专利名称：高性能大电流vdmos功率器件芯片绝缘封装结构的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体封装结构，尤其涉及一种高性能大电流VDMOS功率器件芯片绝缘封装结构。
背景技术：
参见图1，传统的大电流VDMOS (垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管)功率器件芯片封装结构包括框架1，所述框架I上安装有大电流VDMOS功率器件芯片2，所述框架I的外部塑封有塑封体3。这样的大电流VDMOS功率器件芯片封装结构有部分产品在使用过程中有绝缘要求，若对地导通，会影响产品的性能。因此寻求一种能够保证产品高性能的大电流VDMOS功率器件芯片绝缘封装结构尤为重要。
发明内容本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种能够保证产品高性能的大电流VDMOS功率器件芯片绝缘封装结构。本实用新型的目的是这样实现的:一种高性能大电流VDMOS功率器件芯片绝缘封装结构，它包括内引脚框架以及框架散热片，所述内引脚框架以及框架散热片之间设置有导热绝缘片，所述内引脚框架上安装有大电流VDMOS功率器件芯片，所述内引脚框架以及框架散热片的外部塑封有塑封体。与现有技术相比，本实用新型的有益效果是:本实用新型由于使用内引脚框架以及框架散热片替代传统的框架，且内引脚框架以及框架散热片之间设置有导热绝缘片，使得该大电流VDMOS功率器件芯片绝缘封装结构具有导热绝缘性能较好，因此该大电流VDMOS功率器件芯片绝缘封装结构具有能够保证产品闻性能的优点。
图1为传统大电流VDMOS功率器件芯片封装结构的结构示意图。图2为本实用新型高性能大电流VDMOS功率器件芯片绝缘封装结构的结构示意图。其中:框架I大电流VDMOS功率器件芯片2塑封体3内引脚框架4导热绝缘片5框架散热片6。
具体实施方式
参见图2，本实用新型涉及的一种高性能大电流VDMOS功率器件芯片绝缘封装结构，它包括内引脚框架4以及框架散热片6，所述内引脚框架4以及框架散热片6之间设置有导热绝缘片5，所述内弓丨脚框架4上安装有大电流VDMOS功率器件芯片2，所述内引脚框架4以及框架散热片6的外部塑封有塑封体3。
权利要求1.一种高性能大电流VDMOS功率器件芯片绝缘封装结构，其特征在于它包括内引脚框架(4)以及框架散热片(6)，所述内引脚框架(4)以及框架散热片(6)之间设置有导热绝缘片(5)，所述内引脚框架(4)上安装有大电流VDMOS功率器件芯片(2)，所述内引脚框架(4)以及框架散热片(6)的外部塑封有塑封体(3)。
专利摘要本实用新型涉及一种高性能大电流VDMOS功率器件芯片绝缘封装结构，其特征在于它包括内引脚框架(4)以及框架散热片(6)，所述内引脚框架(4)以及框架散热片(6)之间设置有导热绝缘片(5)，所述内引脚框架(4)上安装有大电流VDMOS功率器件芯片(2)，所述内引脚框架(4)以及框架散热片(6)的外部塑封有塑封体(3)。本实用新型由于使用内引脚框架以及框架散热片替代传统的框架，且内引脚框架以及框架散热片之间设置有导热绝缘片，使得该大电流VDMOS功率器件芯片绝缘封装结构具有导热绝缘性能较好，因此该大电流VDMOS功率器件芯片绝缘封装结构具有能够保证产品高性能的优点。
文档编号H01L23/42GK202917472SQ20122056958
公开日2013年5月1日 申请日期2012年11月1日 优先权日2012年11月1日
发明者陈建斌 申请人:江阴苏阳电子股份有限公司