电致发光装置及其制备方法
【专利摘要】本发明实施例公开了一种电致发光装置及其制备方法，涉及显示领域，能够提升电致发光装置的可靠性，延长其使用寿命。本发明所述一种电致发光装置，包括：彩膜基板；所述彩膜基板包括：第一基板，依次设置于所述第一基板上的第一电极、有机发光层和第二电极；所述彩膜基板还包括：第一保护层和设置于所述第一保护层之上的第一连接电极；所述第一保护层设置在所述第二电极上，且包覆所述第二电极及第二电极下方的有机发光层；所述第一连接电极与所述第二电极连接。
【专利说明】电致发光装置及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示领域，尤其涉及一种电致发光装置及其制备方法。
【背景技术】
[0002]有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode, OLED),又称有机电激光显示(Organic Electroluminescence Display, 0ELD),由于同时具备自发光，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、使用温度范围广、构造及制程简单等优异特性，近来已普遍应用于移动通信终端、个人数字助理(PDA)、掌上电脑等。OLED装置分为无源矩阵型和有源矩阵型OLED装置，其中有源矩阵型OLED是指每个OLED都由薄膜晶体管(Thin FilmTransistor, TFT)电路来控制流过OLED的电流，具有发光效率高和图像显示效果好的特点。
[0003]一种现有有源矩阵型OLED显示装置如图1所示，制备时先分别形成彩膜基板10和阵列基板20，其中具体地，彩膜基板制程为:在第一基板11上依次形成彩色滤光层、平坦层13、第一电极14、有机发光层(Organic Electro-Luminescence,有机EL) 15和第二电极16，其中彩色滤光层由黑矩阵121及由黑矩阵121分隔开的色阻块122构成；阵列基板制程为:在第二基板21形成薄膜晶体管22阵列，在薄膜晶体管22阵列上覆盖一层保护层23，再在保护层23上形成连接电极24，连接电极24通过保护层23中的过孔与薄膜晶体管22的漏极电连接。最后，在彩膜基板10和阵列基板20的边缘涂敷封框胶30，将彩膜基板10、阵列基板20进行对盒，使第二电极16与阵列基板20上的连接电极24 —一对应接触，从而实现电连接。
[0004]发明人发现现有OLED显示装置中至少存在如下问题:有机发光层15直接处于彩膜基板10、阵列基板20和封框胶30围成的空间中，因封框胶30的密封效果不够，空气中的氧和水蒸汽极容易破坏有机发光层15，导致OLED显示装置的使用寿命及可靠性受到影响。
【发明内容】
[0005]本发明的实施例提供一种电致发光装置及其制备方法，能够提升电致发光装置的可靠性，延长其使用寿命。
[0006]为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案:
[0007]第一方面，本发明的实施例提供一种电致发光装置，包括:彩膜基板；所述彩膜基板包括:第一基板，依次设置于所述第一基板上的第一电极、有机发光层和第二电极；所述彩膜基板还包括:第一保护层，设置在所述第二电极上，且包覆所述第二电极及第二电极下方的有机发光层；第一连接电极，设置于所述第一保护层之上，且与所述第二电极相连接。
[0008]结合第一方面，在第一方面的第一种可能的实现方式中，在所述第一连接电极的预设位置，所述第一保护层向靠近第一连接电极的一侧凸起，形成凸台；在所述凸台处，所述第一保护层设置有第一保护层过孔；所述第一连接电极通过所述第一保护层过孔连接至所述第二电极。[0009]结合第一方面，在第一方面的第二种可能的实现方式中，所述彩膜基板还包括:设置在所述第一基板和所述第一电极之间的彩色滤光层；所述彩色滤光层包括:黑矩阵，由所述黑矩阵分隔开的色阻块；所述第二电极位于所述色阻块的对应位置，所述第一连接电极设置在所述黑矩阵的对应位置；在对应所述第一连接电极的区域，所述第一保护层向靠近第一连接电极的一侧凸起，形成凸台，且所述第一保护层在所述第二电极所在处设置有窗口，所述第二电极的部分或全部自所述窗口露出；所述第一连接电极设置在所述凸台上，且所述第一连接电极延伸至所述窗口，部分覆盖或全部覆盖所述第二电极的裸露部分。
