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【专利摘要】本发明目的在于一种OLED设备（100），其包括呈给定方块电阻R1的透明阳极，呈给定方块电阻R2的阴极（3），比率r=R2/R1从0.1至5，第一适配阳极电接触，和第一阴极电接触（5a，5d），其自适配阳极电接触（41）岔开，对于每个适配阳极接触（41）的任何点B1，通过定义在所述点B1与接触表面的最接近于所述点B1的点C1之间的距离D1，以及通过定义在所述点B1与相对于第一边缘（21）的活性区第二边缘（22）的点X1之间、经过C1的距离L1，因此定义以下准则：-如果0.1≤r＜1.75，则20%＜D1/L1，-如果1.75≤r＜2.5，则20%＜D1/L1＜90%，-或如果2.5≤r＜3，则20%＜D1/L1＜80%，-或还如果3≤r≤5，则20%＜D1/L1＜70%，以及反射器（6）覆盖活性区（20）。
【专利说明】后向发射的OLED设备

【技术领域】
[0001]本发明的目的在于后向发射的有机电致发光二极管设备。

【背景技术】
[0002]已知的有机电致发光系统或OLED (对于英语中的“Organic Light EmittingD1des (有机发光二极管)”)包括有机电致发光层的堆叠，所述有机电致发光层由以导电薄层的形式配备它的电极来供电。当电压被施加在两个电极之间时，电流穿过有机层，于是通过电致发光而生成光。
[0003]在后向发射OLED设备(英语中bottom OLED (底部OLED))中，上电极或阴极是典型地具有小于或等于0.1 Ω /方块的方块电阻的反射金属层，并且下电极或阳极是透明层，其被沉积在玻璃或塑料衬底上，让所发射的光通过，其方块电阻大多个数量级。
[0004]文档W099/02017观察到，在阳极和阴极之间方块电阻的非常大差异同时导致亮度的非均质性、持续时间和可靠性的减低，这对于大尺寸的设备尤其如此。同样，其提出一种有机电致发光二极管的设备，其具有给定方块电阻Rl的透明阳极和具有接近的给定方块电阻R2的阴极，比率r=R2/Rl被包括在0.3和3之间。
[0005]作为示例，阳极是方块电阻为10欧姆的ITO层并且阴极是方块电阻为9.9欧姆的镱薄层，即r在I附近。
[0006]然而，均质性增益还不是最优的，并且甚至并非对于所有OLED配置是确定的。


【发明内容】

[0007]同样，本发明的目的首先在于一种有机电致发光二极管(称作0LED)的设备，其包括具有第一主面的透明衬底，包括堆叠，所述堆叠以从所述第一面开始的该顺序包括:
-(直接在第一面上或例如在亚层上)形成透明阳极的下电极，优选地包括至少一个导电层，阳极呈给定方块电阻R1，尤其是Rl小于30欧姆/方块、甚至小于或等于15欧姆/方块、或甚至10欧姆/方块，阳极具有给定的阳极表面，所述阳极表面的特征尺寸优选地为至少2cm、甚至5cm，
-在所述阳极上的有机电致发光系统，
-形成阴极的上电极，其在有机电致发光系统上(甚至直接在所述系统上)，优选地包括导电层，阴极呈给定方块电阻R2，阴极优选地呈恒定的给定厚度，其中比率r=R2/Rl从0.1至5,
所述阳极、有机电致发光系统和阴极于是限定了称为活性的共同区(对应于照明表面减去可能的内部阳极接触，如果其太不透明的话)。
[0008]OLED设备此外包括:
-沿着活性区的第一边缘，完全沿着例如第一边缘，或还沿着一组相邻边缘(包含第一边缘)，有第一适配阳极电接触，甚至多个适配阳极电接触，尤其在活性区的外部和/或内部的周缘处， -第一阴极电接触(优选唯一)，其自一个或多个适配阳极电接触岔开，阴极接触呈给定表面，称为接触表面。
[0009]对于每个适配阳极接触(尤其是第一适配阳极电接触)的(多数，甚至80%或更好地对于)任何点BI，通过定义在所述点BI与接触表面的最接近于所述点BI的点Cl之间的距离D1，以及通过定义在所述点BI与相对于第一边缘的活性区的第二边缘的点Xl之间、经过Cl的距离LI，因此定义以下准则:
-如果 0.1 ^ r < 1.75，则 20% < D1/L1,
-如果 1.75 < r < 2.5，则 20% < D1/L1 < 90%,或
-如果 2.5 彡 r < 3，贝丨J 20% < D1/L1 < 80%,
-或还如果3彡r彡5，则20% < D1/L1 < 70%。
[0010]最后，OLED设备在有机电致发光系统之上、远离第一面地包括覆盖活性区的反射器。
[0011]这样的设备适于通过布置尤其是阳极和阴极接触而被串联连接。
[0012]同样，本发明的目的在于一种有机电致发光二极管(称作0LED)的设备,其包括具有第一主面的透明衬底，包括数目η大于I的堆叠，每个堆叠以从所述第一面开始的该顺序包括:
-(直接在第一面上或例如在亚层上)形成透明阳极的下电极，优选地包括至少一个导电层，阳极呈给定方块电阻Rl，
-在所述阳极上的有机电致发光系统，
-形成阴极的上电极，其在有机电致发光系统上，并且优选地包括导电层，阴极呈给定方块电阻R2，优选地呈恒定的给定厚度，其中比率r=R2/Rl从0.1至5，
所述阳极、有机电致发光系统和阴极于是限定了称为活性的共同区，
所述堆叠串联连接，或者适于串联连接(通过布置尤其是阳极或阴极接触等等)
并且对于所述堆叠中至少之一，优选地对于η个堆叠中的多数甚至每一个，所述OLED设备包括:
-沿着活性区的第一边缘，有第一适配阳极电接触，甚至多个适配阳极电接触，
-第一阴极电接触(优选唯一)，其自一个或多个适配阳极电接触岔开，阴极接触呈给定表面，称为接触表面。
