专利名称：防塌丝多芯片集成电路引线框架的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及一种防塌丝多芯片集成电路引线框架，属于半导体封装行业。
背景技术：
如图1所示，传统的多芯片集成电路引线框架包括第一基岛1、第二基岛2以及多个内引脚5,第一基岛I用于粘贴第一芯片3,第二基岛2用于粘贴第二芯片4,第一芯片3与第二芯片之间的连接引线6非常长，在作业过程中容易出现塌丝现象，增加了作业的难度，且其破断力远远低于其他连接引线，对产品的质量及可靠性存在潜在风险。因此寻求一种产品可靠性较高，降低作业难度的防塌丝多芯片集成电路引线框架尤为重要。
发明内容本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种防塌丝多芯片集成电路引线框架，使得产品可靠性较高，降低作业难度。本实用新型的目的是这样实现的一种防塌丝多芯片集成电路引线框架，它包括第一基岛、第二基岛以及多个内引脚，所述第一基岛的左半部向下延伸，所述第二基岛的右半部向上延伸，所述第一基岛向下延伸的部分与第二基岛向上延伸的部分错位布置。与现有技术相比，本实用新型的有益效果是本实用新型通过第一基岛以及第二基岛结构的变化，可以减少粘贴在其表面芯片间的距离，减小连接引线的长度，从而使得在作 业过程中不容易出现塌丝现象，降低了作业的难度，产品可靠性较高。
图1为传统多芯片集成电路引线框架的结构示意图。图2为本实用新型防塌丝多芯片集成电路引线框架的结构示意图。其中第一基岛I第二基岛2第一芯片3第二芯片4内引脚5连接引线6。
具体实施方式
参见图2，本实用新型涉及的一种防塌丝多芯片集成电路引线框架，它包括第一基岛1、第二基岛2以及多个内引脚3，所述第一基岛I用于粘贴第一芯片3，所述第二基岛2用于粘贴第二芯片4，所述第一基岛I的左半部向下延伸，所述第二基岛2的右半部向上延伸，所述第一基岛I向下延伸的部分与第二基岛2向上延伸的部分错位布置。由于第一基岛I用于粘贴第一芯片3，且方向为竖放，故可以将其左半部往下延伸，延伸后将减少第一芯片3与第二芯片4之间的距离，从而减小连接引线6的长度，使生产更稳定可靠；由于第二基岛右部分为空白无利用区域，故可将第二基岛往上延伸，一方面可以缩短两芯片间的距离，尤其重要的是大大的增加了 MOS管(金属一绝缘体一半导体)的散热面积。
权利要求1. ー种防塌丝多芯片集成电路引线框架，它包括第一基岛(I)、第二基岛(2)以及多个内引脚(3)，其特征在于所述第一基岛(I)的左半部向下延伸，所述第二基岛(2)的右半部向上延伸，所述第一基岛(I)向下延伸的部分与第二基岛(2)向上延伸的部分错位布置。
专利摘要本实用新型涉及一种防塌丝多芯片集成电路引线框架，它包括第一基岛(1)、第二基岛(2)以及多个内引脚(3)，其特征在于所述第一基岛(1)的左半部向下延伸，所述第二基岛(2)的右半部向上延伸，所述第一基岛(1)向下延伸的部分与第二基岛(2)向上延伸的部分错位布置。本实用新型通过第一基岛以及第二基岛结构的变化，可以减少粘贴在其表面芯片间的距离，减小连接引线的长度，从而使得在作业过程中不容易出现塌丝现象，降低了作业的难度，产品可靠性较高。
文档编号H01L23/495GK202871779SQ201220570730
公开日2013年4月10日 申请日期2012年11月1日 优先权日2012年11月1日
发明者吴志勇 申请人:江阴苏阳电子股份有限公司