切割膜的利记博彩app
【专利摘要】本发明的目的在于提供在半导体制造时的切割工序中切屑和基材须的产生少、而且具有适合的强度和良好的外观的切割膜。本发明提供的切割膜，其特征在于，具有基材层(1)和粘接层(2)，基材层(1)的80℃时的断裂伸长率为750％以下。
【专利说明】切割膜
【技术领域】
[0001] 本发明涉及切割膜。
【背景技术】
[0002] 在制造半导体装置的工序中，在切断半导体晶片或封装等半导体部件时使用切割 膜。切割膜用于粘贴半导体部件，进行切割（切断、单片化），再对该切割膜进行扩展等，来 拾取上述半导体晶片等。
[0003] -般而言，切割膜包括基材膜和粘接层。以往，作为基材膜大多使用聚氯乙烯 (PVC)树脂膜。然而，由于防止由PVC树脂膜中含有的增塑剂附着所造成的半导体部件的污 染和对环境问题的意识的提高，最近开发了使用烯烃类树脂、以及乙烯-乙烯醇类树脂和 乙烯甲基丙烯酸丙烯酸酯类树脂等非PVC树脂类材料的基材膜（例如参照专利文献1)。
[0004] 另外，近年来，在半导体部件的小型化和薄型化的发展中，产生了在切割膜的厚度 精度存在偏差的情况下，在切割工序中切割刀片的接触的方式产生差别而容易发生半导体 晶片破裂的问题。另外，当膜厚精度存在偏差时，还会发生产生半导体部件的切割残留或切 割时的切屑和基材须（从基材膜的切割线延伸的须状的切割残渣）并附着于半导体器件的 问题。特别是为了改善晶片的切片（chip)缺损，如果提高切割刀片的旋转速度，产生基材 须的问题就会明显出现。另外，在粘贴半导体部件进行切割后，为了扩大半导体部件的间 隔，进行切割膜的扩展，但是，如果基材没有充分的韧性，在扩展时还会发生切割膜断裂的 问题。因此，要求有在切割时能够抑制基材须、并且在扩展时基材不断裂的切割膜。
[0005] 现有技术文献
[0006] 专利文献
[0007] 专利文献1 :日本特开2003-257893
【发明内容】
[0008] 发明所要解决的技术问题
[0009] 本发明的目的在于提供在制造半导体时的切割工序中切屑和基材须的产生少、而 且具有适合的扩展性的切割膜。
[0010] 用于解决技术问题的方法
[0011] 上述目的通过下述（1)?（6)所述的本发明达到。
[0012] (1) 一种切割膜，其特征在于，具有基材层和粘接层，上述基材层的80°C时的断裂 伸长率为750%以下。
[0013] (2)如上述（1)所述的切割膜，其中，上述基材层的23°C时的断裂伸长率为50%以 上。
[0014] (3)如上述⑴或⑵所述的切割膜，其中，上述基材层的厚度为50?250 ilm。
[0015] (4)如上述⑴?⑶所述的切割膜，其中，上述粘接层为包含橡胶类、有机硅类、 丙烯酸类粘接剂中的任意一种以上的层。
[0016] (5)如上述（1)?（4)中任一项所述的切割膜，其中，上述丙烯酸类粘接剂为具有 极性基团的粘接剂。
[0017] (6)如上述⑴?（5)中任一项所述的切割膜，其中，上述粘接层的厚度为3? 40 u m〇
[0018] 发明的效果
[0019] 根据本发明，能够提供在制造半导体时的切割工序中切屑和基材须的产生少、而 且具有适合的扩展性的切割膜。
【专利附图】
【附图说明】
[0020] 图1是表示本发明的切割膜的一个例子的概略截面图。
【具体实施方式】
[0021] 参照图，详细地说明本发明的切割膜的一个例子。
[0022] 本发明的切割膜10,如图1例示的那样，具有基材层1和粘接层2。
[0023] 以下，依次说明切割膜10的各部分的构成。
[0024] 〈基材层1 >
[0025] 基材层1用于使晶片在搬运时稳定，以及用于在切割时切入到粘接剂层的下层， 另外用于扩大在切割后的切片间隔。
[0026] 基材层1的80°C时的断裂伸长率为750%以下。