[0013]对于每个适配阳极接触(尤其是第一适配阳极电接触)的(多数，甚至80%或更好地对于)任何点BI，通过定义在所述点BI与接触表面的最接近于所述点BI的点Cl之间的距离D1，以及通过定义在所述点BI与相对于第一边缘的活性区第二边缘的点Xl之间、经过Cl的距离LI，因此定义以下准则:
-如果 0.1 ^ r < 1.75，则 20% < D1/L1,
-如果 1.75 < r < 2.5，则 20% < D1/L1 < 90%,或
-如果 2.5 彡 r < 3，则 20% < D1/L1 < 80%,或还
-如果 3 彡 r 彡 5，则 20% < D1/L1 < 70%。
[0014]最后，OLED设备在有机电致发光系统之上、远离第一面地包括覆盖活性区的反射器。
[0015]而且对于0.1彡r < 1.75，如果Dl小于LI (D1/L1 < 100%)，则第一阴极电接触被布置在活性区之上并且因此部分地覆盖活性区之上的阴极区域(延伸直到相对于第一边缘的第二边缘)。如果Dl大于或等于LI，则第一阴极电接触被布置成在外部周缘处沿着活性区的第二边缘(例如在自活性区超出的阴极区中)。
[0016]对于r的其它范围，第一阴极电接触因此被布置在活性区之上并且因此部分地覆盖活性区之上的阴极区域(延伸直至相对于第一边缘的第二边缘)。
[0017]更严格地，Dl是在BI与Cl在阳极上的或更好地在经过BI而平行于阳极的平面中的(正)投影之间的距离，但是考虑到OLED的微小高度，这并不改变以上定义的准则。
[0018]并且同样更严格地，LI是在BI与Xl之间(XI在经过BI而平行于阳极的平面中)、经过C在经过BI而平行于阳极的平面中的正投影的距离，但是考虑到OLED的微小高度，这并不改变以上定义的准则。
[0019]因此可以优选在经过BI而平行于阳极的平面中定义Dl和LI。
[0020]透明衬底可以是单片(对于堆叠的全部或部分是共同的)或者呈多个片段(例如每堆叠一个支撑，η个支撑被对接用于形成衬底)。
[0021]根据本发明，适配的阳极接触(S卩，第一适配阳极接触以及一个或多个另外的适配阳极接触)理解为一种电接触，其具有足够的传导以使得当OLED运转时，电压在适配接触的任何点处是相同的。由该传导属性导致，在适配接触的两点之间，在这两点附近的亮度变化小于5%。适配的阳极接触的作用因此是在其全部表面上分布相同的电势。
[0022]根据本发明，第一阴极电接触此外具有足够的传导以使得当OLED运转时，电压在第一阴极接触的任何点处是相同的。由该传导属性导致，在该阴极接触的两点之间，在这两点附近的亮度变化小于5%。该阴极接触的作用因此是在其全部表面上分布相同的电势。
[0023]本发明的目的在于制造满足预先要求的亮度均质性准则的尽可能大的0LED，其具有给定Rl的阳极和给定rorg的有机层电阻，尤其具有在单个边缘上的阳极接触的给定配置或者串联的OLED。
[0024] 申请人:观察到，阳极和阴极的连接件的定位，尤其是其相对于彼此的定位，以及其形状是关键的。为了均质性的真正增益，于是至关重要的在于:
-合理地选择一个或多个阳极接触，尤其是其定位和其电阻(以使得其是适配的)，
-正确地安置第一阴极接触，
-并且使第一阴极接触足够远离一个或多个适配阳极接触。
[0025]于是得到在整个照明表面上在阴极和阳极之间尽可能恒定的电势差。
[0026]无论点BI如何，Dl可以是恒定的，或者变化而同时保持有根据本发明的严格取决于比率r的选择的比率D1/L1。
[0027]第一阴极接触可以在活性区中至少在一个或多个适配阳极接触的方向上延伸向活性区的边缘。
[0028]D1/L1可能的上限提醒:根据本发明的第一阴极接触因此偏离点状类型的接触。
[0029]因此使活性区的中央区的一部分非均质的阴极接触不符合本发明。可以引用作为反例:
-在活性区的中央区中呈彼此间隔太开的多个片段的阴极接触，
-形成太细的框架或环的空心阴极接触。
[0030]阴极接触的另一个反例(不符合本发明)此外将是电阻性或甚至适配的接触网，诸如栅格或平行带，仅仅占据(宽度Dl的)活性区的内部周缘或整体活性区。
[0031]根据本发明的第一阴极接触，尤其在活性区之上，优选地不是点状类型的接触。
[0032]根据本发明的阴极接触不一定再现活性区的对称。
[0033]接触表面可以是实心表面、呈栅格的表面(被布置用以维持等电势)。接触表面可以优选地是单个表面(呈片段)和/或阴极接触可以是唯一的。
[0034](基本上)实心的接触表面(尤其是沉积在阳极上的层)可以呈现表面不连续性，但是不能扰乱其等电势功能。
[0035]并且，如已经指示的，优选地，实心接触表面不是空心类型的。
[0036]此外优选的是，活性区是实心类型的。
[0037]阴极接触可以自支撑和增添在阴极上，例如呈片层(nappe)状的线集等。
[0038]优选地，第一阴极接触的厚度是恒定的。
[0039]第一适配接触至于其可以是实心或格网(被收紧的形成带的栅格…)类型的层，甚至是足够接近以用于分布电流的点状阳极接触的集合，例如远离少于数_。
[0040]表达“沿着第一边缘”在广义上来解释，一个或多个适配阳极接触可以沿着第一边缘的轮廓(在内部或通过命名“相对于第一边缘的第二边缘在广义上来理解并且结合圆形活性区(盘状、卵形轮廓等)的两个相对区。
[0041 ] 尤其是(基本上)直线的第一适配接触可以是周缘的，周缘是以广义来理解，因此 -在第一边缘的外部周缘处，
-由电致发光系统(和由其上的阴极)覆盖并且由钝化层(诸如聚酰亚胺的)钝化，因此(至少部分地)在第一边缘的内部周缘处。
