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【专利摘要】本实用新型的目的在于提供一种能够抑制低频噪声的产生，且还能够实现薄型化的高频信号线路。信号线路(20)设置于电介质片材(18)的表面。接地导体(22)设置于电介质片材(18)的表面，从电介质片材(18)的法线方向俯视时，接地导体(22)在与信号线路(20)延伸的方向正交的正交方向上存在于信号线路(20)的两侧。绝缘体层(30)设置在信号线路(20)上。从电介质片材(18)的法线方向俯视时，桥接部(30)与接地导体(22)和信号线路(20)相重合，通过设置于绝缘体层(32)上，来与信号线路(20)绝缘。
【专利说明】局频信号线路
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及高频信号线路，更具体而言，涉及高频信号传输所使用的高频信号线路。
【背景技术】
[0002]作为现有高频信号线路，已知有例如专利文献1所记载的信号线路。图12是专利文献1所记载的高频信号线路500的分解图。
[0003]高频信号线路500包括电介质坯体502、信号线506以及接地导体508、510。电介质还体502由电介质片材50--504。层叠而构成。信号线506设置于电介质片材504)3的表面。接地导体508、510分别设置于电介质片材5043、504。的表面。
[0004]接地导体508上，沿着信号线506设置有多个开口 520。由此，多个开口 520和多个桥接部522交替与信号线506相重合。在上述那样构成的高频信号线路500中，在开口520与信号线506重合的区域中的信号线506的特性阻抗要低于桥接部522与信号线506重合的区域中的信号线506的特性阻抗。因此，信号线506的特性阻抗周期性地变动。其结果是，在高频信号线路500中，产生以桥接部522的间隔左右的长度为半波长的较高频率的驻波，而难以产生以高频信号线路500的全长左右的长度为半波长的低频驻波。因此，在高频信号线路500中，抑制了低频噪声的产生。
[0005]然而，在高频信号线路500中，需要3层电介质片材50--504(3。因此，要求高频信号线路500的进一步薄型化。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1:日本注册实用新型第3173143号公报实用新型内容
[0009]实用新型所要解决的技术问题
[0010]因此，本实用新型的目的在于提供一种能够抑制低频噪声的产生、且还能够实现薄型化的高频信号线路。
[0011]解决技术问题所采用的技术方案
[0012]本实用新型的一实施方式所涉及的高频信号线路的特征在于，包括:电介质层，该电介质层具有第1主面和第2主面；信号线路，该信号线路设置于所述第1主面；第1接地导体，该第1接地导体设置于所述第1主面或所述第2主面，从所述电介质层的法线方向俯视时，在与所述信号线路延伸的方向正交的正交方向上存在于该信号线路的两侧；多个绝缘体层，该多个绝缘体层是从所述电介质层的法线方向俯视时与该电介质层的一部分重合的绝缘体层，并设置在所述信号线路上；以及多个桥接导体，该多个桥接导体是从所述电介质层的法线方向俯视时，与所述第1接地导体和所述信号线路相重合的多个桥接导体，通过设置在所述绝缘体层上来与该信号线路绝缘。
[0013]实用新型效果
[0014]根据本实用新型，能够抑制低频噪声的产生，且还能够实现薄型化。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]图1是一实施方式所涉及的高频信号线路的外观立体图。
[0016]图2是一实施方式所涉及的高频信号线路的分解立体图。
[0017]图3是一实施方式所涉及的高频信号线路的分解立体图。
[0018]图4是一实施方式所涉及的高频信号线路的俯视图。
[0019]图5是高频信号线路的连接器的外观立体图和剖面结构图。
[0020]图6是变形例1所涉及的高频信号线路的分解立体图。
[0021]图7是变形例2所涉及的高频信号线路的分解立体图。
[0022]图8是变形例3所涉及的高频信号线路的分解立体图。
[0023]图9是变形例4所涉及的高频信号线路的分解立体图。
