基板处理装置制造方法
【专利摘要】公开了基板处理装置。本发明涉及的基板处理装置，气氛气体通过设置在本体内部的供气管的吐气孔均匀地供给到本体的内部，并且，气氛气体通过设置在本体内部的排气管的吸气孔流经本体内部的所有部位后向外部排出。这样，气氛气体均匀地分布于本体内部的不同部位，因此本体内部的不同部位的温度均匀。由此，能够提高基板处理工艺的可靠性。
【专利说明】基板处理装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种能够使气氛气体均匀地分布的基板处理装置。
【背景技术】
[0002]基板处理装置应用于平板显示器的生产，并大致分为蒸镀(Vapor D印osition)装置和退火(Annealing)装置。
[0003]蒸镀装置作为用于形成构成平板显示器核心结构的透明导电层、绝缘层、金属层或娃层的装置，分为低压化学气相沉积(LPCVD:Low Pressure Chemical VaporDeposition)或等离子体增强化学气相沉积(PECVD:Plasma_Enhanced Chemical VaporDeposition)等方式的化学气相沉积装置和派射(Sputtering)等方式的物理气相沉积装置。
[0004]退火装置在基板上蒸镀膜以后，提高蒸镀后的膜的特性，是对蒸镀后的膜进行结晶化或相变化的热处理装置。
[0005]热处理装置大致分为对一个基板进行热处理的单处理式(Single SubstrateType)和对多个基板进行热处理的批处理式(Batch Type)，在大批量的生产中多使用批处
理式基板处理装置。
[0006]基板处理装置包括:本体，在其内部形成有作为基板处理空间的腔室；多个加热器，设置在所述本体的内部，用于产生处理所述基板所需的热量；供气管，用于供给形成处理基板所需环境的气氛气体，如氩(Ar)、氮(N2)、氢(H2)等；以及排气管，用于向外部排出气氛气体。
[0007]现有的基板处理装置，在本体的相互对置的一侧面和另一侧面分别设置用于使气氛气体流入的流入管和用于排出气氛气体的排出管，并且使气氛气体从本体的一侧面流入后，向另一侧面排出。即，从本体内部一侧面流入的气氛气体向本体内部另一侧面流动，并通过本体的另一侧面向本体外部排出。
[0008]因此，现有的基板处理装置，根据本体内部的部位，气氛气体分布不均匀，从而导致本体内部的温度根据不同部位而各不相同。由此，多个基板的处理相互不同，且一个基板的不同部位的处理也不同，从而降低基板处理工艺的可靠性。
[0009]有关基板处理装置的在先技术，在韩国授权专利公报第10-0833712号等中已公开。
【发明内容】
[0010]技术问题
[0011]本发明是为了解决如上所述的现有技术的问题而提出的，本发明的目的在于提供一种基板处理装置，通过使气氛气体在本体内部的不同部位均匀地分布，以使本体内部温度均匀，从而能够提高基板处理工艺的可靠性。
[0012]问题解决手段[0013]为了实现上述目的，本发明涉及的基板处理装置包括:本体，在其内部形成有作为基板处理空间的腔室，并且在前面形成有用于基板出入的出入口 ；多个加热器，设置在所述本体的内部，用于产生处理所述基板所需的热量；多个供气管，设置在所述本体的内部，且分别形成有多个吐气孔，用于向所述本体内部供给基板处理用气氛气体；多个排气管，设置在所述本体的内部，且分别形成有多个吸气孔，用于吸入流入到所述本体的所述气氛气体后排出。发明效果
[0014]本发明涉及的基板处理装置，气氛气体通过设置在本体内部的供气管的吐气孔均匀地供给到本体内部，并且，气氛气体通过设置在本体内部的排气管的吸气孔流经本体内部的所有部位后向外部排出。这样,气氛气体均匀地分布于本体内部的不同部位，因此本体内部的不同部位的温度均匀。由此，能够提高基板处理工艺的可靠性。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]图1是本发明的一实施例涉及的基板处理装置的立体图。
[0016]图2是表示图1所示的供气管和排气管的立体图。
[0017]图3是图2的仰视立体图。
[0018]图4是图1的右侧视图。
[0019]图5是本发明的另一实施例涉及的基板处理装置的右侧视图。
【具体实施方式】
[0020]以下，参照附图对本发明的特定实施例进行详细说明。详细说明这些实施例，以便本领域的技术人员能够充分实施本发明。本发明的多种实施例虽然有所不同，但不应理解为相互排斥。例如，记载于此的一实施例的特定形状、特定结构以及特性，在不超出本发明的精神以及范围的基础上，可以以其他实施例的形式体现。而且，应理解为，每个公开的实施例中的个别构成要素的位置或设置，可以在不超出本发明的精神以及范围的情况下进行变更。因此，后述的详细说明并非旨在限定，准确地说，本发明的范围仅以权利要求书所记载的内容为准，包括与其权利要求所主张的内容等同的所有范围。为了方便起见，也有可能夸张显示附图所示实施例的长度、面积、厚度及形态。