[0042]第一外部周缘的适配接触和/或可能的一个或多个第二外部周缘的适配阳极接触优选地处于自第一边缘小于L/10甚至小于L/20的距离W处，其中L是第一和第二边缘之间、优选恒定的距离。
[0043]优选地，周缘的第一适配接触(以及可能的一个或多个第二周缘的适配阳极接触)(基本上)沿着第一边缘的(内部或外部)周缘，并且处于自活性区的周缘恒定距离(或近似恒定距离)处。
[0044]第一(外部和/或内部)周缘的适配接触优选地处于自第一边缘小于10mm、甚至小于或等于5mm的距离处，并且甚至(部分地)在活性区的第一边缘上(从两侧超出)。
[0045](外部和/或内部)周缘阳极的可能的第一甚至其它周缘适配阳极接触优选地处于自第一边缘小于1mm甚至小于5mm的距离(优选为恒定)处，并且甚至(部分地)在活性区的第一边缘上(从两侧超出)。
[0046]第一适配接触可以在阳极上方或下方。
[0047]第一和/或可能的一个或多个第二适配阳极接触(尤其是周缘的)可以基本上为直线的、为弯曲的等等。
[0048]典型地，适配阳极接触(延伸的甚至点状)的宽度是cm级的。可能没有光出自配备有第一适配阳极接触的活性区，因为该接触是太不透明的。
[0049]此外，与上述现有技术相反，经由根据本发明的反射器保留可接受的亮度水平。典型地，反射器可以具有至少80%的光反射& (朝向有机系统)。
[0050]有机电致发光系统在阳极之上: -尤其是直接在阳极上，在阳极功能中还集成了可能的导电平面化，
-或还直接在活性区内部的适配阳极接触的钝化上(如稍后讨论的)，
-尤其是直接在阳极上，在阳极功能中还集成了可能的导电平面化，
-或还直接在活性区内部的电阻性阳极接触的钝化上(如稍后讨论的)。
[0051]典型地，涂覆有阳极的衬底(阳极直接在衬底上或者通过例如用于提取光的层而分离)可以具有至少70%的光透射。
[0052]根据本发明，薄层理解为厚度小于微米、甚至小于500nm、甚至小于10nm的层(不明确为单或多层)。
[0053]根据本发明，层理解为单层或多层，这未明确指出。
[0054]阴极优选地呈恒定的给定厚度，尤其具有根据制造方法的容差，例如对于薄层类型的沉积为±10%。
[0055]根据本发明的OLED特别是用于照明，而且特征尺寸，即最大尺寸，诸如活性区的长度或直径可以是至少1cm甚至15cm。
[0056]阴极以电势Vc来被供电，以使得在阳极和阴极之间的(多个)电势的差适于照明，尤其Vc是接地的。
[0057]考虑传统厚阴极是理想的，也就是说其自身形成阴极接触(在阴极的任何点处等电势)。本发明从阴极方块电阻R2的增加和接触表面上的准则这方面而不同于这样的阴极。
[0058]阴极接触在活性区之上，尤其是如果1.75 < r的话，或者阴极接触可以在活性区之外，如果r < 1.75的话。
[0059]优选地，在活性区之上的第一阴极接触可以具有与活性区的表面(基本上)位似的表面和/或与适配阳极接触呈(基本上)恒定的距离，尤其是(基本上)平行于适配阳极接触。
[0060]如果活性区是方形或矩形的，则阴极接触是方形或矩形的，或者如果活性区是圆形的，则第一阴极接触在第一边缘相对处呈现圆形边缘。
[0061 ] 对于还更好的均质化，优选:
-如果 0.1 ^ r < 1.75，则 40% < D1/L1，甚至 60% ( D1/L1,
-如果 1.75 < r < 2.5，则 40% ( D1/L1 ( 80%,甚至 50% ( D1/L1 ( 70%,
-如果 2.5 彡 r < 3，则 40% ( D1/L1 ( 70%,甚至 40% ( D1/L1 ( 60%,
-如果 3 < r < 5，则 30% ( D1/L1 ( 50%。
[0062]OLED设备可以包括称作电阻性的一个或多个阳极电接触，尤其呈导电层状，连至第一适配阳极接触和/或连至(多个)可能的适配阳极接触，电阻性接触如有必要则互连，所述接触的电阻大于一个或多个适配阳极接触的电阻。
[0063]并且自0.1至5的比率r=R2/Rl因此由自0.1至5的比率r’ =R2/R1’取代，其中R1’是活性区中的(多个)电阻性接触和阳极整体的等效方块电阻，并且保留比率D1/L1。
[0064]自然地，将优选:
-如果 0.1 Sr，< 1.75，则40%彡01/11，甚至60%彡01/11，
-如果 1.75 < r’ < 2.5，则 40% ( D1/L1 ( 80%,甚至 50% ( D1/L1 ( 70%,
-如果 2.5 < r’ < 3，则 40% ( D1/L1 ( 70%,甚至 40% ( D1/L1 ( 60%,
-如果3彡r，彡5，则30%彡D1/L1彡50%。
[0065]电阻性接触为这样的电阻以使得在运转时，电阻性接触的某些点处于电势Vr，其以绝对关系不同于适配阳极接触的电势多于5%、甚至至少10%或甚至20%。
[0066]阳极的全局电阻于是可以定义为电阻性接触的电阻与透明阳极层的电阻的并联。
[0067]电阻性接触可以由与适配接触相同的材料制成，但是细得多，例如少于1mm。
[0068]出于美学目的，可以优选OLED设备在活性区中放弃一个或多个适配阳极接触，甚至在活性区中放弃一个或多个电阻性阳极接触(即便通常是足够细的)。
[0069](适配或电阻性)阳极接触可以呈厚度被包括在0.2至10 μ m之间的层的形式，并且优选地呈单层的形式，所述单层由以下金属中之一制成:Mo、Al、Cr、Nb或由诸如MoCr、AlNb之类的合金制成，或者呈多层的形式，诸如Mo/Al/Mo或Cr/Al/Cr。
[0070]其还可以涉及具有丝网印刷的或通过喷墨而沉积的银(具有银的珐琅)的汇流条。
