有机晶体管及其制造方法
【专利摘要】有机晶体管的制造方法具备：在基板(1)上层叠形成基底绝缘层(3)的工序；在基底绝缘层(3)上形成源电极(5a)、漏电极(5b)的工序；覆盖源电极(5a)、漏电极(5b)并且与基底绝缘层(3)接触地层叠形成有机半导体层(7)的工序；在有机半导体层(7)上层叠形成栅绝缘层(9)的工序；在栅绝缘层(9)上形成栅电极(11)的工序；以及，在形成有机半导体层(7)之前，对于基底绝缘层(3)的与有机半导体层(7)接触的面进行表面处理的工序。表面处理按照下述方式进行：将使用与有机半导体层(7)相同的材料层叠形成的两层间的附着功设为W1时，在进行过表面处理的基底绝缘层(3)上形成有机半导体层(7)时，基底绝缘层(3)与有机半导体层(7)之间的附着功W2满足W1≥W2的关系。
【专利说明】有机晶体管及其制造方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及有机晶体管及其制造方法。
【背景技术】
[0002]有机晶体管为使用了有机半导体材料的晶体管，如今，场效应迁移率(以下，简单地标记为迁移率)达到与非晶硅同等的lcmVVsec。有机晶体管根据栅电极的配置大体上分为顶栅型结构和底栅型结构。为顶栅型结构的情况下，在有机半导体层上层叠栅绝缘层、形成沟道。可以认为有机半导体材料结晶化时，有机半导体层的迁移率变大，因而优选。
[0003]如今，通过蒸镀、涂敷而形成有机半导体层，在这些方法中，有机半导体材料成为多晶。具有多晶的有机半导体层的有机晶体管的迁移率主要受在粒子间移动的边界迁移率限制，迁移率μ与有机半导体层的粒径L之间，下式的关系成立。由该式可以认为，能够通过增大有机半导体层的粒径L而增大迁移率μ。
【权利要求】
1.一种有机晶体管，其特征在于，具备:支撑体、在所述支撑体上层叠的第一绝缘层、在所述第一绝缘层上层叠的有机半导体层、与所述有机半导体层部分地接触而设置的一对源电极和漏电极、在比所述有机半导体层靠上方的位置层叠的第二绝缘层、和在所述第二绝缘层上设置的栅电极； 所述第一绝缘层的与所述有机半导体层接触的面进行过表面处理，所述表面处理为如下处理:将使用与所述有机半导体层相同的材料层叠形成的两层间的附着功设为Wi时，在进行过表面处理的作为基底的所述第一绝缘层上形成所述有机半导体层时，该第一绝缘层与所述有机半导体层之间的附着功W2满足Wl ^ W2的关系。
2.根据权利要求1所述的有机晶体管，其中，在所述第一绝缘层的表面上，至少对应于所述有机半导体层与所述第二绝缘层的边界上形成的沟道区域，部分地实施所述表面处理。
3.根据权利要求1所述的有机晶体管，其中，所述表面处理为附着碳原子数10以上且30以下的饱和烃化合物的处理。
4.根据权利要求1所述的有机晶体管，其中，所述有机半导体层的构成材料为并五苯。
5.根据权利要求1所述的有机晶体管，其中，所述第一绝缘层的构成材料为SrTi03。
6.根据权利要求1所述的有机晶体管，其中，所述一对源电极和漏电极为在比所述有机半导体层靠下方 的位置设置的顶栅/底接触型结构。
7.根据权利要求6所述的有机晶体管，其中，在所述一对源电极和漏电极上设置有SAM膜。
8.一种有机晶体管的制造方法，其特征在于，所述有机晶体管具备:支撑体、在所述支撑体上层叠的第一绝缘层、在所述第一绝缘层上层叠的有机半导体层、与所述有机半导体层部分地接触而设置的一对源电极和漏电极、在比所述有机半导体层靠上方的位置层叠的第二绝缘层、和在所述第二绝缘层上设置的栅电极； 所述方法具备:对所述第一绝缘层的与所述有机半导体层接触的面进行表面处理的工序；在表面处理后的所述第一绝缘层上形成所述有机半导体层的工序， 所述表面处理按照下述方式进行:将使用与所述有机半导体层相同的材料层叠形成的两层间的附着功设为Wl时，在进行过表面处理的作为基底的所述第一绝缘层上形成所述有机半导体层时，该第一绝缘层与所述有机半导体层之间的附着功W2满足Wl 3W2的关系O
【文档编号】H01L51/05GK103999201SQ201280060467
【公开日】2014年8月20日 申请日期:2012年11月14日 优先权日:2011年12月8日
【发明者】布濑晓志, 齐藤美佐子, 佐藤浩 申请人:东京毅力科创株式会社