专利名称：实现肖特基二极管功能的双极集成电路结构的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及双极集成电路技术领域，具体是指ー种实现肖特基ニ极管功能的双极集成电路结构。
背景技术：
利用金属和半导体整流接触特性制成的ニ极管称为肖特基势垒ニ极管，它和PN结ニ极管具有类似的电流和电压关系，即它们都有单向导电性。一般采用金属与轻掺杂的N型硅接触来制作肖特基ニ极管。该肖特基ニ极管的特性取决于几个因素，包括金属組成、 硅掺杂、边缘效应、退火条件以及是否存在表面污染物等。在双极集成电路设计中，为了节省成本，需要把一般外接的肖特基ニ极管集成在电路内部，这需要肖特基ニ极管的制造エ艺与双极集成电路エ艺兼容。在现有技术中，通常采用在N型外延淀积特殊金属(如钛，钼和钯等)的方法来形成肖特基势垒，因为在保持低接触电阻的同时确保了足够的势垒高度，且具有稳定性高和重复性好的特点。N型硅构成肖特基ニ极管的阴极，而金属构成阳扱。此外，肖特基ニ极管需要形成通过厚场氧化层的接触，而穿透厚场氧化层的接触刻蚀会使基区接触和发射区接触出现过腐蚀。因此，一般需要执行两步连续的氧化层去除エ艺避免出现过腐蚀现象首先减薄肖特基接触上的场氧化层厚度，然后再形成实际的接触孔。这样制造的肖特基ニ极管需要増加一次光刻。因此，一般双极エ艺制作高性能的肖特基ニ极管的方法是首先，在刻蚀孔时增加一次肖特基接触的光刻；然后，在淀积金属布线时把常用的铝硅铜溅射换成钛、钼和钯等特殊金属的溅射。増加光刻次数会带来芯片成本的上升，而钛，钼和钯等特殊金属也是价格昂贵。用该方法来制作肖特基ニ极管，エ序复杂，制作的エ艺成本高昂。
实用新型内容本实用新型的目的是克服了上述现有技术中的缺点，提供ー种无需额外的肖特基接触光刻，也无需采用钛、钼和钯等贵金属，同时保持这些特殊金属形成的肖特基势垒所具有的稳定性和重复性，制造エ艺简单，生产成本低廉，应用范围较为广泛的实现肖特基ニ极管的双极集成电路结构。为了实现上述的目的，本实用新型的实现肖特基ニ极管功能的双极集成电路结构包括衬底；分别生成于所述的衬底内的N埋层和P埋层；生成于所述的衬底上的外延层；分别生成于所述的外延层内的上隔离层和深磷层；分别生成于所述的外延层内N阱、基区和P-层；生成于所述的深磷层上的发射区；通过一次蚀刻形成于所述的基区内的肖特基接触孔；以及通过蒸发铝形成于所述的肖特基接触孔内的硅化合物肖特基势垒层。采用了该实用新型的实现肖特基ニ极管的双极集成电路结构，其具有利用准等平面エ艺形成的外延层内的N阱、基区和P-层；并具有通过一次蚀刻形成肖特基接触孔；以及通过蒸发铝形成于肖特基接触孔内的硅化合物肖特基势垒层。从而保证该エ艺无需额外的肖特基接触光刻，也无需采用钛、钼和钯等贵金属，同时保持由钛、钼和钯等贵金属形成的肖特基势垒所具有的稳定性和重复性，与通用的双极集成电路生产工艺兼容，且本实用新型的实现肖特基二极管的双极集成电路结构的生产工艺流程简单，生产成本低廉，应用范围也较为广泛。
