专利名称：多层封装基板构造的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及一种多层封装基板构造，特别是有关于一种具有薄核心板的多层封装基板构造。
背景技术：
现今，半导体封装产业为了满足各种高整合度(integration)及微型化(miniaturization)的封装需求，以供更多有源无源组件及线路连接，半导体封装基板逐渐由双层电路板演变成多层电路板，以在有限的空间下运用层间连接技术(interlayerconnection)来扩大半导体封装基板上可供利用的线路布局面积，除此，降低封装基板的厚度，就能同时达到封装件既轻薄短小又能提高电性功能的目的。现有技术的多层电路板是由一核心板及对称形成在其两侧的线路增层结构所组成。但因为封装基板在增层期间需要使用具有足够厚度的核心板以确保能提供足够的支撑强度，及防止因热应力(thermal stress)拉扯而产生的翅曲(warpage)等问题,故核心板的厚度造成封装基板的整体厚度增加；再者，若是在封装基板制作过程中，移除核心板，一方面需要增加制作手续，另一方面移除的过程中，也容易造成多层电路的变形。故，有必要提供一种多层封装基板构造，以解决现有技术所存在的问题
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型提供一种多层封装基板构造，以解决现有技术所存在核心板过厚或核心板移除造成封装基板变形的问题。本实用新型的主要目的在于提供一种多层封装基板构造，其利用一具有一介电层及两侧金属层的薄核心板，进行增层电路的工艺，可以降低基板厚度及提高电路集成度。本实用新型的次要目的在于提供一种多层封装基板构造，其利用一具有一介电层及两侧金属层的薄核心板，进行增层电路的工艺，可以节省移除核心板的步骤，进而提高生产速度、降低制造成本及避免基板在移除过程中变形。为达成本实用新型的前述目的，本实用新型一实施例提供一种多层封装基板构造，所述封装基板构造包含:一核心板、一第一增层结构以及一第二增层结构。所述核心板包含:一核心介电层、两个核心电路层以及至少一第一激光导电孔。所述核心介电层具有一第一表面及一第二表面。所述两个核心电路层各设置于所述第一表面及第二表面上。所述第一激光导电孔贯穿所述第一表面及第二表面，以电性连接所述两个核心电路层。所述第一增层结构包含 一第一介电层、一第一电路层以及至少一第二激光导电孔。所述第一介电层覆盖于所述核心介电层的第一表面及所述核心电路层上。所述第一电路层设置于所述第一介电层远离所述核心电路层的一表面上。所述第二激光导电孔贯穿所述第一介电层内，以电性连接所述核心电路层及所述第一电路层。所述第二增层结构包含:一第二介电层、一第二电路层以及多个第一导电柱。所述第二介电层设置于所述核心介电层的第二表面上。所述第二电路层设置于所述第二介电层远离所述核心电路层的一表面上。所述多个第一导电柱贯穿所述第二介电层，以电性连接所述核心电路层以及第二电路层。其中所述第一激光导电孔及第二激光导电孔的粗糙度(Ra) 2微米，所述多个第一导电柱的粗糙度(Ra)小于I微米。再者，本实用新型另一实施例提供另一种多层封装基板构造，所述封装基板构造包含:一核心板、一第一增层结构以及两个第二增层结构。所述核心板包含:一核心介电层、两个核心电路层以及至少一第一激光导电孔。所述核心介电层具有一第一表面及一第二表面。所述两个核心电路层各设置于所述第一表面及第二表面上。所述至少一第一激光导电孔贯穿所述第一表面及第二表面，以电性连接所述两个核心电路层。所述第一增层结构包含:一第一介电层、一第一电路层以及至少一第二激光导电孔。所述第一介电层覆盖于所述核心介电层的第一表面及所述核心电路层上。所述第一电路层设置于所述第一介电层远离所述核心电路层的一表面上。所述第二激光导电孔贯穿所述第一介电层内，以电性连接所述核心电路层及所述第一电路层。所述两个第二增层结构包含:两个第二介电层、多个第一导电柱以及两个第二电路层。所述两个第二介电层分别设置于所述核心介电层的第二表面上，以及设置于所述第一介电层远离所述核心电路层的表面上。所述多个第一导电柱贯穿所述第二介电层，以分别电性连接所述核心电路层，以及电性连接所述第一电路层。所述两个第二电路层分别设置于所述两个第二介电层远离所述核心电路层的一表面上，以电性连接所述第一导电柱。其中所述第一激光导电孔及第二激光导电孔的粗糙度小于2微米，所述多个第一导电柱的粗糙度小于I微米。与现有技术相比较，本实用新型的多层封装基板构造，这样不但可简化工艺步骤，还可以使得封装基板轻薄且不易变形。