[0024]图10是变形例5所涉及的高频信号线路的分解立体图。
[0025]图11是变形例6所涉及的尚频彳目号线路的俯视图。
[0026]图12是专利文献1所记载的高频信号线路的分解图。
【具体实施方式】
[0027]以下，参照附图对本实用新型的实施方式所涉及的高频信号线路进行说明。
[0028](高频信号线路的结构)
[0029]以下，参照附图对本实用新型的一实施方式所涉及的高频信号线路的结构进行说明。图1是一实施方式所涉及的高频信号线路10的外观立体图。图2和图3是一实施方式所涉及的高频信号线路10的分解立体图。图4是一实施方式所涉及的高频信号线路10的俯视图。在图1至图4中，将高频信号线路10的层叠方向定义为2轴方向。此外，将高频信号线路10的长边方向定义为X轴方向，将与X轴方向及2轴方向正交的方向定义为1轴方向。
[0030]如图1至图3所示，高频信号线路10包括:主体12、信号线路20、接地导体22、24、桥接导体30、绝缘体层32、连接器100^10(^及过孔导体61?66。
[0031]从2轴方向俯视时，主体12沿X轴方向延伸，且包含线路部123及连接部121120。如图2所示，主体12是从2轴方向的正方向侧到负方向侧对保护层14、电介质片材18及保护层15依次层叠来构成的挠性层叠体。以下，将主体12的2轴方向的正方向侧的主面称为表面，将主体12的2轴方向的负方向侧的主面称为背面。
[0032]线路部123在X轴方向上延伸。连接部126连接至线路部12&的X轴方向的负方向侧的端部，且呈矩形。连接部120连接至线路部123的X轴方向的正方向侧的端部，且呈矩形。连接部12112(3的7轴方向宽度与线路部123的7轴方向的宽度相等。因此，从2轴方向俯视时，主体12呈在X轴方向上延伸的长方形。
[0033]从2轴方向俯视时，电介质片材18沿X轴方向延伸，且其形状与主体12相同。电介质片材18由聚酰亚胺、液晶聚合物等具有挠性的热可塑性树脂构成。电介质片材18层叠后的厚度为例如200 VIII。以下，将电介质片材18的2轴方向的正方向侧的主面称为表面，将电介质片材18的2轴方向的负方向侧的主面称为背面。
[0034]电介质片材18由线路部183和连接部18118(3构成。线路部构成线路部123。连接部1?构成连接部12匕连接部18。构成连接部12(3。
[0035]如图2所示，信号线路20是设置于电介质片材18表面的线状导体，在X轴方向上延伸。信号线路20的X轴方向的负方向侧的端部位于连接部1?的表面中央。同样地，信号线路20的X轴方向的正方向侧的端部位于连接部18^的表面中央。信号线路20由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料制作而成。信号线路20的X轴方向的负方向侧的端部和信号线路20的X轴方向的正方向侧的端部分别用作外部端子。下面，将信号线路20的X轴方向的负方向侧的端部和信号线路20的X轴方向的正方向侧的端部称为外部端子163、16)3。在外部端子163、166的表面实施了镀金。
[0036]接地导体22 (第1接地导体)如图2和图3所示，设置于设有信号线路20的电介质片材18的表面，从2轴方向(电介质片材18的法线方向)俯视时，接地导体22呈包围信号线路20的周围的长方形的框状。由此，从2轴方向(电介质片材18的法线方向)俯视时，接地导体22存在于7轴方向(与信号线路20延伸的方向正交的方向)上信号线路20的两侧。接地导体22由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料制作而成。
[0037]接地导体22如图2和图3所示，由线路部22^2213，端子部22(^22(1和突起部233、236构成。线路部223设置于线路部183表面的信号线路20的7轴方向的正方向侧，在X轴方向上延伸。线路部226设置于线路部表面的信号线路20的7轴方向的负方向侧，在X轴方向上延伸。
[0038]多个突起部233设置为从线路部223向7轴方向的负方向侧突出，在X轴方向上等间隔进行排列。其中，突起部233不与信号线路20相连接。
[0039]多个突起部236设置为从线路部226向7轴方向的正方向侧突出，在X轴方向上等间隔进行排列。其中，突起部236不与信号线路20相连接。
