阵列基板及其利记博彩app和液晶显示装置制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种阵列基板及其利记博彩app和液晶显示装置，涉及液晶显示【技术领域】，能够增大存储电容，从而提高显示装置的显示效果。该阵列基板的利记博彩app，包括：在基板上形成TFT、栅线和数据线；在包括所述TFT、栅线和数据线的基板上形成板状电极；在包括所述板状电极的基板上形成绝缘层，对所述绝缘层上的存储电容区域进行刻蚀，使所述存储电容区域的绝缘层厚度小于所述存储电容区域之外的绝缘层厚度；在包括所述绝缘层的基板上形成狭缝电极，所述狭缝电极与所述板状电极的重叠区域为所述存储电容区域。
【专利说明】阵列基板及其利记博彩app和液晶显示装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示【技术领域】，尤其涉及一种阵列基板及其利记博彩app和液晶显示装置。
【背景技术】
[0002]高级超维场开关(Advanced-SuperDimensional Switching,简称 ADS)模式是平面电场宽视角核心技术，具体为通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率。ADS模式广泛应用在液晶显示装置中，如图1和图2所示，其中板状电极I和狭缝电极2的重叠区域之间形成存储电容Cst，随着液晶显示装置的分辨率越来越高，受制于像素大小，存储电容无法做的很大，导致某些显示效果较差。
【发明内容】
[0003]本发明提供一种阵列基板及其利记博彩app和液晶显示装置，能够增大存储电容，从而提高显示装置的显示效果。
[0004]为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案:
[0005]一方面，提供一种阵列基板的利记博彩app，包括:
[0006]在基板上形成TFT、栅线和数据线；
[0007]在包括所述TFT、栅线和数据线的基板上形成板状电极；
[0008]在包括所述板状电极的基板上形成绝缘层，对所述绝缘层上的存储电容区域进行刻蚀，使所述存储电容区域的绝缘层厚度小于所述存储电容区域之外的绝缘层厚度；
[0009]在包括所述绝缘层的基板上形成狭缝电极，所述狭缝电极与所述板状电极的重叠区域为所述存储电容区域。
[0010]具体地，所述在包括所述板状电极的基板上形成绝缘层，对所述绝缘层上的存储电容区域进行刻蚀，使所述存储电容区域的绝缘层厚度小于所述存储电容区域之外的绝缘层厚度的过程包括:
[0011]在包括所述板状电极的基板上沉积绝缘层材料；
[0012]在包括所述绝缘层材料的基板上沉积光刻胶；
[0013]对绝缘层过孔区域的光刻胶进行完全曝光，对所述存储电容区域的光刻胶进行半色调曝光；
[0014]对光刻胶进行显影，使所述绝缘层过孔区域的光刻胶完全去除，使所述存储电容区域的光刻胶变薄；
[0015]对所述绝缘层过孔区域的绝缘层材料进行刻蚀，形成绝缘层过孔；
[0016]对所述光刻胶进行灰化，使所述存储电容区域的光刻胶完全去除，所述存储电容区域之外的光刻胶变薄；[0017]对所述存储电容区域的绝缘层材料进行刻蚀，使所述存储电容区域的绝缘层厚度小于所述存储电容区域之外的绝缘层厚度；
[0018]去除剩余的光刻胶。
[0019]可选地，所述板状电极为像素电极，所述狭缝电极为公共电极。
[0020]可选地，所述板状电极为公共电极，所述狭缝电极为像素电极。
[0021]另一方面，提供一种阵列基板，包括板状电极、狭缝电极和位于所述板状电极与狭缝电极之间的绝缘层，其特征在于，
[0022]存储电容区域的绝缘层厚度小于所述存储电容区域之外的绝缘层厚度，所述狭缝电极与所述板状电极的重叠区域为所述存储电容区域。
[0023]可选地，所述板状电极为像素电极，所述狭缝电极为公共电极。
[0024]可选地，所述板状电极为公共电极，所述狭缝电极为像素电极。
[0025]另一方面，提供一种液晶显示装置，包括上述的阵列基板。
[0026]本发明提供的阵列基板及其利记博彩app和液晶显示装置，通过使存储电容区域中绝缘层的厚度变薄，减小了板状电极和狭缝电极之间的距离，因此增大了存储电容，从而提高显示装置的显示效果。
