磁传感器以及磁传感器装置制造方法
磁传感器以及磁传感器装置制造方法
【专利摘要】提供一种磁传感器以及磁传感器装置，在薄型化的小片中电流反向流过的情况下也能够防止漏电流的增大、即使反向安装也能够抑制漏电流的增大。具备：引线框(10)，其具有岛(11)以及配置在该岛(11)的周围的多个引线端子(12～15)；小片(20)，其经由粘接层安装在岛(11)上；以及多个金属细线(41～44)，其将小片(20)所具有的多个电极部(23a～23d)与多个引线端子(12～15)分别电连接。引线端子(12)是与岛(11)电连接的岛端子。另外，粘接层是使岛(11)与小片(20)之间绝缘的绝缘膏(30)、或者模片接触薄膜(150)的粘接层(130)。
【专利说明】磁传感器以及磁传感器装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种磁传感器，特别是涉及一种在薄型化的小片中电流反向流过的情况下也能够防止漏电流增大的磁传感器。
【背景技术】
[0002]作为利用了霍尔效应的磁传感器，例如已知有检测磁(磁场)并输出与其大小成比例的模拟信号的霍尔元件、检测磁并输出数字信号的霍尔1C。例如专利文献I公开了具备引线框、小片(即磁传感器芯片)以及金属细线的磁传感器。在该磁传感器中，引线框具有为了获得与外部的电连接而配置在四角的端子，小片装载于引线框的岛。而且，小片所具有的电极与引线框所具有的各端子通过金属细线相连接。
[0003]专利文献1:日本特开2007-95788号公报
实用新型内容
[0004]实用新型要解决的问题
[0005]另外，在专利文献I所公开的磁传感器中，也可以将引线框所具有的配置在四角的引线端子中的、连接在接地电位的端子(以下称为接地端子)与岛形成为一体。由此，岛的电位成为接地电位，能够防止电荷积存于岛，因此能够抑制在磁传感器检测磁时产生噪声。
[0006]另外，近年来，伴随着电子设备的小型化等而磁传感器的小型、薄型化也得以发展。例如，磁传感器的封装后的尺寸(即封装尺寸)实现了纵1.6mm、宽0.8mm、厚度0.38mm。另外，通过进一步使小片变薄还能够使封装尺寸的厚度成为0.30_。
[0007]在此，当如上述那样磁传感器的小型、薄型化得以进步时，在将磁传感器安装在布线基板或者插座等时在俯视的情况下看错磁传感器的朝向的可能性变高。例如图的8(a)所示，在将磁传感器300正确地安装于布线基板400的情况下，引线框的接地端子311与布线基板400的接地用布线411连接，引线框的电源端子313与布线基板400的电源用布线413连接。但是，当磁传感器300如上述那样小型化时，用肉眼难以识别印刷在封装表面的文字、符号等(例如，A、B、C、D)，难以根据这些符号等来判断磁传感器300的朝向。其结果，导致例如图8的(b)所示那样反向地安装磁传感器300而将接地端子311与电源用布线413连接、将电源端子313与接地用布线411连接的可能性变高。
[0008]此外，假设在将磁传感器300如图8的(b)所示那样反向安装的情况下，电流从接地端子311向电源端子313(即反向)流过，但是能够在其它的引线端子312、314之间测量电位差。另外，岛315固定为电源电位，蓄积于岛315的电荷保持为固定量，因此也能够抑制产生噪声。因此，在反向地安装了磁传感器300的情况下，其动作应该也不会产生大的问题。
[0009]然而，本实用新型的发明人发现当反向地安装磁传感器300而使电流反向流过时漏电流变大(第一课题)。另外，发现配置于岛315上的小片越薄该漏电流越大(第二课题)。
[0010]因此，本实用新型是鉴于如上述那样本实用新型的
【发明者】所发现的第一、第二课题而作出的，其目的在于提供一种在电流反向流过薄型化的磁传感器的情况下也能够防止漏电流的增大的磁传感器。
[0011]用于解决问题的方案
[0012]本实用新型的发明人对产生上述第一、第二课题的原因(机理)如下地进行了考察。
[0013]图9的(a)以及(b)是表示本实用新型的发明人所考察的漏电流增大的机理的概念图。在图9的(a)以及(b)所示的磁传感器300中，小片320经由银(Ag)膏340安装在引线框310的岛315上。另外，引线框310具有与岛315成为一体的引线端子(即岛端子)311、以及与岛315分离的电源端子313。如图9的(a)所示，在将磁传感器300正确地安装在布线基板或者插座等的情况下，岛端子311成为接地端子。另外，小片320与Ag膏340的接合面成为半导体(例如，GaAs)与金属(Ag)的肖特基结。
[0014]在图9的(a)所示的情况下，向该肖特基结施加反偏置，因此电流不从小片320流过岛315。电流从电源端子313通过金属细线351、小片320的活性层321、金属细线352流到岛端子311。
[0015]另一方面，如图9的(b)所示在将磁传感器300反向地安装的情况下，岛端子311成为电源端子，电源端子313成为接地端子。在这种情况下，在小片320与Ag膏340的肖特基结中施加顺向偏置。
[0016]在此，构成小片320的半导体(例如，GaAs)是半绝缘性(?超高电阻)，因此当小片320厚时即使向肖特基结施加顺向偏置也几乎不流过电流。然而，当使小片320变薄时，电阻值与其厚度的减少量成比例地减少。因此，伴随着小片320的薄型化，容易向肖特基结的顺向流过电流。即容易漏电流以岛端子311 —岛315 — Ag膏340 —小片320 —金属细线351 —电源端子313这样的路径流过。
[0017]基于以上的考察，作为解决第一、第二课题的方法，本实用新型的发明人提出在具有岛端子的磁传感器中代替Ag膏而使用绝缘粘接层。
[0018]〈磁传感器〉
[0019]S卩，本实用新型的一种方式所涉及的磁传感器的特征在于，具备:引线框，其具有岛以及配置在该岛的周围的多个引线端子；小片，其经由粘接层安装在上述岛上；以及多个导线，其将上述小片所具有的多个电极部与上述多个引线端子分别电连接，其中，上述多个引线端子包含电连接在上述岛的岛端子，且上述粘接层是使上述岛与上述小片之间绝缘的绝缘粘接层。在此，“小片”是磁传感器芯片，例如可举出霍尔元件或者霍尔1C。
[0020]另外，在上述的磁传感器中，也可以是，其特征在于上述绝缘粘接层包含热固化型树脂作为其成分。
[0021]另外，在上述的磁传感器中，也可以是，其特征在于上述绝缘粘接层还包含紫外线固化型树脂作为其成分。
[0022]另外，在上述的磁传感器中，也可以是，其特征在于上述绝缘粘接层中的介于上述岛与上述小片之间的部分的厚度至少为2 μ m以上。
[0023]另外，在上述的磁传感器中，也可以是，其特征在于上述小片的厚度为0.12mm以下。
[0024]另外，在上述的磁传感器中，也可以是，其特征在于上述引线端子具备:上述岛端子；第一引线端子，其与上述岛端子以夹持上述岛的方式相对置；第二引线端子；以及第三引线端子，其与上述第二引线端子以夹持上述岛的方式相对置。
[0025]另外，在上述的磁传感器中，也可以是，其特征在于上述岛端子接地，上述第一引线端子与电源连接，上述第二引线端子和上述第三引线端子与输出端子连接。
