一种用于led灯的高光效led芯片的利记博彩app
【专利摘要】本实用新型涉及以半导体为特征的基本电气元件【技术领域】，具体是一种用于LED灯的高光效LED芯片，LED芯片为多层结构，衬底和LED芯片多层结构各层的横截面形状均为正三角形，LED芯片顶层为荧光粉层，荧光粉层上设有正电极，荧光粉层下部为透明导电层，透明导电层下部依次为P型外延层、多层量子阱及N型外延层，N型外延层上设有负电极，N型外延层底部为衬底，衬底为蓝宝石，本实用新型的蓝宝石衬底为图形化蓝宝石衬底，均匀性好，LED芯片的各层横截面为正三角形，在切割时由于各侧边均与解理面平行故切割效果更好，同时也更节省材料成本。另外，荧光粉层也可大幅提升发光效果，有效降低外延位错提高外延层的结晶质量，使发光效率得到最大化的提升。
【专利说明】—种用于LED灯的高光效LED芯片
[【技术领域】]
[0001]本实用新型涉及以半导体为特征的基本电气元件【技术领域】，具体是一种用于LED灯的高光效LED芯片。
[【背景技术】]
[0002]LED又名发光二极管简称为，其是由镓(Ga)与砷(AS)、磷(P)的化合物制成的二极管，当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。随着环保科技的蓬勃发展，LED也越来越广泛地被普及应用到各个领域及产品中。LED的核心发光体为LED芯片，现有技术中的LED产品种类繁多，但大多存在着发光效率不够理想、制造成本浪费等不足，其主要原因在于芯片结构及材质上的不足，如衬底均匀性不佳，或芯片大多采用正方形切割从而造成外形不利于电流有效扩展、材料浪费及外延位错等。
[实用新型内容]
[0003]本实用新型的目的就是为了解决现有技术中LED芯片结构不够完善等不足和缺陷，提供一种结构新颖、安全可靠，可有效提高LED芯片发光效率且节省成本的高光效LED
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[0004]为实现上述目的，提供一种用于LED灯的高光效LED芯片，包括衬底，其特征在于所述的LED芯片为多层结构，所述的衬底和LED芯片多层结构各层的横截面形状均为正三角形，所述LED芯片的顶层为荧光粉层8，荧光粉层上设有正电极7，荧光粉层下层为透明导电层6，所述的透明导电层下部依次为P型外延层5、多层量子阱4以及N型外延层3，所述的N型外延层上设有负电极2，N型外延层底部为衬底1，所述的衬底为蓝宝石，蓝宝石衬底上设有若干凸块。
[0005]所述的蓝宝石衬底材质为AL203。
[0006]所述的透明导电层为铟锡氧化物半导体。
[0007]所述的正电极和负电极的材质为铬合金。
[0008]所述的凸块形状为圆形或锥形。
[0009]所述的N型外延层和P型外延层为氮化镓层。
[0010]所述的突光粉层的突光粉颜色与LED芯片发出的光线颜色一致。
[0011]本实用新型同现有技术相比，其优点在于:本实用新型的蓝宝石衬底为图形化蓝宝石衬底，其均匀性好。其次，本实用新型LED芯片的各层横截面为正三角形，在切割时由于各侧边均与解理面平行故切割效果更好，同时也更节省材料成本。另外，本实用新型的荧光粉层也可大幅提升发光效果，荧光粉层的荧光粉颜色可根据LED芯片的自身发光颜色调整。采用本实用新型的LED芯片结构能有效地降低外延位错提高外延层的结晶质量，使LED芯片的发光效率得到最大化的提升。[【专利附图】
【附图说明】]
[0012]图1是本实用新型的主要结构示意图；
[0013]图2是本实用新型实施例中蓝宝石衬底采用锥形结构的示意图；
[0014]如图所示，图中:1.衬底2.负电极3.N型外延层4.多层量子阱5.P型外延层6.透明导电层7.正电极8.突光粉层；
[0015]指定图1为本实用新型的摘要附图。
[【具体实施方式】]
[0016]下面结合附图对本实用新型作进一步说明，这种装置的结构和原理对本专业的人来说是非常清楚的。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0017]本实用新型为一种高光效的LED芯片，其具有节省成本、发光效率好的特点，如图1所示，LED芯片为多层结构，所述的衬底和LED芯片多层结构各层的横截面形状均为正三角形，LED芯片的顶层为荧光粉层8，荧光粉层上设有正电极7，荧光粉层下层为透明导电层6，透明导电层为铟锡氧化物半导体，透明导电层下层依次为P型外延层5、多层量子阱4以及N型外延层3，N型外延层上设有负电极2，N型外延层底部为衬底1，衬底为蓝宝石衬底，蓝宝石衬底材质为AL2O3。多层量子阱即为多量子阱是在由2种不同半导体材料薄层交替生长形成的多层结构中，如果势垒层足够厚，以致相邻势阱之间载流子波函数之间耦合很小，则多层结构将形成许多分离的量子阱，称为多量子阱(MQW)。其中本实用新型的量子阱主要结构优选为由两层砷化铝之间夹设砷化镓的结构构成。本实用新型LED芯片的各层横截面均为正三角形，这种结构可在减少浪费的同时保证切割效果及使用过程中的电流稳定及均匀。本实用新型的蓝宝石衬底通过使用半导体工艺在蓝宝石衬底上制备出特殊的图形结构，即本蓝宝石衬底上的若干凸块，凸块形状为不规则形，优选圆形或锥形，该凸块可降低外延层的位错缺陷提供外延层结晶质量，同时多个微型反射面的存在也有利于提高LED芯片的发光效率。
【权利要求】
1.一种用于LED灯的高光效LED芯片，包括衬底，其特征在于所述的LED芯片为多层结构，所述的衬底和LED芯片多层结构各层的横截面形状均为正三角形，所述LED芯片的顶层为荧光粉层(8)，荧光粉层上设有正电极(7)，荧光粉层下层为透明导电层(6)，所述的透明导电层下部依次为P型外延层(5)、多层量子阱(4)以及N型外延层(3)，所述的N型外延层上设有负电极(2)，N型外延层底部为衬底(I )，所述的衬底为蓝宝石，蓝宝石衬底上设有若干凸块。
2.如权利要求1所述的一种用于LED灯的高光效LED芯片，其特征在于所述的蓝宝石衬底材质为AL2O3。
3.如权利要求1所述的一种用于LED灯的高光效LED芯片，其特征在于所述的透明导电层为铟锡氧化物半导体。
4.如权利要求1所述的一种用于LED灯的高光效LED芯片，其特征在于所述的正电极和负电极的材质为铬合金。
5.如权利要求1所述的一种用于LED灯的高光效LED芯片，其特征在于所述的凸块形状为圆形或锥形。
6.如权利要求1所述的一种用于LED灯的高光效LED芯片,其特征在于所述的N型外延层和P型外延层为氮化镓层。
7.如权利要求1所述的一种用于LED灯的高光效LED芯片,其特征在于所述的突光粉层的荧光粉颜色与LED芯片发出的光线颜色一致。
【文档编号】H01L33/50GK203503698SQ201320614205
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年9月30日 优先权日:2013年9月30日
【发明者】林宇杰, 董庆安, 杨辉, 吴伟 申请人:上海博恩世通光电股份有限公司