[0027] 在这里，切割膜在切割工序中，由于与切割刀片的摩擦热，而与切割刀片的接触部 分被暴露于80°C以上的高温。在这样的高温状态中，基材层成为柔软、容易伸展的状态，切 屑在切割刀片的旋转中被拉伸、伸长，这是切割工序中产生基材须的一个原因。
[0028] 就该点而言，本发明的基材层1，通过在80°C时的断裂伸长率为750%以下，在高 温状态中，不易成为柔软、容易伸展的状态，因此，能够抑制切割工序中产生须。
[0029] 基材层1的80°C时的断裂伸长率只要为750%以下，就没有特别限定，优选为 600%以下，更优选为400%以下。
[0030] 另外，基材层1的23°C时的断裂伸长率优选为50%以上。
[0031] 切割膜如果基材没有充分的韧性，有时就会发生在扩展时基材层断裂等问题的情 况。对此，在本发明的切割膜中，通过基材层1在进行扩展工序的常温附近的23°C时的断裂 伸长率为50%以上，在扩展时基材层1就变得不易断裂。
[0032] 基材层1的23°C时的断裂伸长率只要为50%以上，就没有特别限定，优选为100% 以上，更优选为200%以上。
[0033] 由此，能够充分防止扩展时切割膜10的断裂。
[0034] 另外，如果考虑与切割刀片的摩擦热高于80°C的情况，则优选基材层1即使在高 于80°C的温度中，也具有低的断裂伸长率，例如，在100°C时的断裂伸长率优选为600%以 下，更优选为400%以下。
[0035] 由此，能够进一步抑制在切割工序中的基材须的产生。
[0036] 作为构成基材层1的树脂，没有特别限定，例如，可以列举低密度聚乙烯、聚苯乙 烯、聚苯乙烯和橡胶。
[0037] 其中，优选低密度聚乙烯、聚苯乙烯与橡胶、弹性体的混合物。
[0038] 通过构成基材层1的树脂为低密度聚乙烯、聚苯乙烯与橡胶、弹性体的混合物，就 容易将基材层1的23°C时的断裂伸长率设为上述下限值以上，能够发挥良好的扩展性。
[0039] 另外，容易将基材层1的80°C和100°C时的断裂伸长率设为上述上限值以下，能够 进一步更加抑制切割时的须的产生。
[0040] 基材层1的厚度没有特别限定，优选为50?250 i! m，更优选为70?200 i! m，更加 优选为80?150 iim。
[0041] 通过基材层1的厚度为上述下限值以上，在扩展时基材层1就变得更加难以断裂， 通过基材层1的厚度为上述上限值以下，就能够进一步抑制切割时的须的产生。
[0042] 另外，基材层1能够在不损害本发明的效果的范围内，根据目的添加各种树脂、添 加剂等。例如，为了赋予防静电性，作为能够添加的材料，可以列举聚醚/聚烯烃嵌段聚合 物、聚醚酯酰胺嵌段聚合物等高分子型防静电剂、炭黑等。另外，在赋予防静电效果时，从 与烯烃类树脂的相溶性的观点出发，优选为使用聚醚/聚烯烃共聚物的离子传导型防静电 剂。
[0043](粘接层2)
[0044] 如图1例示的那样，在本发明的切割膜10的基材层1的至少一个面设置有粘接层 2。粘接层2具有将被粘接体保持于切割膜10的作用。
[0045]作为粘接层2中使用的树脂组合物，可以列举橡胶类粘接剂、有机硅类粘接剂、丙 烯酸类粘接剂、UV固化性聚氨酯丙烯酸酯树脂、异氰酸酯类交联剂等。其中，为了抑制半导 体部件固定件、端材飞散和碎屑，优选为包含橡胶类粘接剂、有机硅类粘接剂、丙烯酸类粘 接剂中的任意一种以上的粘接层。
[0046] 另外，上述丙烯酸类粘接剂更优选为具有极性基团的粘接剂，作为具有极性基团 的丙烯酸类粘接剂，可以列举含有羧基的丙烯酸丁酯等。
[0047] 通过粘接层2包含具有极性基团的丙烯酸类粘接剂，会特别适合于抑制半导体部 件的固定件、端材飞散和碎屑。
[0048] 粘接层2的厚度没有特别限定，优选为3pm以上、40i!m以下，在切割膜用于切割 半导体晶片时，优选为5 y m以上、20 y m以下。
[0049] 另外，在用于切割封装等特殊部件时，优选为10 U m以上、30 m以下。通过设为上 述范围下限值以上，则被粘接体的保持力优异，通过设为上述范围上限值以下，则切割时的 加工性优异。