[0026]本实用新型的一种方式所涉及的磁传感器装置的特征在于，具备:上述的磁传感器；以及印刷基板，其中，上述印刷基板的地端子与上述磁传感器的上述岛端子连接，上述印刷基板的电源端子与上述磁传感器的上述第一引线端子连接。
[0027]本实用新型的一种方式所涉及的磁传感器装置的特征在于，具备:上述的磁传感器；以及印刷基板，其中，上述印刷基板的地端子与上述磁传感器的上述第一引线端子连接，上述印刷基板的电源端子与上述磁传感器的上述岛端子连接。
[0028]<磁传感器的制造方法>
[0029]本实用新型的其它方式所涉及的磁传感器的制造方法的特征在于，具备以下工序:在具有岛以及配置在该岛的周围的多个引线端子的引线框的、上述岛上经由粘接层安装小片；以及用多个导线将上述小片所具有的多个电极部与上述多个引线端子分别电连接，其中，上述多个引线端子包含与上述岛电连接的岛端子，且在安装上述小片的工序中，通过使用绝缘粘接层作为上述粘接层来使上述岛与上述小片之间绝缘。
[0030]另外，在上述的磁传感器的制造方法中，也可以是，其特征在于在安装上述磁传感器的工序之前还具备以下工序:在放进多个上述小片的基板的、具有各上述电极部的面的相反侧的面粘贴模片接触薄膜；对粘贴了上述模片接触薄膜的上述基板进行切割，将放进该基板的多个上述小片单片化；以及将单片化的上述小片从上述模片接触薄膜分离，其中，在将上述小片从上述模片接触薄膜分离的工序中，从该模片接触薄膜的基材将绝缘性的粘接层与上述小片一起剥离，在安装上述磁传感器的工序中，使用从上述基材剥离的上述粘接层作为上述绝缘粘接层。
[0031]实用新型的效果
[0032]根据本实用新型的一个方式，在岛与小片之间通过绝缘粘接层来绝缘，因此能够防止在岛(金属)与小片(半导体)之间形成肖特基结，能够防止电流沿该肖特基结的顺向(即从金属向半导体的方向)流过。由此，在薄型化的小片中电流反向流过的情况下也能够防止漏电流的增大。
【专利附图】
【附图说明】
[0033]图1的(a)、(b)和(C)是表示本实用新型的第一实施方式所涉及的磁传感器100的结构例的图。
[0034]图2的(a)、(b)、(c)、(d)和(e)是按照工序顺序表示磁传感器100的制造方法的图。
[0035]图3是用于说明第一实施方式的效果的图。
[0036]图4是不意性地表不偏移电压Vu相对于输入电压Vin的偏差降低的效果的图。
[0037]图5的(a)、(b)和(C)是表示本实用新型的第二实施方式所涉及的磁传感器200的结构例的图。
[0038]图6的(a)、(b)、(c)、(d)和(e)是表示第二实施方式所涉及的磁传感器200的制造方法的图。
[0039]图7是将使用绝缘膏30作为绝缘粘接层的情况、与使用模片接触薄膜150的粘接层130作为绝缘粘接层的情况进行比较的图。
[0040]图8的(a)和(b)是用于说明课题的图。
[0041]图9的(a)和(b)是对产生课题的原因进行考察的图。
[0042]附图标记说明
[0043]10:引线框；11:岛；12:岛端子(与岛连接的引线端子);13?15:引线端子；20:小片；21 =GaAs基板；22:活性层；23a?23d:电极；30:绝缘膏；41?44:金属细线；50:模塑树脂；100:磁传感器；110:引线框基板；130:粘接层；140:薄膜基材；150:模片接触薄膜；160:半导体晶片；170:叶片；180:推杆；190:夹套；200:磁传感器；210:台。
【具体实施方式】
[0044]以下使用【专利附图】
【附图说明】本实用新型的实施方式。此外，在以下说明的各图中也有时对具有相同结构的部分附加相同的标记，省略它的重复说明。
[0045]<第一实施方式>
[0046](结构)
[0047]图1的(a)?(C)是表示本实用新型的第一实施方式所涉及的磁传感器100的结构例的截面图、俯视图以及外观图。图1的(a)表示以虚线A-A’将图1的(b)切断得到的截面。另外，在图1的(b)中，为了避免附图的复杂化而省略表示模塑树脂。
[0048]如图1的(a)?(C)所示，磁传感器100具备引线框10、小片(即磁传感器芯片)20、绝缘膏30、多个金属细线41?44以及模塑树脂50。
[0049]引线框10具有用于载置小片20的岛11以及用于获得与外部的电连接的多个引线端子12?15。如图1的(b)所示，引线端子12?15配置在岛11的周围(例如，磁传感器100的四角附近)。另外，引线端子12与岛11成为一体，与岛11电连接。以下将该引线端子12称为岛端子。
[0050]在本实施方式中，优选是如下方式:作为引线端子，具备岛端子12，以夹持岛11的方式与岛端子相对置的第一引线端子14，第二引线端子15，以及以夹持岛11的方式与第二引线端子15相对置的第三引线端子13。
[0051]弓丨线框10例如由铜(Cu)等的金属构成。另外，也可以将引线框10的面侧或者背面的一部分蚀刻(即半蚀刻)。
[0052]小片20例如是霍尔元件，经由绝缘膏30安装在引线框10的岛11上。小片20具有例如半绝缘性的砷化镓(GaAs)基板21、由形成在该GaAs基板21上的半导体薄膜构成的活性层(即感应部)22以及与活性层22电连接的电极23a?23d。活性层22例如在俯视时为十字(交叉)型，在交叉的四个顶端部上分别设置有电极23a?23d。俯视时相对的一对电极23a、23c是用于使电流流过霍尔元件的输入端子，连接电极23a、23c的线和在俯视时正交的方向上相对的另一对电极23b、23d是用于从霍尔兀件输出电压的输出端子。小片20的厚度例如是0.12mm以下。[0053]绝缘膏30例如包含环氧系的热固化型树脂作为其成分，包含二氧化硅(Si02)作为填料。在第一实施方式中，通过该绝缘膏30来在岛11的表面粘接小片20的背面(即，具有活性层22的面的相反侧的面)而进行固定。另外，通过该绝缘膏30使小片20与岛11之间绝缘。小片20与岛11之间的绝缘膏30的厚度由填料大小来决定，例如为5μπι以上。
[0054]金属细线41?44是将小片20所具有的电极23a?23d与岛端子12或者引线端子13?15分别电连接的导线，例如由金(Au)构成。如图1的(b)所示，金属细线41将岛端子12与电极23a相连接、金属细线42将引线端子13与电极23b相连接。另外，金属细线43将引线端子14与电极23c相连接、金属细线44将引线端子15与电极23d相连接。
[0055]模塑树脂50覆盖小片20、金属细线41?44以及引线框10的至少表面侧来进行保护。模塑树脂50例如由环氧系的热固化型树脂构成，能够耐回流时的高温。
[0056](动作)
[0057]在使用上述的磁传感器100来检测磁(磁场)的情况下，将引线端子14与正电位(+)连接并且将岛端子12与接地电位(GND)连接，电流从引线端子14向岛端子12流过。而且，测量引线端子13、15间的电位差Vl-V2(=霍尔输出电压VH)。根据霍尔输出电压VH的大小来检测磁场的大小，根据霍尔输出电压VH的正负来检测磁场的朝向。
[0058](制造方法)
