像素分隔开第一距离。每个第二像素设置在非弯曲区域中。每个第二像素与相邻的第二像素分隔开第二距离。第一距离大于第二距离。
【专利说明】柔性显示装置及其制造方法
[0001]本申请要求于2013年6月7号提交到韩国知识产权局的第10-2013-0065471号韩国专利申请的优先权，该申请的内容通过引用全部包含于此。
【技术领域】
[0002]本发明涉及一种柔性显示装置及其制造方法。
【背景技术】
[0003]柔性显示装置可以弯曲，显示图像。柔性显示装置可以通过使用柔性基底来保持其弯曲的形状。柔性显示装置的弯曲区域需要具有防止由于这种弯曲形状而导致的裂纹或其它机械缺陷。
【发明内容】
[0004]根据本发明的示例性实施例，一种柔性显示装置包括基底、多个第一像素和多个第二像素。基底包括可折叠的弯曲区域和不可折叠的非弯曲区域。每个第一像素设置在弯曲区域中。每个第一像素与相邻的第一像素分隔开第一距离。每个第二像素设置在非弯曲区域中。每个第二像素与相邻的第二像素分隔开第二距离。第一距离大于第二距离。
[0005]根据本发明的示例性实施例，一种柔性显示装置包括基底、多个驱动薄膜晶体管、多个第一像素和多个第二像素。基底包括可折叠的弯曲区域和不可折叠的非弯曲区域。每个驱动薄膜晶体管设置在基底上。每个驱动薄膜晶体管包括沿第一方向延伸的半导体层。每个第一像素设置在弯曲区域上。每个第一像素沿与第一方向交叉的第二方向与相邻的第一像素分隔开第一距离。每个第二像素设置在非弯曲区域上。每个第二像素沿第二方向与相邻的第二像素分隔开第二距离。每个第一像素设置在对应的驱动薄膜晶体管上，每个第二像素设置在对应的驱动薄膜晶体管上。第一距离大于第二距离。
【专利附图】
【附图说明】
[0006]通过参照附图详细地描述本发明的示例性实施例，本发明构思的这些和其它特征将变得清楚，在附图中:
[0007]图1是示出根据本发明的示例性实施例的柔性显示装置的弯曲区域I和非弯曲区域II中的像素之间的距离的剖视图。
[0008]图2是图1的柔性显示装置的俯视图。
[0009]图3是示出图2的柔性显示装置的折叠形状的侧视图。
[0010]图4是沿图2的线A-A’截取的剖视图。
[0011]图5至图14是示出根据本发明的示例性实施例的制造柔性显示装置的方法的剖视图。
[0012]图15是根据本发明示例性实施例的柔性显示装置的俯视图。
[0013]图16是沿图15的线B-B’截取的剖视图。
【具体实施方式】
[0014]下面将参照附图描述本发明的示例性实施例。然而，本发明构思可以以不同的形式实施例，而不应被解释为局限于这里阐述的实施例。在附图中，为了清楚起见，可以夸大层和区域的厚度。还将理解的是，当元件被称作“在”另一元件或基底“上”时，该元件可以直接在所述另一元件或基底上，或者也可以存在中间元件。还将理解的是，当元件被称作“结合到”另一元件时，该元件可以直接结合到另一元件，或者也可以存在中间元件。在整个说明书和附图中，同样的标号可以表示同样的元件。
[0015]图1是示出根据本发明示例性实施例的柔性显示装置I的弯曲区域I和非弯曲区域II中的像素之间的距离的剖视图。图2是图1的柔性显示装置I的俯视图。图3是示出图2的柔性显示装置I的折叠形状的侧视图。
[0016]根据本发明示例性实施例的柔性显示装置I包括弯曲区域I和非弯曲区域II。第一距离dl是设置在弯曲区域I中的像素PX4、PX5和PX6之间的距离。第二距离d2是设置在非弯曲区域II中的像素PXl、PX2、PX3、PX7、PX8和PX9之间的距离。第一距离dl大于第二距离d2。可以获得加工余量来去除形成在弯曲区域I的像素PX4、PX5和PX6之间的下方的绝缘层。
[0017]因此，图4的在弯曲区域I的像素PX4、PX5和PX6之间的下方栅极绝缘层313和层间绝缘层314可以被去除。绝缘层313和314的去除可以减小在柔性显示装置I被折叠时在弯曲区域I中出现的应力，从而增大柔性显示装置I的弯曲可靠性。
[0018]参照图1至图3，根据本发明示例性实施例的柔性显示装置I包括柔性基底100、形成在柔性基底100上的缓冲层200、形成在缓冲层200上的包括多个薄膜晶体管(未示出)的元件/布线层300、形成在元件/布线层300中的多个像素PXl至PX9以及形成为覆盖所述多个像素PXl至PX9的密封层500。