[0040]如图2所示，端子部22^设置于连接部1?的表面，且呈包围外部端子16&的I字形。端子部端子部 22(1 设置于连接部18。的表面，且呈包围外部端子166的V字形。端子部22(1连接至线路部223、226的X轴方向的正方向侧的端部。
[0041]接地导体24(第2接地导体)如图2和图3所示，设置于电介质片材18的背面，从2轴方向(主体12的法线方向)俯视时，呈与信号线路20重合的长方形形状。接地导体24由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料制作而成。
[0042]如图2所示，接地导体24由线路部2?及端子部2412?构成。线路部2?设置于线路部1如的背面，在X轴方向上延伸。线路部2?是未设有开口部的实心导体。由此，从2轴方向俯视时，线路部2?与信号线路20相重合。
[0043]端子部2仙设置于连接部1?的背面，呈矩形。端子部2仙与线路部2?的X轴方向的负方向侧的端部相连接。端子导体2?设置于线路部18(3的背面，呈矩形。端子部240与线路部2?的X轴方向的正方向侧的端部相连接。
[0044]多个绝缘体层32设置为在信号线路20的2轴方向的正方向侧沿X轴方向等间隔进行排列，呈长方形形状。绝缘体层32设置在与突起部23^2313相对应的位置，与电介质片材18的一部分相重合，而不与其整个面重合。绝缘体层32的厚度例如为10 VIII。绝缘体层32例如通过印刷抗蚀剂材料来形成。
[0045]从2轴方向俯视时，多个桥接导体30与接地导体22和信号线路20相重合，通过设置于各绝缘体层32上，从而与信号线路20绝缘。桥接导体30的7轴方向的两端与接地导体22相连接。桥接导体30例如通过印刷仏等导电性糊料来形成。
[0046]更详细而言，桥接导体30如图2和图3所示，呈!I形，具有电容部303和连接部30130(^电容部303是沿7轴方向延伸的线状导体，从2轴方向俯视时，通过与信号线路20相交，从而与信号线路20重合。其中，在电容部303与信号线路20之间存在绝缘体层32，因此形成有电容。
[0047]连接部306连接至电容部303的7轴方向的正方向侧的端部，在X轴方向上延伸。从2轴方向俯视时，连接部306与线路部223和突起部233重合，从而与突起部233和线路部223相连接。
[0048]连接部3(^连接至电容部303的7轴方向的负方向侧的端部，在X轴方向上延伸。从2轴方向俯视时，连接部300与线路部226和突起部236重合，从而与突起部236和线路部226相连接。
[0049]如上所述，多个桥接导体30和多个绝缘体层32沿信号线路20等间隔进行排列。桥接导体30和绝缘体层32的间隔比信号线路20中传输的高频信号的1/2波长要短。
[0050]这里，如图4所示，将信号线路20与桥接导体30相重合的区域设为区域八1。将区域八1以外的区域设为区域八2。区域八1中信号线路20的线宽II小于区域八2中信号线路20的线宽12。由此，信号线路20的线宽周期性变动。
[0051]过孔导体61沿2轴方向贯通电介质片材18的线路部，在比信号线路20更靠7轴方向的正方向侧，在X轴方向上以排成一列的方式设置有多个。从2轴方向俯视时，过孔导体61的2轴方向的正方向侧的端部与桥接导体30的连接部306相重合。过孔导体61与接地导体22和接地导体24相连接。
[0052]过孔导体62沿2轴方向贯通电介质片材18的线路部，在比信号线路20更靠7轴方向的负方向侧，在X轴方向上以排成一列的方式设置有多个。从2轴方向俯视时，过孔导体62的2轴方向的正方向侧的端部与桥接导体30的连接部30(3相重合。过孔导体62与接地导体22和接地导体24相连接。
[0053]过孔导体63沿2轴方向贯通电介质片材18的连接部18)3，设置于比外部端子16&更靠近1轴方向的正方向侧的位置。过孔导体…与接地导体22和接地导体24相连接。
[0054]过孔导体64沿2轴方向贯通电介质片材18的连接部18)3，设置于比外部端子16&更靠近1轴方向的负方向侧的位置。过孔导体64与接地导体22和接地导体24相连接。
[0055]过孔导体65沿2轴方向贯通电介质片材18的连接部18。，设置于比外部端子166更靠近1轴方向的正方向侧的位置。过孔导体65与接地导体22和接地导体24相连接。