[0059]图2的(a)?(e)是按照工序顺序表示磁传感器100的制造方法的俯视图。此外，在图2的(a)?(e)中，省略切割的叶片宽度(即切缝宽度)的图示。如图2的(a)所示，首先准备引线框基板110。该引线框基板110是俯视时图的1(b)所示的引线框10在纵向以及横向连接多个的基板。
[0060]接着，如图2的(b)所示，在引线框基板110的各岛11上涂敷绝缘膏30。在此，调整绝缘膏30的涂敷条件(例如，涂敷的范围、涂敷的厚度等)使得在完成后的磁传感器100中在岛11与小片20之间产生间隙、或避免岛11与小片20相接触。
[0061]接着，如图的2(c)所示，在涂敷了绝缘膏30的岛11上配置小片20(即进行模片接合。)。而且，在接合后进行热处理(即固化(cure))来使绝缘膏30固化。
[0062]接着，如图2的⑷所示，将金属细线41?44的一端分别与岛端子12或者引线端子13?15连接，将金属细线41?44的另一端分别与电极23a?23d连接(即进行引线接合。)。
[0063]而且，如图2的(e)所示，将小片20、金属细线41?44以及引线框10的至少表面侧用模塑树脂50进行覆盖来进行保护(即进行树脂密封。)。在树脂密封后，在模塑树脂50的表面例如标上标记等(未图示)。而且，例如沿着二点虚线使叶片相对于引线框基板110相对地进行移动来切断模塑树脂50以及引线框基板110 (即进行切割。)。经由以上的工序来完成图1的(a)?(c)所示的磁传感器100。
[0064]在该第一实施方式中，绝缘膏30与本实用新型的“绝缘粘接层”相对应，金属细线41?44与本实用新型的“多个导线”相对应。
[0065](第一实施方式的效果)
[0066]本实用新型的第一实施方式起到以下的效果。
[0067](I)岛11与小片20之间通过绝缘粘接层(例如，绝缘膏30)而绝缘。由此，能够防止岛11(金属)与小片20(半导体)之间形成肖特基结，能够防止电流沿该肖特基结的顺向(即从金属向半导体的方向)流过。例如图3所示，在电流与原来反向地(即岛端子12 —金属细线41 —电极23a —活性层22 —电极23c —金属细线43 —引线端子14的方向)流过的情况下也能够防止电流从岛11向小片20流过。因此，在将薄型化的磁传感器100反向安装而使电流反向地流过的情况下也能够防止漏电流的增大。
[0068]即，在将本实施方式的磁传感器安装在印刷基板来构成磁传感器装置的情况下，I)将印刷基板的地端子与磁传感器的岛端子连接、将印刷基板的电源端子与磁传感器的第一引线端子连接的方式、2)将印刷基板的地端子与磁传感器的第一引线端子连接、将印刷基板的电源端子与磁传感器的岛端子连接的方式均能够抑制漏电流的增大。
[0069]当磁传感器的小型、薄型化得以发展时，在将磁传感器安装到布线基板或者插座等的情况下，俯视时看错磁传感器的朝向的可能性变高，但是即使在这种情况下，根据本实施方式，也能够消除漏电流增大这样的问题而能够使用。
[0070]图4是不意性地表不偏移电压Vu相对于输入电压Vin的偏差降低的效果的图。图4的横轴表不对磁传感器的输入电压Vin、纵轴表不磁传感器的偏移电压Vu。输入电压Vin是磁传感器的输入端子间的电位差。Vin的正(+)是向电流从磁传感器的第一引线端子向岛端子流过的方向施加了电压的情况，负㈠是向电流与原来反向地流过的方向施加了电压的情况。另外，偏移电压Vu是在没有磁的环境下的输出端子间的电位差。理想情况是偏移电压Vu与输入电压Vin的大小无关地成为零(O)。
[0071]在小片的安装中使用了 Ag膏的结构中，在输入电压为负㈠的情况下对肖特基结成为顺向偏置而电流从岛向小片流过。当将小片薄型化时向肖特基结的顺向流过的电流变大，因此如以图4的虚线表示那样偏移电压Vu的偏差变大。与此相对，在本实用新型的第一实施方式中说明的结构(即，在小片的安装中使用了绝缘粘接层的结构)中，岛与小片之间绝缘，因此即使将小片薄型化，在岛与小片之间也不会流过电流。因此，在薄型化的磁传感器中，在将输入电压设为负(_)的情况下，也如图4的实线所示那样偏移电压Vu的偏差小。这样，使用了绝缘粘接层的结构与使用了 Ag膏的结构相比，能够降低输入电压为负(-)时的偏移电压的偏差。
[0072](2)另外，能够防止漏电流的增大，因此能够推进小片20的进一步薄型化。因此，能够有助于磁传感器100的更小型、薄型化。
[0073](3)另外，能够防止漏电流的增大，因此能够抑制功耗的增大。
[0074](4)另外，绝缘粘接层包含例如环氧系的热固化型树脂作为其成分。
[0075]因此，在模片接合后通过进行固化能够将小片20容易地固定到岛11上。
[0076](5)此外，绝缘粘接层中的介于小片20与岛11之间的部分的厚度优选为至少确保2 μ m以上。根据本实用新型人的见解，如果上述厚度至少为2 μ m以上，则能够提高小片20与岛11之间的绝缘的可靠性而防止形成肖特基结。
[0077](变形例)
[0078]在上述的第一实施方式中，小片20也可以不是霍尔元件而是霍尔1C。即使这种结构也起到第一实施方式的效果(I)?(5)。
[0079]<第二实施方式>
[0080]在上述的第一实施方式中，对使用绝缘膏30作为使小片20与岛11之间绝缘的绝缘粘接层的情况进行了说明。然而，在本实用新型中，绝缘粘接层只要具备绝缘性和粘接性即可，并不限定于绝缘膏30。作为绝缘粘接层，作为片状的方式，例如也可以使用模片接触薄膜(即切割、模片接合一体型薄膜)的粘接层。在第二实施方式中说明这点。
[0081](结构)
[0082]图5的(a)?(C)是表示本实用新型的第二实施方式所涉及的磁传感器200的结构例的截面图、俯视图以及外观图。图5的(a)表示以虚线B-B’将图5的(b)切断得到的截面。另外，在图5的(b)中为了避免附图的复杂化而省略表示模塑树脂50。
[0083]如图5的(a)?(C)所示，磁传感器200具备引线框10、小片20、绝缘性的粘接层130、多个金属细线41?44以及模塑树脂50。
[0084]粘接层130例如优选包含环氧系的热固化型树脂、紫外线(UV)固化型树脂以及粘合树脂作为其成分。
[0085]在第二实施方式中，通过该粘接层130在岛11的表面粘接小片20的背面(即具有活性层22的面的相反侧的面)而进行固定。另外，通过该粘接层130使小片20与岛11之间绝缘。小片20与岛11之间的粘接层130的厚度例如优选为2 μ m以上且30 μ m以下。更优选是10 μ m以上且20 μ m以下。
[0086]此外，磁传感器200的粘接层130以外的结构与例如在第一实施方式中说明的磁传感器100相同。另外，磁传感器200的动作也与磁传感器100相同。
[0087](制造方法)
[0088]图6的(a)?(e)是按照工序顺序表示本实用新型的第二实施方式所涉及的磁传感器200的制造方法的截面图。
[0089]如图6的(a)所示，首先准备模片接触薄膜150。模片接触薄膜150具有薄膜基材140以及配置在薄膜基材140的一个面上的绝缘性的粘接层130。使该模片接触薄膜150的粘接层130与放进多个小片20的半导体晶片160的背面(即具有活性层22的面的相反侧的面)接触而进行粘接(即进行晶片安装)。
