薄膜形成装置及利用该装置的薄膜形成方法
【专利摘要】本发明公开了薄膜形成装置和采用该装置的薄膜形成方法。所公开的薄膜形成装置包括：形成有阻断部和开放部的掩模板；以及通过该掩模板的开放部喷射蚀刻气体、以与图案相对应地蚀刻薄膜的蚀刻源；在掩模板设置有气体吹动器，其中，所述气体吹动器向开放部周围吹入气体以使得蚀刻气体不会渗透至与阻断部对应的薄膜区域。根据如上所述的构成，可以在准确地保护薄膜的正常残留区域的情况下进行准确的图案化，因此当采用上述装置或方法时，可以稳定产品的质量，并且提高生产效率。
【专利说明】薄膜形成装置及利用该装置的薄膜形成方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及通过生成沉积源的蒸汽从而在对象表面形成薄膜的薄膜形成装置，尤其涉及以等离子蚀刻方式形成图案的薄膜形成装置及使用该装置的薄膜形成方法。
【背景技术】
[0002]例如，在如形成有机发光显示装置的薄膜的工序等薄膜制造工序中，经常使用通过生成沉积源的蒸汽、并使其附着在基板表面上的沉积工序。
[0003]另外，作为以一定的图案形成薄膜的方法有:在沉积时通过使用图案掩模板，以在进行沉积的同时实施图案化的方法；以及进行沉积以使得薄膜形成在对象的整个表面上，最后以等离子蚀刻方式对不需要的部分进行蚀刻的方法。近年来，由于考虑到可以简化沉积过程的优点，因此优选采用以等离子蚀刻方式对薄膜进行图案化的后一方法。
[0004]但是，如上所述，当以等离子蚀刻方式对薄膜进行图案化时，经常发生不应该被去除的部分也被等离子气体蚀刻，从而难以准确地实施图案化。即，经常发生等离子气体不仅对应该被去除的区域进行准确的去除，而且对应该被保留的相邻正常残留区域也进行蚀亥IJ。此时，产品的质量会急剧下降，因此需要用于解决上述现象的方案。
【发明内容】
[0005]本发明的实施例提供一种改善的薄膜形成装置及使用该装置的薄膜形成方法，从而在进行等离子蚀刻时不损伤正常残留区域。
[0006]根据本发明实施例的薄膜形成装置包括:掩模板，具有用于形成预定图案的阻断部和开放部，并且设置在形成有薄膜的基板上；以及蚀刻源，通过所述掩模板的开放部喷射蚀刻气体，从而与所述图案相对应地蚀刻所述薄膜；其中，所述掩模板具有用于向所述开放部周围吹入气体以使得所述蚀刻气体不会渗透至与所述阻断部对应的薄膜区域的气体吹动器。
[0007]在所述掩模板还可以包括:用于调整所述开放部的尺寸的关闭件(shutter)。
[0008]所述蚀刻气体可以是等离子气体。
[0009]所述蚀刻源可以被固定设置成与所述掩模板的开放部相对应。
[0010]所述蚀刻源可以用于对所述基板的整个表面喷射所述蚀刻气体。
[0011]所述蚀刻源可以用于在所述掩模板上进行往返移动并喷射所述蚀刻气体。
[0012]所述蚀刻源可以包括:喷射部，用于喷射所述蚀刻气体；气帘部，用于在所述喷射部周边形成气帘；以及排气部，用于向外部排出周围空气。
[0013]此外，根据本发明实施例的薄膜形成方法包括:在形成有薄膜的基板上设置具有用于形成预定图案的阻断部和开放部的掩模板；通过所述掩模板的开放部喷射蚀刻气体，从而与所述图案相对应地蚀刻所述薄膜；以及运行所述掩模板所包含的气体吹动器以向所述开放部周围吹入气体，使得所述蚀刻气体不会渗透至与所述阻断部对应的薄膜区域。
[0014]其中还可以包括:通过所述掩模板所包含的关闭件来调整所述开放部的尺寸。[0015]所述蚀刻气体可以是等离子气体。
[0016]所述蚀刻源可以与所述掩模板的开放部对应地喷射所述蚀刻气体。
[0017]所述蚀刻源可以对所述基板的整个表面喷射所述蚀刻气体。
[0018]所述蚀刻源可以在所述掩模板上进行往返移动并喷射所述蚀刻气体。
[0019]所述蚀刻源可以包括:喷射部，用于喷射所述蚀刻气体；气帘部，用于在所述喷射部周边形成气帘；以及排气部，用于向外部排出周围空气。
