用于有机发光二极管处理的掩模的利记博彩app
【专利摘要】本实用新型涉及铁镍合金涂层的改进。本实用新型的实施方式通常提供在用于OLED制造的CVD腔室中使用的掩模。掩模由涂有氧化物材料的镍铁合金制成，所述氧化物材料诸如为氧化铁(III)(Fe3O4)或氧化钇(Y2O3)。
【专利说明】用于有机发光二极管处理的掩模
【技术领域】
[0001]本实用新型的实施方式通常涉及掩模，且本实用新型的实施方式特别地涉及在用于有机发光二极管(OLED)制造的化学气相沉积(CVD)腔室中使用的铁镍合金掩模。
【背景技术】
[0002]基板处理腔室提供各种各样的功能。通常，当在基板上沉积介电层时，来自沉积工艺的残留物聚集在处理腔室的侧壁及其他表面上。处理腔室中的一种具有残留物沉积于上的元件是掩模。这些沉积会变得易碎且沾污基板表面。因为腔室通常是用于快速处理基板的集成工具的一部分，所以腔室和腔室元件的维护和清洗必须需要最少的时间。为了降低沾污的可能性且从而提高腔室的产量，需要有效和及时地清洗腔室和腔室元件的表面。
[0003]当前，用于从腔室元件的表面除去含硅或碳沉积物的机制包括远程等离子体清洗、原位RF等离子体清洗，或RF辅助远程等离子体清洗。基于含氟气体化学剂的远程等离子体可用于清洗腔室元件表面。例如，可远程地点燃诸如NF3的清洗气体成为等离子体，并且来自引入到腔室中的等离子体的自由基蚀刻掉沉积在腔室和腔室元件表面上的薄膜。
[0004]需要在高效腔室清洗与有效腔室清洗之间取得平衡。虽然一些清洗化学剂有利于清洗腔室元件，但是所述清洗化学剂可能实际上与腔室元件自身反应且从而损坏腔室元件。在本【技术领域】中存在对于在腔室清洗期间将不会被损坏的腔室元件的需要，所述腔室元件诸如掩模。
实用新型内容
[0005]本实用新型的实施方式通常提供在用于OLED制造的CVD腔室中使用的掩模。掩模由涂有氧化物材料的镍铁合金制成，所述氧化物材料诸如为氧化铁(In) (Fe3O4)或氧化钇(Y2O3)。
[0006]在一个实施方式中，公开了用于有机发光二极管处理的掩模。所述掩模具有涂有Fe3O4或Y2O3的镍铁合金体。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]因此，以可详细地理解本实用新型的上述特征的方式，可参考实施方式获得上文简要概述的本实用新型的更特定描述，所述实施方式中的一些实施方式图示在附图中。然而，应注意，附图仅图示本实用新型的典型实施方式且因此不将附图视为限制本实用新型的范畴，因为本实用新型可允许其他同等有效的实施方式。
[0008]图1是根据本实用新型的一个实施方式的具有用于OLED处理的处理腔室的剖视图。
[0009]图2是根据本实用新型的一个实施方式的掩模的上视图。
[0010]为了便于理解，在可能的情况下，已使用相同元件符号来指定对诸图共用的相同元件。可以预期，在一个实施方式中公开的元件可在无需特定叙述的情况下有利地用于其他实施方式。
【具体实施方式】
[0011]本实用新型的实施方式通常提供在用于OLED制造的CVD腔室中使用的掩模。掩模是由涂有氧化物材料的镍铁合金制成，所述氧化物材料诸如氧化铁(In) (Fe3O4)或氧化钇(Y2O3)。
[0012]本实用新型在下文中说明性地描述为用于处理系统中，所述处理系统诸如可从 AKT America 获得的 CVD 系统，AKT America 是 Santa Clara, California 的 AppliedMaterials, Inc.的分支机构。然而，应理解，本实用新型在其他系统配置中也有所应用，所述其他系统配置包括由其他制造商销售的那些系统配置。