[0010]结合第一方面的第二种或第三种可能的实现方式中，在第一方面的第四种可能的实现方式中，所述凸台的高度为1.5?2.5微米。
[0011]结合第一方面的第二种或第三种可能的实现方式，在第一方面的第五种可能的实现方式中，所述第一连接电极的厚度为0.3?I微米。
[0012]结合第一方面的任何可能的实现方式，在第一方面的第六种可能的实现方式中，所述第一保护层选用下述之一材料制成，或者下述多种材料制成的复合膜层:氮化硅，氧化娃，或者感光树脂。
[0013]可选地，所述感光树脂为:聚丙烯酸类树脂，或者聚酰亚胺类树脂，或者聚酰胺类树脂。
[0014]结合第一方面，在第一方面的第七种可能的实现方式中，所述的装置还包括:阵列基板；所述阵列基板包括:第二基板；依次设置在第二基板上的薄膜晶体管，覆盖于所述薄膜晶体管之上的保护层，以及设置在所述保护层之上的第二连接电极；所述保护层设置有保护层过孔，所述第二连接电极通过所述保护层过孔连接至所述薄膜晶体管的漏极。
[0015]结合第一方面的第七种可能的实现方式，在第一方面的第八种可能的实现方式中，所述第二连接电极与所述第一连接电极接触且电连接。
[0016]第二方面，本发明的实施例还提供一种电致发光装置的制备方法，包括:彩膜基板制程；阵列基板制程；彩膜基板和阵列基板对盒制程；所述彩膜基板制程，包括:
[0017]在第一基板上形成第一电极、有机发光层和第二电极；
[0018]在形成有第一电极、有机发光层和第二电极的第一基板上，形成第一保护层，所述第一保护层包覆所述第二电极及第二电极下方的有机发光层；
[0019]在形成有第一电极、有机发光层、第二电极和第一保护层的第一基板上，形成第一连接电极，所述第一连接电极与所述第二电极相连接。
[0020]结合第二方面，在第二方面的第一种可能的实现方式中，所述形成第一保护层，所述第一保护层包覆所述第二电极及第二电极下方的有机发光层，具体为:形成第一保护层，并通过构图工艺，在所述第一保护层上后续形成第一连接电极的预设位置形成凸台，同时在所述凸台上形成第一保护层过孔。
[0021]结合第二方面，在第二方面的第二种可能的实现方式中，所述在第一基板上形成第一电极、有机发光层和第二电极之前，还包括:形成彩色滤光层，所述彩色滤光层包括:黑矩阵，以及由所述黑矩阵分隔开的色阻块；
[0022]所述形成第一保护层，所述第一保护层包覆所述第二电极及第二电极下方的有机发光层，具体为:
[0023]形成第一保护层，并通过构图工艺，在所述第一保护层上后续形成第一连接电极的预设位置形成凸台，同时在所述第二电极所在处形成窗口，所述第二电极的部分或全部自所述窗口露出，所述第二电极位于所述色阻块的对应位置，所述第一连接电极的预设位置位于所述黑矩阵的对应位置；
[0024]所述形成第一连接电极，所述第一连接电极与所述第二电极相连接，具体为:
[0025]形成电极层，并通过构图工艺，在所述凸台上及所述第二电极的裸露部分上形成第一连接电极，所述第一连接电极部分覆盖或全部覆盖所述第二电极的裸露部分。
[0026]结合第二方面，在第二方面的第三种可能的实现方式中，所述阵列基板制程，包括:在第二基板上形成薄膜晶体管阵列；在所述薄膜晶体管阵列上形成保护层，并通过构图工艺在所述薄膜晶体管漏极的上方形成保护层过孔；在所述保护层上形成第二连接电极，所述第二连接电极通过所述保护层过孔连接至所述薄膜晶体管的漏极。
[0027]本发明的实施例提供的电致发光装置及其制备方法，将第一电极、有机发光层和第二电极，整体使用第一保护层包覆，并使第一连接电极与第二电极连接，对盒后第一连接电极和阵列基板上的薄膜晶体管相连。将第一电极、有机发光层和第二电极整体用第一保护层包覆，避免了有机发光层的暴露，因此本发明的实施例提供的电致发光装置及其制备方法，可防止水和氧破坏有机发光层，从而可提升电致发光装置的可靠性，延长其使用寿命O
【专利附图】
【附图说明】
[0028]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0029]图1为现有有源矩阵型OLED显示装置的结构示意图；
[0030]图2为本发明实施例一提供的电致发光显示装置的结构示意图一；
[0031]图3为本发明实施例一提供的电致发光显示装置的结构示意图二 ；
[0032]图4为本发明实施例一提供的电致发光显示装置的结构示意图三；
[0033]图5为本发明实施例一提供的电致发光显示装置的结构示意图四；