[0021]以下参照附图来详细说明本发明的实施例涉及的基板处理装置。
[0022]以下说明的基板处理包括:加热以及冷却基板的工艺；用于在基板上蒸镀规定膜的所有工艺；对蒸镀在基板上的规定膜进行退火、结晶化或相变化的所有热处理工艺。此夕卜，对基板的材质没有特别的限制，可以由玻璃、树脂、聚合物、硅晶片或者不锈钢等材质形成。
[0023]图1是本发明的一实施例涉及的基板处理装置的立体图。
[0024]如图所示，本实施例涉及的基板处理装置包括以形成外观的本体110。本体110大致呈长方体形状，在其内部形成有用于处理基板50的封闭空间，即腔室。本体110的形状不限于长方体形状，可以根据基板50的形状形成为多种形状。
[0025]在本体110的前面形成有用于基板50出入的出入口 113，出入口 113通过设置在本体110前面的门115而开闭。在开启门115使所述腔室与外部连通的状态下，通过机械臂(未图示)等支撑基板50，以将基板50装载至所述腔室。然后关闭门115，在封闭所述腔室的状态下，对基板50进行处理。
[0026]在本体110的上面可以形成有开放部(未图示)，所述开放部通过盖子117而开闭。在本体Iio的内部设有处理基板50所需的部件，在修理或替换所述部件时，开启盖子117，使所述腔室与外部连通。
[0027]处理基板50所需的所述部件有加热器120、供气管130以及排气管140等。
[0028]加热器120用于产生处理基板50所需的热量。加热器120呈杆状，设置在本体120的内部，并且分别平行于本体110的左右方向以及前后方向。
[0029]平行于本体110左右方向的加热器121的左端部侧以及右端部侧分别支撑于本体110的左侧面以及右侧面，并且分别设置在本体110的前面侧、背面侧、上面侧、下面侧。平行于本体Iio前后方向的加热器123的前端部侧以及后端部侧分别支撑于出入口 113外侧的本体110的前面以及本体110的背面。
[0030]基板50可以直接搭载支撑于加热器121上，也可以搭载支撑于形成在加热器121上的支撑销(未图示)上，也可以搭载支撑于设置在本体110内部的单独的支撑部件(未图示)或支撑杆(未图示)上。
[0031]供气管130向本体110内部供给氩(Ar)、氮(N2)、氢(H2)等气氛气体，排气管140向本体Iio外部排出气氛气体。气氛气体形成处理基板50所需的环境，同时调节本体110内部的温度。
[0032]参照图1至图4来说明供气管130以及排气管140。图2是表示图1所示的供气管和排气管的立体图，图3是图2的仰视立体图，图4是图1的右侧视图。
[0033]如图所示，供气管130的左端部侧位于本体110的左侧面外侧，右端部侧穿过本体110的左侧面而支撑于右侧面，且设置在本体110的内部。供气管130平行于与本体110的左右方向平行的加热器121，并且如图4所示，设置在由加热器121形成的空间的内侧。此夕卜，供气管130在本体110的上下方向上以等距离设置，同时在本体110的前后方向上以等距离设置。
[0034]在各个供气管130上形成有用于向本体110内部吐出气氛气体的多个吐气孔131，优选，吐气孔131朝向下方。此外，优选，向本体110的左侧面外侧露出的供气管130的左端部侧相互连通且通过一个管道133接收气氛气体。供气管130的管道133与储藏有气氛气体的压缩罐(未图示)等连通。
[0035]排气管140的右端部侧位于本体110的右侧面外侧，左端部侧穿过本体110的右侧面而支撑于左侧面，且设置在本体110的内部。排气管140平行于与本体110的右右方向平行的加热器121，并且如图4所示，设置在由加热器121形成的空间的内侧。此外，排气管140在本体110的上下方向上以等距离设置，同时在本体110的前后方向上以等距离设置。
[0036]在各排气管140上形成有用于吸入流入到本体110内部的气氛气体的多个吸气孔141，优选，吸气孔141朝向上方。此外，优选，向本体110的右侧面外侧露出的排气管140的右端部侧相互连通且通过一个管道143排出气氛气体。排气管140的管道143连通于真空泵(未图示)侧。
[0037]为了便于向外部排出从吐气孔131吐出后流入到本体110的气氛气体，优选，吸气孔141的直径大于吐气孔131的直径。由于吸气孔141的直径大于吐气孔131的直径，优选，排气管140的直径大于供气管130的直径。
[0038]此外，吐气孔131的直径以及吸气孔141的直径也可以相互均匀，也可以根据基板50的处理条件等而相互不均匀。
[0039]根据需要，可以在供气管130之间或排气管140之间进一步设置加热器125。加热器125与加热器121同样地设置，平行于本体110的左右方向。
[0040]当然，对本体110和加热器120之间的缝隙、本体110和供气管130之间的缝隙以及本体110和排气管140之间的缝隙进行密封。
