晶圆缺陷分析系统的利记博彩app
【专利摘要】本发明提供一种晶圆缺陷分析系统，包括：晶圆缺陷扫描库，用于存储设定时间内的晶圆扫描机台扫描的晶圆的缺陷扫描图，缺陷位置获取单元用于对所述位置信息进行排序，缺陷位置匹配单元用于对一个晶圆的缺陷扫描图中的一个缺陷的位置信息与另一个晶圆的缺陷扫描图的一个缺陷的位置信息进行匹配，并标记匹配组；缺陷组分析单元用获得缺陷组的位置信息；缺陷组关联性分析单元，用于对两个晶圆之间的缺陷组的位置信息进行关联性分析，缺陷标记单元用于将存在关联性的缺陷在缺陷扫描图中高亮显示。本发明能够对晶圆缺陷扫描图能够分析，将存在关联性的缺陷高亮标出，便于对晶圆特定位置相同缺陷的情况进行及时的排查，节约人力和时间。
【专利说明】晶圆缺陷分析系统
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体技术制造【技术领域】，特别涉及晶圆缺陷分析系统。
【背景技术】
[0002]目前，半导体制造业由于某些工艺机台的工艺时间很短，一旦出现由于机台异常造成工艺偏差的情况，很容易造成大量晶圆出现特定相同位置的缺陷，即连续通过此工艺机台的晶圆都会在同一位置产生缺陷。比如光刻机的单点失焦缺陷、晶圆支撑柱偏差造成的色差缺陷等等。这些工艺偏差机台往往在初期产生的缺陷晶圆上不易被发现，在持续一段时间后，持续影响大量晶圆，直到缺陷数量和影响范围慢慢变大才会被发现。现有技术通常是派遣工程师每隔一段时间对扫描过的全部晶圆进行一次检查，找出其中可能存在的特定相同位置缺陷的情况，由于是人工判断和人工操作，一是费时费力，二是容易出错。
[0003]因此，有必要提供一种晶圆缺陷分析系统，对晶圆缺陷进行分析。
【发明内容】
[0004]本发明解决的问题是提供一种晶圆缺陷分析系统，能够对晶圆缺陷扫描图能够分析，将存在关联性的缺陷高亮标出，便于对晶圆特定位置相同缺陷的情况进行及时的排查。
[0005]为解决上述问题，本发明一种晶圆缺陷分析系统，包括:
[0006]晶圆缺陷扫描库，用于存储设定时间内的晶圆扫描机台扫描的晶圆的缺陷扫描图，所述晶圆至少包括两个批次的晶圆；
[0007]缺陷位置获取单元，用于基于所述缺陷扫描图获得缺陷的位置信息，并且对所述位置信息进行排序，所述位置信息包括横坐标和纵坐标；
[0008]缺陷位置匹配单元，用于对一个晶圆的缺陷扫描图中的一个缺陷的位置信息与另一个晶圆的缺陷扫描图的一个缺陷的位置信息进行匹配，并且基于匹配结果标记匹配组；所述匹配包括:将一个晶圆的一个缺陷的位置信息的横坐标与另一个晶圆的一个缺陷的位置信息相减，获得横坐标差值；以及将一个晶圆的纵坐标与另一个晶圆的纵坐标相减，获得纵坐标差值，若所述横坐标差值和纵坐标差值的绝对值均在坐标容忍值之内，则将所述一个晶圆的缺陷扫描图中的一个缺陷与所述另一个晶圆的缺陷扫描图的一个位置缺陷标记为一个缺陷组；
[0009]缺陷组分析单元，用于基于所述缺陷位置匹配单元获得的缺陷组获得该缺陷组的位置信息，所述缺陷组的位置信息包括:缺陷组的横坐标和缺陷组的纵坐标，缺陷组的横坐标为所述缺陷组的两个缺陷的横坐标的平均值，所述缺陷组的纵坐标为所述缺陷组的两个缺陷的纵坐标的平均值；
[0010]缺陷组关联性分析单元，用于对两个晶圆之间的缺陷组的位置信息进行关联性分析，所述关联性分析包括:获得两个晶圆之间的缺陷组的位置信息的横坐标的差值和纵坐标的差值，若所述差值的绝对值小于容许关联值，则认为两个晶圆之间的缺陷组存在关联性；[0011]缺陷标记单元，用于基于缺陷组关联性分析单元之间的关联性分析结果，将存在关联性的缺陷组涉及的缺陷组对应的每一个晶圆的缺陷在缺陷扫描图中高亮显示。
[0012]可选地，所述设定时间为0.5-5小时。
[0013]可选地，所述位置信息的坐标系的零点为晶圆的圆心。
[0014]可选地，所述坐标容忍值为2-8微米。