[0019]柔性基底100包括弯曲区域I和非弯曲区域II。弯曲区域I是可折叠的区域，非弯曲区域是不可折叠的区域。柔性显示装置I沿弯曲区域I的基准线LI折叠。例如，弯曲区域I具有对称的弯曲形状。
[0020]非弯曲区域II提供至少一个平坦区域并且可以均匀地形成而始终不具有弯曲区域。
[0021]柔性基底100由柔性材料形成。
[0022]缓冲层200设置在柔性基底100上。缓冲层200防止诸如湿气或氧的外部物体穿过柔性基底100渗透到元件/布线层300和/或多个像素PXl至PX9中。
[0023]元件/布线层300设置在缓冲层200上。元件/布线层300可以包括驱动多个像素PXl至PX9的驱动薄膜晶体管(TFT)、开关TFT (未示出)、电容器以及连接到TFT或电容器的布线(未示出)。
[0024]多个像素PXl至PX9形成在元件/布线层300中。
[0025]多个像素PXl至PX9包括形成在弯曲区域I中的第一像素部分PX4、PX5和PX6以及形成在非弯曲区域II中的第二像素部分？乂1、？乂2、？乂3、？乂7、？乂8和？乂9。形成在弯曲区域I中和非弯曲区域II中的多个像素PXl至PX9的尺寸可以相同。
[0026]根据本发明的示例性实施例，第一距离dl大于第二距离d2。形成在弯曲区域I的边界部分的像素PX4和PX6与形成在非弯曲区域II的边界部分的像素PX3和PX7之间的第三距离d3大于第二距离d2。另外，第三距离d3可以等于或小于第一距离dl。
[0027]第一距离dl大于第二距离d2，从而确保加工余量以去除图4的形成在第一像素部分的像素PX4、PX5和PX6之间的下方的栅极绝缘层313和层间绝缘层314。
[0028]利用使用掩模的光刻工艺，弯曲区域I的像素PX4、PX5和PX6被形成为具有第一距离dl，非弯曲区域II的像素PX1、PX2、PX3、PX7、PX8和PX9被形成为具有第二距离d2。当第一距离dl和第二距离d2被物理地设置为不同的时候，元件/布线层300的TFT(驱动第一像素部分PX4、PX5、PX6和第二像素部分PX1、PX2、PX3、PX7、PX8、PX9的像素的TFT)之间的距离被设置为不同。
[0029]例如，由于弯曲区域I的像素PX4、PX5和PX6之间的第一距离dl大于非弯曲区域II的像素之间的第二距离d2，所以元件/布线层300中的弯曲区域I的像素的驱动TFT之间的距离可以大于非弯曲区域II的像素的驱动TFT之间的距离。
[0030]为了描述简要，将弯曲区域I的三个像素和非弯曲区域II的六个像素用作示例来描述本发明的实施例，但是本发明不限于此。像素的数量可以根据柔性显示装置I的尺寸以及弯曲区域I的面积和折叠程度而改变。
[0031]第一区域Ml是去除了图4的形成在弯曲区域I的第一像素部分的像素PX4、PX5和PX6之间的下方的栅极绝缘层313和层间绝缘层314的区域。另外，柔性显示装置I还可以包括第二区域M2，从第二区域M2去除了图4的形成在弯曲区域I的边界部分的像素PX4和PX6与形成在非弯曲区域II的边界部分的像素PX3和PX7之间的下方的栅极绝缘层313和层间绝缘层314。
[0032]图4是沿图2的线A-A’截取的剖视图。
[0033]参照图4，形成在元件/布线层300中的驱动TFT包括沿一个方向(例如，与第一距离dl或第二距离d2交叉的方向)延伸的半导体层321、栅极322以及源极和漏极323。图4中的驱动TFT是顶栅型TFT。可选地，可以形成其它类型的TFT，例如底栅型TFT。在下文中，将描述图4的顶栅型TFT。
[0034]半导体层321、栅极绝缘层313、栅极322、层间绝缘层314、接触孔324以及源极和漏极323顺序地形成在缓冲层200上，以形成图4的顶栅型TFT。
[0035]半导体层321可以由掺杂有杂质的多晶硅形成。可选择地，半导体层321可以由非晶硅代替多晶硅来形成，并且还可以由各种有机半导体材料(例如，并五苯)形成。