[0020]根据如上所述的本发明的薄膜形成装置和薄膜形成方法，可以对薄膜进行准确且稳定的图案化，因此当采用上述装置或方法时，可以稳定产品的质量，并且提高生产效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0021]图1是表示根据本发明一实施例的薄膜形成装置的结构的示意图。
[0022]图2是表示根据本发明另一实施例的薄膜形成装置的结构的示意图。
[0023]图3是表示根据本发明再一实施例的薄膜形成装置的结构的示意图。
[0024]图4是表示本发明的薄膜形成装置所包括的蚀刻源的内部结构的示意图。
【具体实施方式】
[0025]下面，参考附图，详细说明本发明的优选实施例。
[0026]首先，参考图1和图4，说明根据本发明一实施例的薄膜形成装置。
[0027]如图1所示，根据实施例的薄膜形成装置包括:掩模板100，设置在形成有薄膜(未图示)的基板300上；以及蚀刻源200，用于通过该掩模板100选择性地蚀刻基板300上的薄膜、并予以去除。
[0028]所述掩模板100包括:开放部101，用于向所述基板300开放通路；和阻断部102，用于阻断向所述基板300的通路。所述蚀刻源200固定设置在与所述开放部101对应的每一个位置上。由此，随着运行所述蚀刻源200，蚀刻气体经由所述开放部101得以进入，从而去除基板300上的、与该开放部101对应的位置上的薄膜。例如，所述薄膜可以是如有机发光显示装置的有机膜等通过沉积形成在基板300上的薄膜，所述蚀刻气体可以是等离子气体。
[0029]另外，所述掩模板100包括:关闭件(Shutter)120，用于调整所述开放部101的尺寸；以及气体吹动器(gas blower) 110，用于吹入气体以免蚀刻气体进入至所述阻断部102里侧。
[0030]所述气体吹动器110吹入气体，以使得在所述蚀刻源200中生成的蚀刻气体无法损伤阻断部102下侧的薄膜。由此，蚀刻气体不会向阻断部102区域渗透。S卩，如果通过掩模板100的气体吹动器110吹入气体，则因气体吹动器110的气体而所述蚀刻气体仅限定在开放部101区域内，因此薄膜的正常残留区域、即阻断部102下侧不发生损伤，而是得到了安全的保护。作为所述气体吹动器110用气体，可以使用如Ar等惰性气体。
[0031]另外，所述蚀刻源200可以由如图4所示的结构形成。即，该所述蚀刻源200可以包括:喷射部201，用于喷射蚀刻气体；气帘部202，用于向该喷射部201周围喷射气体以形成气帘(air curtain);以及排气部203，用于排出周围空气。由此，在通过喷射部201喷射蚀刻气体的期间，所述气帘部202阻挡蚀刻气体泄露至喷射区域外部，并且通过所述排气部203将在蚀刻作业过程中飞散的粒子排出至外部。根据上述方式，不仅在掩模板100上通过气体吹动器110将蚀刻气体限制在开放部101区域内，而且在蚀刻源200本身中也通过气帘部202将蚀刻气体的范围进行限制，因此更加减小薄膜的正常残留区域被损伤的危险性。
[0032]所述关闭件120为调整开放部101的尺寸的部件。在应该蚀刻的图案规格稍发生变化时，可通过拨动关闭件120来进行应对。作为关闭件120，可使用通常的滑动式开闭结构。
[0033]可按照下述方式运行具有如上所述的结构的薄膜形成装置。
[0034]首先，准备通过沉积过程在一个表面上形成有薄膜的基板300，并且如图1所示在其上设置掩模板100。
[0035]然后，拨动所述关闭件120，从而设定将要蚀刻的开放部101的区域，以使其与所需图案的规格相对应。
[0036]然后，通过运行所述蚀刻源200来喷射蚀刻气体，并且开始蚀刻。此时，一并运行所述气体吹动器110，从而避免蚀刻气体侵入至位于阻断部102下侧的薄膜正常残留区域。当然，在运行蚀刻源200的喷射部201的期间，一并运行气帘部202，因此几乎不产生因蚀刻气体脱离预定的蚀刻区域而损伤薄膜正常残留区域的现象。