[0056]过孔导体66沿2轴方向贯通电介质片材18的连接部18(3，设置于比外部端子166更靠近1轴方向的负方向侧的位置。过孔导体66与接地导体22和接地导体24相连接。
[0057]过孔导体化?％由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料制作而成。另夕卜，也可使用在贯通孔的内周面形成有镀敷等导体层的通孔来替代过孔导体化?66。
[0058]如上所述，在信号线路20、接地导体24和桥接导体30中，信号线路20与桥接导体30的2轴方向上的间隔要小于信号线路20与接地导体24的2轴方向上的间隔。具体而言，信号线路20与桥接导体30的2轴方向上的间隔与绝缘体层32的厚度大致相等，例如为10 ^！11。另一方面，信号线路20与接地导体24的2轴方向上的间隔与电介质片材18的厚度大致相等，例如为200 ^！11。即，电介质片材18的厚度设计为大于绝缘体层32的厚度。此外，接地导体22、24的7轴方向的宽度例如约为800 VIII。
[0059]保护层14覆盖电介质片材18的大致整个表面。由此，保护层14覆盖信号线路20、接地导体22、桥接导体30和绝缘体层32。保护层14例如由抗蚀剂材料等挠性树脂构成。
[0060]此外，如图2所示，保护层14由线路部1?及连接部1411?构成。线路部1?覆盖线路部18&的大致整个表面，从而覆盖线路部223。
[0061]连接部1仙与线路部1?的X轴方向的负方向侧的端部相连接，并覆盖连接部186的表面。其中，在连接部1仙设有开口他?版1。开口他是设置于连接部1仙大致中央处的矩形开口。外部端子163经由开口他露出至外部。此外，开口册是设置在开口他的7轴方向的正方向侧的矩形开口。开口此是设置在开口他的X轴方向的负方向侧的矩形开口。开口版!是设置在开口他的7轴方向的负方向侧的矩形开口。端子部22(3经由开口册?版!露出至外部，从而实现作为外部端子的功能。
[0062]连接部1?与线路部1?的X轴方向的正方向侧的端部相连接，并覆盖连接部18(3的表面。其中，在连接部1如设有开口！16?池。开口！16是设置于连接部大致中央处的矩形开口。外部端子166经由开口！16露出至外部。此外，开口把是设置在开口！16的7轴方向的正方向侧的矩形开口。开口取是设置在开口抱的X轴方向的正方向侧的矩形开口。开口池是设置在开口！16的7轴方向的负方向侧的矩形开口。端子部22(1经由开口把?池露出至外部，从而实现作为外部端子的功能。
[0063]保护层15覆盖电介质片材18的大致整个背面。由此，保护层15覆盖接地导体24。保护层15例如由抗蚀剂材料等挠性树脂构成。
[0064]连接器10011006分别安装在连接部126、12。的表面上，且与信号线路20和接地导体22、24电连接。连接器100^1006的结构相同，因此，以下以连接器1006的结构为例进行说明。图5是高频信号线路10的连接器1006的外观立体图及剖面结构图。
[0065]如图1及图5所示，连接器1006由连接器主体102、外部端子104、106、中心导体108、及外部导体110构成。连接器主体102呈矩形板上连结有圆筒的形状，由树脂等绝缘材料制成。
[0066]在连接器主体102的2轴方向的负方向侧的表面上，在与外部端子166相对的位置处设置有外部端子104。在连接器主体102的2轴方向的负方向侧的表面上，在与经由开口把?池露出的端子部22(1相对应的位置设置有外部端子106。
[0067]中心导体108设置在连接器主体102的圆筒的中心，并与外部端子104相连接。中心导体108是输入或输出高频信号的信号端子。外部导体110设置于连接器主体102的圆筒的内周面，并与外部端子106相连接。外部导体110是保持接地电位的接地端子。
[0068]具有如上结构的连接器1006按外部端子104与外部端子166相连接、外部端子106与端子部22(1相连接的方式来安装在连接部12^的表面上。由此，信号线路20与中心导体108进行电连接。此外，接地导体22、24与外部导体110进行电连接。