[0034]图6为本发明实施例二提供的电致发光显示装置制备方法中彩膜基板的制备流程图；
[0035]图7 Ca)为本发明实施例二中彩膜基板在形成保护层之前的结构示意图；
[0036]图7 (b)为本发明实施例二中彩膜基板上形成保护层的结构示意图一；
[0037]图7 (c)为本发明实施例二中彩膜基板上形成保护层的结构示意图二。
[0038]附图标记
[0039]10-彩膜基板，11-第一基板，121-黑矩阵，122-色阻块，13-平坦层，
[0040]14-第一电极,15-有机发光层，16-第二电极,20-阵列基板,21-第二基板，
[0041]22-薄膜晶体管，23-保护层，24-连接电极，30-封框胶，
[0042]17-第一保护层，171-凸台，172-第一保护层过孔，18-第一连接电极，
[0043]231-保护层过孔，232-第二凸台，25-第二连接电极。【具体实施方式】
[0044]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
[0045]本实施例叙述中的“第一”、“第二”仅出于叙述中方便区分而引入，并不具有其他意义，例如“第一基板”和第二基板”均指基板，并无差别。
[0046]实施例一
[0047]本发明实施例提供一种电致发光装置，如图2所示，该装置包括:彩膜基板10和阵列基板20 ;彩膜基板10包括:第一基板11，依次设置于第一基板11上的彩色滤光层、平坦层13、第一电极14、有机发光层15和第二电极16 ;彩膜基板10还包括:第一保护层17,设置在第二电极16上,且包覆第二电极16及第二电极16下方的有机发光层15 ;第一连接电极18，设置于第一保护层17之上，且18与第二电极16相连接。
[0048]本实施例中在形成有第一电极14、有机发光层15和第二电极16的基板上,整个覆盖一层第一保护层17,意即用第一保护层17将第二电极16及第二电极16下方的有机发光层15整个包覆，保证有机发光层15没有任何部分暴露在外；第一保护层17之上设置有第一连接电极18，第一连接电极18通过第一保护层17内的第一保护层过孔172与第二电极16连接。
[0049]本实施例中用第一保护层17将第二电极16及第二电极16下方的有机发光层15整个包覆，可防止水和氧破坏有机发光层15，从而可提升电致发光装置的可靠性，延长其使用寿命。
[0050]如图3所示，在本实施例的一种优选的实施方式中，在第一连接电极18的预设位置，第一保护层17向靠近第一连接电极18的一侧凸起，形成凸台171 ;第一保护层过孔172位于凸台171上，第一连接电极18通过第一保护层过孔172连接至第二电极16。
[0051]本实施例将第一保护层17做成凸台形状，同时在凸台171上开设第一保护层过孔172，每一凸台171上设置一第一连接电极18，第一连接电极18通过第一保护层过孔172与第二电极16相连。其中，凸台171及第一连接电极18的位置与阵列基板上一用以驱动的薄膜晶体管相对应。
[0052]为便于理解，在此补充以下资料:如图3所示，本实施例中的电致发光装置还包括:阵列基板20 ;阵列基板20包括:第二基板21，第二基板21上依次设置有薄膜晶体管22，覆盖于薄膜晶体管22之上的保护层23，以及设置在保护层23之上的第二连接电极25 ；保护层23设置有保护层过孔231，第二连接电极25通过保护层过孔231连接至薄膜晶体管22的漏极。在彩膜基板10或阵列基板20的边缘涂敷封框胶30，将彩膜基板10、阵列基板20进行对盒形成电致发光装置，对盒后第二连接电极25与第一连接电极18接触且电连接，从而将用以驱动的薄膜晶体管22和第二电极16连接。
[0053]需要说明的是，阵列基板20上设置有TFT电路(驱动电路)，用以对OELD实现驱动和补偿作用。本实施例中通过对盒时第一、第二连接电极的对接，从而实现驱动电路和发光器件的电连接。所述TFT电路至少包括一用以驱动的薄膜晶体管22，但TFT电路的具体实现方式与本发明并无直接关系，也不影响本发明的实施效果，因此，本发明实施例对TFT电路的实现方式不做限定，可以是本领域技术人员所熟知的任意实现方式。
[0054]本实施例的凸台设计可垫高第一连接电极18,对盒后承力点在第一连接电极18和第二连接电极25的接触面上，因此可提升第一连接电极18和第二连接电极25电连接的可靠性；另一方面，通过凸台将第一连接电极18垫高，同时第一保护层17包覆有机发光层15，可避免对盒过程中及对盒后彩膜基板与阵列基板相互挤压或摩擦，对有机发光层15造成损伤。