图1是本实用新型一实施例多层封装基板构造的剖面示意图。图2是本实用新型另一实施例多层封装基板构造的剖面示意图。图3是本实用新型又一实施例多层封装基板构造的剖面示意图。图4A-4I是本实用新型一实施例多层封装基板构造的制造方法的示意图。
具体实施方式
为让本实用新型上述目的、特征及优点更明显易懂，下文特举本实用新型较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。再者，本实用新型所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「顶」、「底」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」、「周围」、「中央」、「水平」、「横向」、「垂直」、「纵向」、「轴向」、「径向」、「最上层」或「最下层」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本实用新型，而非用以限制本实用新型。请参照图1所示，本实用新型一实施例为四层的多层封装基板构造主要包含:所述封装基板构造包含:一核心板10、一第一增层结构20以及一第二增层结构30a。所述核心板10包含:一核心介电层11、两个核心电路层12a’、12b’以及至少一第一激光导电孔13。所述核心介电层11具有一第一表面及一第二表面。所述两个核心电路层12a’、12b’各设置于所述第一表面及第二表面上。所述第一激光导电孔13贯穿所述第一表面及第二表面，以电性连接所述两个核心电路层12a’、12b’。[0017]再者，所述第一增层结构20的厚度基本上等于所述核心板的厚度10，并包含:一第一介电层21、一第一电路层22以及至少一第二激光导电孔23。所述第一介电层21覆盖于所述核心介电层11的第一表面及所述核心电路层12a’上。所述第一电路层22设置于所述第一介电层21远离所述核心电路层12a’的一表面上。所述第二激光导电孔23贯穿所述第一介电层21内，以电性连接所述核心电路层12a’及所述第一电路层22。此外，所述第二增层结构30a包含:一第二介电层31a、多个第一导电柱32a以及一第二电路层33a。所述第二介电层31a设置于所述核心介电层11的第二表面上。所述第二电路层33a设置于所述第二介电层31a远离所述核心电路层12a’的一表面上。所述多个第一导电柱32a贯穿所述第二介电层31a，以电性连接所述核心电路层12a’以及第二电路层33a。所述第一导电柱32a为铜柱。其中所述第一激光导电孔13及第二激光导电孔23的粗糙度小于2微米，所述多个第一导电柱32a的粗糙度小于I微米。再者，所述多层封装基板构造还包含:两个阻焊层40a、40b，分别设置在所述第一电路层22以及所述第二电路层33a外，且所述阻焊层40a、40b具有多个阻焊层开孔，以裸露所述第一电路层22及所述第二电路层33a的一部份，形成多个连接垫。请参照图2所示，本实用新型另一实施例为五层的多层封装基板构造包含图1中四层的多层封装基板构造的基本架构，其中包含所述核心板10及所述第一增层结构20，但包含二个第二增层结构30a、30b。所述两个第二增层结构30a、30b包含:两个第二介电层31a、31b、多个第一导电柱32a、32b以及两个第二电路层33a、33b。所述两个第二介电层31a、31b分别设置于所述核心介电层11的第二表面上，以及设置于所述第一介电层21远离所述核心电路层12a’的表面上。所述多个第一导电柱32a、32b贯穿所述第二介电层31a、31b，以分别电性连接所述核心电路层12a’、12b’，以及电性连接所述第一电路层22。所述两个第二电路层33a、33b分别设置于所述两个第二介电层31a、31b远离所述核心电路层12a’、12b’的一表面上，以电性连接所述第一导电柱32a、32b。所述第一导电柱32a、32b为铜柱。再者，所述多层封装基板构造还包含:两个阻焊层40a、40b，分别设置在所述第二电路层33a、33b外，且所述阻焊层40a、40b具有多个阻焊层开孔，以裸露所述第二电路层33a、33b的一部份，形成多个连接垫。请参照图3所示，本实用新型又一实施例为七层的多层封装基板构造，其主要在五层的多层封装基板构造的基础上(如图2，但不含图中的所述阻焊层40a、40b，所述阻焊层40a、40b在本图中分别设置在所述第二电路层33a、33b外)，另包含:两个第三增层结构，其包含:两个第三介电层，分别设置于所述第二介电层远离所述核心电路层的一表面上；多个第二导电柱，贯穿所述第三介电层，以电性连接所述第二电路层；以及两个第三电路层，设置于所述第三介电层远离所述第二介电层的一表面上，并电性连接所述第二导电柱。