专利名称：一种双ktp晶体光参量和电光调q复用器件的利记博彩app
技术领域：
—种双KTP晶体光参量和电光调Q复用器件技术领域:本发明涉及一种电光Q开关器件，具体为一种在激光器中能进行电光调Q并实现参量非线性效应的器件。
背景技术：
:KTP类晶体具有大的有效非线性系数和良好的电光性能，因此利用该类晶体研制光非线性效应和电光调Q复用器件的研究是一项很有意义的研究。1994年，日本T.Takunori等用一块IX3X5mm3的KTP晶体，对Nd:YV04输出的1064nm激光实现了同时倍频和调Q。在重复频率IOOHz时，调制得到脉宽为18ns的532nm脉冲激光输出，峰值功率为 15.4W (Takunori Taira, Takao Kobayash1.Q-switching and frequencydoubling of solid-state laser by a single intracavity KTP crystal [J], IEEE.J.Quantum Eleronies，1994，30(3): 800-804)。1995 年，他们又实现了峰值功率 230W的绿光输出(Takunori Taira, Takao Kobayash1.1ntraeavity frequency doublingand Q-switching in diode laser pumped Nd:YV04 laser [J], APPlied Optics 1995,34(21): 4298-4301)。1997年，姚建铨等对KTP晶体倍频调Q时的匹配角和外加电压进行了计算(J.Q.Yao, X.ff.Sun, H.S.Kwok.Analysis of simultaneous Q-switchingand frequency doubling in KTP [J], Journal of modern optics, 1997, 44(5):997-1004)。2000年，陈飞等采用2X4X IOmm3的KTP晶体，在重复频率为1kHz，1/4电压647V，泵浦功率IW时，实现了脉宽12ns、峰值功率762W的TEMtltl模输出，并实现了器件化，整个体积只有半个彩色胶卷大小(陈飞，霍玉晶，新型电光调Q内腔绿光激光器[J]，中国工程科学，2000，2(4):39-42)。对KTP晶体同时用于光参量振荡和电光调Q的研究很少，张朋、张玉萍等对KTP晶体同时用于光参量振荡和电光调Q进行了理论计算，计算得到，对于一块5' 20mm3的KTP晶体，如果要获得1.57mm的参量光，KTP的相位匹配角应为q=90°，j=26.8°，在晶体z轴施加的半波电压应为887V。以上方案中以KTP作为非线性和电光Q开关器件，都用了一块KTP晶体，并按照相位匹配角度切割。但由于KTP晶体存在静态双折射相位延迟，使用一块KTP的设计影响到电光调Q的关门效果；而且按照常温下的相位匹配角度切割的KTP晶体在参量作用时存在走离角，影响到参量转换的效率。发明内容:本发明针对现有技术的不足，提供一种无走离且能消除静态双折射相位延迟的光参量和电光调Q复用器件。本发明实现以上目的采取的方案为:一种双KTP晶体光参量和电光调Q复用器件，包括外壳、电极、电光晶体，电光晶体包括两块非临界温度相位匹配切割的KTP晶体，从左到右依次设置第一块KTP晶体和相对第一块KTP晶体旋转90°放置的第二块KTP晶体；两KTP晶体均通过温度控制实现参量相位匹配；在第一块KTP晶体的上通电面镀金膜，下通电面镀金膜，在相对第一块KTP晶体旋转90°放置的第二块KTP晶体的前通电面镀金膜，后通电面镀金膜；从第一块KTP晶体的上通电面镀金膜和第二块KTP晶体的前通电面镀金膜引出金线，连接到正电极；从第一块KTP晶体的下通电面镀金膜和第二块KTP晶体的后通电面镀金膜引出金线，连接到负电极；电光调Q作用时采用退压工作方式。