专利名称：一种半导体设备保护用熔断体的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体设备保护用熔断体，该熔断体用于50Hz的工频电路，单体熔断体的额定电压交流1000V，额定电流1000A至3900A，双拼熔断体的额定电流可达到 7000A。
背景技术：
熔断体作为整流设备及其相关设备(包括变频器、软启动等)、半导体元件及其组成的成套设备的短路保护之用。目前，常见的半导体设备保护用熔断体一般均包括熔管，设于熔管内的若干片熔体和设于熔管两端的接触板(触刀)，熔管内以石英砂填充。由于电流热效应被迅速加热，局部温度迅速升高直至熔体熔断以分断电路。但是，目前的同类产品中大多数型号额定电流都不大，通常需要多个熔断体并联才可以满足大电流应用场合的保护要求。此外，通常的熔断体安装形式单一，其次用作熔管的普通绝缘管，不仅耐高温性能和 耐腐蚀性能较差，也不够美观。
发明内容本实用新型的目的是针对现有技术中额定电流不大的现状，提供一种半导体设备保护用熔断体，它的额定电压更高，熔断特性稳定，对电路的保护更为可靠。实现上述目的的技术方案是一种半导体设备保护用熔断体，包括熔管、一对接触板、多片熔体、灭弧介质及熔断指示器，其中，所述熔管呈外方内圆的结构或外方内方的结构；所述接触板的内表面上均布地设有多道平行的压痕，一对所述接触板装配在所述熔管的两端；每片所述熔体的表面上在沿长度方向间隔一致地开设数列孔，每列孔中含有多个直径相同且纵向间隔距离为S的圆孔，每片所述熔体的两头分别向同一方向弯折后一一对应地点焊在所述接触板的压痕上，以使多片熔体等间距地且与所述熔管的轴线平行地设在熔管的内腔；所述灭弧介质填充在所述熔管的内腔；所述熔断指示器设在所述熔管上开设的指示孔中与并与设在熔管外一撞击器连接。上述的半导体设备保护用熔断体，其中，一对所述接触板分别通过盖板装配在所述熔管的两端。上述的半导体设备保护用熔断体，其中，所述撞击器的两端分别连接在一对所述接触板上。上述的半导体设备保护用熔断体，其中，所述熔管采用95号氧化铝陶瓷制作。上述的半导体设备保护用熔断体，其中，所述熔体采用99. 9%纯银制作。本实用新型的半导体设备保护用熔断体与现有技术相比具有如下优点[0015]I.额定电流更大，不必拼接即可单独保护大容量设备；2.熔断特性稳定，对电路的保护更为可靠；3.熔体 的结构改善了电性能和热性能，工作温升和散热能力都得到了改善；4 安装形式多样化；5.采用95号氧化铝陶瓷作为熔管，使熔断体的外形更加美观。
图Ia为本实用新型的半导体设备保护用熔断体的外形图；图Ib为图Ia的俯视图；图2为本实用新型的半导体设备保护用熔断体的半剖面图；图3为本实用新型的半导体设备保护用熔断体中的熔体的结构示意图；图4为本实用新型的半导体设备保护用熔断体中接触板的结构示意图；图5为本实用新型的半导体设备保护用熔断体的一种实施例的俯视图；图6a为本实用新型的半导体设备保护用熔断体的一种与电路连接的示意图；图6b为图6a的俯视图；图7a为两个本实用新型的半导体设备保护用熔断体拼接后与电路连接的示意图；图7b为图7a的俯视图。
具体实施方式
为了能更好地对本实用新型的技术方案进行理解，下面通过具体地实施例并结合附图进行详细地说明请参阅图Ia图Ib至图4，本实用新型的半导体设备保护用熔断体，包括熔管I、一对接触板2、多片熔体3、灭弧介质4、熔断指示器5及撞击器，其中，熔管I呈外方内圆的结构，熔管采用95号氧化铝陶瓷制作，该材料不仅将有良好的耐高温、耐腐蚀和绝缘性能，外观也较为美观；一对接触板2的内段呈与熔管I的内腔适配的圆平板，并且该圆平板的内表面上均布地设有多道平行的压痕21，一对接触板2分别通过盖板22装配在熔管I的两端；熔体3采用99. 