[0069]在如上述那样构成的高频信号线路10中，区域八1中的信号线路20的特性阻抗21和区域八2中的信号线路20的特性阻抗22不同。更详细而言，区域八1中的信号线路20与桥接导体30相重合。因此，在区域八1中，在信号线路20与桥接导体30之间形成电容。另一方面，区域八2中的信号线路20与桥接导体30不重合。因此，在区域八2中，在信号线路20与桥接导体30之间未形成电容。因此，区域八1中的信号线路20的特性阻抗21要小于区域八2中的信号线路20的特性阻抗22。特性阻抗21例如为30 ^，特性阻抗22例如为70 ^。此外，信号线路20整体的特性阻抗例如为50 ^。
[0070]此外，在高频信号线路10中，信号线路20两端(即，外部端子16^166)的特性阻抗23的大小在特性阻抗21与特性阻抗22之间。
[0071](高频信号线路的制造方法)
[0072]下面，参照图2对高频信号线路10的制造方法进行说明。以下，以制作一个高频信号线路10的情况为例进行说明，但实际上，通过将大尺寸的电介质片材进行层叠及切割，能同时制作多个高频信号线路10。
[0073]首先，准备电介质片材18，该电介质片材18由在表面和背面的整个面上形成有铜箔的热可塑性树脂形成。通过对电介质片材18的铜箔表面和背面实施例如镀锌来防止生锈，由此对其进行平滑化。铜箔的厚度为10 VIII?20 VIII。
[0074]接着，利用光刻工序，在电介质片材18的表面形成图2所示的信号线路20和接地导体22，并在电介质片材18的背面形成图2所示的接地导体24。具体而言，在电介质片材18的表面侧的铜箔上印刷与图2所示的信号线路20和接地导体22相同形状的抗蚀剂，并且在电介质片材18的背面侧的铜箔上印刷与图2所示的接地导体24相同形状的抗蚀剂。接着，对铜箔实施蚀刻处理，从而去除未被抗蚀剂覆盖的部分的铜箔。然而，去除抗蚀剂。由此，在电介质片材18的表面形成图2所示那样的信号线路20和接地导体22，在电介质片材18的背面形成接地导体24。
[0075]接着，对电介质片材18上要形成过孔导体化?％的位置，从背面侧照射激光束，形成贯通孔。然后，向形成于电介质片材18的贯通孔填充导电性糊料。
[0076]接着，通过在电介质片材18的表面丝网印刷树脂(抗蚀剂)糊料，从而在信号线路20上形成绝缘体层32。在绝缘体层32干燥后，通过在电介质片材18的表面丝网印刷^糊料，从而在绝缘体层32上形成桥接导体30。然后，对桥接导体30进行干燥。
[0077]最后，通过涂布树脂(抗蚀剂)糊料，在电介质片材18的表面和背面形成保护层14,150
[0078](效果)
[0079]根据具有以上结构的高频信号线路10，能抑制低频噪声的产生。更详细而言，在高频信号线路10中，从2轴方向俯视时，桥接导体30与接地导体22和信号线路20相重合，通过设置在绝缘体层32上，从而与信号线路20绝缘。因此，在区域八1中的信号线路20与桥接导体30之间形成电容。另一方面，区域八2中的信号线路20与桥接导体30不重合。因此，在区域八2中，在信号线路20与桥接导体30之间未形成电容。因此，区域八1中的信号线路20的特性阻抗21要小于区域八2中的信号线路20的特性阻抗22。由此，信号线路20的特性阻抗在特性阻抗21与特性阻抗22之间周期性波动。其结果是，在信号线路20中，在桥接导体30间产生较短波长(即高频)的驻波。另一方面，在外部端子16^1613之间难以产生较长波长(即低频)的驻波。由此，在高频信号线路10中，低频噪声的产生得以抑制。
[0080]另外，在高频信号线路10中，会因桥接导体30间产生的驻波而产生高频噪声。这里，通过将桥接导体30间的距离设计得足够短，从而能将噪声的频率设定在信号线路20所传输的高频信号的频带外。因此，桥接导体30沿信号线路20以比信号线路20所传输的高频信号的1/2波长的一半要短的间隔来进行设置即可。
[0081]此外，高频信号线路10中，信号线路20两端的特性阻抗23的大小在区域八1中的信号线路20的特性阻抗21与区域八2中的信号线路20的特性阻抗22之间。由此，在信号线路20中，桥接导体30间容易产生短波长的驻波，在信号线路20的两端之间难以产生长波长的驻波。其结果是，在高频信号线路10中，更有效地抑制了低频噪声的产生。