[0013]图1是根据一个实施方式的CVD设备100的示意剖视图。设备100包括腔室主体102，所述腔室主体102具有通过一个或多个壁的开口 104，以允许一个或多个基板106和掩模108被插入到所述腔室主体102中。在处理期间，基板106被布置在与扩散器112相对的基板支持件110上，所述扩散器112具有穿通所述扩散器112的一个或多个开口 114，以允许处理气体进入在扩散器112和基板106之间的处理空间116。
[0014]掩模108可用于覆盖基板140的区域，其中所述区域上不允许沉积材料。掩模108被布置在多个运动对准元件168上，且遮蔽结构128被布置在突出部130上，所述突出部130自腔室主体102的一个或多个内壁延伸出。基板106被布置在基板支持件110上。在处理之前，掩模108由多个运动对准元件与基板106对准且掩模108由致动器124下降到基板106上。然后，基板支持件110在杆件126上上升，直到遮蔽结构128接触掩模108为止。基板支持件110继续上升，直到基板106、掩模108和遮蔽结构128布置在与扩散器112相对的处理位置中为止。然后，处理气体被从一个或多个气体源132传递通过形成在背板134中的开口，同时将偏压提供到扩散器。
[0015]在若干次处理循环之后，来自沉积工艺的残留物聚集在CVD设备100的侧壁及其他表面上。在一个实施方式中，诸如氮化硅的介电材料作为OLED装置的封装材料沉积在基板140上，且介电材料也可聚集在CVD设备100的侧壁及其他表面上。为了从CVD设备100的表面和诸如掩模108和遮蔽结构128的元件的表面除去介电材料，可进行基于氟化学剂的等离子蚀刻。在一个实施方式中，CVD设备100是等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备。在基于等离子体的清洗工艺期间，遮蔽结构128被置于突出部130上，且掩模108被置于对准元件168上，同时将基板140从CVD设备100中除去。掩模108的表面被暴露于氟自由基，所述氟自由基蚀刻掉置于掩模108的表面上的电介质堆积。
[0016]图2是根据本实用新型的一个实施方式的掩模108的上视图。掩模108具有由镍铁合金制成的主体，所述镍铁合金具有低热膨胀系数。在一个实施方式中，铁镍合金具有36.5%的镍和63.5%的铁。可将诸如钴和/或铬的其他元素添加到镍铁合金以形成掩模108的主体。在一个实施方式中，将5%的钴添加到镍铁合金。在另一实施方式中，将11%的钴和铬添加到镍铁合金。掩模108的主体具有约100微米的厚度(到纸中的方向)。掩模108具有多个开口 202。在基板处理期间，多个装置可形成在单个基板上。在显示器领域，多个显不屏幕可形成在大的玻璃基板上。在一个实施方式中，玻璃基板具有73cm的宽度和92cm的长度。基板可大到具有220cm的宽度和250cm的长度或更大的大小。掩模108比基板稍大。在一个实施方式中，掩模108具有80cm的宽度和90cm的长度。在图2中，宽度是由“W”表示且长度是由“L”表示。在另一实施方式中，掩模108具有92.5cm的宽度和144cm的长度。基板形状不限于矩形。每一开口 202的大小可对应于来自在基板上形成的多个显示屏幕的显示屏幕的大小。在掩模108中的开口 202的大小和开口 202的数目根据将制造的产品而不同。例如，与大的电视显示屏制造相比，移动电话显示屏制造中的开口202的大小可较小且开口 202的数目可更多。在一个实施方式中，在掩模108中存在60个的80cmX90cm开口 202。如图2中所示，开口 202是矩形。然而，开口 202不限于矩形形状。