除此，还包含两个阻焊层40a、40b，分别设置在所述第三电路层外，且所述阻焊层40a、40b具有多个阻焊层开孔，以裸露所述第三电路层的一部份，形成多个连接垫。在以上实施例中之所述核心板10、所述第一增层结构20及所述第二增层结构30a、30b亦或是其他增层的厚度基本上彼此相等。本发明将于下文利用图4A至41逐一详细说明，本发明一实施例封装基板条构造的制造方法，其主要包含下列步骤:首先，请参照图4A所示，提供一核心板10，所述核心板10包含一核心介电层11及两个核心铜箔层12a、12b,所述核心板10的核心介电层11可为ABF(Ajinomoto Build-upFilm)、BCB (Benzocyclo-buthene)、LCP (Liquid CrystalPolymer)、PI (Poly-1mide)、FR4、FR5、BT (Bismaleimide Triazine)、芳香尼龙(Aramide)、环氧树脂及玻璃纤维所组群组之一者或其他等效材料，如热固型树脂材料等，并且所述核心板的厚度是介于50至80微米之间；接着，请参照图4B所示，利用一光掩膜形成至少一第一激光导电孔13，贯穿所述第一表面及第二表面，以电性连接所述两个核心电路层12a、12b，所述第一激光导电孔13约为一上宽下窄的柱状空孔，形成方式可用激光钻孔在所述核心介电层11上进行钻孔，所述柱状空孔的粗糙度(Ra)小于2微米；然后，请参照图4C所示，利用一图案化的第一光刻胶层50a，在所述核心电路层12b上再以导电材料如铜、镍、金、铝等物质电镀填满以形成所述第一激光导电孔13 ；之后，请参照图4D所示，在所述核心板10的上下两侧，各利用一图案化的第二及第三光刻胶层50b、50c使得所述两个核心铜箔层12a、12b被蚀刻成两个图案化的核心电路层 12a，、12b，；接着，要在所述核心板10的下表面形成一第一增层结构20，请参照图3E所示，先在所述核心介电层11的第一表面及所述核心电路层12a’上压合一第一介电层21，所述第一介电层21的材料可为绝缘树脂材料，例如玻璃纤维层经过含浸环氧树脂(epoxy)并干燥硬化后所制成的B阶化胶片(B-stage pr印reg)，其利用其在高温高压中的再熔胶以及流胶特性，压合在所述核心电路层12a’，接着再次加热固化即可得到所述第一介电层21，其厚度基本上等于所述核心板10的厚度；之后，请参照图4F所示，再利用一光掩膜形成至少一第二激光导电孔23，贯穿所述第一介电层21内，在所述第一增层结构20中使用激光钻孔是避免若使用电镀导电柱，在刷磨工艺时因基板较薄，亦将电路刷开，造成断路现象，故在第一增层结构20中，将使用激光钻孔的工艺，所述第二激光导电孔23的粗糙度(Ra)小于2微米；接下来，请参照图4G所示，各利用一图案化的第四光刻胶层50d形成一图案化的第一电路层22于所述第一介电层21远离所述核心电路层12a’的一表面上，所述第一电路层22的材质例如为铜、镍、金、银或铝等，但并不限于此，如此完成所述第一增层结构20，其厚度基本上等于所述核心板的厚度；然后，请参照图4H所示，继续形成一第二增层结构30a，利用一图案化的第五光刻胶层50e形成多个第一导电柱32a，所述多个第一导电柱32a为铜柱，并且其粗糙度(Ra)小于I微米；之后，如图41所示，移除所述第五光刻胶层50e，接着压合一第二介电层31b设置于所述核心介电层11的第二表面上，并包覆住所述多个第一导电柱32a;最后，如图1所示，形成两个阻焊层40a、40b于所述第一电路层22以及所述第二电路层33a外，且所述阻焊层40a、40b具有多个阻焊层开孔，以裸露所述第一电路层22以及所述第二电路层33a的一部份，形成多个连接垫，所述阻焊层40a、40b可为阻焊绿漆及黑漆(solder mask)之感光性高分子材料之其中一者或其他等效之材料。且所述阻焊层40a、40b之多个阻焊层开孔之形成方法可为曝光及显影、或其他等效之方法。本实用新型提供一种多层封装基板构造，其利用具有所述核心介电层11及两侧的所述两个核心电路层12a’、12b’的所述核心板10，进行增层电路的工艺，可以降低基板厚度及提高电路集成度，也可以通过节省移除核心板的步骤，而提高生产速度、降低制造成本，以及进而避免基板在移除过程中变形。本实用新型已由上述相关实施例加以描述，然而上述实施例仅为实施本实用新型的范例。必需指出的是，已公开的实施例并未限制本实用新型的范围。相反地，包含于权利要求书的精神及范围的修改及均等设置均包括于本实用新型的范围内。
