专利名称：一种片式氧化铌电容器石墨、银浆层制备方法
技术领域：
本发明属于电容器制造领域，特别是涉及一种片式氧化铌电容器石墨、银浆层制备方法。
背景技术：
氧化铌电容器是一种以一氧化铌粉作为核心材料的新型电解电容器，它不但具有钽电容器体积小、容量大、损耗角正切小、电性能稳定的优点，还具有使用电压降幅小、不燃烧特点，因此氧化铌电容器成为高速处理的低电压低功耗电子装备首选产品。目前，石墨、银浆层作为铌电容器的阴极，铌电容器石墨、银浆层的传统制备方法如下将被膜好的钽铌块浸入水性石墨，高温固化冷却后浸入油性石墨，最后浸入银浆。氧化铌电容器采用这种传统石墨、银浆层的制备方法的缺点是电容器在高温125°C下容量变化大，电容器会因为环境温度过高而导致输出波形失真、电路无法正常工作。
发明内容
针对上述问题，本发明旨在提供一种片式氧化铌电容器的石墨、银浆层制备方法，利用该方法制造的氧化铌电容器在125°C下容量变化满足技术标准要求，并能够在125°C的环境下维持正常工作。本发明采取的技术方案为一种片式氧化铌电容器石墨、银浆层制备方法，所述该方法包括以下步骤I)将被膜好的氧化铌块芯子浸入水性石墨，浸溃深度为芯子高度的3/4 4/5，浸溃时间为I IOS ；2)取出后,用电容器纸吸掉芯子底部多余的水性石墨,室温放置5 IOmin,再放入140 200°C烘箱内固化10 60min ；3)氧化铌块芯子取出冷却至室温，浸入苯甲醇溶液，浸溃深度为芯子总高度的3/4 4/5，浸溃时间为I IOS ；4)取出后，将浸溃过苯甲醇溶液的芯子浸入油性石墨，浸溃深度为芯子总高度的3/4 4/5，浸溃时间为I IOS ；5)缓慢取出，用电容器纸吸掉芯子底部多余的油性石墨，室温放置5 lOmin，再放入140 200°C烘箱内固化10 60min ；6)将上述氧化铌块芯子取出冷却至室温，浸入银浆，浸溃深度为芯子总高度的3/4 4/5，浸溃时间为I IOS ；7)取出后，用电容器纸吸掉芯子底部多余的银浆，室温放置5 lOmin，再放入160 230°C烘箱内固化10 60min。作为本发明的进一步优选方案，所述步骤I)水性石墨按照体积比为原瓶石墨去离子水=1: (2 10)配制。作为本发明的进一步优选方 案，所述步骤4)油性石墨按照体积比为原瓶石墨苯甲醇=1: (I 5)配制。作为本发明的进一步优选方案，所述步骤6)银浆按照体积比为原瓶银浆乙酸丁酯=1: (2 10)配制。本发明由于采用了在油性石墨前增加浸溃苯甲醇溶液的处理工艺，有效的抑制了片式氧化铌电容器在高温125°C容量变化，提高了氧化铌电容器在高温环境中的可靠性和稳定性。
具体实施例方式下面结合具体实施例对本发明作进一步描述，在此发明的示意性实施例以及说明用来解释本发明，但并不作为对本发明的限定。实施例1I)将被膜好的氧化铌块芯子浸入体积比为原瓶石墨去离子水=1:2的水性石墨，浸溃深度为芯子高度的3/4，浸溃时间为3S ；2)取出后，用电容器纸吸掉芯子底部多余的水性石墨，室温放置5min,再放入140°C烘箱内固化IOmin ；3)氧化铌块芯子取出冷却至室温，浸入苯甲醇溶液，浸溃深度为芯子总高度的3/4,浸溃时间为3S ；4)取出后，将浸溃过苯甲醇溶液的芯子浸入体积比为原瓶石墨苯甲醇=1:2的油性石墨，浸溃深度为芯子总高度的3/4，浸溃时间为3S ；5)缓慢取出，用电容器纸吸掉芯子底部多余的油性石墨，室温放置5min，再放入140°C烘箱内固化IOmin ；`6)将上述氧化铌块芯子取出冷却至室温，浸入体积比为原瓶银浆乙酸丁酯=1:2的银浆，浸溃深度为芯子总高度的3/4，浸溃时间为3S ；7)取出后，用电容器纸吸掉芯子底部多余的银浆，室温放置5min，再放入160°C烘箱内固化IOmin。