[0055]如图4所示，本实施例还提供第二种优选的实施方式，在该种实施方式中，彩色滤光层包括:黑矩阵121，由黑矩阵121分隔开的色阻块122 ;第二电极16位于色阻块122的对应位置，第一连接电极18设置在黑矩阵121的对应位置；在对应第一连接电极18的区域，第一保护层17向靠近第一连接电极的一侧凸起，形成凸台171，且第一保护层17在第二电极16处设置有窗口 173，第二电极16的部分或全部自窗口 173露出；第一连接电极18设置在凸台171上，且第一连接电极18延伸至窗口 173，部分覆盖或全部覆盖第二电极16的裸露部分。
[0056]其中，本实施例所述色阻块122包括但不限于红/绿/蓝色块(R/G/B)，本实施例中的窗口 173位于彩色滤光层中色阻块122的对应区域，凸台171位于黑矩阵121的对应区域，对盒时第二连接电极25与凸台171上的第一连接电极18接触且电连接，对盒后承力点在凸台171上，因此，本实施例的凸台设计，可进一步降低色阻块122对应区域(像素区域)有机发光层15的受力，从而更好地保护有机发光层15。
[0057]进一步地，如图5所示，阵列基板20上，在第二连接电极25对应区域，保护层23向靠近第二连接电极25的一侧凸起，形成第二凸台232 ;保护层过孔231设置在第二凸台232上。第二连接电极25通过第二凸台232垫高，可避免因对盒过程中及对盒后，因彩膜基板10与阵列基板20相互挤压或摩擦，对薄膜晶体管阵列造成损伤，提高良品率。
[0058]其中，第一保护层17选用下述之一材料制成，或者下述多种材料制成的复合膜层:氮化硅，氧化硅，或者感光树脂，所述感光树脂可为:聚丙烯酸类树脂，或者聚酰亚胺类树脂，或者聚酰胺类树脂。例如，先形成氮化硅膜层，再在氮化硅膜层上形成氧化硅膜层，氮化娃膜层和氧化娃膜层共同构成第一保护层17。
[0059]其中，所述凸台172的高度为1.5?2.5微米。第一连接电极18的厚度为0.3?I微米。由于凸台的垫高作用，第一连接电极18及第二连接电极25可制备的薄一些,缩短成膜时间和刻蚀时间，从而简化工艺，提升生产效率。
[0060]本实施例所述电致发光装置，一方面可防止水和氧破坏有机发光层，从而提升电致发光装置的可靠性，延长其使用寿命；另一方面，可避免彩膜基板与阵列基板相互挤压或摩擦导致的不良，提高产品的良品率。所述电致显示装置可以为:液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0061]实施例二
[0062]本发明实施例还提供一种电致发光装置的制备方法，该方法包括:彩膜基板制程，阵列基板制程，彩膜基板和阵列基板对盒制程；如图6所示，彩膜基板制程包括:
[0063]101、在第一基板11上形成第一电极14、有机发光层15和第二电极16 ；
[0064]如图7 (a)所示，本实施例在彩膜基板的基板(即第一基板11)依次形成彩色滤光层、平坦层13、第一电极14、有机发光层15和第二电极16，具体过程可参考现有技术，在此不再赘述。
[0065]102、在形成有第一电极14、有机发光层15和第二电极16的第一基板上,形成第一保护层17,第一保护层17包覆第二电极16及第二电极16下方的有机发光层15,如图7(b)所示；
[0066]本实施例第一保护层17可选用氮化硅，氧化硅，或者感光树脂中的任意材料制成，或者由上述材料中的多种制成复合膜层，优选地，第一保护层17选用感光树脂，选用感光树脂一方面成膜简单，另一方面在形成第一保护层过孔172时，只需经过曝光、显影即可。
[0067]103、在形成有第一电极14、有机发光层15、第二电极16和第一保护层17的第一基板上，形成第一连接电极18，第一连接电极18与第二电极16 (例如，通过第一保护层过孔172)相连接，参照图2、图3所示。
[0068]本实施例提供一种电致发光装置的制备方法，使用第一保护层17将第二电极16及第二电极16下方的有机发光层15整个包覆，保证有机发光层15没有任何部分暴露在夕卜，可防止水和氧破坏有机发光层15，从而可提升电致发光装置的可靠性，延长其使用寿命O
[0069]一种优选的实施方式中，可将第一保护层17设置成做出凸台形状，如图7(c)所示，这时，步骤102形成第一保护层17，具体包括:
[0070]步骤一、形成第一保护层17 ；