图I为本实用新型的实现肖特基二极管功能的双极集成电路结构的截面图。图2为采用本实用新型的实现肖特基二极管功能的双极集成电路结构的制造方法步骤流程图。图3为本实用新型电路结构的制造方法在实际应用中的的步骤流程示意图。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本实用新型的技术页面，特举以下实施例详细说明。 请参阅图I所示，为本实用新型的实现肖特基二极管功能的双极集成电路结构截面图。在一种实施方式中，该实现肖特基二极管功能的双极集成电路结构，如图I所示，包括衬底；分别生成于所述的衬底内的N埋层和P埋层；生成于所述的衬底上的外延层；分别生成于所述的外延层内的上隔离层和深磷层；分别生成于所述的外延层内N阱、基区和P-层；生成于所述的深磷层上的发射区；通过一次蚀刻形成于所述的基区内的肖特基接触孔；以及通过蒸发铝形成于所述的肖特基接触孔内的硅化合物肖特基势垒层。为本实用新型的实现肖特基二极管功能的双极集成电路的制造方法，如图2所示，包括以下步骤(I)生成衬底、衬底内的N埋层和P埋层、衬底上的外延层以及外延层内的上隔离层和深磷层；(2)利用准等平面工艺形成所述外延层内的N阱、基区和P-层，并退火；(3)通过预淀积和再扩散生成深磷层上的发射区；(4)通过一次蚀刻形成位于所述的基区内的肖特基接触孔；( 5 )蒸发铝，在所述的肖特基接触孔内形成硅化合物肖特基势垒层。优选的，所述的步骤(I)具体包括以下步骤(11)选用P型硅制备衬底，所述衬底的晶向为〈111〉，电阻率为25Q cm 50 Q cm ;(12)在衬底上生长一层厚度7000 A的氧化层，然后进行N埋层光刻、腐蚀，再进行磷淀积扩散，形成N埋层，所选用的磷的浓度P S为18 25 Q / □，结深XjN+为4 y m ;(13)在衬底上生长一层厚度1200A的薄氧化层，然后带胶进行硼注入，注入能量为80kev，注入剂量为2. 4E14,去胶，退火形成P埋层；(14)在衬底上生长一层厚度为15 ii m的外延层,所述的外延层电阻率为4 Q ^cm 5 Q cm ；(15)在衬底上生长一层厚度为5000 A的氧化层，然后进行深磷光刻、腐蚀，再进行深磷预淀积和扩散，形成深磷层；(16)在衬底上生长一层厚度为5000 A的氧化层，然后进行隔离光刻、腐蚀，再进行隔离CVD和再扩散形成上隔离层，所述的隔离CVD浓度P s为3 5. 5 Q / ロ。进ー步优选的，所述的步骤(2)具体包括以下步骤(21)去除所述的步骤(12) (16)中生成的氧化层；(22)在所述的衬底上生长ー层厚度为500 4的薄氧化层用作注入遮挡层；(23)进行N阱光刻，而后进行N阱带胶注入；(24)进行基区光刻，而后进行基区带胶注入；(25)进行P-层光刻，而后进行P-层带胶注入；(26)去胶；·(27) ニ氧化硅 CVD;(28)达到1200°C后，退火30分钟。更进ー步优选的，所述的步骤(3)具体包括以下步骤(31)在所述的深磷层上进行光刻和腐蚀；(32)进行预淀积；(33)再扩散形成N+发射区，作为肖特基ニ极管阴极欧姆接触区域。更优选的，所述的步骤(5)具体包括以下步骤(51)在所述的肖特基接触孔内，蒸发形成厚度为2.5 厚的铝层；(53)进行铝光刻；(54)干法腐蚀形成芯片器件连接布线，并作为肖特基ニ极管的阳极；(55)进行合金和钝化工序，形成肖特基ニ极管。