[0037]由此，如果采用如上所述的薄膜形成装置，则可以安全地保护薄膜的正常残留区域、并且可以准确地实施图案化，因此可以显著地减小不良产品的出现频率。
[0038]另外，在上述实施例中示例性地说明了将蚀刻源200固定设置在与掩模板100的开放部101区域相对应的位置处的结构。但是如图2所示，蚀刻源210还可以向基板300的整个面喷射蚀刻气体。在这种情况下，仅在通向基板300侧的掩模板100的开放部101区域中产生实际蚀刻，因此可以相同地图案化薄膜。
[0039]另外，不仅可以采用如上述实施例所述的固定型蚀刻源200、蚀刻源210，而且还可以采用如图3所示进行往返移动的扫描型蚀刻源220。即，通过设置沿着互相垂直的方向进行往返移动的两个蚀刻源220，从而对基板300上进行扫描、并且喷射蚀刻气体。在这种情况下，仅在通向基板300侧的掩模板100的开放部101区域中产生实际蚀刻，因此可以相同地图案化薄膜。
[0040]综上而论，如果采用如上所述的薄膜形成装置，则可以安全地保护薄膜的正常残留区域，并且可以准确地实施图案化。因此当采用上述装置时，可以稳定产品的质量、并且提闻生广效率。
[0041]参考附图所示的实施例说明了本发明，但是这仅是示例性的说明。所属【技术领域】的技术人员能够了解由此可以有多种变形和等效的其他实施例。由此，本发明所要保护的真正的范围应由权利要求书的技术思想所确定。
【权利要求】
1.一种薄膜形成装置，包括: 掩模板，具有用于形成预定图案的阻断部和开放部，并且设置在形成有薄膜的基板上；以及 蚀刻源，通过所述掩模板的开放部喷射蚀刻气体，从而与所述图案相对应地蚀刻所述薄膜； 其中，所述掩模板具有用于向所述开放部周围吹入气体以使得所述蚀刻气体不会渗透至与所述阻断部对应的薄膜区域的气体吹动器。
2.根据权利要求1所述的薄膜形成装置，其中，所述掩模板还包括: 关闭件，用于调整所述开放部的尺寸。
3.根据权利要求1所述的薄膜形成装置，其中， 所述蚀刻气体是等离子气体。
4.根据权利要求1所述的薄膜形成装置，其中， 所述蚀刻源被固定设置成与所述掩模板的开放部相对应。
5.根据权利要求1所述 的薄膜形成装置，其中， 所述蚀刻源用于对所述基板的整个表面喷射所述蚀刻气体。
6.根据权利要求1所述的薄膜形成装置，其中， 所述蚀刻源用于在所述掩模板上进行往返移动并喷射所述蚀刻气体。
7.根据权利要求1所述的薄膜形成装置，其中，所述蚀刻源包括: 喷射部，用于喷射所述蚀刻气体； 气帘部，用于在所述喷射部周边形成气帘；以及 排气部，用于向外部排出周围空气。
8.—种薄膜形成方法，包括: 在形成有薄膜的基板上设置具有用于形成预定图案的阻断部和开放部的掩模板； 通过所述掩模板的开放部喷射蚀刻气体，从而与所述图案相对应地蚀刻所述薄膜；以及 运行所述掩模板所包含的气体吹动器以向所述开放部周围吹入气体，使得所述蚀刻气体不会渗透至与所述阻断部对应的薄膜区域。
9.根据权利要求8所述的薄膜形成方法，还包括: 通过所述掩模板所包含的关闭件来调整所述开放部的尺寸。
10.根据权利要求8所述的薄膜形成方法，其中， 所述蚀刻气体是等离子气体。
11.根据权利要求8所述的薄膜形成方法，其中， 所述蚀刻源与所述掩模板的开放部对应地喷射所述蚀刻气体。
12.根据权利要求8所述的薄膜形成方法，其中， 所述蚀刻源对所述基板的整个表面喷射所述蚀刻气体。
13.根据权利要求8所述的薄膜形成方法，其中， 所述蚀刻源在所述掩模板上进行往返移动并喷射所述蚀刻气体。
14.根据权利要求8所述的薄膜形成方法，其中，所述蚀刻源包括: 喷射部，用于喷射所述蚀刻气体；气帘部，用于在所述喷射部周边形成气帘；以及排气部，用于向外部排出周 围空气。
【文档编号】H01L51/56GK103811678SQ201310217321
【公开日】2014年5月21日 申请日期:2013年6月3日 优先权日:2012年11月13日
【发明者】朱星中, 车裕敏 申请人:三星显示有限公司