[0090]此外，在该第二实施方式中，也可以进行调整粘接层130的粘接力的处理以在后述的图6的(b)的工序中通过粘接层130维持小片20与薄膜基材140的粘接且在图6的(c)的工序中容易地从薄膜基材140剥离粘接层130。该调整粘接力的处理在进行晶片安装的定时或者其前后的定时进行。例如，也可以在进行晶片安装时经由台对模片接触薄膜150进行加热来提高作为粘接层130的成分之一的粘合树脂成分的粘接力而向进一步牢固地粘接半导体晶片160与粘接层130的方向进行调整。另外，也可以在进行了晶片安装之后，从模片接触薄膜150的具有粘接层130的面的相反侧向该模片接触薄膜150照射UV来使作为粘接层130的成分之一的UV固化型树脂成分固化，通过固化向切割变得容易的方向并且模片接合时减小薄膜基材140与粘接层130的粘接力的方向进行调整。如上述那样通过进行经由台的加热和UV照射中的至少一个，能够向提高粘接层130的粘接力或通过少许固化而减小其粘接力的方向进行调整。
[0091]接着，如图6的(b)所示，例如使用叶片170来切割半导体晶片160，将放进半导体晶片160的多个小片20单片化。在此，不仅是半导体晶片160，连粘接层130也一起进行切割。
[0092]接着，如图6的(C)所示，用针状的推杆180来顶起小片20的背面并且用夹套190吸附小片20的表面而举起(即进行拾取)。此外，模片接触薄膜150的粘接层130通过如上述那样例如进行加热和UV照射中的至少一个来预先向减小其粘接力的方向进行调整。因此，在拾取小片20的工序中，粘接层130以粘接在小片20的背面的状态从薄膜基材140剥离。
[0093]接着，如图6的(d)所示，将小片20的背面侧经由粘接层130安装在引线框基板110的岛11上。在此，通过以预先设定的负荷将小片20向岛11侧按压，将小片20粘接固定到岛11。另外，在该安装时，也可以经由台210来加热引线框10以及粘接层130。除了负荷有时还能够通过进行加热来提高小片20与岛11的粘接力。在该安装后实施热处理(固化)，使环氧树脂系的热效应型树脂成分进行固化而进一步获得足够的粘接强度。这以后的工序与第一实施方式相同。即，如图6的(e)所示那样进行引线接合，之后进行树脂密封。而且，切割模塑树脂50以及引线框基板110。经由这种工序来完成图5的(a)?(c)所示的磁传感器200。
[0094]在该第二实施方式中，半导体晶片160与本实用新型的“基板”相对应。另外，粘接层130与本实用新型的“绝缘粘接层”相对应、薄膜基材140与本实用新型的“基材”相对应。其它的对应关系与第一实施方式相同。
[0095](第二实施方式的效果)
[0096]本实用新型的第二实施方式除了第一实施方式的效果⑴?(5)的效果之外还起到以下的效果。
[0097](I)作为将小片20与岛11之间进行粘接且进行绝缘的绝缘粘接层而使用模片接触薄膜150的粘接层130。由此，不需要对多个小片20分别(或者岛11的各个)涂敷绝缘膏30，因此能够有助于工序数的削减。
[0098](2)另外，粘接层130例如包含粘合树脂、UV固化型树脂作为其成分。因此，通过进行热处理来提高粘接层130的粘接力，能够向更牢固地粘接半导体晶片160与粘接层130的方向进行调整，另外通过进行UV照射能够向切割变得容易的方向、而且减小薄膜基材140与粘接层130的粘接力的方向进行调整。由此，在拾取小片20的工序中能够容易地与小片20 —起将粘接层130从薄膜基材140剥离。
[0099](3)另外，粘接层130的粘性高，因此与使用绝缘膏30的情况相比，能够极力减小小片20的侧面中的向上蔓延。由此，具有如下优点:不会产生树脂附着在小片20的表面这种不良，另外粘接层130的厚度也不会变薄而能够使厚度均匀化。
[0100](4)另外，在如图7所示那样使用粘接层130的情况下，具有如下优点:关于它的保管条件，不是冷冻而是能够冷藏保管。在冷藏保管的情况下，具有如下优点:不需要绝缘粘接层的解冻，需要时能够直接使用。并且，关于工序条件，还具有不需要涂敷量的管理、浸润小、向上蔓延小、厚度的偏差小等优点。
[0101](变形例)
[0102]在第二实施方式中可以应用在第一实施方式中说明的变形例。即小片20也可以不是霍尔元件而是霍尔1C。即使是这种结构，除了第一实施方式的效果(I)?(5)之外还起到第二实施方式的效果(I)?(4)。
[0103]〈其它〉
[0104]本实用新型不限于以上所记载的各实施方式。能够根据从业人员的知识来对各实施方式加以设计的变更等，加以这种变更等的方式也包含在本实用新型的范围内。
【权利要求】
1.一种磁传感器，其特征在于，具备: 引线框，其具有岛以及配置在该岛的周围的多个引线端子； 小片，其经由粘接层安装在上述岛上；以及 多个导线，其将上述小片所具有的多个电极部与上述多个引线端子分别电连接， 其中，上述多个引线端子包含电连接在上述岛的岛端子，且上述粘接层是使上述岛与上述小片之间绝缘的绝缘粘接层。
2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于， 上述绝缘粘接层中的介于上述岛与上述小片之间的部分的厚度至少为2 μ m以上。
3.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于， 上述小片的厚度为0.12mm以下。
4.根据权利要求1~3中的任一项所述的磁传感器，其特征在于， 上述引线端子具备: 上述岛端子； 第一引线端子，其与上述岛端子以夹持上述岛的方式相对置； 第二引线端子；以及 第三引线端子，其与上述第二引线端子以夹持上述岛的方式相对置。
5.根据权利要求4所述的磁传感器，其特征在于， 上述岛端子接地， 上述第一引线端子与电源连接， 上述第二引线端子和上述第三引线端子与输出端子连接。
6.一种磁传感器装置，其特征在于，具备: 根据权利要求4所述的磁传感器；以及 印刷基板， 其中，上述印刷基板的地端子与上述磁传感器的上述岛端子连接，上述印刷基板的电源端子与上述磁传感器的上述第一引线端子连接。
7.—种磁传感器装置，其特征在于，具备: 根据权利要求5所述的磁传感器；以及 印刷基板， 其中，上述印刷基板的地端子与上述磁传感器的上述岛端子连接，上述印刷基板的电源端子与上述磁传感器的上述第一引线端子连接。
8.—种磁传感器装置，其特征在于，具备: 根据权利要求4所述的磁传感器；以及 印刷基板， 其中，上述印刷基板的地端子与上述磁传感器的上述第一引线端子连接，上述印刷基板的电源端子与上述磁传感器的上述岛端子连接。
9.一种磁传感器装置，其特征在于，具备: 根据权利要求5所述的磁传感器；以及 印刷基板， 其中，上述印刷基板的地端子与上述磁传感器的上述第一引线端子连接，上述印刷基板的电源端子与上述 磁传感器的上述岛端子连接。
【文档编号】H01L43/06GK203536475SQ201320665569
【公开日】2014年4月9日 申请日期:2013年10月25日 优先权日:2012年10月26日
【发明者】福中敏昭, 长谷川秀则 申请人:旭化成微电子株式会社