实施例2I)将被膜好的氧化铌块芯子浸入体积比为原瓶石墨去离子水=1:10的水性石墨，浸溃深度为芯子高度的4/5，浸溃时间为IOS ；2)取出后，用电容器纸吸掉芯子底部多余的水性石墨，室温放置lOmin，再放入200°C烘箱内固化60min ；3)氧化铌块芯子取出冷却至室温，浸入苯甲醇溶液，浸溃深度为芯子总高度的4/5，浸溃时间为IOS ；4)取出后，将浸溃过苯甲醇溶液的芯子浸入体积比为原瓶石墨苯甲醇=1:5的油性石墨，浸溃深度为芯子总高度的4/5，浸溃时间为IOS ；5)缓慢取出，用电容器纸吸掉芯子底部多余的油性石墨，室温放置lOmin，再放入200°C烘箱内固化60min ；6)将上述氧化铌块芯子取出冷却至室温，浸入体积比为原瓶银浆乙酸丁酯=1:10的银浆，浸溃深度为芯子总高度的4/5，浸溃时间为IOS ；7)取出后，用电容器纸吸掉芯子底部多余的银浆，室温放置lOmin，再放入230°C烘箱内固化60min。实施例3I)将被膜好的氧化铌块芯子浸入体积比为原瓶石墨去离子水=1:5的水性石墨，浸溃深度为芯子高度的3/4，浸溃时间为5S ；2)取出后，用电容器纸吸掉芯子底部多余的水性石墨，室温放置lOmin，再放入180°C烘箱内固化30min ；3)氧化铌块芯子取出冷却至室温，浸入苯甲醇溶液，浸溃深度为芯子总高度的3/4,浸溃时间为5S ；4)取出后，将浸溃过苯甲醇溶液的芯子浸入体积比为原瓶石墨苯甲醇=1:3的油性石墨，浸溃深度为芯子总高度的3/4，浸溃时间为5S ；5)缓慢取出，用电容器纸吸掉芯子底部多余的油性石墨，室温放置lOmin，再放入180°C烘箱内固化30min ； 6)将上述氧化铌块芯子取出冷却至室温，浸入体积比为原瓶银浆乙酸丁酯=1:5的银浆，浸溃深度为芯子总高度的3/4 4/5，浸溃时间为I IOS ;7)取出后，用电容器纸吸掉芯子底部多余的银浆，室温放置lOmin，再放入200°C烘箱内固化30min。对比以上实施例，实施例3为本发明的最优制备方法，采用本方法制造的氧化铌电容器能够有效控制电容器在高温125°C时的容量变化值，使其满足技术标准要求。本实施例中选取规格为4V-330 μ F、4V_470 μ F的氧化铌电容器在高温125°C下的容量变化参数表如表I和表2 表14V-330 μ F
权利要求
1.一种片式氧化铌电容器石墨、银浆层制备方法，其特征在于，所述该方法包括以下步骤 1)将被膜好的氧化铌块芯子浸入水性石墨，浸溃深度为芯子高度的3/4 4/5，浸溃时间为I IOS ; 2)取出后，用电容器纸吸掉芯子底部多余的水性石墨，室温放置5 lOmin，再放入140 200°C烘箱内固化10 60min ； 3)氧化铌块芯子取出冷却至室温，浸入苯甲醇溶液，浸溃深度为芯子总高度的3/4 4/5，浸溃时间为I IOS ； 4)取出后，将浸溃过苯甲醇溶液的芯子浸入油性石墨，浸溃深度为芯子总高度的3/4 4/5，浸溃时间为I IOS ； 5)缓慢取出，用电容器纸吸掉芯子底部多余的油性石墨，室温放置5 lOmin，再放入140 200°C烘箱内固化10 60min ； 6)将上述氧化铌块芯子取出冷却至室温，浸入银浆，浸溃深度为芯子总高度的3/4 4/5，浸溃时间为I IOS ； 7)取出后，用电容器纸吸掉芯子底部多余的银浆，室温放置5 lOmin，再放入160 230°C烘箱内固化10 60min。
2.—种权利要求1所述的氧化铌电容器石墨、银浆层制备方法，其特征在于所述步骤1)水性石墨按照体积比为原瓶石墨去离子水=1: (2 10)配制。
3.—种权利要求1所述的氧化铌电容器石墨、银浆层制备方法，其特征在于所述步骤4)油性石墨按照体积比为原瓶石墨苯甲醇=1: (I 5)配制。
4.一种权利要求1所述的氧化铌电容器石墨、银浆层制备方法，其特征在于所述步骤6)银浆按照体积比为原瓶银浆乙酸丁酯=1: (2 10)配制。
全文摘要
本发明公开一种片式氧化铌电容器石墨、银浆层制备方法，包括将被膜好的氧化铌块芯子浸入水性石墨、浸入苯甲醇溶液、浸入银浆和烘干固化等步骤，完成对氧化铌电容器的石墨、银浆层的制备。本发明由于采用了在油性石墨前增加浸渍苯甲醇溶液的处理工艺，有效的抑制了氧化铌电容器在高温125℃容量变化，提高了氧化铌电容器在高温环境中的可靠性和稳定性。
文档编号H01G9/04GK103065798SQ20131001451
公开日2013年4月24日 申请日期2013年1月15日 优先权日2013年1月15日
发明者江平, 王安玖 申请人:中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司