[0036]当半导体层321由多晶硅形成时，形成非晶硅，然后利用结晶方法来使非晶硅结晶为多晶硅。结晶方法可以包括但不限于快速热退火(RTA)、固相结晶(SPC)、准分子激光退火(ELA)、金属诱导结晶(MIC)、金属诱导横向结晶(MILC)或顺序横向固化(SLS)。当使用塑料基底时，可以使用不需要高温热处理的方法。
[0037]栅极绝缘层313形成在半导体层321和栅极322之间。栅极绝缘层313可以由诸如氧化硅或氮化硅的绝缘无机材料形成。栅极绝缘层313也可由绝缘有机材料形成。
[0038]栅极322可由各种导电材料形成，导电材料包括但不限于镁(Mg)、铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、钥(Mo)、钨(W)、钥-钨(MoW)或金(Au)。栅极322可以形成为单层或多层。
[0039]层间绝缘层314可以由诸如氧化硅或氮化硅的绝缘无机材料形成，也可由绝缘有机材料形成。
[0040]源极和漏极323通过选择性地去除层间绝缘层314和栅极绝缘层313来形成。源极和漏极323由栅极材料在层间绝缘层314上形成为单层或多层。
[0041]另外，在形成接触孔324以形成源极和漏极323的过程中，可以去除在弯曲区域I的像素PX4和像素PX5之间的下方的层间绝缘层314和栅极绝缘层313。弯曲区域I的去除了层间绝缘层314和栅极绝缘层313的区域对应于图1和图2的第一区域Ml。
[0042]另外，可以去除在非弯曲区域II的像素PX3和弯曲区域I的像素PX4之间的下方的层间绝缘层314和栅极绝缘层313。在弯曲区域I和非弯曲区域II的边界部分去除了层间绝缘层314和栅极绝缘层313的区域对应于图1和图2的第二区域M2。
[0043]由于在形成在弯曲区域I中的像素PX4和像素PX5之间的下方的层间绝缘层314和栅极绝缘层313被去除，所以当弯曲区域I被折叠或弯曲时出现的应力强度可以被最小化，从而提高了柔性显示装置I的可靠性。另外，还可去除在非弯曲区域II的像素PX3和弯曲区域I的像素PX4之间的下方的层间绝缘层314和栅极绝缘层313，因此可以提高柔性显示装置I的可靠性。
[0044]为了保护下方的TFT并使TFT平坦化，平坦化层315 (保护层和/或钝化层)被包括在源极和漏极323上以及在暴露缓冲层200的顶部的第一区域Ml和第二区域M2中。平坦化层315可以以各种形式形成，并且可由例如苯并环丁烯(BCB)或亚克力(acryl)的有机材料形成，或者可以由例如SiNx的无机材料形成。另外，平坦化层315可以被形成为单层、双层或多层。设置在元件/布线层300上的多个像素PX3、PX4和PX5包括第一电极431、设置在第一电极431上的中间层432和形成在中间层432上的第二电极433。
[0045]第一电极432是阳极，第二电极433是阴极。然而，本发明不限于此，根据柔性显示装置I的驱动方法，第一电极431可以是阴极，并且第二电极433可以是阳极。空穴和电子从第一电极431和第二电极433注入到中间层432中。作为注入的空穴和电子的结合状态的激子在从激发态降至基态时发光。
[0046]第一电极431电连接到形成在元件/布线层300中的驱动TFT。
[0047]多个像素PX3、PX4和PX5设置在其上设置有驱动TFT的元件/布线层300上，但是本发明不限于此。
[0048]根据本发明的实施例的包括在多个像素PX3、PX4和PX5中的第一电极431可以是反射电极。第一电极431可以包括由银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、钼(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)和它们的组合中的至少一种形成的反射层以及形成在反射层上的透明或半透明电极层。
[0049]透明或半透明电极层可以包括但不限于氧化铟锡(ΙΤ0)、氧化铟锌(ΙΖ0)、氧化锌(ZnO),氧化铟(In2O3)、氧化镓铟(IG0)或氧化铝锌(AZO)。