[0071]已知通过电阻性电接触的足够细的格网来降低阳极的R1，典型地通过阳极上的方形或蜂巢形的金属网。
[0072]所述段大约为50至100 μ m宽，并且网的节距通常为l/5mm，这给出在I和5%之间的屏蔽率。
[0073]Rl，例如可以自0.5变化至5欧姆。实际上，利用Mo或Cr (10nm) /Al (500nm至100nm) /Mo或Cr (10nm)的多层，其沉积在例如140nm的ITO上。该多层然后通常利用光刻(photolithographie)方法被化学蚀刻,用于形成电阻性接触和如有必要则形成由相同材料制成但是更宽的适配阳极接触。
[0074]于是在阳极处，一切进行地就好似如果具有其电阻等效于阳极和一个或多个电阻性阳极接触的并联的阳极那样。
[0075]因此在电阻性阳极接触中具有随着远离OLED的边缘将逐渐减低的电压。
[0076]以相同方式，其中可以有一个或多个电阻性阴极接触，例如呈导电层状，连至第一阴极接触，电阻性接触如有必要则互连并且尤其是分布在第一阴极接触与OLED边缘之间的整体区上。
[0077]在该情况下，R2对应于阴极和(多个)电阻性接触整体的等效方块电阻。
[0078]所述电阻性接触例如为这样的电阻以使得在运转时，电阻性接触的某些点处于电势Vr，其以绝对关系不同于第一阴极接触的电势V多于2%、甚至至少4%或甚至8%。
[0079]第一适配阳极接触可以是延伸的接触，尤其是唯一的，或者第一适配阳极接触是点状类型的接触，并且另外的点状类型的适配阳极接触被分布在第一边缘上。
[0080]第一边缘和第二边缘优选为活性区的纵向边缘(最长的)。优选在第一和第二边缘的相邻边缘上没有适配阳极接触。优选所述一个或多个适配阳极接触在(至少)第一边缘上延伸小于活性区一半的距离。
[0081]对于方形或矩形类型的活性区，优选所述一个或多个适配阳极接触在优选最长的单个边缘上延伸。
[0082]如果阴极接触在外部，则其形状不太重要。优选地，其在第二边缘附近(甚至与第二边缘相接触)并且沿着第二边缘。
[0083]对于圆形活性区，阳极接触和阴极接触是括号类型的，如果阴极接触在外部的话。或者阳极接触是呈C状的并且内部阴极接触是呈C状的，尤其是处于自阳极接触的C恒定距离处。
[0084]避免三角形类型的活性区形状，第一和第二边缘“太”邻近。优选对称类型的活性区。
[0085]所述一个或多个活性区可以形成方形或矩形的带，平行或弯曲的(基本上)直线带。
[0086]在η个堆叠的情况下，活性区例如按被称为连接的至少一个给定方向A来对准，或还根据诸如太阳图案等等之类的另一形状而延伸。
[0087]η个堆叠的活性区，尤其是实心的，优选呈类似尺寸，尤其是等于S± 10%的表面，并且优选地活性区是类似形状的。在第一边缘和第二边缘之间的距离优选地(基本上)恒定，例如呈现值G±10%。
[0088]在活性区之间的间隔优选地被最小化为少于500 μ m、尤其在100和500 μ m之间。
[0089]在活性区之间，可以延展反射器。
[0090]在关状态，可以布置以使得反射器在η个堆叠的整体上形成镜面(因此没有不连续性)。
[0091]活性区优选地为几何形状、铺面(矩形、方形、蜂巢形等等)。
[0092]此外，由于R2的适配，阴极可以是透明或半反射的，尤其是呈反射RL小于80%、甚至小于或等于60%、甚至50%。
[0093]阴极让所发射的光通过，优选地在没有过度吸收的情况下。
[0094]在第一配置(具有透明或半透明的阴极)中，反射器可以包括优选为金属的反射覆盖元件，尤其呈((多个)薄)层状，在阴极之上且远离第一主面，所述覆盖元件通过电绝缘元件而与阴极分离，所述电绝缘元件尤其呈层状，被称为夹层(intercalaire)。
[0095]第一阴极接触，邻近于夹层，还可以构成反射器的部分并且优选地与反射覆盖元件相接触甚至电耦合。
[0096]所述反射覆盖元件可以是:
-一层，通过气相物理沉积而沉积在所述夹层上，或沉积在对着所述夹层而增添(优选地呈光学接触)的反元件(玻璃、塑料膜等等)的内面上-金属片材:Cu、不锈金属、Alu、Ag等等
优选为层的反射覆盖兀件基于选自Al、Ag、Cu、Mo、Cr之中的至少一种金属。
[0097]所述夹层可以被选择用于让所发射的光通过，优选地在没有过度吸收的情况下。例如，夹层是透明的，优选地TL>90%，并且不太吸收，尤其A〈3%。
[0098]夹层可以是:
-沉积在薄层阴极上的层，通过气相物理沉积甚至如果反射器是板(不锈等等)则通过胶等等来沉积
-反射器通过间隔件而自空气分开，所述间隔件在活性区周缘，
-所增添的膜，例如(PVB类型)分层夹层，并且反射器例如是具有反射层的玻璃衬底。
[0099]夹层优选地包括(单)层(尤其是厚度小于lOOnm，厚度根据其吸收而被调整)甚至由其构成，所述(单)层为:
?无机的，优选地选自氮化物、氧化物、氮氧化物，例如氮化硅，
?或者树脂，例如与OLED边缘的钝化树脂相同，尤其由聚酰亚胺制成，
?和/或如有必要则为漫射的，例如通过以尤其无机的粘结剂而添加尤其无机的漫射粒子。
[0100]优选地，在该第一配置中，第一阴极接触包括一层，该层基于与金属覆盖元件相同的材料，优选地其为基于铝的层。
[0101]所述阴极接触可以是:
-沉积在阴极上的层:导体胶、通过喷墨或丝网印刷根据所希望的形式而沉积的层、通过PVD沉积的并且如果必要则图案化的薄层、焊剂甚至焊接等等-和/或以预定形式所增添的膜，所述预定形式:金属箔片等等优选为层的阴极接触基于优选选自Al、Ag、Cu、Mo、Cr之中的至少一种金属。