作为本实用新型的进一步改进，第一块KTP晶体和相对第一块KTP晶体旋转90°放置的第二块KTP晶体为低电导率的KTP晶体。作为本实用新型的进一步改进，第一块KTP晶体和相对第一块KTP晶体旋转90°放置的第二块KTP晶体的通光面为正方形。作为本实用新型的进一步改进，第一块KTP晶体和相对第一块KTP晶体旋转90°放置的第二块KTP晶体相对的内通光面用绝缘透明的光胶相连，外通光面镀1064nm和1570nm双色增透膜。作为本实用新型的进一步改进，第一块KTP晶体和相对第一块KTP晶体旋转90°放置的第二块KTP晶体依次放置，内通光面和外通光面镀1064nm和1570nm双色增透膜。本发明实现以上目的原理为:KTP晶体参量非临界相位匹配的切割角度为q=90°，j=0°，此时KTP晶体参量非线性作用无走离，因此，这种切割的晶体消除了走离角。偏振光通过单块KTP晶体时产生的相位延迟为:
权利要求1.一种双KTP晶体光参量和电光调Q复用器件，包括外壳、电极、电光晶体，其特征在于: 电光晶体包括两块以非临界温度相位匹配切割的KTP晶体，从左到右依次设置第一块KTP晶体(I)和相对第一块KTP晶体(I)旋转90°放置的第二块KTP晶体(2);两KTP晶体均通过温度控制实现参量相位匹配； 在第一块KTP晶体(I)的上通电面镀金膜(3 )，下通电面镀金膜(4)，在相对第一块KTP晶体(I)旋转90 °放置的第二块KTP晶体(2 )的前通电面镀金膜(5 )，后通电面镀金膜(6 );从第一块KTP晶体(I)上通电面镀金膜(3)和第二块KTP晶体(2)前通电面镀金膜(5)引出金线，连接到正电极(7);从第一块KTP晶体(I)的下通电面镀金膜(4)和第二块KTP晶体(2)的后通电面镀金膜(6)引出金线，连接到负电极(8)； 电光调Q作用时采用退压工作方式。
2.根据权利要求1所述的一种双KTP晶体光参量和电光调Q复用器件，其特征在于: 第一块KTP晶体(I)和相对第一块KTP晶体(I)旋转90°放置的第二块KTP晶体(2)为低电导率的KTP晶体。
3.根据权利要求1所述的一种双KTP晶体光参量和电光调Q复用器件，其特征在于: 第一块KTP晶体(I)和相对第一块KTP晶体(I)旋转90°放置的第二块KTP晶体(2)的通光面为正方形。
4.根据权利要求1所述的一种双KTP晶体光参量和电光调Q复用器件，其特征在于: 第一块KTP晶体(I)和相对第一块KTP晶体(I)旋转90°放置的第二块KTP晶体(2)相对的内通光面用绝缘透明的光胶相连，外通光面镀1064nm和1570nm双色增透膜。
5.根据权利要求1所述的一种双KTP晶体光参量和电光调Q复用器件，其特征在于: 第一块KTP晶体(I)和相对第一块KTP晶体(I)旋转90°放置的第二块KTP晶体(2)依次放置，内通光面和外通光面镀1064nm和1570nm双色增透膜。
专利摘要本实用新型涉及一种双KTP晶体光参量和电光调Q复用器件，包括外壳、电极、电光晶体，电光晶体包括从左到右依次设置的两块低电导率、非临界温度相位匹配切割的KTP晶体，依次旋转90°放置；在第一块KTP晶体的上、下通电面镀金膜，在第二块KTP晶体的前、后通电面镀金膜；从第一块KTP晶体的上通电面镀金膜和第二块KTP晶体的前通电面镀金膜引出金线，连接到正电极；从第一块KTP晶体的下通电面镀金膜和第二块KTP晶体的后通电面镀金膜引出金线，连接到负电极；器件电光调Q作用时采用退压工作方式。本实用新型实现光参量和电光调Q两种功能的同时消除了走离角、补偿了静态双折射相位延迟，消除了晶体加压时对相位匹配角的影响。
文档编号H01S3/115GK202997297SQ201220658089
公开日2013年6月12日 申请日期2012年12月4日 优先权日2012年12月4日
发明者张会云, 张晓 , 尹贻恒, 张洪艳, 申端龙, 吴志心, 张玉萍 申请人:山东科技大学