[0050]设置为面对第一电极431的第二电极433可以是透明或半透明电极。第二电极433可以由具有低功函数的薄金属膜形成，薄金属膜包括锂(Li)、钙(Ca)、LiF/Ca、LiF/Al、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)或它们的组合。还可以在第二电极433上形成辅助电极层或汇流电极。辅助电极可以由用于形成透明电极的材料形成，例如由ΙΤ0、ΙΖ0、Ζη0或In2O3形成。
[0051]因此，第二电极433可以透射从像素ΡΧ3、ΡΧ4和ΡΧ5发射的光。
[0052]设置在第一电极431和第二电极433之间的中间层432可以是低分子量有机材料或高分子量有机材料。
[0053]除了中间层432之外，还可以在第一电极431和第二电极433之间选择性地设置空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。
[0054]从中间层432发射的光可以是顶部发射式，通过被形成为电极或反射电极的第一电极431的反射而向上朝第二电极433发射。
[0055]然而，根据本发明示例性实施例的柔性显示装置I不限于顶部发射型，其可以是从中间层432向柔性基底100发光的底部发射型。在这种情况下，第一电极431可由透明或半透明电极形成，而第二电极433可以由反射电极形成。
[0056]另外，柔性显示装置I可以是既沿顶部方向又沿底部方向发光的双发射型。
[0057]密封层500设置在第二电极433上。密封层500用于防止外部湿气和氧气渗透到像素PX3、PX4和PX5中。密封层500可以通过交替地堆叠至少一个有机层和至少一个无机层来形成。
[0058]无机层或有机层的数量可以分别是多个。
[0059]有机层被形成为聚合物，并且可以是由聚乙烯醚邻苯二甲酸酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯(PAR)中的任一种形成的单层或堆叠层。有机层可由聚丙烯酸酯(PAR)形成，例如，可以包含包括二丙烯酸酯单体和三丙烯酸酯单体的聚合的单体组分。单体组分还可包括单丙烯酸酯单体。另外，单体组分还可包括本领域普通技术人员公知的光引发剂，例如热塑性聚烯烃(ΤΡ0)，但不限于此。
[0060]无机层可以是包括金属氧化物或金属氮化物的单层或堆叠层。例如，无机层可以包括SiNx、Al203、S12和T12中的任意一种。
[0061]密封层500具有暴露到外部的顶部部分。顶部部分可以由无机层形成以使有机发光装置防水。
[0062]密封层500可以包括至少一个夹层结构，在夹层结构中，至少一个有机层被插入在至少两个无机层之间。另外，密封层500可以包括至少一个夹层结构，在夹层结构中，至少一个无机层被插入在至少两个有机层之间。
[0063]密封层500设置在第二电极433上。密封层500可以包括第一无机层、第一有机层和第二无机层。密封层500还可以包括第二有机层和第三无机层。密封层500还可以包括第三有机层和第四无机层。
[0064]还可在第二电极433和第一无机层之间包括包含LiF的齒化金属层。齒化金属层可以防止像素PX3、PX4和PX5由于用于形成第一无机层的溅射或等离子体沉积工艺而损坏。
[0065]第一有机层可以具有比第二无机层小的面积，第二有机层可以具有比第三无机层小的面积。另外，第一有机层可以被第二无机层完全覆盖，并且第二有机层可以被第三无机层完全覆盖。
[0066]图5至图14是示出根据本发明示例性实施例的制造柔性显示装置的方法的剖视图。
[0067]参照图5，在支撑基底10上形成柔性基底100。
[0068]支撑基底10在稍后将描述的分离工艺中通过激光束照射或化学溶液与柔性基底100分离。
[0069]支撑基底10可以是玻璃基底。可选择地，支撑基底10可以是各种基底，例如，可以使用支撑柔性基底100并承受由于在柔性基底100上形成元件和布线的工艺而导致的加工应力的透明塑料基底或金属基底。
[0070]柔性基底100可以由可弯曲并且具有高的耐热性和耐久性的塑料材料形成。例如，塑料材料可以包括但不限于聚乙烯醚邻苯二甲酸酯、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚烯丙基化物(polyalIylate)、聚醚酰亚胺(PEI )、聚醚砜(PES)或聚酰亚胺(PI )。
