硅晶太阳能芯片、包括其的电池、及其制造方法
【专利摘要】本发明提供一种硅晶太阳能芯片、包括其的电池、及其制造方法。该硅晶太阳能电池包括：一硅晶基板，其中该硅晶基板具有一上表面、一下表面及一侧面，以及一绝缘层，仅形成于该硅晶基板的该侧面上，且该硅晶基板具有一第一电性；一抗反射层，设置于该硅晶基板的上表面；一掺杂层，设置于该硅晶基板的上表面及该抗反射层之间，其中该掺杂层具有一第二电性；一第一电极，设置于该抗反射层之上并穿过该抗反射层而与该掺杂层电性连接；以及，一第二电极，设置于该硅晶基板的下表面。
【专利说明】硅晶太阳能芯片、包括其的电池、及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明关于一种硅晶太阳能芯片、包括其的电池、及其制造方法，特别关于一种具有边缘绝缘层结构的硅晶太阳能芯片、包括其的电池、及其制造方法。
【背景技术】
[0002]现今，由于全球能源的持续短缺且对于能源的需求与日俱增，因此如何提供环保且干净的能源便成为目前最迫切需要研究的议题。在各种替代性能源的研究当中，利用自然的太阳光经由光电能量转换产生电能的太阳能电池，为目前所广泛应用且积极研发的技术。
[0003]在传统太阳能电池的制造过程中，为避免P、N两极之间在芯片边缘有接触的现象，需多进行一道边缘绝缘工艺(isolation process),以将芯片边缘P、N绝缘,避免太阳能电池漏电内耗降低发电效率。然而，该边缘绝缘工艺会牺牲掉太阳能电池的可发电面积。此外，目前较常使用的边缘绝缘方式以激光束沿芯片边缘进行切割、或是由芯片背面以酸或碱进行蚀刻，然而无论是以那种方式进行边缘绝缘切割，皆会造成制造成本提升(例如:激光射备昂贵、处理费时)、或是环境污染(蚀刻后所产生的废液)等问题。
[0004]基于上述，发展出一种可改善上述已知技术缺失的太阳能电池的制造方法，实为目前太阳能电池技术所迫切需要的。
【发明内容】
[0005]本发明提供一种硅晶太阳能芯片、包括其的电池、及其制造方法，由于该硅晶太阳能电池芯片具有边缘绝缘层结构，因此可免除后续太阳能电池制造过程中所使用的边缘绝缘工艺，增加太阳能电池的发电效率、降低制造成本、以及改善太阳能电池在使用上的安全性。
[0006]本发明所述的硅晶太阳能电池芯片包括一硅晶基板，其中该硅晶基板具有一上表面、一下表面及一侧面；以及，一绝缘层，仅形成于该硅晶基板的该侧面上。
[0007]根据本发明一实施例，本发明提供一硅晶太阳能电池，包括:一硅晶基板，其中该娃晶基板具有一上表面、一下表面及一侧面，以及一绝缘层，仅形成于该娃晶基板的该侧面上，且该娃晶基板具有一第一电性；一抗反射层，设置于该娃晶基板的上表面；一掺杂层，设置于该硅晶基板的上表面及该抗反射层之间，其中该掺杂层具有一第二电性；一第一电极，设置于该抗反射层之上并穿过该抗反射层而与该掺杂层电性连接；以及一第二电极，设置于该硅晶基板的下表面。
[0008]根据本发明另一实施例，本发明所述的硅晶太阳能电池芯片的制造方法，包括:提供一娃晶晶棒，其中该娃晶晶棒具有一上表面、一下表面及一侧面；覆盖一绝缘材料于该娃晶晶棒的侧面；以及，对该硅晶晶棒的侧面进行切割，得到多个硅晶太阳能电池芯片。
[0009]根据本发明又一实施例，本发明提供一硅晶太阳能电池的制造方法，包括:提供一娃晶基板，其中该娃晶基板具有一上表面、一下表面及一侧面，以及一绝缘层，仅形成于该娃晶基板的该侧面上，且该娃晶基板具有一第一电性；形成一掺杂层于该娃晶基板的上表面，其中该掺杂层具有一第二电性；形成一抗反射层于该掺杂层上；形成一第一电极于该抗反射层之上并穿过该抗反射层而与该掺杂层电性连接；以及形成一第二电极于该硅晶基板的下表面。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1是显示根据本发明一实施例所述的硅晶太阳能电池芯片的示意图；