[0050] 在切割膜10中，构成基材层1的树脂和构成粘接层2的树脂的组合没有特别限 定，例如，构成基材层1的树脂为低密度聚乙烯、聚苯乙烯与橡胶、弹性体的混合物时，构成 粘接层2的树脂优选为橡胶类粘接剂、有机硅类粘接剂、丙烯酸类粘接剂、UV固化性聚氨酯 丙烯酸酯树脂、异氰酸酯类交联剂等，其中，更优选包含橡胶类粘接剂、有机硅类粘接剂、丙 烯酸类粘接剂中的任意一种以上的树脂，此外，其中，更加优选包含具有极性基团的丙烯酸 类粘接剂。
[0051] 由此，能够进一步抑制切割时的须的产生，并且更加适合于抑制半导体部件的固 定件、端材飞散和碎屑。
[0052] <切割膜的制造方法的一个例子>
[0053] 本发明的切割膜10的粘接层2如下形成：使作为粘接层2使用的树脂溶解或分散 在适当溶剂中，制成涂敷液，通过辊涂和照相凹版涂布等公知的涂布方法，将上述涂敷液涂 布于基材层1或包括基材层1的树脂膜，并进行干燥，由此形成粘接层2。
[0054] 在本发明的切割膜10中，能够在不损害本发明效果的范围内根据目的设置其它 树脂层。
[0055] 实施例
[0056] 根据实施例更详细地说明本发明，但这仅为例示，本发明不限定于此。
[0057](实施例1)
[0058] <切割带的制作>
[0059] 作为构成基材的材料，准备低密度聚乙烯F522N (宇部丸善聚乙烯生产），以 〇50mm挤出机（L/D = 25 UNMELT销钉螺杆螺杆压缩比=2. 9)、300mm宽的衣架型模头 (模唇间隙=〇.5mm)、挤出温度= 220°C、（螺杆前端）的条件进行挤出制膜，得到了厚度 lOOum的片。然后，在得到的片的粘接剂涂敷面施加电晕处理。
[0060] 作为粘接层的原料聚合物，使用使30重量份丙烯酸2-乙基己酯、70重量份乙酸 乙烯酯、3重量份甲基丙烯酸2-羟乙酯共聚得到的共聚物（重均分子量为300, 000)42重 量％。
[0061] 作为粘接层的固化成分，准备重均分子量为5000、聚合性官能团为4的聚氨酯丙 烯酸酯47重量％。
[0062] 作为粘接层的光聚合引发剂，准备的2, 2-二甲氧基-1，2-二苯基乙烷-1-酮（商 品名"IRGACURE 651")3重量％。作为粘接层的异氰酸酯类交联剂，准备聚异氰酸酯化合物 (商品名 " CORONATE L "）8 重量 ％。
[0063] 混合上述粘接层的原料聚合物、固化成分、光聚合引发剂、交联剂及其合计2倍量 的乙酸乙酯，制作树脂溶液。以干燥后的粘接层的厚度为10 ym的方式，在基材上棒式涂敷 该树脂溶液后，以80°C使之干燥1分钟，得到所希望的切割带。
[0064] (实施例2) HIPS/弹性体混合
[0065] 作为构成基材的材料，将苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯-丙烯酸丁酯共聚物和苯乙 烯-丁二烯共聚物SX100(PS日本株式会社（PS Japan Corporation)生产）60phr，通过 Hybrar712540phr (株式会社Kuraray生产）进行干式混合后，得到厚度150 y m的片，除此 以外，与实施例1同样操作，得到切割带。
[0066](实施例3) LDPE/HDPE的叠层
[0067] 作为基材，使用低密度聚乙烯F522N (宇部丸善聚乙烯生产）层（50 y厚）和高密 度聚乙烯树脂Suntec B161 (旭化成株式会社生产）层（50 y厚）叠层得到的100 y片，除 此以外，与实施例1同样操作，得到切割带。
[0068] (实施例4)
[0069] 作为构成基材的材料，使用苯乙烯_ 丁二烯共聚物SX100(PS日本株式会社生 产）100重量份，除此以外，与实施例1同样操作，得到切割带。
[0070] (比较例1)