[0015]可选地，所述容许关联值为2-8微米。
[0016]可选地，所述缺陷关联组分析单元还用于在一个晶圆的一个缺陷与另一个晶圆的多个缺陷都能够形成匹配组时，基于筛选原则从所述另一个晶圆的多个缺陷中选择一个缺陷与所述一个晶圆的一个缺陷形成匹配组。
[0017]与现有技术相比，本发明具有以下优点:
[0018]提供一种晶圆缺陷分析系统，能够对晶圆缺陷扫描图能够分析，将存在关联性的缺陷高亮标出，便于对晶圆特定位置相同缺陷的情况进行及时的排查，节约人力和时间。
【专利附图】
【附图说明】
[0019]图1是本发明的晶圆缺陷分析系统结构示意图。
【具体实施方式】
[0020]本发明解决的问题是提供一种晶圆缺陷分析系统，能够对晶圆缺陷扫描图能够分析，将存在关联性的缺陷高亮标出，便于对晶圆特定位置相同缺陷的情况进行及时的排查。
[0021]为解决上述问题，本发明一种晶圆缺陷分析系统，包括:
[0022]晶圆缺陷扫描库，用于存储设定时间内的晶圆扫描机台扫描的晶圆的缺陷扫描图，所述晶圆至少包括两个批次的晶圆；
[0023]缺陷位置获取单元，用于基于所述缺陷扫描图获得缺陷的位置信息，并且对所述位置信息进行排序，所述位置信息包括横坐标和纵坐标；
[0024]缺陷位置匹配单元，用于对一个晶圆的缺陷扫描图中的一个缺陷的位置信息与另一个晶圆的缺陷扫描图的一个缺陷的位置信息进行匹配，并且基于匹配结果标记匹配组；所述匹配包括:将一个晶圆的一个缺陷的位置信息的横坐标与另一个晶圆的一个缺陷的位置信息相减，获得横坐标差值；以及将一个晶圆的纵坐标与另一个晶圆的纵坐标相减，获得纵坐标差值，若所述横坐标差值和纵坐标差值的绝对值均在坐标容忍值之内，则将所述一个晶圆的缺陷扫描图中的一个缺陷与所述另一个晶圆的缺陷扫描图的一个位置缺陷标记为一个缺陷组；
[0025]缺陷组分析单元，用于基于所述缺陷位置匹配单元获得的缺陷组获得该缺陷组的位置信息，所述缺陷组的位置信息包括:缺陷组的横坐标和缺陷组的纵坐标，缺陷组的横坐标为所述缺陷组的两个缺陷的横坐标的平均值，所述缺陷组的纵坐标为所述缺陷组的两个缺陷的纵坐标的平均值；
[0026]缺陷组关联性分析单元，用于对两个晶圆之间的缺陷组的位置信息进行关联性分析，所述关联性分析包括:获得两个晶圆之间的缺陷组的位置信息的横坐标的差值和纵坐标的差值，若所述差值的绝对值小于容许关联值，则认为两个晶圆之间的缺陷组存在关联性；[0027]缺陷标记单元，用于基于缺陷组关联性分析单元之间的关联性分析结果，将存在关联性的缺陷组涉及的缺陷组对应的每一个晶圆的缺陷在缺陷扫描图中高亮显示。
[0028]下面结合具体实施例对本发明的技术方案进行详细的说明。为了更好地说明本发明的技术方案，请参考图1所示的本发明的晶圆缺陷分析系统结构示意图。
[0029]作为一个实施例，晶圆缺陷扫描库10中存储了设定时间内的晶圆扫描机台扫描的晶圆的缺陷扫描图，所述晶圆至少包括两个批次的晶圆。所述晶圆扫描机台为现有的晶圆扫描机台，其可以对晶圆表面进行缺陷扫描，并且获得缺陷扫描图。作为一个实施例，所述晶圆缺陷扫描图中的设定时间为0.5-5小时，例如所述设定时间可以为0.5小时、I小时、2小时、3小时、4小时甚至5小时，本实施例中，所述设定时间为I小时。作为一个实施例，所述晶圆扫描机台扫描的晶圆包括:第一批次的I号晶圆、第二批次的I号晶圆，第三批次的3号和4号晶圆，当然，在其他的实施例中，所述晶圆晶圆扫描机台扫描的晶圆可以为更多批次以及每一批次内可以有更多的晶圆。
[0030]缺陷位置获取单元20用于基于所述缺陷扫描图获得缺陷的位置信息，并且对所述位置信息进行排序，所述位置信息包括横坐标和纵坐标。本实施例中，所述位置信息的坐标系的零点为晶圆的圆心。当然，在其他的实施例中，所述位置信息的坐标系的零点也可以为晶圆上任意一点。作为一个实施例，所述位置信息排序的方法为:先按照缺陷的横坐标从往大的顺序对缺陷进行排列，然后按照缺陷的纵坐标从往大的顺序进行排列，当然，所述位置信息的排列方法也可以按照其他的排序方式进行，在此不做意义说明。