[0011]图2是显示图1所述的硅晶太阳能电池芯片沿切线2-2’截取的截面结构示意图；
[0012]图3是显示根据本发明一实施例所述的硅晶太阳能电池芯片的截面结构示意图；
[0013]图4为本发明一实施例所述的硅晶太阳能电池芯片制造方法的步骤流程图；
[0014]图5a至图5c为一系列的示意图，用以说明本发明所述的硅晶太阳能电池芯片的制造方法；
[0015]图6是显示根据本发明一实施例所述的具有织构化结构的上表面的硅晶太阳能电池芯片的截面结构示意图；
[0016]图7是显示根据本发明一实施例所述的具有织构化结构的上表面及下表面的硅晶太阳能电池芯片的截面结构示意图；
[0017]图8是显示根据本发明一实施例所述的硅晶太阳能电池的截面结构示意图；
[0018]图9为本发明一实施例所述的硅晶太阳能电池制造方法的步骤流程图；以及
[0019]图1Oa至图1Oe为一系列的示意图，用以说明本发明所述的硅晶太阳能电池的制
造方法。
[0020]【符号说明】
[0021]2-2’ ~切线；
[0022]10~硅晶基板；
[0023]11~上表面；
[0024]IlA~具有织构化结构的上表面；
[0025]12~绝缘层；
[0026]13~下表面；
[0027]13A~具有织构化结构的下表面；
[0028]15~侧面；
[0029]50~硅晶棒；
[0030]52~绝缘材料；
[0031]51~上表面；
[0032]53~下表面；
[0033]55~侧面；
[0034]100~硅晶太阳能电池芯片；
[0035]112~掺杂层；
[0036]114~抗反射层；
[0037]115~第一电极材料；
[0038]116~第一电极；[0039]117~第二电极材料；
[0040]118~第二电极；
[0041]200~太阳能电池；
[0042]Al~步骤；
[0043]A2~步骤；
[0044]A3~步骤；
[0045]BI~步骤；
[0046]B2~步骤；
[0047]B3~步骤；
[0048]B4~步骤；
[0049]B5~步骤；
[0050]B6~步骤；以及
[0051]T~厚度。
【具体实施方式】
[0052]本发明披露一种硅晶太阳能芯片、包括其的电池、及其制造方法，该硅晶太阳能电池包括一具有边缘绝缘层结构的硅晶太阳能电池芯片。
[0053]根据本发明一实施例，请参照图1，本发明所述的硅晶太阳能电池芯片100具有边缘绝缘层结构，包括一硅晶基板10、以及一绝缘层12。其中，请参照图2(为图1沿2-2’切线的截面不意图)，该娃晶基板10具有一上表面11、一下表面13、及一侧面15。该侧面15指该硅晶基板10非上表面11及下表面13的所有表面,在图1所述实施例中，该侧面15即表示该正方形硅晶基板10的四个侧壁。值得注意的是，该绝缘层12仅形成于该硅晶基板10的侧面15上(该硅晶基板10的侧面皆被该绝缘层12所覆盖，且该绝缘层12与该硅晶基板10直接接触)，换言之，该硅晶基板10的上表面11、及下表面13并未被该绝缘层12所覆盖。根据本发明一实施例，该硅晶基板10的电阻率介于lxl0_5至IxlO6欧姆?米，且具有一能隙(导带至价带)介于1-3电子伏特m。举例来说，该硅晶基板10可为一单晶硅基板、或一多晶娃基板，且可为一惨杂杂质(例如n型或p型杂质)的娃晶基板。该绝缘层12具有一电阻率不小于IxlO8欧姆?米，且具有一能隙(导带至价带)约大于9电子伏特(eV)。该绝缘层12可为含硅的绝缘层，请参照图2，该绝缘层12可为由氧化硅、氮化硅、或氮氧化硅所构成的单层结构。根据本发明另一实施例，请参照图3，该绝缘层12也可具有一由至少两层膜层所构成的多层结构。举例来说，该绝缘层12可具有一选自由氧化硅、氮化硅、及氮氧化硅所构成的多层结构。本发明所述的该绝缘层12的厚度T可不小于45nm(可避免后续所形成的太阳能电池漏电)，也可依实际需要加以调整。