【专利摘要】提供一种磁传感器以及磁传感器装置，在薄型化的小片中电流反向流过的情况下也能够防止漏电流的增大、即使反向安装也能够抑制漏电流的增大。具备：引线框(10)，其具有岛(11)以及配置在该岛(11)的周围的多个引线端子(12～15)；小片(20)，其经由粘接层安装在岛(11)上；以及多个金属细线(41～44)，其将小片(20)所具有的多个电极部(23a～23d)与多个引线端子(12～15)分别电连接。引线端子(12)是与岛(11)电连接的岛端子。另外，粘接层是使岛(11)与小片(20)之间绝缘的绝缘膏(30)、或者模片接触薄膜(150)的粘接层(130)。
【专利说明】磁传感器以及磁传感器装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种磁传感器，特别是涉及一种在薄型化的小片中电流反向流过的情况下也能够防止漏电流增大的磁传感器。
【背景技术】
[0002]作为利用了霍尔效应的磁传感器，例如已知有检测磁(磁场)并输出与其大小成比例的模拟信号的霍尔元件、检测磁并输出数字信号的霍尔1C。例如专利文献I公开了具备引线框、小片(即磁传感器芯片)以及金属细线的磁传感器。在该磁传感器中，引线框具有为了获得与外部的电连接而配置在四角的端子，小片装载于引线框的岛。而且，小片所具有的电极与引线框所具有的各端子通过金属细线相连接。
[0003]专利文献1:日本特开2007-95788号公报
实用新型内容
[0004]实用新型要解决的问题
[0005]另外，在专利文献I所公开的磁传感器中，也可以将引线框所具有的配置在四角的引线端子中的、连接在接地电位的端子(以下称为接地端子)与岛形成为一体。由此，岛的电位成为接地电位，能够防止电荷积存于岛，因此能够抑制在磁传感器检测磁时产生噪声。
[0006]另外，近年来，伴随着电子设备的小型化等而磁传感器的小型、薄型化也得以发展。例如，磁传感器的封装后的尺寸(即封装尺寸)实现了纵1.6mm、宽0.8mm、厚度0.38mm。另外，通过进一步使小片变薄还能够使封装尺寸的厚度成为0.30_。
[0007]在此，当如上述那样磁传感器的小型、薄型化得以进步时，在将磁传感器安装在布线基板或者插座等时在俯视的情况下看错磁传感器的朝向的可能性变高。例如图的8(a)所示，在将磁传感器300正确地安装于布线基板400的情况下，引线框的接地端子311与布线基板400的接地用布线411连接，引线框的电源端子313与布线基板400的电源用布线413连接。但是，当磁传感器300如上述那样小型化时，用肉眼难以识别印刷在封装表面的文字、符号等(例如，A、B、C、D)，难以根据这些符号等来判断磁传感器300的朝向。其结果，导致例如图8的(b)所示那样反向地安装磁传感器300而将接地端子311与电源用布线413连接、将电源端子313与接地用布线411连接的可能性变高。
[0008]此外，假设在将磁传感器300如图8的(b)所示那样反向安装的情况下，电流从接地端子311向电源端子313(即反向)流过，但是能够在其它的引线端子312、314之间测量电位差。另外，岛315固定为电源电位，蓄积于岛315的电荷保持为固定量，因此也能够抑制产生噪声。因此，在反向地安装了磁传感器300的情况下，其动作应该也不会产生大的问题。
[0009]然而，本实用新型的发明人发现当反向地安装磁传感器300而使电流反向流过时漏电流变大(第一课题)。另外，发现配置于岛315上的小片越薄该漏电流越大(第二课题)。
[0010]因此，本实用新型是鉴于如上述那样本实用新型的
【发明者】所发现的第一、第二课题而作出的，其目的在于提供一种在电流反向流过薄型化的磁传感器的情况下也能够防止漏电流的增大的磁传感器。
[0011]用于解决问题的方案
[0012]本实用新型的发明人对产生上述第一、第二课题的原因(机理)如下地进行了考察。
[0013]图9的(a)以及(b)是表示本实用新型的发明人所考察的漏电流增大的机理的概念图。在图9的(a)以及(b)所示的磁传感器300中，小片320经由银(Ag)膏340安装在引线框310的岛315上。另外，引线框310具有与岛315成为一体的引线端子(即岛端子)311、以及与岛315分离的电源端子313。如图9的(a)所示，在将磁传感器300正确地安装在布线基板或者插座等的情况下，岛端子311成为接地端子。另外，小片320与Ag膏340的接合面成为半导体(例如，GaAs)与金属(Ag)的肖特基结。
[0014]在图9的(a)所示的情况下，向该肖特基结施加反偏置，因此电流不从小片320流过岛315。电流从电源端子313通过金属细线351、小片320的活性层321、金属细线352流到岛端子311。
[0015]另一方面，如图9的(b)所示在将磁传感器300反向地安装的情况下，岛端子311成为电源端子，电源端子313成为接地端子。在这种情况下，在小片320与Ag膏340的肖特基结中施加顺向偏置。
[0016]在此，构成小片320的半导体(例如，GaAs)是半绝缘性(?超高电阻)，因此当小片320厚时即使向肖特基结施加顺向偏置也几乎不流过电流。然而，当使小片320变薄时，电阻值与其厚度的减少量成比例地减少。因此，伴随着小片320的薄型化，容易向肖特基结的顺向流过电流。即容易漏电流以岛端子311 —岛315 — Ag膏340 —小片320 —金属细线351 —电源端子313这样的路径流过。
[0017]基于以上的考察，作为解决第一、第二课题的方法，本实用新型的发明人提出在具有岛端子的磁传感器中代替Ag膏而使用绝缘粘接层。
[0018]〈磁传感器〉
[0019]S卩，本实用新型的一种方式所涉及的磁传感器的特征在于，具备:引线框，其具有岛以及配置在该岛的周围的多个引线端子；小片，其经由粘接层安装在上述岛上；以及多个导线，其将上述小片所具有的多个电极部与上述多个引线端子分别电连接，其中，上述多个引线端子包含电连接在上述岛的岛端子，且上述粘接层是使上述岛与上述小片之间绝缘的绝缘粘接层。在此，“小片”是磁传感器芯片，例如可举出霍尔元件或者霍尔1C。
[0020]另外，在上述的磁传感器中，也可以是，其特征在于上述绝缘粘接层包含热固化型树脂作为其成分。
[0021]另外，在上述的磁传感器中，也可以是，其特征在于上述绝缘粘接层还包含紫外线固化型树脂作为其成分。
[0022]另外，在上述的磁传感器中，也可以是，其特征在于上述绝缘粘接层中的介于上述岛与上述小片之间的部分的厚度至少为2 μ m以上。
[0023]另外，在上述的磁传感器中，也可以是，其特征在于上述小片的厚度为0.12mm以下。
[0024]另外，在上述的磁传感器中，也可以是，其特征在于上述引线端子具备:上述岛端子；第一引线端子，其与上述岛端子以夹持上述岛的方式相对置；第二引线端子；以及第三引线端子，其与上述第二引线端子以夹持上述岛的方式相对置。
[0025]另外，在上述的磁传感器中，也可以是，其特征在于上述岛端子接地，上述第一引线端子与电源连接，上述第二引线端子和上述第三引线端子与输出端子连接。