[0102]尤其是，阴极接触和覆盖元件可以通过尤其在夹层(呈层状)和阴极上的连续层形成。优选地，阴极接触、甚至连续层基于与阴极相同的材料，尤其是铝。
[0103]以该方式，在关状态下，所述连续层可以形成镜面并且阴极接触与覆盖元件不进行区分。
[0104]可以希望使用单一沉积技术(例如，气相物理沉积PVD、尤其是阴极溅射或蒸发)用于覆盖元件和阴极接触(并且甚至阴极又或夹层)，甚至还使用层沉积的单一步骤来用于覆盖元件和阴极接触。
[0105]更广泛地，在用于阴极的可能材料之中，可以引用 -一些金属:招、钹、镁、?丐、银、钡、镧铪、铟、秘，
-以及一些镧族元素:铺、镨、钕、衫、铕、礼、铺、镝、钦、铒、钱、镱和镥。
[0106]特别地优选铝、银、钡、钙、钐，它们经常被用于其低输出功。
[0107]以下的表I给出
铝的R2 (其根据所选的厚度可以是透明或半透明的)，
钐的R2，其(单位质量的)电阻率为900 n0hm.m，其根据所选厚度可以是透明或半透明的，以及
钡的R2，其(单位质量的)电阻率为332 n0hm.m，其根据所选厚度是透明或半透明的。
I—1
O
厚度(nm) |R2 (Ω/D) 针对 Al| 厚度(nm) |R2 ( Ω/ □) 针对 Ba| 厚
10~5~5 —66~~
20~2.5~10 —33~50~
S 50_1.30—11"TOO
100~Q.5~5Q —6~2QQ
200~Q.25~75 —4
500|θ.1|lQQ 丨3I
[0108]优选的是，R2大于或等于I甚至大于或等于3欧姆/方块，并且小于20欧姆/方块。
[0109]阴极优选地基于至少一种金属，优选地选自Al和Ag,可选地具有一层LiF,在金属层下面并且例如厚度小于3nm。
[0110]完全特别地，阴极可以包括基于铝的层甚至由其构成，并且阴极接触是基于铝的层，例如在铝制成的阴极层上形成厚度余量。
[0111]在第二配置(具有透明或半透明的阴极)中，反射器为布拉格(Bragg)镜，布拉格镜被布置在阴极上并且邻近于阴极接触，并且阴极接触构成反射器的部分。
[0112]布拉格镜已知为由高折射率nl的薄层(诸如Ti02、Zr02、A1203、Si3N4)和较低折射率n2的薄层(诸如Si02、CaF2)交替形成的堆叠。
[0113]例如指数(indice)的德尔塔(delta) n2_nl为至少0.3、并且优选地至少为0.6,并且所述堆叠包括至少两个高指数层和两个低指数层。
[0114]于是，对于波长趋向570nm为中心的0LED，可以设想多层堆叠Ti02 60nm/Si0295nm,甚至如有必要则重叠该多层堆叠。
[0115]用于OLED的布拉格镜的使用对于本领域技术人员是众所周知的，其如有必要则可以参照以下公开:
?Appl.Phys.Lett.69, 1997(1996); Efficiency enhancement of microcavityorganic light emitting d1des; R.H.Jordan, A.Dodabalapur,和 R.E.Slusher
?JOSA B, Vol.17, Issue I, pp.114-119 (2000) , Semi transparentmetal or distributed Bragg reflector for wide-viewing-angle organiclight-emitting-d1de mirocavities; Kristiaan Neyts, Patrick De Visschere, DavidK.Fork,和 Greg B.Anderson。
[0116]阴极接触可以触及布拉格镜。
[0117]阴极接触例如通过其自活性区超出的端部之一而被连接，因此形成阴极连接件区。

【专利附图】

【附图说明】
[0118]借助于非限制性示例和附图，现在将更详细地描述本发明:
-图1是符合本发明的第一有机电致发光设备的示意性剖视图，
-图1a图示了图1的OLED设备的示意性俯视图，
-图1b示出了根据本发明得到的亮度均质性的图解 -图1’是符合本发明的第二有机电致发光设备的示意性剖视图，
-图1’ a图示了图1’的OLED设备的示意性俯视图，
-图2是符合本发明的第三有机电致发光设备的示意性剖视图，
-图2a图示了图2的OLED设备的部分示意性俯视图，
-图3是符合本发明的具有4个串联连接的堆叠的第四OLED设备的示意性剖视图。
[0119]明确的是，出于清楚性的考虑，所表示的对象的不同元件(其中包括角度)不是按比例再现的。

【具体实施方式】
[0120]故意非常示意性的图1通过剖面图而表示了穿过衬底而发射或英文“bottomemiss1n (底部发射)”的有机电致发光设备。
[0121]OLED设备100 (容易地可串联连接)包括具有第一主面10的透明衬底，包括堆叠，所述堆叠以自所述第一面开始的该顺序包括:
-形成透明阳极I的下电极，包括至少一个导电层，阳极呈给定方块电阻R1，例如银的堆叠或TC0，
-在所述阳极之上的有机电致发光系统2 (包含HTL和ETL层)，
-形成透明或半反射的阴极3的上电极，其在有机电致发光系统之上，包括导电层，阴极呈给定方块电阻R2、恒定的给定厚度，比率r=R2/Rl自0.1至5，所述堆叠于是限定了称为活性的共同区20。
[0122]例如4V或1V的电势V被施加在阳极I的边缘处，这经由周缘的第一阳极电接触41，其例如呈金属(多)层。其被称为第一适配阳极接触41，即其电阻被适配以使得在运转时在任何点处为第一电势V。
[0123]第一适配接触41此处在活性区20外部，在活性区的纵向第一边缘21上。