[0071]步骤二、通过构图工艺，在第一保护层17上后续形成第一连接电极18的预设位置形成凸台171，同时在凸台171上形成第一保护层过孔172。
[0072]在第二种优选的实施方式中，参照图4所示，步骤101在第一基板上形成第一电极、有机发光层和第二电极之前，还包括:形成彩色滤光层，所述彩色滤光层包括:黑矩阵121，以及由所述黑矩阵121分隔开的色阻块122 ;步骤102具体为:形成第一保护层17，并通过构图工艺，在第一保护层17上后续形成第一连接电极18的预设位置形成凸台171，同时在第二电极16所在处形成窗口 173，第二电极16的部分或全部自窗口 173露出，第二电极16位于色阻块122的对应位置，第一连接电极18的预设位置位于黑矩阵121的对应位置；步骤103具体为:形成电极层，并通过构图工艺，在凸台171上及第二电极16的裸露部分上形成第一连接电极18，第一连接电极18部分覆盖或全部覆盖第二电极16的裸露部分。以第一保护层采用光刻胶(感光树脂中的一种)为例，具体步骤如下:
[0073]步骤一、在彩膜基板上制备第一电极14、有机发光层15、第二电极16，并在第二电极16上涂覆感光树脂，通过曝光、显影的工艺在后续形成第一连接电极的预设位置制备出凸台171，同时在第二电极16所在处形成窗口 173 ；
[0074]步骤二、制备电极层，然后采用涂覆光刻胶，曝光、显影、刻蚀、去除光刻胶等图案化工艺，在凸台171上及第二电极16的裸露部分上形成第一连接电极18 ;第一连接电极18部分覆盖或全部覆盖凸台171及第二电极16自窗口 173处裸露出的部分，从而第一连接电极18与第二电极16实现电连接，其中所述的电极层一般为金属膜，包括但不限于铜、钥、锡、招、银等。
[0075]本实施例将第一保护层17设置成凸台形状，可避免彩膜基板与阵列基板相互挤压或摩擦导致的不良，提高产品的良品率。
[0076]参照图2所示，本实施例所述阵列基板制程，包括:步骤一、形成薄膜晶体管22阵列；步骤二、在薄膜晶体管22阵列上形成保护层23，并通过构图工艺在薄膜晶体管22漏极的上方形成保护层过孔232 ;步骤三、在保护层上形成第二连接电极25，第二连接电极25通过保护层23过孔连接至薄膜晶体管22的漏极。
[0077]进一步地，本实施例还可将保护层23设置成凸台形状，第二连接电极25通过第二凸台232垫高，以避免对盒过程中及对盒后，因彩膜基板10与阵列基板20相互挤压或摩擦对薄膜晶体管阵列造成损伤，提高良品率。参照图5所示，在薄膜晶体管22阵列上形成保护层23，具体可包括:形成保护层17 ;通过构图工艺，在保护层23上后续形成第二连接电极25的预设位置形成第二凸台232，同时在第二凸台232上薄膜晶体管22漏极的对应位置，形成保护层过孔231。
[0078]完成彩膜基板制程和阵列基板制程后，将带有凸台的彩膜基板和阵列基板进行对盒，使阵列基板上的第二连接电极25，与位于彩膜基板凸台171上的第二连接电极18相接触，从而实现驱动电路和发光器件的电连接。
[0079]综上，本实施例提供的电致发光装置的制备方法，一方面可防止水和氧破坏有机发光层，进而提升电致发光装置的可靠性，延长其使用寿命；另一方面，可避免彩膜基板与阵列基板相互挤压或摩擦导致的不良，提高产品的良品率。
[0080]需要注意的是，本实施例中的技术特征，在不冲突的情况下可以任意组合使用。
[0081]以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本【技术领域】的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
【权利要求】
1.一种电致发光装置，包括:彩膜基板；所述彩膜基板包括:第一基板，依次设置于所述第一基板上的第一电极、有机发光层和第二电极；其特征在于，所述彩膜基板还包括: 第一保护层，设置在所述第二电极上，且包覆所述第二电极及第二电极下方的有机发光层; 第一连接电极，设置于所述第一保护层之上，且与所述第二电极相连接。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，在所述第一连接电极的预设位置，所述第一保护层向靠近第一连接电极的一侧凸起，形成凸台； 在所述凸台处，所述第一保护层设置有第一保护层过孔；所述第一连接电极通过所述第一保护层过孔连接至所述第二电极。