[0026]本实用新型的一种方式所涉及的磁传感器装置的特征在于，具备:上述的磁传感器；以及印刷基板，其中，上述印刷基板的地端子与上述磁传感器的上述岛端子连接，上述印刷基板的电源端子与上述磁传感器的上述第一引线端子连接。
[0027]本实用新型的一种方式所涉及的磁传感器装置的特征在于，具备:上述的磁传感器；以及印刷基板，其中，上述印刷基板的地端子与上述磁传感器的上述第一引线端子连接，上述印刷基板的电源端子与上述磁传感器的上述岛端子连接。
[0028]<磁传感器的制造方法>
[0029]本实用新型的其它方式所涉及的磁传感器的制造方法的特征在于，具备以下工序:在具有岛以及配置在该岛的周围的多个引线端子的引线框的、上述岛上经由粘接层安装小片；以及用多个导线将上述小片所具有的多个电极部与上述多个引线端子分别电连接，其中，上述多个引线端子包含与上述岛电连接的岛端子，且在安装上述小片的工序中，通过使用绝缘粘接层作为上述粘接层来使上述岛与上述小片之间绝缘。
[0030]另外，在上述的磁传感器的制造方法中，也可以是，其特征在于在安装上述磁传感器的工序之前还具备以下工序:在放进多个上述小片的基板的、具有各上述电极部的面的相反侧的面粘贴模片接触薄膜；对粘贴了上述模片接触薄膜的上述基板进行切割，将放进该基板的多个上述小片单片化；以及将单片化的上述小片从上述模片接触薄膜分离，其中，在将上述小片从上述模片接触薄膜分离的工序中，从该模片接触薄膜的基材将绝缘性的粘接层与上述小片一起剥离，在安装上述磁传感器的工序中，使用从上述基材剥离的上述粘接层作为上述绝缘粘接层。
[0031]实用新型的效果
[0032]根据本实用新型的一个方式，在岛与小片之间通过绝缘粘接层来绝缘，因此能够防止在岛(金属)与小片(半导体)之间形成肖特基结，能够防止电流沿该肖特基结的顺向(即从金属向半导体的方向)流过。由此，在薄型化的小片中电流反向流过的情况下也能够防止漏电流的增大。
【专利附图】
【附图说明】
[0033]图1的(a)、(b)和(C)是表示本实用新型的第一实施方式所涉及的磁传感器100的结构例的图。
[0034]图2的(a)、(b)、(c)、(d)和(e)是按照工序顺序表示磁传感器100的制造方法的图。
[0035]图3是用于说明第一实施方式的效果的图。
[0036]图4是不意性地表不偏移电压Vu相对于输入电压Vin的偏差降低的效果的图。
[0037]图5的(a)、(b)和(C)是表示本实用新型的第二实施方式所涉及的磁传感器200的结构例的图。
[0038]图6的(a)、(b)、(c)、(d)和(e)是表示第二实施方式所涉及的磁传感器200的制造方法的图。
[0039]图7是将使用绝缘膏30作为绝缘粘接层的情况、与使用模片接触薄膜150的粘接层130作为绝缘粘接层的情况进行比较的图。
[0040]图8的(a)和(b)是用于说明课题的图。
[0041]图9的(a)和(b)是对产生课题的原因进行考察的图。
[0042]附图标记说明
[0043]10:引线框；11:岛；12:岛端子(与岛连接的引线端子);13?15:引线端子；20:小片；21 =GaAs基板；22:活性层；23a?23d:电极；30:绝缘膏；41?44:金属细线；50:模塑树脂；100:磁传感器；110:引线框基板；130:粘接层；140:薄膜基材；150:模片接触薄膜；160:半导体晶片；170:叶片；180:推杆；190:夹套；200:磁传感器；210:台。
【具体实施方式】
[0044]以下使用【专利附图】
【附图说明】本实用新型的实施方式。此外，在以下说明的各图中也有时对具有相同结构的部分附加相同的标记，省略它的重复说明。
[0045]<第一实施方式>
[0046](结构)
[0047]图1的(a)?(C)是表示本实用新型的第一实施方式所涉及的磁传感器100的结构例的截面图、俯视图以及外观图。图1的(a)表示以虚线A-A’将图1的(b)切断得到的截面。另外，在图1的(b)中，为了避免附图的复杂化而省略表示模塑树脂。
[0048]如图1的(a)?(C)所示，磁传感器100具备引线框10、小片(即磁传感器芯片)20、绝缘膏30、多个金属细线41?44以及模塑树脂50。
[0049]引线框10具有用于载置小片20的岛11以及用于获得与外部的电连接的多个引线端子12?15。如图1的(b)所示，引线端子12?15配置在岛11的周围(例如，磁传感器100的四角附近)。另外，引线端子12与岛11成为一体，与岛11电连接。以下将该引线端子12称为岛端子。
[0050]在本实施方式中，优选是如下方式:作为引线端子，具备岛端子12，以夹持岛11的方式与岛端子相对置的第一引线端子14，第二引线端子15，以及以夹持岛11的方式与第二引线端子15相对置的第三引线端子13。
[0051]弓丨线框10例如由铜(Cu)等的金属构成。另外，也可以将引线框10的面侧或者背面的一部分蚀刻(即半蚀刻)。
[0052]小片20例如是霍尔元件，经由绝缘膏30安装在引线框10的岛11上。小片20具有例如半绝缘性的砷化镓(GaAs)基板21、由形成在该GaAs基板21上的半导体薄膜构成的活性层(即感应部)22以及与活性层22电连接的电极23a?23d。活性层22例如在俯视时为十字(交叉)型，在交叉的四个顶端部上分别设置有电极23a?23d。俯视时相对的一对电极23a、23c是用于使电流流过霍尔元件的输入端子，连接电极23a、23c的线和在俯视时正交的方向上相对的另一对电极23b、23d是用于从霍尔兀件输出电压的输出端子。小片20的厚度例如是0.12mm以下。[0053]绝缘膏30例如包含环氧系的热固化型树脂作为其成分，包含二氧化硅(Si02)作为填料。在第一实施方式中，通过该绝缘膏30来在岛11的表面粘接小片20的背面(即，具有活性层22的面的相反侧的面)而进行固定。另外，通过该绝缘膏30使小片20与岛11之间绝缘。小片20与岛11之间的绝缘膏30的厚度由填料大小来决定，例如为5μπι以上。
[0054]金属细线41?44是将小片20所具有的电极23a?23d与岛端子12或者引线端子13?15分别电连接的导线，例如由金(Au)构成。如图1的(b)所示，金属细线41将岛端子12与电极23a相连接、金属细线42将引线端子13与电极23b相连接。另外，金属细线43将引线端子14与电极23c相连接、金属细线44将引线端子15与电极23d相连接。
[0055]模塑树脂50覆盖小片20、金属细线41?44以及引线框10的至少表面侧来进行保护。模塑树脂50例如由环氧系的热固化型树脂构成，能够耐回流时的高温。
[0056](动作)
[0057]在使用上述的磁传感器100来检测磁(磁场)的情况下，将引线端子14与正电位(+)连接并且将岛端子12与接地电位(GND)连接，电流从引线端子14向岛端子12流过。而且，测量引线端子13、15间的电位差Vl-V2(=霍尔输出电压VH)。根据霍尔输出电压VH的大小来检测磁场的大小，根据霍尔输出电压VH的正负来检测磁场的朝向。
[0058](制造方法)
[0059]图2的(a)?(e)是按照工序顺序表示磁传感器100的制造方法的俯视图。此外，在图2的(a)?(e)中，省略切割的叶片宽度(即切缝宽度)的图示。如图2的(a)所示，首先准备引线框基板110。该引线框基板110是俯视时图的1(b)所示的引线框10在纵向以及横向连接多个的基板。