[0054]以本发明所述的硅晶太阳能电池芯片100来进行硅晶太阳能电池的处理时，可避免一掺杂层在硅晶基板10的侧面15形成。再者，由于该绝缘层12仅形成于该硅晶基板10的侧面15，因此不会遮挡·后续所形成的硅晶太阳能电池的发电面积。
[0055]根据本发明一实施例，本发明所述的硅晶太阳能电池芯片100的制造方法，可包括以下步骤(请参照图4):首先，提供一硅晶晶棒50(步骤Al)，其中该硅晶晶棒50具有一上表面51、一下表面53、一及一侧面55,请参照图5a。根据本发明一实施例,该娃晶晶棒50可为一经研磨后的方柱娃晶晶棒或其它形状娃晶晶棒，例如一单晶娃晶棒、或一多晶娃晶棒，且该硅晶晶棒50可为一已掺杂的硅晶晶棒(η型掺杂、或P型掺杂)。接着，形成一绝缘材料52以覆盖该硅晶晶棒的整个侧面55 (步骤Α2)，也可进一步覆盖该上表面51、及下表面53，请参照图5b。形成该绝缘材料52的方法可包括蒸镀法、化学气相沉积法、等离子体辅助化学气相沉积、原子层沉积法、溅镀法、热氧化法、涂布法、或其结合。该绝缘材料52具有一电阻率不小于Ixio8欧姆?米，且具有一能隙(导带至价带)约大于9电子伏特m。该绝缘层52可为含硅的绝缘层，其中该绝缘层52可为由氧化硅、氮化硅、或氮氧化硅所构成的单层结构。根据本发明另一实施例，该绝缘层52也可具有一由至少两层膜层所构成的多层结构。举例来说，该绝缘层52可具有一选自由氧化硅、氮化硅、及氮氧化硅所构成的多层结构。本发明所述的该绝缘层52的厚度可不小于45nm，也可依实际需要加以调整。最后，对覆盖有该绝缘材料52的硅晶晶棒50的侧面55进行切割(步骤A3)，得到多个如图1及图2所示的硅晶太阳能电池芯片100，请参照图5c。 [0056]此外，根据本发明某些实施例，在得到本发明图1及图2所示的硅晶太阳能电池芯片100后，可进一步对该硅晶太阳能电池芯片100的该上表面11、该下表面13、及该侧面15的至少一个进行一织构化(texturing)处理,获得具有织构化结构的表面,使得后续以该硅晶太阳能电池芯片100所制得的太阳能电池具有较低的入射光反射率。在本发明一实施例中，可对该娃晶太阳能电池芯片100的上表面11进行一织构化(texturing)处理,获得具有织构化结构的上表面11A，请参照图6 ;此外，根据本发明另一实施例，可同时对该硅晶太阳能电池芯片100的上表面11及下表面13进行一织构化(texturing)处理，获得具有织构化结构的上表面IlA及下表面13A，请参照图7。
[0057]基于上述，本发明所述的硅晶太阳能电池芯片由于具有边缘绝缘层结构，可免除后续太阳能电池制造过程中所使用的边缘绝缘工艺，增加太阳能电池的发电效率、降低制造成本、以及改善太阳能电池在使用上的安全性。
[0058]请参照图8，为显示本发明一实施例所述的具有该硅晶太阳能电池芯片100的硅晶太阳能电池200的截面结构示意图。如图所示，该硅晶太阳能电池200包括图1所示的硅晶太阳能电池芯片100，其中该硅晶太阳能电池芯片包括一硅晶基板10、以及一绝缘层12。该娃晶基板10包括一上表面11、一下表面13、一及一侧面15,而该绝缘层12仅形成于该娃晶基板10的侧面15。