[0082]此外，在高频信号线路10中，能够力图实现主体12的薄型化。更详细而言，在专利文献1所记载的高频信号线路500中，需要3层电介质片材50--504。。而在高频信号线路10中，桥接导体30隔着绝缘体层32设置在信号线路20上。因此，在高频信号线路10中，不需要用于形成桥接导体30的电介质片材18。因此，高频信号线路10中，仅使用1层电介质片材18足以。并且，绝缘体层32不覆盖电介质片材18的整个面。其结果是，能力图实现主体12的薄型化。若实现了高频信号线路10的薄型化，则能容易地对高频信号线路10进行弯曲。
[0083]此外，在高频信号线路10中，区域八1中的信号线路20的线宽II小于区域八2中的信号线路20的线宽12。因此，能够抑制区域八1中的信号线路20与桥接导体30之间所形成的电容不会变得过大。
[0084]此外，在高频信号线路10中，通过减小信号线路20与线路部22^226之间的间隙的宽度，易于使从信号线路20发出的电力线被接地导体22吸收。其结果是，抑制了从信号线路20辐射噪声的情况。
[0085]此外，在高频信号线路10中，无需降低区域八2中的信号线路20的特性阻抗22，就能力图降低信号线路20的高频电阻。更详细而言，为了降低信号线路20的高频电阻，可考虑增大信号线路20的线宽。然而，若增大区域八1中的信号线路20的线宽II，则信号线路20与桥接导体30之间所形成的电容变大。从而导致区域八1中的信号线路20的特性阻抗21变得过小。
[0086]因此，在高频信号线路10中，区域八2中的信号线路20的线宽12设为大于区域八1中的信号线路20的线宽II。在区域八2中，信号线路20与桥接导体30不重合。并且，信号线路20不与接地导体22相对。因此，在区域八2中，信号线路20与桥接导体30之间未形成电容，信号线路20与接地导体22之间仅形成微小的电容。因此，即使增大区域八2中的信号线路20的线宽12，信号线路20与接地导体22之间所形成的电容的增加量也很小。其结果是，在高频信号线路10中，无需降低信号线路20的特性阻抗22，就能力图降低信号线路20的尚频电阻。
[0087]此外，根据高频信号线路10，能抑制磁通从高频信号线路10泄漏。更详细而言，若信号线路20中流过电流11(参照图4)，则产生以信号线路20为中心轴环绕信号线路20的磁通。若这样的磁通泄漏到高频信号线路10外，则其它电路的信号线有可能与信号线路20进行磁场耦合。其结果是，在高频信号线路10中，难以获得所希望的特性。
[0088]因此，在高频信号线路10中，信号线路20被接地导体22包围。由此，使得信号线路20与接地导体22相接近。若信号线路20中流过电流11，则接地导体22中流过与该电流11反向的反馈电流12。由此，信号线路20周围的磁通环绕方向与接地导体22周围的磁通环绕方向相反。在该情况下，信号线路20与接地导体22之间的间隙中，磁通互相增强，相反，在比接地导体22更靠7轴方向的正方向侧和负方向侧的区域(即，高频信号线路10外的区域)中，磁通互相抵消。其结果是，能抑制磁通泄漏到高频信号线路10之外。
[0089](变形例1)
[0090]下面，参照附图，对变形例1所涉及的高频信号线路103进行说明。图6是变形例1所涉及的高频信号线路103的分解立体图。
[0091]高频信号线路103与高频信号线路10的不同点在于未设置接地导体24。由于未设置接地导体24，因此就不需要过孔导体化?66和保护层15。对于其它的结构，由于与高频信号线路10相同，因此省略说明。
[0092]根据高频信号线路10^能够获得与高频信号线路10相同的作用效果。并且，在高频信号线路103中，由于未设置接地导体24和保护层15，因此在实现主体12的薄型化的同时，还能够使得高频信号线路103易于弯曲。
[0093](变形例2)
[0094]下面，参照附图，对变形例2所涉及的高频信号线路106进行说明。图7是变形例2所涉及的高频信号线路106的分解立体图。
[0095]高频信号线路106与高频信号线路10的不同点在于未设置线路部22^2213。因此，高频信号线路106中，接地导体24(第1接地导体)设置于设有信号线路20的电介质片材18的背面，从2轴方向(电介质片材18的法线方向)俯视时，存在于1轴方向(与信号线路20延伸的方向正交的方向)的信号线路20的两侧。此外，从2轴方向俯视时，桥接导体30与接地导体24相重合，通过过孔导体61、62与接地导体24相连接。