[0060]接着，如图2的(b)所示，在引线框基板110的各岛11上涂敷绝缘膏30。在此，调整绝缘膏30的涂敷条件(例如，涂敷的范围、涂敷的厚度等)使得在完成后的磁传感器100中在岛11与小片20之间产生间隙、或避免岛11与小片20相接触。
[0061]接着，如图的2(c)所示，在涂敷了绝缘膏30的岛11上配置小片20(即进行模片接合。)。而且，在接合后进行热处理(即固化(cure))来使绝缘膏30固化。
[0062]接着，如图2的⑷所示，将金属细线41?44的一端分别与岛端子12或者引线端子13?15连接，将金属细线41?44的另一端分别与电极23a?23d连接(即进行引线接合。)。
[0063]而且，如图2的(e)所示，将小片20、金属细线41?44以及引线框10的至少表面侧用模塑树脂50进行覆盖来进行保护(即进行树脂密封。)。在树脂密封后，在模塑树脂50的表面例如标上标记等(未图示)。而且，例如沿着二点虚线使叶片相对于引线框基板110相对地进行移动来切断模塑树脂50以及引线框基板110 (即进行切割。)。经由以上的工序来完成图1的(a)?(c)所示的磁传感器100。
[0064]在该第一实施方式中，绝缘膏30与本实用新型的“绝缘粘接层”相对应，金属细线41?44与本实用新型的“多个导线”相对应。
[0065](第一实施方式的效果)
[0066]本实用新型的第一实施方式起到以下的效果。
[0067](I)岛11与小片20之间通过绝缘粘接层(例如，绝缘膏30)而绝缘。由此，能够防止岛11(金属)与小片20(半导体)之间形成肖特基结，能够防止电流沿该肖特基结的顺向(即从金属向半导体的方向)流过。例如图3所示，在电流与原来反向地(即岛端子12 —金属细线41 —电极23a —活性层22 —电极23c —金属细线43 —引线端子14的方向)流过的情况下也能够防止电流从岛11向小片20流过。因此，在将薄型化的磁传感器100反向安装而使电流反向地流过的情况下也能够防止漏电流的增大。
[0068]即，在将本实施方式的磁传感器安装在印刷基板来构成磁传感器装置的情况下，I)将印刷基板的地端子与磁传感器的岛端子连接、将印刷基板的电源端子与磁传感器的第一引线端子连接的方式、2)将印刷基板的地端子与磁传感器的第一引线端子连接、将印刷基板的电源端子与磁传感器的岛端子连接的方式均能够抑制漏电流的增大。
[0069]当磁传感器的小型、薄型化得以发展时，在将磁传感器安装到布线基板或者插座等的情况下，俯视时看错磁传感器的朝向的可能性变高，但是即使在这种情况下，根据本实施方式，也能够消除漏电流增大这样的问题而能够使用。
[0070]图4是不意性地表不偏移电压Vu相对于输入电压Vin的偏差降低的效果的图。图4的横轴表不对磁传感器的输入电压Vin、纵轴表不磁传感器的偏移电压Vu。输入电压Vin是磁传感器的输入端子间的电位差。Vin的正(+)是向电流从磁传感器的第一引线端子向岛端子流过的方向施加了电压的情况，负㈠是向电流与原来反向地流过的方向施加了电压的情况。另外，偏移电压Vu是在没有磁的环境下的输出端子间的电位差。理想情况是偏移电压Vu与输入电压Vin的大小无关地成为零(O)。
[0071]在小片的安装中使用了 Ag膏的结构中，在输入电压为负㈠的情况下对肖特基结成为顺向偏置而电流从岛向小片流过。当将小片薄型化时向肖特基结的顺向流过的电流变大，因此如以图4的虚线表示那样偏移电压Vu的偏差变大。与此相对，在本实用新型的第一实施方式中说明的结构(即，在小片的安装中使用了绝缘粘接层的结构)中，岛与小片之间绝缘，因此即使将小片薄型化，在岛与小片之间也不会流过电流。因此，在薄型化的磁传感器中，在将输入电压设为负(_)的情况下，也如图4的实线所示那样偏移电压Vu的偏差小。这样，使用了绝缘粘接层的结构与使用了 Ag膏的结构相比，能够降低输入电压为负(-)时的偏移电压的偏差。
[0072](2)另外，能够防止漏电流的增大，因此能够推进小片20的进一步薄型化。因此，能够有助于磁传感器100的更小型、薄型化。
[0073](3)另外，能够防止漏电流的增大，因此能够抑制功耗的增大。
[0074](4)另外，绝缘粘接层包含例如环氧系的热固化型树脂作为其成分。
[0075]因此，在模片接合后通过进行固化能够将小片20容易地固定到岛11上。
[0076](5)此外，绝缘粘接层中的介于小片20与岛11之间的部分的厚度优选为至少确保2 μ m以上。根据本实用新型人的见解，如果上述厚度至少为2 μ m以上，则能够提高小片20与岛11之间的绝缘的可靠性而防止形成肖特基结。
[0077](变形例)
[0078]在上述的第一实施方式中，小片20也可以不是霍尔元件而是霍尔1C。即使这种结构也起到第一实施方式的效果(I)?(5)。
[0079]<第二实施方式>
[0080]在上述的第一实施方式中，对使用绝缘膏30作为使小片20与岛11之间绝缘的绝缘粘接层的情况进行了说明。然而，在本实用新型中，绝缘粘接层只要具备绝缘性和粘接性即可，并不限定于绝缘膏30。作为绝缘粘接层，作为片状的方式，例如也可以使用模片接触薄膜(即切割、模片接合一体型薄膜)的粘接层。在第二实施方式中说明这点。
[0081](结构)
[0082]图5的(a)?(C)是表示本实用新型的第二实施方式所涉及的磁传感器200的结构例的截面图、俯视图以及外观图。图5的(a)表示以虚线B-B’将图5的(b)切断得到的截面。另外，在图5的(b)中为了避免附图的复杂化而省略表示模塑树脂50。
[0083]如图5的(a)?(C)所示，磁传感器200具备引线框10、小片20、绝缘性的粘接层130、多个金属细线41?44以及模塑树脂50。
[0084]粘接层130例如优选包含环氧系的热固化型树脂、紫外线(UV)固化型树脂以及粘合树脂作为其成分。
[0085]在第二实施方式中，通过该粘接层130在岛11的表面粘接小片20的背面(即具有活性层22的面的相反侧的面)而进行固定。另外，通过该粘接层130使小片20与岛11之间绝缘。小片20与岛11之间的粘接层130的厚度例如优选为2 μ m以上且30 μ m以下。更优选是10 μ m以上且20 μ m以下。
[0086]此外，磁传感器200的粘接层130以外的结构与例如在第一实施方式中说明的磁传感器100相同。另外，磁传感器200的动作也与磁传感器100相同。
[0087](制造方法)
[0088]图6的(a)?(e)是按照工序顺序表示本实用新型的第二实施方式所涉及的磁传感器200的制造方法的截面图。
[0089]如图6的(a)所示，首先准备模片接触薄膜150。模片接触薄膜150具有薄膜基材140以及配置在薄膜基材140的一个面上的绝缘性的粘接层130。使该模片接触薄膜150的粘接层130与放进多个小片20的半导体晶片160的背面(即具有活性层22的面的相反侧的面)接触而进行粘接(即进行晶片安装)。