[0059]根据本发明一实施例，该硅晶基板10的上表面可为一织构化(textured)的表面IlA(如图8所示)，以降低入射光的反射率，使入射的光能得以充分利用。此外，该硅晶基板的电阻率可介于1χ10_5至IxlO6欧姆?米，且具有一能隙(导带至价带)介于1-3电子伏特(eV)。举例来说，该娃晶基板10可为一单晶娃基板、或一多晶娃基板，且可为一具惨杂杂质(例如η型或P型杂质)的硅晶基板(具有一第一电性)。该绝缘层12可为含硅的绝缘层，请参照图2，该绝缘层12可为由氧化硅、氮化硅、或氮氧化硅所构成的单层结构。根据本发明另一实施例，请参照图3，该绝缘层12也可具有一由至少两层膜层所构成的多层结构。举例来说，该绝缘层12可具有一选自由氧化硅、氮化硅、及氮氧化硅所构成的多层结构。
[0060]—掺杂层112(具有一第二电性)，仅形成于该娃晶基板10的上表面11,换言之，该掺杂层112并未进一步形成于该娃晶基板的侧面15、或下表面13。该掺杂层112可为一经杂质所掺杂的硅晶层，具有与该硅晶基板10相反的电性。举例来说，若该硅晶基板10为一 η型娃晶层，则该掺杂层112可为一 p型掺杂层(例如以硼掺入娃晶层)；反之，若该娃晶基板10为一 P型娃晶层，则该掺杂层112可为一 η型掺杂层(例如以磷掺入娃晶层)，以形成光电转换效应所需的P-N结(P-N junction)。
[0061]一抗反射层114，形成于该掺杂层112、以及该绝缘层12上，用来降低入射光线的反射率，举例来说，该抗反射层114可为一氮化娃层或与该绝缘层相同材料。一第一电极116 (例如为银、铝、或其合金)，设置于该抗反射层114之上，并穿透该抗反射层与该掺杂层112电性连接，以及一第二电极118 (例如为铝-硅合金)，设置于该硅晶基板10的下表面13，与该硅晶基板10直接接触。值得注意的是，本发明所述的硅晶太阳能电池200，其绝缘层12覆盖该硅晶基板10的整个侧面15，并与该硅晶基板10直接接触，如此一来，该掺杂层112并不会形成于该娃晶基板10的侧面15,且该掺杂层112与该娃晶基板10的侧面15由该绝缘层12所隔开。
[0062]根据本明一实施例，本发明所述的硅晶太阳能电池200的制造方法，可包括以下步骤(请参照图9):首先，提供一硅晶太阳能电池芯片100(步骤BI)，其中该硅晶太阳能电池芯片100包括:一娃晶基板10,其中该娃晶基板10具有一上表面11、一下表面13、一及一侧面15,以及一绝缘层12仅形成于该娃晶基板10的该侧面上15,请参照图1及图2。
[0063]接着,对该娃晶太阳能电池芯片的上表面11进行一织构化(texturing)处理(步骤B2)，请参照图10a。根据本发明一实施例，该织构化处理可例如以酸液将硅晶基板10的上表面11蚀刻成粗糙面，以降低入射光的反射率。根据本发明一实施例，也可对该上表面
11、该下表面13、及该侧面13的至少一个进行一织构化(texturing)处理。
[0064]接着，形成一掺杂层112于该硅晶基板10的上表面11(步骤B3)，请参照图10b。根据本发明一实施例，该娃晶基板10为一 η型娃晶层,而该掺杂层112的形成方式为将该硅晶基板10置于一高温炉中并通入含硼气体，使硼掺入硅晶基板10的表层；根据本发明另一实施例，该娃晶基板10为一 P型娃晶层，而该掺杂层112的形成方式为将该娃晶基板10置于一高温炉中并通入含磷气体，使磷掺入硅晶基板10的表层，得到该掺杂层112。值得注意的是，在本发明所述的硅晶太阳能电池200的制造方法中，由于是使用具有绝缘层12覆盖娃晶基板10侧面15的娃晶基板10 (如图1及图2所不)，因此在形成惨杂层112时，可避免掺杂层112在娃晶基板10的侧面15形成。接着，形成一抗反射层114于位于上表面11的掺杂层112以及该绝缘层12上(步骤Β4)，请参照图10c。根据本发明一实施例，该抗反射层114的形成方式可为将图1Ob所得的结构置于一高温炉中，并通入硅甲烷与氨气，以等离子体辅助化学气相沉积(等离子体辅助化学气相沉积)在该掺杂层112上、及该绝缘层12上形成一氮化硅抗反射层114。根据本发明一实施例，该抗反射层的材料可与该绝缘层具有相同的材料(例如氮化硅)。