[0096]根据高频信号线路101能够获得与高频信号线路10相同的作用效果。并且，在高频信号线路106中，由于未设置线路部22^2213，因此在实现主体12的薄型化的同时，还能够使得高频信号线路106易于弯曲。
[0097](变形例3)
[0098]下面，参照附图，对变形例3所涉及的高频信号线路10。进行说明。图8是变形例3所涉及的高频信号线路100的分解立体图。
[0099]高频信号线路10^与高频信号线路10的不同点在于，突起部23^236的线宽随着与线路部22^2213接近而变粗。由此，在区域八1和区域八2的边界附近，信号线路20与线路部22^2213之间的间隙的宽度逐渐增加或逐渐减小。由此，对于信号线路20周围所产生的磁通、即通过信号线路20和线路部22^2213之间的间隙的磁通在区域八1与区域八2的边界附近逐渐增加或逐渐减小。即，抑制了区域八1与区域八2的边界附近磁场能量的大幅变动。其结果是，抑制了在区域八1与区域八2的边界附近产生高频信号的反射。
[0100]另外，突起部23^2313的线宽随着与线路部22^226接近而连续地增加，但突起部238,23?的线宽也可以阶梯性地增加。
[0101](变形例4)
[0102]下面，参照附图，对变形例4所涉及的高频信号传输线路10(1进行说明。图9是变形例4所涉及的高频信号线路10(1的分解立体图。
[0103]高频信号线路10(1与高频信号线路103的不同点在于，还具备桥接导体40。更详细而言，从2轴方向俯视时，多个桥接导体40设置于电介质片材18的背面，与接地导体22和信号线路20相重合。桥接导体40的7轴方向的两端与接地导体22相连接。桥接导体40例如通过印刷仏等导电性糊料来形成。
[0104]更详细而言，桥接导体40如图9所示，呈!I形，具有电容部403和连接部40^40(3。电容部403是沿7轴方向延伸的线状导体，从2轴方向俯视时，通过与信号线路20相交，从而与信号线路20相重合。其中，由于在电容部403与信号线路20之间存在有绝缘体片材18，因此形成有电容。
[0105]连接部406连接至电容部403的7轴方向的正方向侧的端部，在X轴方向上延伸。从2轴方向俯视时，连接部406与线路部223和突起部233相重合。过孔导体61将连接部406与接地导体22相连。
[0106]连接部40。连接至电容部403的7轴方向的负方向侧的端部，在X轴方向上延伸。从2轴方向俯视时，连接部400与线路部226和突起部236相重合。过孔导体62将连接部40(3与接地导体22相连。
[0107]根据高频信号线路10山能够获得与高频信号线路10相同的作用效果。并且，在高频信号线路10(1的区域八1中，信号线路20和桥接导体30、40构成带状线结构。因此，根据高频信号线路10山区域八1中噪声的产生得以抑制。
[0108](变形例5)
[0109]下面，参照附图，对变形例5所涉及的高频信号线路106进行说明。图10是变形例5所涉及的高频信号线路106的分解立体图。
[0110]高频信号线路106与高频信号线路106的不同点在于，桥接导体30的形状以及未设置过孔导体6142。更详细而言，在高频信号线路106中，未设置过孔导体6142。因此，桥接导体30的连接部306、30。不直接与接地导体24相连接。
[0111]因此，高频信号线路106的连接部30130。的面积要大于高频信号线路106的连接部30130^的面积。由此，连接部30130^与接地导体24之间形成的电容变大，连接部301^,300与接地导体24电连接。其结果是，桥接导体30的电位接近于接地电位。即，高频信号线路106的桥接导体30起到与高频信号线路106的桥接导体30相同的作用。
[0112]根据高频信号线路106，能够获得与高频信号线路10相同的作用效果。
[0113](变形例6)
[0114]下面，参照附图，对变形例6所涉及的高频信号线路10？进行说明。图11是变形例6所涉及的高频信号线路10？的俯视图。
[0115]高频信号线路10？与高频信号线路10的不同点在于，高频信号线路10中的桥接导体30被切断成桥接导体31、33。