[0090]此外，在该第二实施方式中，也可以进行调整粘接层130的粘接力的处理以在后述的图6的(b)的工序中通过粘接层130维持小片20与薄膜基材140的粘接且在图6的(c)的工序中容易地从薄膜基材140剥离粘接层130。该调整粘接力的处理在进行晶片安装的定时或者其前后的定时进行。例如，也可以在进行晶片安装时经由台对模片接触薄膜150进行加热来提高作为粘接层130的成分之一的粘合树脂成分的粘接力而向进一步牢固地粘接半导体晶片160与粘接层130的方向进行调整。另外，也可以在进行了晶片安装之后，从模片接触薄膜150的具有粘接层130的面的相反侧向该模片接触薄膜150照射UV来使作为粘接层130的成分之一的UV固化型树脂成分固化，通过固化向切割变得容易的方向并且模片接合时减小薄膜基材140与粘接层130的粘接力的方向进行调整。如上述那样通过进行经由台的加热和UV照射中的至少一个，能够向提高粘接层130的粘接力或通过少许固化而减小其粘接力的方向进行调整。
[0091]接着，如图6的(b)所示，例如使用叶片170来切割半导体晶片160，将放进半导体晶片160的多个小片20单片化。在此，不仅是半导体晶片160，连粘接层130也一起进行切割。
[0092]接着，如图6的(C)所示，用针状的推杆180来顶起小片20的背面并且用夹套190吸附小片20的表面而举起(即进行拾取)。此外，模片接触薄膜150的粘接层130通过如上述那样例如进行加热和UV照射中的至少一个来预先向减小其粘接力的方向进行调整。因此，在拾取小片20的工序中，粘接层130以粘接在小片20的背面的状态从薄膜基材140剥离。
[0093]接着，如图6的(d)所示，将小片20的背面侧经由粘接层130安装在引线框基板110的岛11上。在此，通过以预先设定的负荷将小片20向岛11侧按压，将小片20粘接固定到岛11。另外，在该安装时，也可以经由台210来加热引线框10以及粘接层130。除了负荷有时还能够通过进行加热来提高小片20与岛11的粘接力。在该安装后实施热处理(固化)，使环氧树脂系的热效应型树脂成分进行固化而进一步获得足够的粘接强度。这以后的工序与第一实施方式相同。即，如图6的(e)所示那样进行引线接合，之后进行树脂密封。而且，切割模塑树脂50以及引线框基板110。经由这种工序来完成图5的(a)?(c)所示的磁传感器200。
[0094]在该第二实施方式中，半导体晶片160与本实用新型的“基板”相对应。另外，粘接层130与本实用新型的“绝缘粘接层”相对应、薄膜基材140与本实用新型的“基材”相对应。其它的对应关系与第一实施方式相同。
[0095](第二实施方式的效果)
[0096]本实用新型的第二实施方式除了第一实施方式的效果⑴?(5)的效果之外还起到以下的效果。
[0097](I)作为将小片20与岛11之间进行粘接且进行绝缘的绝缘粘接层而使用模片接触薄膜150的粘接层130。由此，不需要对多个小片20分别(或者岛11的各个)涂敷绝缘膏30，因此能够有助于工序数的削减。
[0098](2)另外，粘接层130例如包含粘合树脂、UV固化型树脂作为其成分。因此，通过进行热处理来提高粘接层130的粘接力，能够向更牢固地粘接半导体晶片160与粘接层130的方向进行调整，另外通过进行UV照射能够向切割变得容易的方向、而且减小薄膜基材140与粘接层130的粘接力的方向进行调整。由此，在拾取小片20的工序中能够容易地与小片20 —起将粘接层130从薄膜基材140剥离。
[0099](3)另外，粘接层130的粘性高，因此与使用绝缘膏30的情况相比，能够极力减小小片20的侧面中的向上蔓延。由此，具有如下优点:不会产生树脂附着在小片20的表面这种不良，另外粘接层130的厚度也不会变薄而能够使厚度均匀化。
[0100](4)另外，在如图7所示那样使用粘接层130的情况下，具有如下优点:关于它的保管条件，不是冷冻而是能够冷藏保管。在冷藏保管的情况下，具有如下优点:不需要绝缘粘接层的解冻，需要时能够直接使用。并且，关于工序条件，还具有不需要涂敷量的管理、浸润小、向上蔓延小、厚度的偏差小等优点。
[0101](变形例)
[0102]在第二实施方式中可以应用在第一实施方式中说明的变形例。即小片20也可以不是霍尔元件而是霍尔1C。即使是这种结构，除了第一实施方式的效果(I)?(5)之外还起到第二实施方式的效果(I)?(4)。
[0103]〈其它〉
[0104]本实用新型不限于以上所记载的各实施方式。能够根据从业人员的知识来对各实施方式加以设计的变更等，加以这种变更等的方式也包含在本实用新型的范围内。
【权利要求】
1.一种磁传感器，其特征在于，具备: 引线框，其具有岛以及配置在该岛的周围的多个引线端子； 小片，其经由粘接层安装在上述岛上；以及 多个导线，其将上述小片所具有的多个电极部与上述多个引线端子分别电连接， 其中，上述多个引线端子包含电连接在上述岛的岛端子，且上述粘接层是使上述岛与上述小片之间绝缘的绝缘粘接层。
2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于， 上述绝缘粘接层中的介于上述岛与上述小片之间的部分的厚度至少为2 μ m以上。
3.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于， 上述小片的厚度为0.12mm以下。
4.根据权利要求1~3中的任一项所述的磁传感器，其特征在于， 上述引线端子具备: 上述岛端子； 第一引线端子，其与上述岛端子以夹持上述岛的方式相对置； 第二引线端子；以及 第三引线端子，其与上述第二引线端子以夹持上述岛的方式相对置。
5.根据权利要求4所述的磁传感器，其特征在于， 上述岛端子接地， 上述第一引线端子与电源连接， 上述第二引线端子和上述第三引线端子与输出端子连接。
6.一种磁传感器装置，其特征在于，具备: 根据权利要求4所述的磁传感器；以及 印刷基板， 其中，上述印刷基板的地端子与上述磁传感器的上述岛端子连接，上述印刷基板的电源端子与上述磁传感器的上述第一引线端子连接。
7.—种磁传感器装置，其特征在于，具备: 根据权利要求5所述的磁传感器；以及 印刷基板， 其中，上述印刷基板的地端子与上述磁传感器的上述岛端子连接，上述印刷基板的电源端子与上述磁传感器的上述第一引线端子连接。
8.—种磁传感器装置，其特征在于，具备: 根据权利要求4所述的磁传感器；以及 印刷基板， 其中，上述印刷基板的地端子与上述磁传感器的上述第一引线端子连接，上述印刷基板的电源端子与上述磁传感器的上述岛端子连接。
9.一种磁传感器装置，其特征在于，具备: 根据权利要求5所述的磁传感器；以及 印刷基板， 其中，上述印刷基板的地端子与上述磁传感器的上述第一引线端子连接，上述印刷基板的电源端子与上述 磁传感器的上述岛端子连接。
【文档编号】H01L43/06GK203536475SQ201320665569
【公开日】2014年4月9日 申请日期:2013年10月25日 优先权日:2012年10月26日
【发明者】福中敏昭, 长谷川秀则 申请人:旭化成微电子株式会社
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