9%纯银制作，每片熔体3的表面上在沿长度方向间隔一致地开设数列孔，每列孔中含有多个直径相同且纵向间隔距离为8的圆孔30，每片熔体3的两头分别向同一方向弯成弓形后一一对应地点焊在接触板2的压痕21上，以使多片熔体3等间距地且与熔管I的轴线平行地设在熔管I的内腔，借助接触板2上的压痕21，使熔体3点焊时得以方便可靠地定位，避免因熔体3之间的搭接而造成温度异常升高或熔断短路电流时拉弧爆炸的现象，不但保证了熔断体的稳定性，而且还提高了其使用寿命；灭弧介质4为石英砂粒并填充在熔管I的内腔；熔断指示器5通过压缩弹簧51设在熔管I上开设的指示孔中并与设在熔管I内的与熔体3并联的康铜丝52接触式连接；撞击器包括安装板6、撞击顶针及弹簧，安装板6设在熔管I外且两端分别连接在一对盖板22上，撞击顶针连接在安装板6上并通过弹簧与熔断指示器5相对设置。[0038]本实用新型的半导体设备保护用熔断体在使用中遇到故障电流时，熔体3中宽度为S的狭颈处就会迅速融化，并产生瞬间电弧，电弧会被周围的灭弧介质4冷却而熄灭，与此同时，康铜丝52也会被迅速融化而使熔断指示器5克服压缩弹簧51启动而撞击撞击器的撞击顶针，使与撞击器的安装板6连接的指示开关动作发出信号，为相关电路及元器件提供可靠的保护。在一个实施例中，熔管I呈外方内方的结构(见图5)，一对接触板2的内段呈与熔管I的内腔适配的方平板。本实用新型的半导体设备保护用熔断体还可根据不同的电路采用不同的连接方式，如接触板2直接与母排7连接(见图6a和图6b )。本实用新型的半导体设备保护用熔断体可用于50Hz的工频电路，额定电压交流1000V，额定电流1000A至3900A，完全能达到半导体或整流设备保护的要求。本实用新型的半导体设备保护用熔断体还可根据大电流应用场合采取双拼结构，即将两个熔断体并联连接在母排7上(见图7a和图7b)，使额定电流可达到7000A。本技术领域中的普通技术人员应当认识到，以上的实施例仅是用来说明本实用新型，而并非用作为对本实用新型的限定，只要在本实用新型的实质精神范围内，对以上所述实施例的变化、变型都将落在本实用新型的权利要求书范围内。
权利要求1.一种半导体设备保护用熔断体，包括熔管、一对接触板、多片熔体、灭弧介质及熔断指示器，其特征在于， 所述熔管呈外方内圆的结构或外方内方的结构； 所述接触板的内表面上均布地设有多道平行的压痕，一对所述接触板装配在所述熔管的两端； 每片所述熔体的表面上在沿长度方向间隔一致地开设数列孔，每列孔中含有多个直径相同且纵向间隔距离为S的圆孔，每片所述熔体的两头分别向同一方向弯折后一一对应地点焊在所述接触板的压痕上，以使多片熔体等间距地且与所述熔管的轴线平行地设在熔管的内腔； 所述灭弧介质填充在所述熔管的内腔； 所述熔断指示器设在所述熔管上开设的指示孔中与并与设在熔管外一撞击器连接。
2.根据权利要求I所述的半导体设备保护用熔断体，其特征在于，一对所述接触板分别通过盖板装配在所述熔管的两端。
3.根据权利要求I所述的半导体设备保护用熔断体，其特征在于，所述撞击器的两端分别连接在一对所述接触板上。
4.根据权利要求I所述的半导体设备保护用熔断体，其特征在于，所述熔管采用95号氧化铝陶瓷制作。
5.根据权利要求I所述的半导体设备保护用熔断体，其特征在于，所述熔体采用.99. 9%纯银制作。
专利摘要本实用新型公开了一种半导体设备保护用熔断体，包括熔管、一对接触板、多片熔体、灭弧介质及熔断指示器。所述熔管呈外方内圆的结构或外方内方的结构；所述接触板的内表面上均布地设有多道平行的压痕，一对所述接触板装配在所述熔管的两端；每片所述熔体的表面上在沿长度方向间隔一致地开设数列孔，每列孔中含有多个直径相同且纵向间隔距离为δ的圆孔，每片所述熔体的两头分别向同一方向弯折后一一对应地点焊在所述接触板的压痕上，以使多片熔体等间距地且与所述熔管的轴线平行地设在熔管的内腔；所述灭弧介质填充在所述熔管的内腔；所述熔断指示器设在所述熔管上开设的指示孔中与并与设在熔管外一撞击器连接。
文档编号H01H85/22GK202796815SQ201220511909
公开日2013年3月13日 申请日期2012年9月28日 优先权日2012年9月28日
发明者林海鸥, 吴辉, 戎峰, 倪溢雯 申请人:上海电器陶瓷厂有限公司