[0124]本发明于是在于一种OLED模块，其中同时地在两个电极上的电连接的几何结构和比率r被调整以使得在两个电极中发生的电压降相补偿以用于在两个电极之间维持尽可能均匀的电压差。
[0125]对于第一适配阳极接触41的任何点BI，通过定义在所述点BI和接触表面的最接近于所述点B的点Cl之间的距离D1，并且通过定义在所述点BI和相对于第一边缘21的活性区第二纵向边缘22的点Xl之间的、经过Cl的距离LI，因此定义如下准则:
-如果 0.1 ^ r < 1.75，则 20% < D1/L1,
-如果 1.75 ^ r < 2.5,则 20% < D1/L1 < 90%,
-如果 2.5 彡 r < 3，贝丨J 20% < D1/L1 < 80%,
-如果 3 < r < 5，则 20% < D1/L1 < 70%。
[0126]并且还更好地
-如果 0.1 ^ r < 1.75，则 40% 彡 D1/L1，甚至 60% 彡 D1/L1，甚至 70% 彡 D1/L1
-如果 1.75 < r < 2.5，则 40% ( D1/L1 ( 80%,甚至 50% ( D1/L1 ( 70%,
-如果 2.5 彡 r < 3，则 40% ( D1/L1 ( 70%,甚至 40% ( D1/L1 ( 60%,
-如果 3 < r < 5，则 30% ( D1/L1 ( 50%。
[0127]接触表面5此处是实心表面，作为变型其呈栅格状。
[0128]反射器6包括金属反射覆盖元件61，在阴极3之上、远离第一主面，所述覆盖元件61通过电绝缘的电元件7而与阴极3分离，所述元件7被称为夹层，透明且不太吸收，此处优选为无机并且薄的层，诸如50nm的氮化硅。
[0129]第一阴极接触5，邻近于夹层7，是反射的，因此构成反射器6的部分并且优选地与反射覆盖元件61相接触甚至电耦合。
[0130]阴极接触5优选地基于与金属覆盖元件61相同的材料。阴极接触5和覆盖反射器6因此由在夹层7和阴极3上的例如通过气相物理沉积的连续层所形成。优选地，该连续层基于例如lOOnm、甚至500nm厚度的铝。当然，夹层7在将其沉积之前已被结构化，以用于留出与旨在作为阴极接触区的区相对应的自由区。
[0131]活性区20的第二边缘22例如通过例如聚酰亚胺树脂71而被钝化。
[0132]阳极接触41此处在阳极I上，所述阳极I预先沉积在衬底上(或下面的层上)。然而，阳极2完全可以同样好地在阳极接触41之后被沉积并且部分地覆盖它以用于其电链接。
[0133]作为未表示的变型，反射器包括邻近于所述第一阴极接触的布拉格镜。阴极接触，反射的，因此总是构成反射器的部分。布拉格镜(由介电材料制成)可以直接在阴极上。
[0134]阴极3例如是铝层，尤其是呈R2大于或等于I欧姆/方块、甚至大于或等于3欧姆/方块并且小于20欧姆/方块甚至小于10欧姆/方块，阴极接触因此优选是基于铝的层，如已经指明的。
[0135]活性区20例如为至少5cm乘5cm。
[0136]阴极接触在活性区外超过第二边缘22而延展并且例如被沉积在预先存在的接触接点81上。
[0137]OLED设备100在有机电致发光系统2上、远离第一面10地包括覆盖活性区20的反射器6。
[0138]图1a图示了设备100的示意性俯视图，为了更清楚而示出了设备的元件的一部分，即电功能的元件。
[0139]第一适配阳极接触41是直线带。活性区20 (此处仅由其虚线轮廓所限定)，本身也是方形的。
[0140]活性区的相邻于第一和第二边缘21、22的边缘23、24不配备有适配阳极接触。
[0141]作为说明性的，描绘了阳极接触41的点BI，属于阴极接触5 (此处在内部)的最接近的点Cl以及第二边缘22 (在BI的平行于阳极的平面中)的点XI。经过B1、经过Cl在BI的平行于阳极的平面中的正投影并且经过Xl的直线使得能够更好地定义LI和Dl。
[0142]实际上，在第一适配接触21和第一边缘21之间的空间是有限的。第一外部周缘的适配接触优选处于自第一边缘的距离W处，所述W小于L/10甚至小于L/20，其中L是第一和第二边缘21和22之间的此处恒定的距离(等于LI)。
[0143]选择L=15cm、Rorg=1000 Ohm.cm2>3欧姆/方块的阳极,并且定义亮度均质性H为以在OLED的开启电压以上的给定电压来供电的OLED的最小亮度与最大亮度之间的比。
[0144]图1b示出了对于不同比率r (在0.1和4之间)的、作为图1示出的设备100的阴极接触5的D1/L1的函数的均质性H的图解。
[0145]其中见到分别对于r=0.1 ；r=0.5 ；r=l ；r=2 ；r=3 ；r=4的均质性H (呈%)的六条曲线Fl至F6。
[0146]这些图解Fl至F6提醒了适宜的参数范围，尤其是朝向低处的r，优化范围较窄但是H是更好的。
[0147]在不同Rorg (典型地在50和1000 Ohm.cm2之间)、典型在I和10欧姆每方块之间的不同Rl的阳极的情况下，并且对于活性区的任何其它尺寸，H的结果是类似的(遵循相同的趋势)。
[0148]例如选择r=3和D/L=50%与Rl=8欧姆每方块的ITO制成的阳极以及R2=24欧姆每方块的阴极；又或Rl=3欧姆每方块的银的阳极以及R2=9欧姆每方块的阴极。
[0149]为了便于制造，还可以选择更小的r，例如其中r=l和D/L=70%=>其中Rl=8欧姆每方块的ITO制成的阳极以及R2=8欧姆每方块的阴极；又或Rl=3欧姆的银的阳极一R2=3欧姆每方块的阴极。
[0150]为了实现Rl等于3欧姆每方块的阳极，优选银的堆叠，而不是透明导体氧化物“TC0”，诸如ΙΤ0。可以例如引用在申请WO 2008/029060和WO 2009/083693中描述的银的单层或银的双层堆叠。