【专利附图】
【附图说明】
[0027]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0028]图1为现有技术中一种阵列基板的结构示意图；
[0029]图2为图1中阵列基板BB’向的截面图；
[0030]图3为本发明实施例中一种阵列基板利记博彩app的流程图；
[0031]图4为图3的利记博彩app中形成板状电极后阵列基板的结构示意图；
[0032]图5为图4中阵列基板CC’向的截面图；
[0033]图6为图3的利记博彩app中对绝缘层上存储电容区域进行刻蚀后阵列基板的截面图；
[0034]图7为图3的利记博彩app中形成狭缝电极后阵列基板的结构示意图；
[0035]图8为图7中阵列基板CC’向的截面图；
[0036]图9为图3的利记博彩app中步骤103的一种制作过程的具体流程图；
[0037]图10为图9的制作过程中沉积光刻胶后阵列基板的截面图；
[0038]图11为图9的制作过程中显影后阵列基板的截面图；
[0039]图12为图9的制作过程中灰化后阵列基板的截面图；
[0040]图13为图9的制作过程中对存储电容区域的绝缘层进行刻蚀后阵列基板的截面图。
【具体实施方式】
[0041]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0042]如图3所示，本发明实施例提供一种阵列基板的利记博彩app，包括:
[0043]步骤101、在基板上形成TFT、栅线和数据线；
[0044]步骤102、如图4和图5所示，在包括上述TFT、栅线和数据线的基板上形成板状电极I ;
[0045]步骤103、如图6所示，在包括板状电极I的基板上形成绝缘层3，对绝缘层3上的存储电容区域A进行刻蚀，使存储电容区域A的绝缘层厚度小于存储电容区域A之外的绝
缘层厚度；
[0046]步骤104、如图7和图8所示，在包括绝缘层3的基板上形成狭缝电极2，狭缝电极2与板状电极I的重叠区域为存储电容区域A。
[0047]本实施例中阵列基板的利记博彩app，通过使存储电容区域中绝缘层的厚度变薄，减小了板状电极和狭缝电极之间的距离，因此增大了存储电容，从而提高显示装置的显示效
果O
[0048]进一步地,如图9所示,上述步骤103、在包括板状电极I的基板上形成绝缘层3,对绝缘层3上的存储电容区域A进行刻蚀，使存储电容区域A的绝缘层厚度小于存储电容区域A之外的绝缘层厚度的过程包括:
[0049]步骤1031、在包括板状电极的基板上沉积绝缘层材料；
[0050]步骤1032、如图10所示,在包括上述绝缘层材料的基板上沉积光刻胶4 ；
[0051]步骤1033、对绝缘层过孔区域(图中未示出)的光刻胶进行完全曝光，对存储电容区域A的光刻胶4进行半色调曝光；
[0052]步骤1034、如图11所示，对光刻胶4进行显影，使上述绝缘层过孔区域的光刻胶完全去除，使存储电容区域A的光刻胶4变薄；
[0053]步骤1035、对上述绝缘层过孔区域的绝缘层材料进行刻蚀，形成绝缘层过孔；
[0054]步骤1036、如图12所示，对光刻胶4进行灰化，使存储电容区域A的光刻胶完全去除，存储电容区域A之外的光刻胶4变薄；
[0055]步骤1037、如图13所示，对存储电容区域A的绝缘层材料进行刻蚀，使存储电容区域A的绝缘层3厚度小于存储电容区域A之外的绝缘层3厚度；
[0056]步骤1038、去除剩余的光刻胶，形成如图6所示的结构。
[0057]具体地，板状电极I为像素电极，狭缝电极2为公共电极；或者板状电极I为公共电极，狭缝电极2为像素电极。
[0058]上述绝缘层过孔用于使上层的狭缝电极与下层相关线路连通，在制作绝缘层过孔的过程中，通过半色调曝光配合曝光和灰化工艺形成存储电容区域的光刻胶图案，实现在制作绝缘层过孔的同时刻蚀存储电容区域的绝缘层，无需通过单独的构图工艺刻蚀存储电容区域的绝缘层。
[0059]本实施例中阵列基板的利记博彩app，通过使存储电容区域中绝缘层的厚度变薄，减小了板状电极和狭缝电极之间的距离，因此增大了存储电容，从而提高显示装置的显示效果。并且在制作绝缘层过孔的同时刻蚀存储电容区域的绝缘层，无需通过单独的构图工艺刻蚀存储电容区域的绝缘层，简化了工艺步骤。