在实际应用中，本实用新型制作肖特基ニ极管时对双极エ艺的改进思路是首先，采用准等平面技术，尽可能的减小氧化层台阶和厚度，这样在刻蚀氧化层时，即使没有额外的肖特基接触光刻也能保证基区接触和发射区接触不会过腐蚀，因此仅需一次孔刻蚀就可以达到一般需两次刻蚀的效果。其次，采用纯铝蒸发エ艺，而非铝硅铜溅射エ艺，通过铝与轻掺杂N型硅形成肖特基势垒。由于铝层较厚，同时是通过高温蒸发エ艺形成的，保证了铝与硅接触形成的肖特基势垒的稳定性和重复性。具体如图3所示，包括以下步骤第一歩，使用常规双极エ艺形成N埋、P埋、外延、上隔离和深磷等エ艺层次。第二歩，使用准等平面技木，带胶注入N阱、基区和P-等层次，并退火。第三歩，发射区预淀积和再扩散。第四歩，孔和肖特基接触刻蚀。第五歩，纯铝蒸发，形成硅化合物的肖特基势垒。本实用新型的进ー步改进是第二步在去除氧化层后不先生长厚的场氧化层，而是生长ー层500 A的薄氧化层，然后带胶注入N阱，P+，P-和基区等层次，这ー过程为准等平面技术，具有氧化层台阶小，エ序简单的特点。由于第二步的エ艺改进，在第四步孔刻蚀时就仅需有一次刻蚀就能将肖特基接触刻蚀出来。第五步中采用纯铝蒸发而非常规双极エ艺中的铝硅铜溅射。实际的生产流程包括以下步骤(I)硅衬底制备选用P型硅，晶向〈111〉，电阻率为25 50Q. cm。(2) N埋层形成先生长ー层7000 A的氧化层，然后进行N埋层光刻、腐蚀，再进行磷淀积扩散，选用的磷浓度P S为18 25 Q / □，结深XjN+为4 m。[0055](3)P埋形成薄氧氧化生成1200A的氧化层，然后带胶进行硼注入，注入能量为80kev,注入剂量为2. 4E14,随后去胶，退火形成P埋层次。(4)外延生长一层厚度为15 U m,电阻率约4 5 Q cm的外延层。(5)深磷形成先生长一层5000 A的氧化层，然后进行深磷光刻、腐蚀，再进行深磷预淀积和扩散形成深磷层次。(6)隔离形成先生长一层5000 A的氧化层，然后进行隔离光刻、腐蚀，再进行隔尚CVD和再扩散形成隔尚。隔尚CVD浓度ps:3 5. 5Q/IZI。(7)准等平面技术先去除以上层次形成的氧化层，再升长一层500 A的薄氧化层用作注入遮挡层，然后进行N阱、基区和P-等层次的带胶注入，然后进行退火，退火条件是1200°C，30分钟。具体实施步骤如下薄氧化层一〉N阱光刻一〉N阱注入一〉基区光刻一〉基区注入一〉P-光刻一〉P-注入一〉去胶一〉Si02CVD—〉退火。·(8)发射区形成通过发射区光刻、腐蚀，然后发射区预淀积，发射区再扩散形成发射区N+区域。也是肖特基二极管阴极欧姆接触区域。 (9)孔和肖特基接触形成由于前面的准等平面工艺，使场氧化层的台阶有了明显改善，这样在刻蚀孔时只要刻蚀一次就可以把肖特基接触也很好的刻蚀出来，而如果常规双极工艺，则肯定需要两次光刻才可以把肖特基接触高质量的刻蚀出来。(10)金属铝形成采用铝蒸发工艺，蒸发一层2. 5 厚的铝层。随后进行铝光刻、干法腐蚀形成芯片器件连接的布线，同时也是肖特基二极管的阳极。最后经合金和钝化工序后，整个高性能的肖特基二极管就制作完成。本实用新型制作肖特基二极管的工艺是在标准双极工艺上进行了改进，因此也是制作双极集成电路的工艺。与一般的双极工艺制作肖特基二极管的主要区别是进行N阱，基区，P-等有源区形成是通过准等平面技术实现的，主要是通过薄氧化层做遮挡层，进行一次带胶注入。