[0151]为了实现阴极，沉积铝，同时调整厚度。
[0152]图1’是符合本发明的第二有机电致发光设备100’的示意性剖视图。
[0153]已选择足够小的r，例如其中r=l并且100%<D/L。换言之，夹层7和覆盖元件61覆盖整个活性区20并且阴极接触5’在自活性区20超出的阴极区3的区中偏离到第二边缘22的周缘。
[0154]阴极接触5’可以与覆盖元件61相接触，例如在活性区中并且超过地形成连续层。
[0155]图Ta图示了设备100’的示意性俯视图，为了更清楚而示出了设备的元件的一部分，即电功能的元件。
[0156]第一适配阳极接触41是直线带。活性区20 (此处仅由其虚线轮廓所限定)，是矩形的。
[0157]活性区的相邻于第一和第二边缘21、22的边缘23、24不配备有适配阳极接触。
[0158]实际上，在第一适配接触和第一边缘21之间的空间是有限的。第一外部周缘的适配接触优选处于自第一边缘的距离W处，所述W小于L/10甚至小于L/20，其中L是第一和第二边缘21和22之间的距离。
[0159]作为说明性的，描绘了阳极接触41的点BI，阴极接触5 (此处在外部)的最接近的点Cl以及第二边缘22 (在BI的平行于阳极的平面中)的点XI。经过B1、经过Cl在BI的平行于阳极的平面中的正投影并且经过Xl的直线使得能够更好地定义LI和Dl。
[0160]选择L=15cm、Rorg=1000 Ohm.cm2>3欧姆/方块的阳极,并且定义亮度均质性H为以在OLED的开启电压以上的给定电压来供电的OLED的最小亮度与最大亮度之间的比。
[0161]图2是以第一设备100的变型的符合本发明的第二有机电致发光设备100’的示意性剖视图。图2a图示了图2的OLED设备的部分示意性俯视图。
[0162]添加电阻性阳极电接触42，其呈导电层状，被连至第一适配阳极接触41。此处，这些电阻性接触42互连并且在阳极之上(或作为变型在之下)形成栅格并且通过树脂71而被钝化。
[0163]同样为了获得良好的照度均质性，比率r由比率r’=R2/R’ I取代，其中R’ I是(多个)电阻性阳极接触与阳极整体的等效方块电阻，也就是说使阳极和电阻性阳极接触并联。
[0164]电阻性阳极接触42可以由与适配接触41相同的材料制成，但是细得多，例如少于1mm。例如，以5mm为周期的金属段的方形格网，其借助于高度500nm且宽度100 μ m的招线而被实现，形成具有等效方块电阻为2.7欧姆每方块的系统。如果这样的格网被置于方块电阻为20欧姆每方块的ITO阳极上，则阳极的等效电阻(定义为由阳极和电阻性接触的并联而产生的电阻)因此为2.4欧姆每方块。通过在该阳极上实现8x8cm2的方形活性区的OLED (具有100 ohm.cm2的有机材料的竖直电阻)，照度在位于自OLED边缘4cm处的电阻性接触附近将为20%更低。该大于5%的照度减低归因于产生OLED中心处阳极电压减低从而产生照度下降的电阻性接触的电阻性特征。
[0165]相对于第一设备的另一差别是第一阳极接触41在活性区20中而非在之外沿着第一边缘21。而且，其通过树脂71而被钝化。其超出边缘24 (相邻于第一边缘21)以用于其电连接。
[0166]图3是符合本发明的第三有机电致发光设备1000的示意性剖视图。
[0167]事实上，OLED设备包括四个第一设备100类型的OLED设备10a至100b，因此四个堆叠限定了四个活性区20a至20d并且沿方向A而被串联连接。
[0168]当然，阴极接触的接点81被移位在最后的堆叠20d的最后的边缘上。此外，第一阴极接触5a自第一活性区20a突出并且用作第二阳极2b的阳极接触41b并且后续也如此。
[0169]此处存在单个衬底10，但也可以使用四个支撑，其中OLED对接在一起。
[0170]优选等同的活性区是直线带甚至是弯曲带并且宽度恒定。
[0171]优选在每个设备10a至10d之间最小化非反射区。
[0172]还可以实现具有100’或200类型的设备的串联0LED。还可以实现具有圆形或类似的活性区的串联0LED。
【权利要求】
1.一种有机电致发光二极管、称作OLED的设备(100至200，1000)，其包括具有第一主面(10)的透明衬底，包括堆叠，所述堆叠以从所述第一面开始的该顺序包括: -形成透明阳极(I)的下电极，阳极呈给定方块电阻Rl， -在所述阳极上的有机电致发光系统(2 )， -形成阴极(3)的上电极，其在有机电致发光系统上，阴极(3)呈给定方块电阻R2，比率r=R2/Rl 从 0.1 至 5， 所述阳极、有机电致发光系统和阴极于是限定了称为活性的共同区(20)， 所述OLED设备包括: -沿着活性区(20)的第一边缘(21)，有第一适配阳极电接触(41)，甚至多个适配阳极电接触， -第一阴极电接触(5’，5，5a，5d)，其自适配阳极电接触(41)岔开，阴极接触(5)呈给定表面，称为接触表面， 对于每个适配阳极接触(41)的任何点BI，通过定义在所述点BI与接触表面的最接近于所述点BI的点Cl之间的距离D1，以及通过定义在所述点BI与相对于第一边缘(21)的活性区第二边缘(22)的点Xl之间、经过Cl的距离LI，因此定义以下准则:
-如果 0.1 ^ r < 1.75，则 20% < D1/L1,
-如果 1.75 ^ r < 2.5,则 20% < D1/L1 < 90%, -或如果 2.5 彡 r < 3，则 20% < D1/L1 < 80%, -或还如果3彡r彡5，则20% < D1/L1 < 70%, 并且OLED设备(100 )在有机电致发光系统(2 )之上、远离第一面(10 )地包括覆盖活性区(20)的反射器(6)。