[0065]接着，在该娃晶基板10的上表面11、及下表面13分别配置一第一电极材料115及一第二电极材料117(步骤B5)，请参照图10d。根据本发明一实施例，该第一电极材料115可例如为含银、或/及铝的浆料，以网印方式形成于该抗反射层114上；该第二电极材料117可例如为铝浆，同样以网印方式形成于下表面13上。
[0066]最后，对该娃晶基板10进行一烧结(sintering)工艺(步骤B6),以将第一电极材料115穿透该抗反射层114并与掺杂层112接触形成一第一电极116，以及使第二电极材料117与硅晶基板10形成合金(例如铝-硅合金)形成一第二电极118，请参照图10e，至此完成本发明所述的硅晶太阳能电池200的制作。其中，在该硅晶太阳能电池的制造过程中，该娃晶基板10的上表面的表面积维持一致。
[0067]值得注意的是，在传统太阳能电池的制作中，由于掺杂层会覆盖半导体基板的侧面，因此在完成抗反射层、第一电极、及第二电极的制作后，必需多进行一道边缘绝缘切割工艺(isolation cutting process)将芯片边缘去除,避免第一及第二电极之间在芯片边缘有短路的现象发生。与传统太阳能电池的制作相比，本发明所述的太阳能电池，由于边缘绝缘层的阻隔使得掺杂层并不会形成于该半导体基板的侧面，因此可简省掉传统太阳能电池所必需的边缘绝缘切割工艺。
[0068]基于上述，本发明所述的硅晶太阳能电池的制造方法有以下优点:(1)增加产能输出、减少处理成本:由于不需要使用边缘绝缘切割工艺，可大幅缩短太阳能电池元件制造所需要工时、及成本，并降低处理污染；(2)具有较大的发电面积:传统太阳能电池需要使用边缘绝缘切割工艺将芯片边缘易造成漏电的部分去除，因此会牺牲掉芯片的发电面积，而本发明所述的太阳能电池不需使用边缘绝缘切割工艺，因此具有较大的发电面积(可增加1.3%以上的可发电面积)；(3)避免因边缘绝缘切割工艺所造成的处理耗损(例如:破片(breakage));以及，(4)避免太阳能电池发生漏电，提升使用上的安全性。
[0069]为了让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举数个实施例，来说明本发明所述的硅晶太阳能电池芯片、包括其的太阳能电池、及其制造方法。
[0070]具有边缘绝缘层的硅晶太阳能电池芯片的制备
[0071]实施例1
[0072]将经切割所得的三片硅芯片相叠，并置入等离子体辅助化学气相沉积腔体中待用。抽真空后，在温度450°C下沉积氮化硅(Si3N4),反应时间为700秒。反应完成后，取位于叠片结构中置于下方的两片硅芯片进行测量，得知形成在硅芯片侧面的氮化硅膜厚T约50nmo
[0073]该氮化硅层的厚度可由处理时间来决定，然而由于以PECVD方式形成超过I U m厚度的氮化硅绝缘层需要超过7000秒的处理时间，耗时且耗能。因此，可采用复合型的绝缘层组合，即内层(接触芯片)的绝缘层可采PECVD方式来形成，而外层的绝缘层则可采用涂布的方式来加厚。该绝缘层的厚度可增加到200 iim，也可视需求而加至更厚。
[0074]硅晶太阳能电池的制备
[0075]实施例2
[0076]首先，将实施例1所得的具有氮化硅绝缘层的硅芯片(p-type)的上表面以蚀刻方式进行织构化(texturing)处理。接着，将该具有氮化硅绝缘层的硅芯片，置于一高温炉中并通入含磷气体，使磷掺入硅芯片表层，由于该硅芯片的侧面被该绝缘层覆盖，因此掺杂层不会在硅芯片的侧面形成。接着，将该硅芯片置于一高温炉中，并通入硅甲烷与氨气，以等离子体辅助化学气相沉积(等离子体辅助化学气相沉积)在该掺杂层、及该绝缘层上形成抗反射层。接着，硅芯片的上表面以网印方式涂布含银、或/及铝的浆料，在硅芯片的下表面以网印方式涂布铝浆。最后，对硅芯片进行一烧结(sintering)工艺，以在硅芯片的上表面形成一第一电极(穿过抗反射层与与掺杂层接触)，并在娃芯片的下表面形成一第二电极(铝-硅合金)与硅芯片直接接触。