[0041]本实施例涉及的基板处理装置，气氛气体通过设置在本体110内部的供气管130的吐气孔131能够均匀地供给到本体110内部，并且，气氛气体通过设置在本体110内部的排气管140的吸气孔141流经本体110内部的所有部位后向外部排出。这样,气氛气体能够均匀地分布于本体110内部的不同部位，因此本体110内部保持均匀的温度。
[0042]图5是本发明的另一实施例涉及的基板处理装置的右侧视图，在此只说明与图4的不同点。
[0043]如图所示，供气管230和排气管240可以在本体210的前后方向上分别以非等距离设置，同时在本体210的上下方向上以非等距离设置。
[0044]上述的本发明的实施例的附图省略了详细的轮廓线条而概略示出，以便于理解属于本发明的技术思想的部分。而且，上述的实施例不能作为限定本发明的技术思想的标准，其仅仅是为了理解包含于本发明权利范围内的技术事项的参考事项。
【权利要求】
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括: 本体，在其内部形成有作为基板处理空间的腔室，并且在前面形成有用于所述基板出入的出入口； 多个加热器，设置在所述本体的内部，用于产生处理所述基板所需的热量； 多个供气管，设置在所述本体的内部，且分别形成有多个吐气孔，用于向所述本体的内部供给基板处理用气氛气体； 多个排气管，设置在所述本体的内部，且分别形成有多个吸气孔，用于吸入流入到所述本体的所述气氛气体后排出。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于， 所述加热器分别平行于所述本体的左右方向以及前后方向， 平行于所述本体的左右方向的所述加热器的左端部侧以及右端部侧分别支撑于所述本体的左侧面以及右侧面，并且分别设置在所述本体的前面侧、背面侧、上面侧、下面侧， 平行于所述本体的前后方向的所述加热器的前端部侧以及后端部侧分别支撑于所述出入口外侧的所述本体的前面以及所述本体的背面。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于， 所述供气管的左端部侧位于所述本体的左侧面外侧，右端部侧穿过所述本体的左侧面而支撑于所述本体的右侧面， 所述排气管的右端 部侧位于所述本体的右侧面外侧，左端部侧穿过所述本体的右侧面而支撑于所述本体的左侧面。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于， 所述供气管以及所述排气管设置在由所述加热器形成的空间的内侧，所述加热器平行于所述本体的左右方向。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于， 所述供气管和所述排气管分别在所述本体的前后方向上以等距离设置，同时在所述本体的上下方向上以等距离设置。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于， 所述供气管和所述排气管分别在所述本体的前后方向上以非等距离设置，同时在所述本体的上下方向上以非等距离设置。
7.根据权利要求5或6所述的基板处理装置，其特征在于， 在所述供气管之间或所述排气管之间还设置有所述加热器，所述加热器的左端部侧以及右端部侧支撑于所述本体的左侧面以及右侧面，并且平行于所述本体的左右方向。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于， 向所述本体的左侧面外侧露出的所述供气管的左端部侧相互连通且通过一个管道接收气氛气体， 向所述本体的右侧面外侧露出的所述排气管的右端部侧相互连通且通过一个管道排出气氛气体。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于， 所述吸气孔的直径大于所述吐气孔的直径。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，所述吐气孔的直径以及所述吸气孔的直径相互均匀。
11.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，所述吐气孔的直径以及所述吸气孔的直径相互不均匀。
12.根据权利要求10或11所述的基板处理装置，其特征在于，所述吐气孔朝向下侧，所述吸气孔朝向上侧。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，所述排气管的直径大于所述供气管的`直径。
【文档编号】H01L21/324GK103890642SQ201280051208
【公开日】2014年6月25日 申请日期:2012年4月30日 优先权日:2011年10月18日
【发明者】朴暻完 申请人:泰拉半导体株式会社