2.一种有机电致发光二极管、称作OLED的设备(1000)，其包括具有第一主面(10)的透明衬底，包括数目η大于I的堆叠(100a至100d)，每个堆叠以从所述第一面开始的该顺序包括: -形成透明阳极(I)的下电极，阳极呈给定方块电阻R1， -在所述阳极上的有机电致发光系统(2 )， -形成阴极(3)的上电极，其在有机电致发光系统上，阴极(3)呈给定方块电阻R2，比率r=R2/Rl 从 0.1 至 5， 所述阳极(I)、有机电致发光系统(2)和阴极(3)于是限定了称为活性的共同区(20a，20d), 所述堆叠串联连接，或适于串联连接，并且对于堆叠中至少之一，优选地对于η个堆叠中的多数甚至每个，所述OLED设备包括: -沿着活性区(20)的第一边缘(21)，有第一适配阳极电接触，甚至多个适配阳极电接触(41，41a 至 41d)， -第一阴极电接触(5’，5a至5d)，其自所述一个或多个适配阳极电接触(41)岔开，阴极接触(5)呈给定表面，称为接触表面， -对于每个适配阳极接触(41)的任何点BI，通过定义在所述点BI与接触表面的最接近于所述点B的点Cl之间的距离D1，以及通过定义在所述点BI与相对于第一边缘(21)的活性区第二边缘(22)的点Xl之间、经过Cl的距离LI，因此定义以下准则:
-如果 0.1 ^ r < 1.75，则 20% < D1/L1,
-如果 1.75 ^ r < 2.5,则 20% < D1/L1 < 90%,
-如果 2.5 彡 r < 3，贝丨J 20% < D1/L1 < 80%, -如果 3 < r < 5，则 20% < D1/L1 < 70%。
3.根据前述权利要求中之一所述的OLED设备(100至1000)，其特征在于，接触表面(5，5’，5a至5d)是实心表面，呈栅格状的表面。
4.根据前述权利要求中之一所述的OLED设备(100至1000)，其特征在于，阴极接触(5)在活性区(20)之上，尤其如果1.75 Sr的话，或者阴极接触(5’)在活性区(20)之外，尤其如果！.< 1.75的话。
5.根据前述权利要求中之一所述的OLED设备(100至1000)，其特征在于，阴极接触(5 )在活性区(20 )之上并且呈现与活性区(20 )的表面基本上位似的表面，并且尤其自适配阳极接触(41)呈基本上恒定的距离。
6.根据前述权利要求中之一所述的OLED设备(100至1000)，其特征在于，阴极接触(5)在活性区(20)之上并且自适配阳极接触(41)呈基本上恒定的距离。
7.根据前述权利要求中之一所述的OLED设备(100至1000)，其特征在于:
-如果 0.1 ^ r < 1.75，则 40% 彡 D1/L1，甚至 60% ^ D1/L1,
-如果 1.75 < r < 2.5，则 40% ( D1/L1 ( 80%,甚至 50% ( D1/L1 ( 70%,
-如果 2.5 彡 r < 3，则 40% ( D1/L1 ( 70%,甚至 40% ( D1/L1 ( 60%, -如果 3 < r < 5，则 30% ( D1/L1 ( 50%。
8.根据前述权利要求中之一所述的OLED设备(100至1000)，其特征在于，一些被称为电阻性的阳极电接触(42)，其尤其呈导电层状，接触(42)的电阻大于所述一个或多个适配阳极接触(41)的电阻，被连至(多个)适配阳极接触(41)，并且在于，被包括在0.1和5之间的比率r由自0.1至5之间变化的比率r’ =R2/R1’取代，其中R1’为(多个)电阻性阳极接触(42)与阳极(I)整体的等效方块电阻。
9.根据前述权利要求中之一所述的OLED设备(100至1000)，其特征在于，第一边缘(21)和第二边缘(22)是活性区(20)的纵向边缘。
10.根据权利要求2至9中之一所述的OLED设备(100至1000)，其特征在于，η个堆叠中多个、甚至η个堆叠的活性区是类似尺寸的。
11.根据前述权利要求中之一所述的OLED设备(100至1000)，其特征在于，阴极(3)是透明或半反射的，反射器(6)包括尤其为金属的反射覆盖元件(61)，在阴极(3)之上、远离第一主面，所述反射覆盖元件(61)通过被称为夹层的电绝缘元件(7)而与阴极分离，并且在于，第一阴极接触(5)，邻近于夹层(7)，优选地构成反射器(6)的部分并且优选地与反射覆盖元件(61)相接触甚至电耦合。
12.根据前项权利要求所述的OLED设备(100至1000)，其特征在于，第一阴极接触(5)是基于与反射覆盖元件(61)相同的材料，优选地基于铝，尤其是第一阴极接触(5)和反射覆盖元件(61)由连续层形成，并且优选地阴极接触(5)是基于与阴极(3)相同的材料。
13.根据前项权利要求所述的OLED设备(100至1000)，其特征在于，所述连续层是基于与阴极(3 )相同的材料，尤其是铝。
14.根据前述权利要求中之一所述的OLED设备(100至1000)，其特征在于，所述阴极包括基于铝的层并且所述第一阴极接触包括基于铝的层。
15.根据权利要求1至10中之一所述的OLED设备，其特征在于，反射器包括布拉格镜，邻近于阴极接触，并且阴极接触构成反射器的部分。
【文档编号】H01L27/32GK104137291SQ201280070915
【公开日】2014年11月5日 申请日期:2012年12月28日 优先权日:2011年12月30日
【发明者】V.谢里, F.利纳尔, V.索维内 申请人:法国圣戈班玻璃厂