[0060]如图7和图8所示，本发明实施例还提供一种阵列基板，包括板状电极1、狭缝电极
2和位于板状电极I与狭缝电极2之间的绝缘层3，
[0061]存储电容区域A的绝缘层3厚度小于存储电容区域A之外的绝缘层3厚度，狭缝电极2与板状电极I的重叠区域为存储电容区域A。
[0062]具体地，板状电极I为像素电极，狭缝电极2为公共电极；或者板状电极I为公共电极，狭缝电极2为像素电极。
[0063]本实施例中阵列基板，通过使存储电容区域中绝缘层的厚度变薄，减小了板状电极和狭缝电极之间的距离，因此增大了存储电容，从而提高显示装置的显示效果。
[0064]本发明实施例还提供一种液晶显示装置，包括上述的阵列基板。
[0065]该阵列基板的具体结构与上述实施例相同，在此不再赘述。
[0066]该液晶显示装置具体可以为:液晶面板、液晶电视、液晶显示器、电子纸、数码相框、手机等等。
[0067]本实施例中液晶显示装置，通过使存储电容区域中绝缘层的厚度变薄，减小了板状电极和狭缝电极之间的距离，因此增大了存储电容，从而提高显示装置的显示效果。
[0068]以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本【技术领域】的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
【权利要求】
1.一种阵列基板的利记博彩app，其特征在于，包括: 在基板上形成TFT、栅线和数据线； 在包括所述TFT、栅线和数据线的基板上形成板状电极； 在包括所述板状电极的基板上形成绝缘层，对所述绝缘层上的存储电容区域进行刻蚀，使所述存储电容区域的绝缘层厚度小于所述存储电容区域之外的绝缘层厚度； 在包括所述绝缘层的基板上形成狭缝电极，所述狭缝电极与所述板状电极的重叠区域为所述存储电容区域。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的利记博彩app，其特征在于， 所述在包括所述板状电极的基板上形成绝缘层，对所述绝缘层上的存储电容区域进行刻蚀，使所述存储电容区域的绝缘层厚度小于所述存储电容区域之外的绝缘层厚度的过程包括: 在包括所述板状电极的基板上沉积绝缘层材料； 在包括所述绝缘层材料的基板上沉积光刻胶； 对绝缘层过孔区域的光刻胶进行完全曝光，对所述存储电容区域的光刻胶进行半色调曝光； 对光刻胶进行显影，使所述绝缘层过孔区域的光刻胶完全去除，使所述存储电容区域的光刻胶变薄； 对所述绝缘层过孔区域的绝缘层材料进行刻蚀，形成绝缘层过孔； 对所述光刻胶进行灰化，使所述存储电容区域的光刻胶完全去除，所述存储电容区域之外的光刻胶变薄； 对所述存储电容区域的绝缘层材料进行刻蚀，使所述存储电容区域的绝缘层厚度小于所述存储电容区域之外的绝缘层厚度； 去除剩余的光刻胶。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板的利记博彩app，其特征在于， 所述板状电极为像素电极，所述狭缝电极为公共电极。
4.根据权利要求1或2所述的阵列基板的利记博彩app，其特征在于， 所述板状电极为公共电极，所述狭缝电极为像素电极。
5.一种阵列基板，包括板状电极、狭缝电极和位于所述板状电极与狭缝电极之间的绝缘层，其特征在于， 存储电容区域的绝缘层厚度小于所述存储电容区域之外的绝缘层厚度，所述狭缝电极与所述板状电极的重叠区域为所述存储电容区域。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于， 所述板状电极为像素电极，所述狭缝电极为公共电极。
7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于， 所述板状电极为公共电极，所述狭缝电极为像素电极。
8.一种液晶显示装置，其特征在于，包括如权利要求5至7中任意一项所述的阵列基板。
【文档编号】H01L21/77GK103794556SQ201410031062
【公开日】2014年5月14日 申请日期:2014年1月22日 优先权日:2014年1月22日
【发明者】李鑫, 任健, 唐磊, 裴扬 申请人:北京京东方光电科技有限公司, 京东方科技集团股份有限公司