[0071] 作为构成基材的材料，使用以阳离子将具有羧基的化合物交联得到的离聚物树脂 HMILAN 1855 (三井杜邦生产）100重量份，除此以外，与实施例1同样操作，得到切割带。
[0072] (比较例2)
[0073] 作为构成基材的材料，使用高密度聚乙烯树脂Suntec B161(旭化成株式会社生 产）100重量份，除此以外，与实施例1同样操作，得到切割带。
[0074] (比较例3)
[0075] 作为构成基材的材料，使用直链状低密度聚乙烯树脂MoreteC〇248Z (株式会社普 瑞曼聚合物生产）1〇〇重量份，除此以外，与实施例1同样操作，得到切割带。
[0076] 接着，如下进行得到的切割带的评价。在表1中表示得到的评价结果。
[0077] <评价试验>
[0078] (1)拉伸试验
[0079] (1-1)按照以下的方法测定在23°C环境下的拉伸伸长率。
[0080] 根据塑料-拉伸特性的试验方法JISK7127进行。
[0081] (1-2)按照以下的方法测定在80°C环境下的拉伸伸长率。
[0082] 准备6mm宽、50mm长的长条，在MD方向以200mm/min进行拉伸，拉伸到断裂，求出 断裂伸长率。
[0083] (2)切割后的基材屑评价
[0084] 在制作的切割带上贴附经过背面研磨（back grind)加工（DISCO公司生产的 DAG810)的晶片（厚度0. 1mm)，以下述条件进行切割后，除去碎片，进行带表面的观察，对从 切割线出来的长度100U以上的基材屑的数目进行计数。
[0085] ◎ :0 ?5 条
[0086] 〇：6_10 条
[0087] X: 11 条以上
[0088] <切割条件>
[0089] 切割机"DAD-3350"、DISCO 生产
[0090] 刀片 "ZH205027HEDD，，、DISCO 生产
[0091] 刀片转速 30000rpm、60000rpm
[0092] 切割速度 5〇mm/sec
[0093] 切入量距离粘接片表面30 ii m
[0094] 切割尺寸 10mmX 10mm
[0095] 刀片冷却器2L/min
[0096] (3)扩展性
[0097]在带上保持固定5英寸镜面晶片（mirror wafer)，使用切割锅（DISCO生产、 DAD3350)，以轴转速60000rpm、切割速度50mm/min，切割成10mm □的切片尺寸后，进行UV 照射，使用扩展器（Hugle生产），以20mm的冲程进行10分钟扩展，测定切片间隔，由此进行 评价。
[0098] <评价基准>
[0099] ◎:切片间隔离开50iim以上
[0100] 〇：切片间隔离开30 u m以上、小于50 u m
[0101] X :切片间隔未离开30iim以上
[0102] [表 1]
[0103]
【权利要求】
1. 一种切割膜，其特征在于： 具有基材层和粘接层， 所述基材层的80°C时的断裂伸长率为750%以下。
2. 如权利要求1所述的切割膜，其特征在于： 所述基材层的23°C时的断裂伸长率为50%以上。
3. 如权利要求1或2所述的切割膜，其特征在于： 所述基材层的厚度为50?250 y m。
4. 如权利要求1?3中任一项所述的切割膜，其特征在于： 所述粘接层为包含橡胶类、有机硅类、丙烯酸类粘接剂中的任意一种以上的层。
5. 如权利要求1?4中任一项所述的切割膜，其特征在于： 所述丙烯酸类粘接剂为具有极性基团的粘接剂。
6. 如权利要求1?5中任一项所述的切割膜，其特征在于： 所述粘接层的厚度为3?40 y m。
【文档编号】H01L21/301GK104428873SQ201380036534
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2013年9月18日 优先权日:2012年9月25日
【发明者】织田直哉, 长尾佳典 申请人:住友电木株式会社