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述彩膜基板还包括:设置在所述第一基板和所述第一电极之间的彩色滤光层；所述彩色滤光层包括:黑矩阵，由所述黑矩阵分隔开的色阻块； 所述第二电极位于所述色阻块的对应位置，所述第一连接电极设置在所述黑矩阵的对应位置； 在对应所述第一连接电极的区域，所述第一保护层向靠近第一连接电极的一侧凸起，形成凸台，且所述第一保护层在所述第二电极所在处设置有窗口，所述第二电极的部分或全部自所述窗口露出； 所述第一连接电极设置在所述凸台上，且所述第一连接电极延伸至所述窗口，部分覆盖或全部覆盖所述第二电极的裸露部分。
4.根据权利要求2或3所述的装置，其特征在于，所述凸台的高度为1.5~2.5微米。
5.根据权利要求2或.3所述的装置，其特征在于，所述第一连接电极的厚度为0.3~I微米。
6.根据权利要求1-3所述的装置，其特征在于，所述第一保护层选用下述之一材料制成，或者下述多种材料制成的复合膜层: 氮化硅，氧化硅，或者感光树脂。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述感光树脂为:聚丙烯酸类树脂，或者聚酰亚胺类树脂，或者聚酰胺类树脂。
8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括:阵列基板；所述阵列基板包括:第二基板；依次设置在第二基板上的薄膜晶体管，覆盖于所述薄膜晶体管之上的保护层，以及设置在所述保护层之上的第二连接电极； 所述保护层设置有保护层过孔，所述第二连接电极通过所述保护层过孔连接至所述薄膜晶体管的漏极。
9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述第二连接电极与所述第一连接电极接触且电连接。
10.一种电致发光装置的制备方法，包括:彩膜基板制程；阵列基板制程；彩膜基板和阵列基板对盒制程；其特征在于，所述彩膜基板制程，包括: 在第一基板上形成第一电极、有机发光层和第二电极； 在形成有第一电极、有机发光层和第二电极的第一基板上，形成第一保护层，所述第一保护层包覆所述第二电极及第二电极下方的有机发光层；在形成有第一电极、有机发光层、第二电极和第一保护层的第一基板上，形成第一连接电极，所述第一连接电极与所述第二电极相连接。
11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述形成第一保护层，所述第一保护层包覆所述第二电极及第二电极下方的有机发光层，具体为: 形成第一保护层，并通过构图工艺，在所述第一保护层上后续形成第一连接电极的预设位置形成凸台，同时在所述凸台上形成第一保护层过孔。
12.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述在第一基板上形成第一电极、有机发光层和第二电极之前，还包括:形成彩色滤光层，所述彩色滤光层包括:黑矩阵，以及由所述黑矩阵分隔开的色阻块； 所述形成第一保护层，所述第一保护层包覆所述第二电极及第二电极下方的有机发光层，具体为: 形成第一保护层，并通过构图工艺，在所述第一保护层上后续形成第一连接电极的预设位置形成凸台，同时在所述第二电极所在处形成窗口，所述第二电极的部分或全部自所述窗口露出，所述第二电极位于所述色阻块的对应位置，所述第一连接电极的预设位置位于所述黑矩阵的对应位置； 所述形成第一连接电极，所述第一连接电极与所述第二电极相连接，具体为: 形成电极层，并通过构图工艺，在所述凸台上及所述第二电极的裸露部分上形成第一连接电极，所述第一连接电极部分覆盖或全部覆盖所述第二电极的裸露部分。
13.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述阵列基板制程，包括: 在第二基板上形成薄膜晶体管阵列； 在所述薄膜晶体管阵列上形成保护层，并通过构图工艺在所述薄膜晶体管漏极的上方形成保护层过孔； 在所述保护层上形成第二连接电极，所述第二连接电极通过所述保护层过孔连接至所述薄膜晶体管的漏极。
【文档编号】H01L51/56GK103474581SQ201310436149
【公开日】2013年12月25日 申请日期:2013年9月23日 优先权日:2013年9月23日
【发明者】程鸿飞, 张玉欣 申请人:京东方科技集团股份有限公司