[0071]虽然未在图5中示出，但是可以在支撑基底10和柔性基底100之间形成分离层(未示出)。分离层可以由适合于在分离工艺中应用的方法的各种材料形成。
[0072]参照图6，在柔性基底100的顶部上形成缓冲层200。缓冲层200可以由无机层和有机层中的至少一种形成。通过防止湿气或杂质扩散到柔性基底100中，或者通过控制在结晶工艺过程中的热传递速度，缓冲层200有助于半导体的结晶。
[0073]然后，在缓冲层200上形成半导体层321。
[0074]半导体层321可以由多晶硅或非晶硅形成，并且还可由各种有机半导体材料形成，例如由并五苯形成。
[0075]参照图7，在缓冲层200上形成栅极绝缘层313，以覆盖半导体层321。栅极绝缘层313可以由诸如氧化硅或氮化硅的绝缘无机材料形成，也可以由绝缘有机材料形成。
[0076]然后，在栅极绝缘层313上形成栅极322。栅极322可以由各种导电材料形成。
[0077]参照图8，在栅极绝缘层313上形成层间绝缘层314，以覆盖栅极322。
[0078]层间绝缘层314可以由诸如氧化硅或氮化硅的绝缘无机材料形成，也可以由绝缘有机材料形成。
[0079]参照图9，通过光刻工艺形成接触孔324。层间绝缘层314和栅极绝缘层313被选择性地去除，从而缓冲层200的对应于第一区域Ml和第二区域M2的区域被暴露。
[0080]参照图10，通过接触孔324，利用上面描述的栅极材料在层间绝缘层314上将源极和漏极323形成为单层或多层。
[0081]参照图11，为了保护下方的TFT并使TFT平坦化，在源极和漏极323上以及在暴露缓冲层200的一部分的第一区域Ml和第二区域M2中形成平坦化层315。
[0082]然后，在TFT的顶部上形成显示元件。本实施例包括有机发光二极管(OLED)作为显示元件。然而，本发明的实施例不限于此，可以形成各种显示元件。
[0083]为了在TFT的顶部上形成0LED，第一电极431形成在平坦化层315的顶部上，第一电极431通过接触孔430电连接到源极和漏极323中的一个。第一电极431用作阳极或阴极,并且可以由各种导电材料形成。
[0084]参照图12，通过以暴露第一电极431的至少一部分的方式来对绝缘材料进行图案化，在第一电极431上形成像素限定层416。像素限定层416可以是由诸如氧化硅(S12)和氮化硅(SiNx)的无机材料形成的无机层。
[0085]参照图13，可以通过形成中间层432和第二电极433来制造0LED。中间层432包括在第一电极431的开口中的有机发射层。第二电极433面对第一电极431。中间层432设置在第一电极431和第二电极433之间。
[0086]图13示出的是中间层432被图案化为仅对应于每个子像素(即，被图案化的每个第一电极431)。然而，这仅仅是用于描述子像素的组成，中间层432可以与相邻的子像素的中间层431形成为一个。另外，各种替换是可以的，例如，一些中间层432被形成为对应于每个子像素，而其它中间层432可以与相邻的子像素的中间层432形成为一个。
[0087]根据第一电极431的功能，第二电极433可以是阴极或阳极。
[0088]参照图14，在第二电极433的顶部上形成密封层500，以包封0LED。密封层500可以是无机材料、有机材料或者有机材料和无机材料的复合堆叠材料的阻挡层。
[0089]下面，执行分层工艺来使柔性基底100从支撑基底10分开。
[0090]图15是根据本发明的示例性实施例的柔性显示装置2的俯视图。图16是沿图15的线B-B’截取的剖视图。同样的标号表示同样的元件。
[0091]参照图15和图16，弯曲区域I的像素PX3’和PX4’的尺寸Al小于非弯曲区域II的像素PX1’、PX2’、PX5’和PX6’的尺寸A2，这与图2的实施例不同，在图2的实施例中，在弯曲区域I和非弯曲区域II中形成的像素PXl至PX9的尺寸实质上相同。
[0092]弯曲区域I的像素PX3’与非弯曲区域II的像素PX2’之间的第三距离d3’可以大于像素PX1’、PX2’、PX5’和PX6’之间的第二距离d2’。另外，第三距离d3’可以等于或小于像素PX3’和PX4’之间的第一距离dl’。然而，本发明的实施例不限于此。