[0031]缺陷位置匹配单元30用于对一个晶圆的缺陷扫描图中的一个缺陷的位置信息与另一个晶圆的缺陷扫描图的一个缺陷的位置信息进行匹配，并且基于匹配结果标记匹配组。
[0032]所述缺陷关联组分析单元40还用于在一个晶圆的一个缺陷与另一个晶圆的多个缺陷都能够形成匹配组时，基于筛选原则从所述另一个晶圆的多个缺陷中选择一个缺陷与所述一个晶圆的一个缺陷形成匹配组。
[0033]作为一个实施例，本发明以I号晶圆与2晶圆的两个缺陷进行比较为例进行说明，所述匹配包括:将一个晶圆(例如第一批次的I号晶圆)的一个缺陷(缺陷1，其横坐标和纵坐标分别为Xi和Yi)的位置信息(XI，Y1)的横坐标Xi与另一个晶圆(例如第二批次的I号晶圆)的一个缺陷(缺陷2，其横坐标和纵坐标分别为X2和Y2)的位置信息X2相减，获得横坐标差值(即X1-X2);以及将一个晶圆(即第一批次的I号晶圆)的纵坐标Yl与另一个晶圆(即第二批次的I号晶圆)的纵坐标Y2相减，获得纵坐标差值(即Y1-Y2)，若所述横坐标差值的绝对值和纵坐标差值的绝对值均在坐标容忍值之内，则将所述一个晶圆的缺陷扫描图中的一个缺陷与所述另一个晶圆的缺陷扫描图的一个位置缺陷标记为一个缺陷组。所述坐标容忍值的范围为2-8微米，比如所述坐标容忍值可以为I微米、2微米、3微米、4微米、5微米、6微米、7微米、甚至8微米。通常，所述坐标容忍值越小，对于两个晶圆的位置缺陷的匹配程度要求越高，在本发明的优选实施例中，所述坐标容忍值的范围为2-5微米，比如所述坐标容忍值可以为5微米。当一个晶圆的一个缺陷与另一个晶圆的一个缺陷的X值之差的绝对值以及Y值之差的绝对值均在坐标容忍值之内，则将该两个缺陷标记为匹配组。采用这种方法将每个晶圆上的缺陷与其余所有晶圆上的缺陷进行一一匹配，标记处全部的匹配组的情况。[0034]当一个批次的一个晶圆的一个缺陷与另一个批次的一个晶圆存在多个缺陷相匹配，则计算所述一个批次的一个晶圆的一个缺陷与另一个批次的一个晶圆存在多个缺陷之间的距离，从所述另一个批次的一个晶圆的多个缺陷中选择与一个批次的一个晶圆的一个缺陷的距离最小的，与所述一个批次的一个晶圆的一个缺陷形成匹配组。当所述距离中有多个最小值，则选从所述另一个批次的一个晶圆的一个晶圆的多个晶圆的多个缺陷中选择纵坐标最大值的缺陷与所述一个批次的一个晶圆的一个缺陷形成匹配组。作为一个实施例，当若一个批次的一个晶圆(比如第一批次的I号晶圆)的缺陷I (其横坐标值为XI，纵坐标值为Yl)与另一个批次的一个晶圆(比如第二批次的2号晶圆)存在多个缺陷相匹配(比如2号晶圆上的缺陷1、缺陷2和缺陷3，其中缺陷I的横坐标和纵坐标为X2和Y2，缺陷2的横坐标和纵坐标为X3和Y3，缺陷3的横坐标和纵坐标为X4和Y4，取第二批次的2号晶圆上各个缺陷与第一批次的I号晶圆中距离最小的缺陷，与第一批次的I号晶圆组成匹配组。本实施例中，计算所述距离为:第二批次2号晶圆上的缺陷I与第一批次的I号晶圆的距离L2= V ( (X1-X2)2+(Y1-Y2)2)，第二批次2号晶圆上的缺陷2与第一批次的I号晶圆的距离L2= V ( (X1-X3)2+(Y1-Y3)2)，第二批次2号晶圆上的缺陷3与第一批次的I号晶圆的距离L3= V ( (X1-X4)2+(Y1-Y4)2)，作为一个实施例，若当上述距离L1、L2和L3中，仅有一个最小值L3，则标记第二批号2号晶圆的缺陷3与第一批次的I号晶圆的缺陷I形成匹配组；若上述距离L1、L2和L3中，存在两个最小值L2和L3，则从中选择第二批次的2号晶圆中缺陷纵坐标值较大的，与第一批次的I号晶圆的缺陷I形成匹配组。