[0077]阻值测量[0078]对依实施例2所得的太阳能电池进行电性测试，结果显示可成功提高并联阻值(Rshunt)大于100欧姆。另一方面，对传统处理所得的硅晶太阳能电池元件(未做边缘绝缘切割)进行电性测试，测量到其并联电阻(Rshunt)仅约0.5欧姆。
[0079]由以上测量可知，本发明直接采用具有边缘绝缘层的硅芯片来进行太阳能电池的制作，虽然省略了现有处理中的边缘绝缘切割工艺，但电性测试上证明仍具有良好的并联阻值(大于100欧姆)。
[0080]虽然本发明已以数个较佳实施例披露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属【技术领域】中技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作任意更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。
【权利要求】
1.一种硅晶太阳能电池芯片，包括: 一娃晶基板，其中所述娃晶基板具有一上表面、一下表面及一侧面；以及一绝缘层，仅形成于所述硅晶基板的所述侧面上。
2.如权利要求1所述的硅晶太阳能电池芯片，其中所述绝缘层仅覆盖所述硅晶基板的整个侧面，并与所述硅晶基板直接接触。
3.如权利要求1所述的硅晶太阳能电池芯片，其中所述硅晶基板为一单晶硅基板、或一多晶娃基板。
4.如权利要求1所述的硅晶太阳能电池芯片，其中所述硅晶基板为一η型掺杂的硅晶基板或P型惨杂的娃晶基板。
5.如权利要求1所述的硅晶太阳能电池芯片，其中所述绝缘层具有一电阻率不小于IxlO8欧姆.米。
6.如权利要求1所述的硅晶太阳能电池芯片，其中所述绝缘层为含硅的绝缘层。
7.如权利要求1所述的硅晶太阳能电池芯片，其中所述绝缘层为氧化硅、氮化硅、或氮氧化硅所构成的单层结构。
8.如权利要求1所述的硅晶太阳能电池芯片，其中所述绝缘层为选自由氧化硅、氮化硅、及氮氧化硅所构成的多层结构。
9.如权利要求1所述的硅晶太阳能电池芯片，其中所述绝缘层的厚度不小于45nm。·
10.如权利要求1所述的硅晶太阳能电池芯片，其中所述上表面、所述下表面、及所述侧面的至少一个为一具织构化结构的表面。
11.一种硅晶太阳能电池，包括: 一娃晶基板，其中所述娃晶基板具有一上表面、一下表面及一侧面，以及一绝缘层，仅形成于所述硅晶基板的所述侧面上，且所述硅晶基板具有一第一电性； 一抗反射层，设置于所述娃晶基板的上表面； 一掺杂层，设置于所述硅晶基板的上表面及所述抗反射层之间，其中所述掺杂层具有一第二电性； 一第一电极，设置于所述抗反射层之上并穿过所述抗反射层而与所述掺杂层电性连接；以及 一第二电极，设置于所述娃晶基板的下表面。
12.如权利要求11所述的硅晶太阳能电池，其中所述绝缘层覆盖所述硅晶基板的整个侧面，并与所述硅晶基板直接接触。
13.如权利要求11所述的硅晶太阳能电池，其中所述绝缘层具有一电阻率不小于IxlO8欧姆.米。
14.如权利要求11所述的硅晶太阳能电池，其中所述绝缘层为含硅的绝缘层。
15.如权利要求11所述的硅晶太阳能电池，其中所述绝缘层为氧化硅、氮化硅、或氮氧化硅所构成的单层结构。
16.如权利要求11所述的硅晶太阳能电池，其中所述绝缘层为选自由氧化硅、氮化硅、及氮氧化硅所构成的多层结构。