[0017]在操作期间，在许多次沉积循环之后，可将掩模108暴露于含氟等离子体，以便沉积在掩模108上的材料可被除去。在掩模108上的传统Teflon:?涂层是在清洗工艺期间通过氟自由基蚀刻掉，且可将掩模108每3小时重新涂布或丢弃。为了延长所述掩模108在需要重新涂布之前的使用时间，用诸如Fe3O4或Y2O3的氧化物涂布掩模108。诸如Fe3O4或Y2O3涂层的氧化物涂层比诸如Teflon?的聚合物具有更好的等离子体耐受性。通过使用氧化物涂层，掩模108的使用时间增加了一倍。在一个实施方式中，使用时间已从3小时延长到6小时。因为掩模108的整个表面可能在清洗工艺期间暴露于氟自由基，所以掩模108的整个表面涂布有氧化物。涂层厚度从约I微米到约10微米的范围变化。具有氧化物涂层的掩模108的表面可光滑且可具有小于或等于0.8微米，诸如在0.3微米和0.8微米之间的表面粗糙度(Ra)。在掩模108上的氧化物涂层可具有与布置在所述掩模108之下的镍铁合金材料相同的表面反射。在一个实施方式中，有氧化物涂层的掩模108的表面具有在约12%和约14%之间的光泽度。具有氧化物涂层的掩模108的表面硬度可在300Hv至500Hv之间。诸如喷丸处理或喷砂的方法可用于处理具有氧化物涂层的掩模108的表面。在一个实施方式中，有Fe3O4涂层的掩模108具有灰色或黑色。
[0018]各种涂布方法可用于在掩模108上形成氧化物涂层。在一个实施方式中，使用三步涂布工艺以在由镍铁合金制成的掩模108上形成Fe3O4涂层。在步骤I处，将掩模108的表面氧化以形成氧化铁(II) (Fe2O3)层。在步骤2处，将掩模108浸入氢氧化钠浴之中以进行溶解工艺。在步骤3处，将在掩模108上的层还原以形成Fe3O4涂层。在溶解步骤期间的氢氧化钠浴的温度可在100摄氏度和140摄氏度之间，诸如在115摄氏度和120摄氏度之间。小于100摄氏度和大于140摄氏度的温度可引起Fe3O4涂层的表面粒状化且不光滑。
[0019]总之，本实用新型公开了在用于OLED处理的CVD腔室中使用的掩模。掩模由涂布有Fe3O4或Y2O3的镍铁合金制成。氧化物涂层提高等离子体耐受性，以便当掩模暴露于诸如氟自由基的清洗剂时，掩模的使用时间可延长。
[0020]虽然前述内容是针对本实用新型的实施方式，但是可在不背离本实用新型的基本范围的情况下设计本实用新型的其他和进一步实施方式，且本实用新型的范围是由所述权利要求书所决定的。
【权利要求】
1.一种用于有机发光二极管处理的掩模，其特征在于，包括: 镍铁合金体；以及 氧化铁(III)或氧化钇涂层。
2.如权利要求1所述的掩模，其中所述氧化铁(III)涂层具有从约0.3微米到约0.8微米的粗糙度范围。
3.如权利要求1所述的掩模，其中所述掩模用于薄膜封装工艺中。
4.如权利要求1所述的掩模，其中所述氧化铁(III)涂层是灰色。
5.如权利要求1所述的掩模，进一步包括形成在所述掩模中的多个开口。
6.如权利要求5所述的掩模,其中在所述掩模中形成60个开口。
7.如权利要求1所述的掩模，其中所述氧化铁(III)涂层具有从约I微米到约10微米的厚度范围。
8.如权利要求1所述的掩模，其中所述掩模具有约90cm的长度和约80cm的宽度。
9.如权利要求1所述的掩模，其中所述掩模具有约144cm的长度和约92.5cm的宽度。
10.如权利要求1所述的掩模，其中所述掩模的所述镍铁合金体具有约100微米的厚度。
11.如权利要求1所述的掩模，其中所述镍铁合金体的整个表面涂布有氧化铁(III)或氧化钇。
【文档编号】H01L51/54GK203932122SQ201320582101
【公开日】2014年11月5日 申请日期:2013年9月18日 优先权日:2012年9月18日
【发明者】森育雄, 陈志坚, 栗田真一 申请人:应用材料公司