[0035]缺陷组分析单元50用于基于所述缺陷位置匹配单元获得的缺陷组获得该缺陷组的位置信息，并且该缺陷组的位置信息用于缺陷组关联分析单元50进行关联性分析。具体地，所述缺陷组的位置信息包括:缺陷组的横坐标和缺陷组的纵坐标，缺陷组的横坐标为所述缺陷组的两个缺陷的横坐标的平均值，所述缺陷组的纵坐标为所述缺陷组的两个缺陷的纵坐标的平均值。
[0036]缺陷组关联性分析单元60用于对两个晶圆之间的缺陷组的位置信息进行关联性分析，所述关联性分析包括:获得两个晶圆之间的缺陷组的位置信息的横坐标的差值和纵坐标的差值，若所述差值的绝对值小于容许关联值，则认为两个晶圆之间的缺陷组存在关联性。所述容许关联值为2-8微米。作为优选的实施例，所述容许关联值的为2-5微米。
[0037]缺陷标记单元70，用于基于缺陷组关联性分析单元60之间的关联性分析结果，将存在关联性的缺陷组涉及的缺陷组对应的每一个晶圆的缺陷在缺陷扫描图中高亮显示。
[0038]综上，本发明提供一种晶圆缺陷分析系统，能够对晶圆缺陷扫描图能够分析，将存在关联性的缺陷高亮标出，便于对晶圆特定位置相同缺陷的情况进行及时的排查，节约人力和时间。
[0039]因此，上述较佳实施例仅为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种晶圆缺陷分析系统，其特征在于，包括: 晶圆缺陷扫描库，用于存储设定时间内的晶圆扫描机台扫描的晶圆的缺陷扫描图，所述晶圆至少包括两个批次的晶圆； 缺陷位置获取单元，用于基于所述缺陷扫描图获得缺陷的位置信息，并且对所述位置信息进行排序，所述位置信息包括横坐标和纵坐标； 缺陷位置匹配单元，用于对一个晶圆的缺陷扫描图中的一个缺陷的位置信息与另一个晶圆的缺陷扫描图的一个缺陷的位置信息进行匹配，并且基于匹配结果标记匹配组；所述匹配包括:将一个晶圆的一个缺陷的位置信息的横坐标与另一个晶圆的一个缺陷的位置信息相减，获得横坐标差值；以及将一个晶圆的纵坐标与另一个晶圆的纵坐标相减，获得纵坐标差值，若所述横坐标差值和纵坐标差值的绝对值均在坐标容忍值之内，则将所述一个晶圆的缺陷扫描图中的一个缺陷与所述另一个晶圆的缺陷扫描图的一个位置缺陷标记为一个缺陷组； 缺陷组分析单元，用于基于所述缺陷位置匹配单元获得的缺陷组获得该缺陷组的位置信息，所述缺陷组的位置信息包括:缺陷组的横坐标和缺陷组的纵坐标，缺陷组的横坐标为所述缺陷组的两个缺陷的横坐标的平均值，所述缺陷组的纵坐标为所述缺陷组的两个缺陷的纵坐标的平均值； 缺陷组关联性分析单元，用于对两个晶圆之间的缺陷组的位置信息进行关联性分析，所述关联性分析包括:获得两个晶圆之间的缺陷组的位置信息的横坐标的差值和纵坐标的差值，若所述差值的绝对值小于容许关联值，则认为两个晶圆之间的缺陷组存在关联性； 缺陷标记单元，用于基于缺陷组关联性分析单元之间的关联性分析结果，将存在关联性的缺陷组涉及的缺陷组对应的每一个晶圆的缺陷在缺陷扫描图高亮标出。
2.如权利要求1所述的晶圆缺陷分析系统，其特征在于，所述设定时间为0.5-5小时。
3.如权利要求1所述的晶圆缺陷分析系统，其特征在于，所述位置信息的坐标系的零点为晶圆的圆心。
4.如权利要求1所述的晶圆缺陷分析系统，其特征在于，所述坐标容忍值为2-8微米。
5.如权利要求1所述的晶圆缺陷分析系统，其特征在于，所述容许关联值为2-8微米。
6.如权利要求1所述的晶圆缺陷分析系统，其特征在于，所述缺陷关联组分析单元还用于在一个晶圆的一个缺陷与另一个晶圆的多个缺陷都能够形成匹配组时，基于筛选原则从所述另一个晶圆的多个缺陷中选择一个缺陷与所述一个晶圆的一个缺陷形成匹配组。
【文档编号】H01L21/67GK103531498SQ201310491945
【公开日】2014年1月22日 申请日期:2013年10月18日 优先权日:2013年10月18日
【发明者】郭贤权, 许向辉, 陈超 申请人:上海华力微电子有限公司