而一般工艺都是通过先长厚场氧化层，通过场氧化层做遮蔽层，非带胶注入。因此，本实用新型的氧化层台阶小(基本没有)，故在刻蚀孔时(即刻蚀氧化层)可以一次刻蚀就把肖特基接触也刻蚀的很完美，也就是可以把肖特基接触刻蚀等同于孔刻蚀。本实用新型在制作肖特基二极管的势垒时，采用纯铝蒸发工艺，通过这层2. 5 y m厚的铝与硅表面反应，形成铝硅化合物。这种铝硅化合物用作肖特基势垒，替代钛，钼和钯等特殊金属与硅形成的硅化物作的肖特基势垒。一般情况下，如果采用铝硅铜溅射形成的硅化物作肖特基势垒的特性比钛，钼和钯等特殊金属与硅形成的硅化物作的肖特基势垒的特性差很多，主要是溅射铝与硅反应一致性差，覆盖肖特基接触表面致密性差，硅表面容易有污染物，让肖特基接触的有效面积大为减小。故这种工艺制作的肖特基二极管正向压降大，与钛，钼和钯等特殊金属制作的有明显差距。但本实用新型采用2. 5 厚的纯铝蒸发工艺，杂质少，铝与硅反应稳定，形成的硅化物均匀覆盖住肖特基接触孔，性能十分接近钛，钼和钯等特殊金属制作的肖特基二极管。采用了该实用新型的实现肖特基二极管的双极集成电路结构，其具有利用准等平面工艺形成的外延层内的N阱、基区和P-层；并具有通过一次蚀刻形成肖特基接触孔；以及通过蒸发铝形成于肖特基接触孔内的硅化合物肖特基势垒层。从而保证该工艺无需额外的肖特基接触光刻，也无需采用钛、钼和钯等贵金属，同时保持由钛、钼和钯等贵金属形成的肖特基势垒所具有的稳定性和重复性，与通用的双极集成电路生产工艺兼容，且本实用新型的实现肖特基ニ极管的双极集成电路结构的生产エ艺流程简单，生产成本低廉，应用范围也较为广泛。在此说明书中，本实用新型已參照其特定的实施例作了描述。但是，很显然仍可以作出各种修 改和变换而不背离本实用新型的精神和范围。因此，说明书和附图应被认为是说明性的而非限制性的。
权利要求1.一种实现肖特基二极管功能的双极集成电路结构，其特征在于，所述的双极集成电路结构包括 衬底； N埋层和P埋层，分别生成于所述的衬底内； 外延层，生成于所述的衬底上； 上隔离层和深磷层，分别生成于所述的外延层内； N阱、基区和P-层，分别生成于所述的外延层内； 发射区，生成于所述的深磷层上； 肖特基接触孔，通过一次蚀刻形成于所述的基区内；以及 硅化合物肖特基势垒层，通过蒸发铝形成于所述的肖特基接触孔内。
专利摘要本实用新型涉及一种实现肖特基二极管的双极集成电路结构，属于半导体技术领域。该实用新型的双极集成电路结构，其具有利用准等平面工艺形成的外延层内的N阱、基区和P-层；并具有通过一次蚀刻形成肖特基接触孔；以及通过蒸发铝形成于肖特基接触孔内的硅化合物肖特基势垒层。从而保证该工艺无需额外的肖特基接触光刻，也无需采用钛、铂和钯等贵金属，同时保持由钛、铂和钯等贵金属形成的肖特基势垒所具有的稳定性和重复性，与通用的双极集成电路生产工艺兼容，且本实用新型的实现肖特基二极管的双极集成电路结构的生产工艺流程简单，生产成本低廉，应用范围也较为广泛。
文档编号H01L29/872GK202772141SQ201220504000
公开日2013年3月6日 申请日期2012年9月27日 优先权日2012年9月27日
发明者陈冠峰, 张骁宇, 卜慧琴 申请人:无锡华润矽科微电子有限公司