[0093]在图15和图16中，第一区域Ml’是在弯曲区域I中去除了层间绝缘层314和栅极绝缘层313的区域，第二区域M2’是在弯曲区域I和非弯曲区域II的边界部分去除了层间绝缘层314和栅极绝缘层313的区域。
[0094]大于第二距离d2’的第一距离dl’和第三距离d3’可以通过将弯曲区域I的像素PX3’和PX4’的尺寸Al形成为小于非弯曲区域II的像素ΡΧΓ、PX2’、PX5’和PX6’的尺寸A2来获得。这种像素尺寸差异可以提供用于从弯曲区域I的像素PX3’和PX4’之间的下方的区域去除栅极绝缘层313和层间绝缘层314的加工余量。通过在第一区域Ml’或第二区域M2’中去除栅极绝缘层313和层间绝缘层314，在柔性显示装置2被折叠或弯曲时出现的应力强度可以被最小化，从而提高了柔性显示装置2的可靠性。
[0095]为了描述简便，描述了弯曲区域I的两个像素和非弯曲区域II的四个像素。然而，本发明不限于此，像素的数量可以根据柔性显示装置2的尺寸以及弯曲区域I的面积和折叠程度而改变。
[0096]虽然已经参照本发明的示例性实施例来示出并描述了本发明构思，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求所限定的本发明构思的精神和范围的情况下，可以对此进行形式和细节上的各种改变。
【权利要求】
1.一种柔性显示装置，所述柔性显示装置包括: 基底，包括可折叠的弯曲区域和不可折叠的非弯曲区域； 多个第一像素，设置在弯曲区域中，每个第一像素与相邻的第一像素分隔开第一距离；以及 多个第二像素，设置在非弯曲区域中，每个第二像素与相邻的第二像素分隔开第二距离， 其中，第一距离大于第二距离。
2.如权利要求1所述的柔性显示装置，其中，第一像素与相邻于该第一像素的第二像素分隔开第三距离，第三距离大于第二距离。
3.如权利要求1所述的柔性显示装置，其中，每个第一像素和每个第二像素包括有机发射层。
4.如权利要求1所述的柔性显示装置，所述柔性显示装置还包括置于基底和所述多个第一像素之间的元件/布线层，其中，元件/布线层包括驱动薄膜晶体管，所述薄膜驱动晶体管包括: 半导体层，形成在基底上； 栅极绝缘层，形成在半导体层上； 栅极，形成在栅极绝缘层上； 层间绝缘层，形成在栅极绝缘层上； 源极和漏极，结合到半导体层，其中，源极和漏极穿过层间绝缘层和栅极绝缘层；以及 平坦化层，形成在基底上，以覆盖源极和漏极， 其中，层间绝缘层和栅极绝缘层未形成在基底的设置在弯曲区域中的第一部分上，基底的第一部分对应于设置在弯曲区域的两个相邻的第一像素之间的区域。
5.如权利要求1所述的柔性显示装置，其中，每个第一像素和每个第二像素具有基本相同的尺寸。
6.如权利要求1所述的柔性显示装置，其中，基底包括聚乙烯醚邻苯二甲酸酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚烯丙基化物、聚醚酰亚胺、聚醚砜或聚酰亚胺。
7.如权利要求1所述的柔性显示装置，所述柔性显示装置还包括:密封层，被形成为覆盖所述多个第一像素和所述多个第二像素。
8.如权利要求1所述的柔性显示装置，其中，每个第一像素比每个第二像素小。
9.一种柔性显示装置，所述柔性显示装置包括: 基底，包括可折叠的弯曲区域和不可折叠的非弯曲区域； 多个驱动薄膜晶体管，设置在基底上，其中，每个驱动薄膜晶体管包括沿第一方向延伸的半导体层； 多个第一像素，设置在弯曲区域上，每个第一像素沿与第一方向交叉的第二方向与相邻的第一像素分隔开第一距离；以及 多个第二像素，设置在非弯曲区域上，每个第二像素沿第二方向与相邻的第二像素分隔开第二距离， 其中，每个第一像素设置在对应的驱动薄膜晶体管上，每个第二像素设置在对应的驱动薄膜晶体管上，其中，第一距离大于第二距离。
10.如权利要求9所述的柔性显示装置，其中，每个第一像素和每个第二像素具有基本相同的尺寸。
【文档编号】H01L27/12GK104241295SQ201410146085
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年4月11日 优先权日:2013年6月7日
【发明者】金喆秀 申请人:三星显示有限公司