专利名称：低膨胀系数谐振柱的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及通信设备技术领域，具体涉及一种低膨胀系数谐振柱。
背景技术：
随着LTE (Long Term Evolution,长期演进)频段的深入开发及广泛应用，新制式下的商用滤波器使用频谱更多的集中在2. 3G 4G频段范围内。目前在该频段下一般采用殷钢谐振杆来满足苛刻的全温要求。然而，殷钢谐振杆的价格昂贵，使得能适应2. 3G 4G频段范围的谐振柱的生产成本较高。
实用新型内容本实用新型的目的是针对上述技术问题，提供一种能适应2. 3G^4G频段范围的低膨胀系数谐振柱，该谐振柱具有较低的生产成本。为实现此目的，本实用新型所设计的低膨胀系数谐振柱，包括金属谐振杆、顶部与金属谐振杆连接的接地环，所述金属谐振杆和接地环分别开设有相互连通的第一通孔和第二通孔，其特征在于所述接地环为三氧化二铝接地环，所述三氧化二铝接地环的表面设有银层，所述三氧化二铝接地环的底部设有弧形凹面。所述金属谐振杆的底部设有环形凸起，所述金属谐振杆通过环形凸起与三氧化二铝接地环的顶部连接。所述第一通孔和第二通孔为同轴布置，且第一通孔和第二通孔的直径相等。本实用新型通过设置表面具有银层的三氧化二铝接地环，使得本实用新型能适应2. 3G 4G频段范围，且由于三氧化二铝较殷钢的价格要低，所以谐振柱的生产成本也得到了明显的降低。另外，通过设置弧形凹面使本实用新型由环形接地取代面接地，提高了谐振柱的接地性能。
图I为本实用新型的结构示意图；图2为图I的仰视图；图3为本实用新型的使用状态图。其中，1 一金属谐振杆、I. I一环形凸起、2—二氧化二招接地环、2. I一银层、3—第一通孔、4 一弧形凹面、5—第二通孔、6—紧固螺钉、7—腔体、8 一盖板、9 一调谐螺杆。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明如图I和图2所示的低膨胀系数谐振柱，包括金属谐振杆I、顶部与金属谐振杆I连接的接地环，金属谐振杆I和接地环分别开设有相互连通的第一通孔3和第二通孔5，接地环为三氧化二铝接地环2，三氧化二铝接地环2的表面设有银层2. 1，三氧化二铝接地环2的底部设有弧形凹面4。金属谐振杆I和镀有银层2. I的三氧化二铝接地环2配合作为一个谐振单元使用，使得谐振柱在保证性能的前提下明显降低了生产成本。另外，三氧化二铝材料有仅次于殷钢的低膨胀系数，虽然本身不导电，但是通过在其表面镀银层2. I之后，使接地环具有良好的导电性能，其表面银层2. I的附着力经过验证能够承受电子装配及各项认证测试。弧形凹面4使本实用新型由环形接地取代传统的面接地形式，提高了三氧化二铝接地环2的接地性能。上述技术方案中，金属谐振杆I的材料选用45#钢，45#钢和三氧化二铝配合使谐振柱具有较低的低膨胀系数。上述技术方案中，金属谐振杆I的底部设有环形凸起I. 1，金属谐振杆I通过环形凸起I. I与三氧化二铝接地环2的顶部连接。环形凸起I. I使金属谐振杆I与三氧化二铝接地环2之间为环形接触，能进一步提高整个谐振柱的接地性能。上述技术方案中，第一通孔3和第二通孔5为同轴布置，且第一通孔3和第二通孔5的直径相等。上述第一通孔3和第二通孔5为安装孔，用于配合紧固螺钉6将金属谐振杆I和三氧化二铝接地环2固定在腔体7上。本实用新型使用时；紧固螺钉6穿过金属谐振杆I的第一通孔3和接地环的第二通孔5，将金属谐振杆I和三氧化二铝接地环2固定连接在腔体7 —端，腔体7的另一端设置盖板8，盖板8上设置与谐振柱配合的调谐螺杆9。本说明书未作详细描述的内容属于本领域专业技术人员公知的现有技术。
权利要求1.一种低膨胀系数谐振柱，包括金属谐振杆(I)、顶部与金属谐振杆(I)连接的接地环，所述金属谐振杆(I)和接地环分别开设有相互连通的第一通孔(3)和第二通孔(5)，其特征在于所述接地环为三氧化二铝接地环(2)，所述三氧化二铝接地环(2)的表面设有银层(2. 1)，所述三氧化二铝接地环(2)的底部设有弧形凹面(4)。
2.根据权利要求I所述的低膨胀系数谐振柱，其特征在于所述金属谐振杆(I)的底部设有环形凸起(I. 1)，所述金属谐振杆(I)通过环形凸起(I. O与三氧化二铝接地环(2)的顶部连接。
3.根据权利要求I或2所述的低膨胀系数谐振柱，其特征在于所述第一通孔(3)和第二通孔(5)为同轴布置，且第一通孔(3)和第二通孔(5)的直径相等。
专利摘要本实用新型公开了一种低膨胀系数谐振柱，包括金属谐振杆、顶部与金属谐振杆连接的接地环，所述金属谐振杆和接地环分别开设有相互连通的第一通孔和第二通孔，其特征在于所述接地环为三氧化二铝接地环，所述三氧化二铝接地环的表面设有银层，所述三氧化二铝接地环的底部设有弧形凹面。本实用新型通过设置表面设有银层的三氧化二铝接地环，使得本实用新型能适应2.3G~4G频段范围，且由于三氧化二铝较殷钢的价格要低，所以谐振柱的生产成本也得到了明显的降低。另外，通过设置弧形凹面使本实用新型由环形接地取代面接地，提高了谐振柱的接地性能。
文档编号H01P7/00GK202737082SQ20122042187
公开日2013年2月13日 申请日期2012年8月23日 优先权日2012年8月23日
发明者胡文伟 申请人:武汉凡谷电子技术股份有限公司