[0116]更详细而言，桥接导体31如图11所示，呈I形，具有电容部3匕和连接部31匕电容部3匕是沿7轴方向延伸的线状导体，从2轴方向俯视时，与信号线路20相重合。其中，由于在电容部3匕与信号线路20之间存在绝缘体层32，因此形成有电容。
[0117]连接部316连接至电容部3匕的7轴方向的正方向侧的端部，在X轴方向上延伸。从2轴方向俯视时，连接部316与线路部223和突起部233相重合。过孔导体61将连接部3化与接地导体22相连。
[0118]桥接导体33如图11所示，呈I形，具有电容部333和连接部33匕电容部333是沿1轴方向延伸的线状导体，从2轴方向俯视时，与信号线路20相重合。其中，桥接导体33不与桥接导体31相连接。此外，由于在电容部333与信号线路20之间存在绝缘体层32，因此形成有电容。
[0119]连接部336连接至电容部333的7轴方向的负方向侧的端部，在X轴方向上延伸。从2轴方向俯视时，连接部336与线路部226和突起部236相重合。过孔导体62将连接部336与接地导体22相连。
[0120]根据高频信号线路10？，能够获得与高频信号线路10相同的作用效果。并且，通过调整桥接导体31与桥接导体33之间的间隔，也能改变区域八1中的特性阻抗。
[0121](其它实施方式)
[0122]本实用新型所涉及的高频信号线路不限于上述高频信号线路10、103?10？，在其宗旨范围内能进行变更。
[0123]另外，也可以将高频信号线路10、103?10？的结构进行组合来使用。
[0124]工业上的实用性
[0125]本实用新型对高频信号线路是有用的，尤其在能抑制低频噪声的产生、并力图实现薄型化这一方面较为优异。
[0126]标号说明
[0127]41、六2 区域
[0128]10、103?10？高频信号线路
[0129]12 主体
[0130]14、15 保护层
[0131]18电介质片材
[0132]20信号线路
[0133]22、24接地导体
[0134]30、31、33、40 桥接导体
【权利要求】
1.一种高频信号线路，其特征在于，包括: 电介质层，该电介质层具有第I主面和第2主面； 信号线路，该信号线路设置于所述第I主面； 第I接地导体，该第I接地导体设置于所述第I主面或所述第2主面，从所述电介质层的法线方向俯视时，在与所述信号线路延伸的方向正交的正交方向上存在于该信号线路的两侧； 多个绝缘体层，该多个绝缘体层是从所述电介质层的法线方向俯视时与该电介质层的一部分重合的绝缘体层，设置在所述信号线路上；以及 多个桥接导体，该多个桥接导体是从所述电介质层的法线方向俯视时，与所述第I接地导体和所述信号线路相重合的多个桥接导体，通过设置在所述绝缘体层上来与该信号线路绝缘。
2.如权利要求1所述的高频信号线路，其特征在于， 所述多个桥接导体沿着该信号线路以比在所述信号线路中传输的高频信号的1/2波长要短的间隔进行设置。
3.如权利要求1或2所述的高频信号线路，其特征在于， 所述第I接地导体设置于所述第I主面。
4.如权利要求3所述的高频信号线路，其特征在于， 还包括第2接地导体，该第2接地导体设置于所述第2主面，且从所述电介质层的法线方向俯视时，该第2接地导体与所述信号线路相重合。
5.如权利要求1或2所述的高频信号线路，其特征在于， 所述第I接地导体设置于所述第2主面。
6.如权利要求1或2所述的高频信号线路，其特征在于， 所述桥接导体与所述第I接地导体相连接。
7.如权利要求1或2所述的高频信号线路，其特征在于， 从所述电介质层的法线方向俯视时，所述桥接导体与所述信号线路相交。
8.如权利要求7所述的高频信号线路，其特征在于， 所述桥接导体的两端与所述第I接地导体相连接。
9.如权利要求1或2所述的高频信号线路，其特征在于， 所述信号线路与所述桥接导体相重合的第I区域中该信号线路的线宽要小于该第I区域以外的第2区域中该信号线路的线宽。
10.如权利要求1或2所述的高频信号线路，其特征在于， 所述信号线路与所述桥接导体相重合的第I区域中该信号线路的特性阻抗要小于该第I区域以外的第2区域中该信号线路的特性阻抗。
【文档编号】H01P3/08GK204257793SQ201390000331
【公开日】2015年4月8日 申请日期:2013年6月13日 优先权日:2012年6月29日
【发明者】加藤登, 石野聪, 佐佐木纯 申请人:株式会社村田制作所