专利名称：一种防反包半导体引线框架的利记博彩app
技术领域：
一种防反包半导体引线框架技术领域[0001]本实用新型涉及半导体封装技术领域，特别涉及一种防反包半导体引线框架。
背景技术：
[0002]随着社会的进步，科技的发展，半导体集成电路芯片因其体积小，处理能力强而得到越来越广泛的使用。而在半导体集成电路芯片的生产过程中，对其进行封装是重要的工作，因为封装能起到固定、密封、保护芯片及增强其电热性能等方面的作用。[0003]另一方面，半导体引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接、形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。因此在封装的过程中不得不考虑半导体引线框架对封装效果的影响。[0004]在现有技术中，一般半导体引线框架的芯片焊接区与其管脚之间存在落差，该落差一般为O. 228_左右，这容易导致在封装过程中上模腔内树脂流动速度快，下模腔内树脂流动速度相对较慢，最终上下模腔内的树脂在下模腔内汇合，使得下模腔可能存在气体不能排出，造成封装产品可能存在反包情况。[0005]因此，为解决现有技术中的不足之处，提供一种能有效避免反包的半导体引线框架显得尤为重要。发明内容[0006]本实用新型的目的在于避免上述现有技术中的不足之处而提供一种能使芯片焊接区与其管脚之间的落差适中，且能有效避免反包的防反包半导体引线框架。[0007]本实用新型的目的通过以下技术方案实现[0008]提供了一种防反包半导体引线框架，包括有芯片焊接区和与所述芯片焊接区相连接的管脚，所述芯片焊接区与所述管脚之间落差为O. IWo. 19mm。[0009]其中，所述芯片焊接区与所述管脚之间落差为O. 165mm。[0010]其中，所述芯片焊接区与所述管脚之间落差为O. 155mm。[0011]其中，所述管脚与芯片焊接区连接的一端设置有弯折区，所述弯折区与芯片焊接区相交角度为60°。[0012]其中，所述管脚与芯片焊接区平行设置。[0013]本实用新型的有益效果本实用新型提供了一种防反包半导体引线框架，包括有芯片焊接区和与所述芯片焊接区相连接的管脚，所述芯片焊接区与所述管脚之间落差为 O. IWo. 19_。在封装过程中，该半导体引线框架能够给封装模具的上模腔及下模腔提供合适的空间，使上下模腔内的树脂流动速度相同，最终两者在上模排气槽和下模排气槽之间汇合，使得上模及下模内的气体均可顺利排出，避免产品存在反包现象。
[0014]利用附图对本实用新型作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本实用新型的任何限制，对于本领域的普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据以下附图获得其它的附图。[0015]图I为本实用新型一种防反包半导体引线框架的一个实施例的结构示意图。[0016]图2为图I的B— B剖面图。[0017]图3为本实用新型一种防反包半导体引线框架置于模腔内封装状态示意图。[0018]在图I至图3中包括有[0019]I—芯片焊接区、2——管脚、3——弯折区、4——芯片、5——上模排气槽、6—— 下模排气槽、7-注胶口。
具体实施方式
[0020]结合以下实施例对本实用新型作进一步描述。[0021]本实用新型一种防反包半导体引线框架的具体实施方式
，如图I至图3所示，包括有芯片焊接区I和与所述芯片焊接区I相连接的管脚2，所述芯片焊接区I与所述管脚2之间落差为O. 165_。在封装过程中，如图3，该半导体引线框架上焊接芯片4后置于模具内进行封装，此时树胶从注胶口 7注入，而其芯片焊接区I与所述管脚2之间落差能够给封装模具的上模腔及下模腔提供合适的空间，使上下模腔内的树脂流动速度相同，最终两者在上模排气槽5和下模排气槽6之间汇合，使得上模及下模内的气体均可顺利排出，避免产品存在反包现象。当然根据实际封装模具的不同，该芯片焊接区I与所述管脚2之间落差还可以为O. lWO. 19mm中的任意一值，只要能确保上下模腔内的树脂流动速度相同并且最终两者在上模排气槽5和下模排气槽6之间汇合即可。[0022]本实施例中，所述管脚2与芯片焊接区I连接的一端设置有弯折区3，所述弯折区 3与芯片焊接区I相交角度为60°。弯折区3作为芯片焊接区I与管脚2的过度，在保证两者间存在一定的落差的同时该角度的设置也可以有效的控制树脂的流速，进一步避免反包现象的发生。[0023]本实施例中，所述管脚2与芯片焊接区I平行。两者之间平行设置有利于控制上下模腔内树脂的流速相同，防止反包现象的发生。[0024]最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对本实用新型保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的实质和范围。
权利要求1.一种防反包半导体引线框架，包括有芯片焊接区(I)和与所述芯片焊接区(I)相连接的管脚(2)，其特征在于所述芯片焊接区(I)与所述管脚(2)之间落差为0. 14mm 0. 1 Qmnin
2.根据权利要求I所述的一种防反包半导体引线框架，其特征在于所述芯片焊接区(I)与所述管脚(2)之间落差为0. 165mm。
3.根据权利要求I所述的一种防反包半导体引线框架，其特征在于所述芯片焊接区(I)与所述管脚(2)之间落差为0. 155mm。
4.根据权利要求I所述的一种防反包半导体引线框架，其特征在于所述管脚(2)与芯片焊接区(I)连接的一端设置有弯折区(3)，所述弯折区(3)与芯片焊接区(I)相交角度为60。。
5.根据权利要求I所述的一种防反包半导体引线框架，其特征在于所述管脚(2)与芯片焊接区(I)平行设置。
专利摘要本实用新型涉及半导体封装技术领域，特别涉及一种防反包半导体引线框架，其结构包括有芯片焊接区和与所述芯片焊接区相连接的管脚，所述芯片焊接区与所述管脚之间落差为0.14mm~0.19mm。在封装过程中，该半导体引线框架能够给封装模具的上模腔及下模腔提供合适的空间，使上下模腔内的树脂流动速度相同，最终两者在上模排气槽和下模排气槽之间汇合，使得上模及下模内的气体均可顺利排出，避免产品存在反包现象。
文档编号H01L23/495GK202816926SQ20122043993
公开日2013年3月20日 申请日期2012年8月31日 优先权日2012年8月31日
发明者刘思勇 申请人:杰群电子科技(东莞)有限公司