17.如权利要求11所述的硅晶太阳能电池，其中所述绝缘层的厚度不小于45nm。
18.如权利要求11所述的硅晶太阳能电池，其中所述掺杂层仅覆盖在所述硅晶基板的上表面。
19.如权利要求11所述的硅晶太阳能电池，其中所述抗反射层与所述硅晶基板的侧面由所述绝缘层所隔开。
20.如权利要求11所述的娃晶太阳能电池，其中所述娃晶基板为一η型娃晶基板，而所述掺杂层为一 P型掺杂层。
21.如权利要求11所述的娃晶太阳能电池，其中所述娃晶基板为一P型娃晶基板，而所述掺杂层为一 η型掺杂层。
22.如权利要求11所述的硅晶太阳能电池，其中所述抗反射层的材料与所述绝缘层材料相同。
23.如权利要求11所述的硅晶太阳能电池，其中所述第二电极并不与所述绝缘层接触。
24.一种硅晶太阳能电池芯片的制造方法，包括: 提供一娃晶晶棒，其中所述娃晶晶棒具有一上表面、一下表面及一侧面； 覆盖一绝缘材料于所述硅晶晶棒的侧面；以及 对所述硅晶晶棒的侧面进行切割，得到多个硅晶太阳能电池芯片。
25.如权利要求24所述的硅晶太阳能电池芯片的制造方法，其中所述硅晶晶棒为一单晶娃晶棒、或一多晶娃晶棒。·
26.如权利要求24所述的硅晶太阳能电池芯片的制造方法，其中所述硅晶晶棒为一η型掺杂的硅晶棒或一 P型掺杂的硅晶棒。
27.如权利要求24所述的硅晶太阳能电池芯片的制造方法，其中所述覆盖一绝缘材料的方法为蒸镀法、化学气相沉积法、等离子体辅助化学气相沉积、原子层沉积法、溅镀法、热氧化法、涂布法、或其结合。
28.如权利要求24所述的硅晶太阳能电池芯片的制造方法，在对所述硅晶晶棒的侧面进行切割的步骤后，进一步包括:对所述硅晶太阳能电池芯片的一上表面、一下表面、及一侧面的至少一个进行一织构化处理。
29.一种硅晶太阳能电池的制造方法，包括: 提供一娃晶基板，其中所述娃晶基板具有一上表面、一下表面及一侧面，以及一绝缘层，仅形成于所述硅晶基板的所述侧面上，且所述硅晶基板具有一第一电性； 形成一掺杂层于所述娃晶基板的上表面，其中所述掺杂层具有一第二电性； 形成一抗反射层于所述掺杂层上； 形成一第一电极于所述抗反射层之上并穿过所述抗反射层而与所述掺杂层电性连接；以及 形成一第二电极于所述娃晶基板的下表面。
30.如权利要求29所述的硅晶太阳能电池的制造方法，其中所述绝缘层覆盖所述硅晶基板的整个侧面，并与所述硅晶基板直接接触。
31.如权利要求29所述的硅晶太阳能电池的制造方法，其中在形成所述掺杂层于所述硅晶基板的上表面的步骤中，由于所述绝缘层完全覆所述硅晶基板的所述侧面，因此所述掺杂层并未形成于所述娃晶基板的侧面。
32.如权利要求29所述的硅晶太阳能电池的制造方法，其中所述抗反射层与所述硅晶基板的侧面由所述绝缘层所隔开。
33.如权利要求29所述的硅晶太阳能电池的制造方法，其中在形成一掺杂层于所述硅晶基板的上表面的步骤前，进一步包括对所述硅晶基板的上表面、下表面、及侧面的至少一个进行一织构化处理。
34.如权利要求29所述的硅晶太阳能电池的制造方法，其中在形成所述第二电极于所述硅晶基板的下表面的步骤后，进一步包括对所述硅晶太阳能电池芯片进行一烧结工艺。
35.如权利要求29所述的硅晶太阳能电池的制造方法，其中在所述硅晶太阳能电池的制造过程中，所述硅晶基板的上表面的表面积维持一致。
36.如权利要求29所述的硅晶太阳能电池的制造方法，其中所述绝缘层具有一电阻率不小于IxlO8欧姆?米。
37.如权 利要求29所述的硅晶太阳能电池的制造方法，其中所述第二电极并不与所述绝缘层接触。
【文档编号】H01L31/18GK103594527SQ201310069131
【公开日】2014年2月19日 申请日期:2013年3月5日 优先权日:2012年8月17日
【发明者】厉文中 申请人:财团法人工业技术研究院