一种固晶材料与共晶互连的方法
【专利摘要】一种固晶材料与共晶互连的方法，该方法的步骤为：首先，将锡银铜焊料通过点胶机点在清洗过的封装基板上；然后将大功率的LED芯片放置在锡银铜焊料上；在将陶瓷基板放置于共晶平台上进行共晶加热；最后将散热片与LED器件进行互连装配。本发明将锡银铜焊料通过点胶机点在清洗过的封装基板上，利用其导热效率较普通银胶和传统的绝缘胶高1倍甚至数倍，是一种具有潜力的大功率LED低热阻固晶互连材料，由于固晶互连工艺是LED封装中最关键的工艺，LED芯片产生的热量要通过固晶传导热基板，固晶互连层热阻的大小，直接影响到LED芯片产生的热量能否及时传导至封装基板，所以利用锡银铜焊料完全可以满足照明对大功率LED的要求。
【专利说明】—种固晶材料与共晶互连的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种光电【技术领域】，特别是一种固晶材料与共晶互连的方法。
【背景技术】
[0002]共晶是指在相对较低的温度下共晶焊料发生共晶物熔合的现象，共晶合金直接从固态变到液态，而不经过塑性阶段，是一个液态同时生成两个固态的平衡反应。目前，应用较多的固晶材料主要为以小功率LED芯片固晶为主的绝缘胶，但随着照明对大功率LED的需求，LED模块功率越来越高，热量越来越集中，对散热的要求也越来越高，此时，传统的绝缘胶已无法满足对热量的传导要求，从而影响了 LED模块的性能。
【发明内容】
[0003]本发明要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提出一种可满足大功率LED需求，提高LED模块性能的固晶材料与共晶互连的方法。
[0004]本发明要解决的技术问题是通过以下技术方案实现的，一种固晶材料与共晶互连的方法，该方法的步骤为:首先，将锡银铜焊料通过点胶机点在清洗过的封装基板上，所述封装基板为陶瓷基板，在陶瓷基板的上表面镀银处理；然后将大功率的LED芯片放置在锡银铜焊料上；在将陶瓷基板放置于共晶平台上进行共晶加热，加热的最高温度为260° C以实现LED封装基板的温度达到230° C ;最后将散热片与LED器件进行互连装配。
[0005]本发明要解决的技术问题还可以通过以下技术方案来进一步实现，所述散热片包括绝缘层和设置在绝缘层底部的铝片。
[0006]本发明要解决的技术问题还可以通过以下技术方案来进一步实现，所述陶瓷基板的厚度为0.8-lmm。
[0007]本发明要解决的技术问题还可以通过以下技术方案来进一步实现，所述陶瓷基板上表面镀银的厚度为0.005-0.015mm。
[0008]与现有技术相比，本发明将锡银铜焊料通过点胶机点在清洗过的封装基板上，利用其导热效率较普通银胶和传统的绝缘胶高I倍甚至数倍，是一种具有潜力的大功率LED低热阻固晶互连材料，由于固晶互连工艺是LED封装中最关键的工艺，LED芯片产生的热量要通过固晶传导热基板，固晶互连层热阻的大小，直接影响到LED芯片产生的热量能否及时传导至封装基板，所以利用锡银铜焊料完全可以满足照明对大功率LED的要求。
【具体实施方式】
[0009]一种固晶材料与共晶互连的方法，首先，将锡银铜焊料通过点胶机点在清洗过的封装基板上，所述封装基板为陶瓷基板，在陶瓷基板的上表面镀银处理；然后将大功率的LED芯片放置在锡银铜焊料上；在将陶瓷基板放置于共晶平台上进行共晶加热，加热的最高温度为260° C以实现LED封装基板的温度达到230° C ;最后将散热片与LED器件进行互连装配。
[0010]所述散热片包括绝缘层和设置在绝缘层底部的铝片；所述陶瓷基板的厚度为0.8-lmm ;所述陶瓷基板上表面镀银的厚度为0.005-0.015mm。
【权利要求】
1.一种固晶材料与共晶互连的方法，该方法步骤为:首先，将锡银铜焊料通过点胶机点在清洗过的封装基板上，所述封装基板为陶瓷基板，在陶瓷基板的上表面镀银处理；然后将大功率的LED芯片放置在锡银铜焊料上；在将陶瓷基板放置于共晶平台上进行共晶加热，加热的最高温度为260° C以实现LED封装基板的温度达到230° C ;最后将散热片与LED器件进行互连装配。
2.根据权利要求1所述的固晶材料与共晶互连的方法，其特征在于:所述散热片包括绝缘层和设置在绝缘层底部的铝片。
3.根据权利要求1所述的固晶材料与共晶互连的方法，其特征在于:所述陶瓷基板的厚度为0.8-lmm。
4.根据权利要求1所述的固晶材料与共晶互连的方法，其特征在于:所述陶瓷基板上表面镀银的厚度为0.005-0.015mm。
【文档编号】H01L33/64GK104465971SQ201310440592
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2013年9月25日 优先权日:2013年9月25日
【发明者】刘淑娟, 何雷 申请人:江苏尚明光电有限公司