权利要求1.一种多层封装基板构造，其特征在于:所述多层封装基板构造包含: 一核心板，包含: 一核心介电层,具有一第一表面及一第二表面； 两个核心电路层，各设置于所述第一表面及第二表面上；以及至少一第一激光导电孔，贯穿所述第一表面及第二表面，以电性连接所述两个核心电路层； 一第一增层结构，包含: 一第一介电层，覆盖于所述核心介电层的第一表面及所述核心电路层上； 一第一电路层，设置于所述第一介电层远离所述核心电路层的一表面上；以及至少一第二激光导电孔，贯穿所述第一介电层，以电性连接所述核心电路层及所述第一电路层；以及 一第二增层结构，包含: 一第二介电层，设置于所述核心介电层的第二表面上； 一第二电路层，设置于所述第二介电层远离所述核心电路层的一表面上；以及 多个第一导电柱，贯穿所述第二介电层，以电性连接所述核心电路层以及第二电路层； 其中所述第一激光导 电孔及第二激光导电孔的侧表面的粗糙度大于2微米，所述多个第一导电柱的侧表面的粗糙度小于I微米。
2.如权利要求1所述的多层封装基板构造，其特征在于:所述核心板的厚度是介于50至80微米之间。
3.如权利要求1所述的多层封装基板构造，其特征在于:所述核心板为热固型树脂核心板。
4.如权利要求1或2所述的多层封装基板构造，其特征在于:所述核心板、所述第一增层结构及所述第二增层结构的厚度彼此相等。
5.如权利要求1所述的多层封装基板构造，其特征在于:所述多层封装基板构造还包含: 两个阻焊层，分别设置在所述第一电路层及所述第二电路层外，且所述阻焊层具有多个阻焊层开孔，分别裸露所述第一电路层及所述第二电路层的一部份，形成多个连接垫。
6.如权利要求1所述的多层封装基板构造，其特征在于:所述第一导电柱为铜柱。
7.一种多层封装基板构造，其特征在于:所述多层封装基板构造包含: 一核心板，包含: 一核心介电层,具有一第一表面及一第二表面； 两个核心电路层，各设置于所述第一表面及第二表面上；以及至少一第一激光导电孔，贯穿所述第一表面及第二表面，以电性连接所述两个核心电路层； 一第一增层结构，包含: 一第一介电层，覆盖于所述核心介电层的第一表面及所述核心电路层上； 一第一电路层，设置于所述第一介电层远离所述核心电路层的一表面上；以及 至少一第二激光导电孔，贯穿所述第一介电层，以电性连接所述核心电路层及所述第一电路层；以及 两个第二增层结构，包含: 两个第二介电层，分别设置于所述核心介电层的第二表面上，以及设置于所述第一介电层远离所述核心电路层的表面上； 多个第一导电柱，贯穿所述第二介电层，以分别电性连接所述核心电路层，以及电性连接所述第一电路层；以及 两个第二电路层，分别设置于所述两个第二介电层远离所述核心电路层的一表面上，以电性连接所述第一导电柱； 其中所述第一激光导电孔及第二激光导电孔的侧表面的粗糙度大于2微米，所述多个第一导电柱的侧表面的粗糙度小于I微米。
8.如权利要求7所述的多层封装基板构造，其特征在于:所述多层封装基板构造还包含: 两个第三增层结构，包含: 两个第三介电层，分别设置于所述第二介电层远离所述核心电路层的一表面上； 多个第二导电柱，贯穿所述第三介电层，以电性连接所述第二电路层；以及两个第三电路层，设置于所述第三介电层远离所述第二介电层的一表面上，并电性连接所述第二导电柱。
9.如权利要求8所述的多层封装基板构造，其特征在于:所述多层封装基板构造还包含: 两个阻焊层，分别设置在所述第三电路层外，且所述阻焊层具有多个阻焊层开孔，以裸露所述第三电路层的一部份，形成多个连接垫。
10.如权利要求7所述的多层封装基板构造，其特征在于:所述核心板、所述第一增层结构及所述第二增层结构的厚度彼此相等。
专利摘要本实用新型公开一种多层封装基板构造，包含一核心板，包含一核心介电层、两个核心电路层以及至少一第一激光导电孔；一第一增层结构，其位于所述核心介电层的一表面且厚度等于所述核心板的厚度，并包含一第一介电层、一第一电路层以及至少一第二激光导电孔；以及一第二增层结构，位于所述核心介电层的另一表面上，并包含一第二介电层、至少一第一导电柱贯穿所述第二介电层以及一第二电路层。本实用新型利用具有介电层及两侧金属层的薄核心板，进行增层电路的工艺，可以降低基板厚度及提高电路集成度。
文档编号H01L23/14GK203055903SQ20122069050
公开日2013年7月10日 申请日期2012年12月13日 优先权日2012年12月13日
发明者凌东风, 黄建华, 陆松涛, 王德峻, 罗光淋, 方仁广 申请人:日月光半导体(上海)股份有限公司