专利名称：太阳能级单晶硅片的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种用于制备太阳能电池的单晶硅片。
背景技术：
晶态娃分为单晶娃和多晶娃，它们均具有金刚石晶格，晶体硬而脆，具有金属光泽，能导电，但导电率不及金属，且随温度升高而增加，具有半导体性质。单晶硅在日常生活中是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。电视、电脑、冰箱、电话、手表、汽车，处处都离不开单晶硅材料，单晶硅作为科技应用普及材料之一，已经渗透到人们生活中的各个角落。目前单晶太阳能级硅片主要采用CZ法生长〈100〉晶向的圆棒，经过开方，将圆棒切割成横截面为四角带圆弧形的准方形柱体，然后经过滚圆机砂轮滚圆，使原来生长势不均匀的圆棒毛坯获得均一的尺寸，一般磨削量为2mm-5mm，用这种准方棒进行线切割，即可获得用于生产电池的单晶硅片。目前行业内普遍生产的为6英寸(直径约151_)和8英寸(直径约196mm)的圆棒，经过上述加工过程形成125mmX125mm和156mmX 156mm四角带圆弧的准方形娃片；125mmX 125mm准方形娃片圆弧直径为150mm, 156mmX 156mm准方形娃片圆弧直径为195_。这种截面形状的太阳能及单晶硅片存在的缺点为硅棒的利用率不高，6英寸的利用率约83. 6%，8英寸的利用率约77%，主要损失在开方产生的边皮，边皮部分虽然可循环投炉使用，但回用越多生产成本越大。
实用新型内容本实用新型的目的在于，提出一种太阳能级单晶硅片，其针对于不规则硅棒体，采用平行四边形结构设置，进行因形而取材，可以避免回炉，减少损耗。为实现上述目的，本实用新型提供了一种太阳能级单晶硅片，其包括硅片本体，该硅片本体采用单晶硅制作而成，所述硅片本体为平行四边形结构，该硅片本体的厚度为IOOum 200um。其中，所述硅片本体可以采用一组对边为4. 5英寸，另一组对边为3. 5英寸的平行四边形结构设置。或者，所述硅片本体可以采用一组对边为3. 5英寸，另一组对边为5英寸的平行四边形结构设置。此外，所述硅片本体还可以采用一组对边为6英寸，另一组对边为4英寸的平行四边形结构设置。本实用新型的太阳能级单晶硅片，其主要针对不规则硅棒体，由于其少子寿命和电阻率均为符合太阳能级电池板的要求，因此因形而取材，采用平行四边形的结构设计，可以避免回炉，极大的减少了资源损耗。
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为本实用新型的太阳能级单晶硅片一种具体实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下 所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。如图I所示，本实用新型提供一种太阳能级单晶硅片，其包括硅片本体10，该硅片本体10采用单晶硅制作而成，所述硅片本体10为平行四边形结构，该硅片本体10的厚度约为IOOum 200um。本实用新型这种平行四边形硅片本体10的结构设置，可以使得硅片的表面积更大，在利用本实用新型制成的电池拼装成电池组的时候，电池与电池之间的间隙几乎没有，因此，本实用新型相对现有的四角带圆弧的准方形硅片而言，还具有发电功率高，利用其制成电池后在拼装时安装空间的利用更为充分的优点。在本实用新型具体实施例中，该娃片本体10的厚度可以制作为lOOum、150um、180um及200um等任意规格厚度。本实用新型的太阳能级单晶硅片在具体制作时，主要针对于不规则形状的硅棒体(未图示)，该硅片本体10的各边长度均需小于硅棒体的直径。作为本实用新型的一种选择性实施例，该硅片本体10可以采用一组对边为4. 5英寸，另一组对边为3. 5英寸的平行四边形结构设置。或者，所述硅片本体10还可以采用一组对边为3. 5英寸，另一组对边为5英寸的平行四边形结构设置。此外，作为本实用新型的另一种选择性实施例，所述硅片本体10还可以采用一组对边为6英寸，另一组对边为4英寸的平行四边形结构设置。该平行四边形结构设置的硅片本体10针对不规则硅棒体，因形而取材，可以避免回炉，极大的减少了资源损耗，可以在一定程度上降低生产成本。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种太阳能级单晶硅片，包括硅片本体，该硅片本体采用单晶硅制作而成，其特征在于，所述娃片本体为平行四边形结构，该娃片本体的厚度为IOOum 200um。
2.如权利要求I所述的太阳能级单晶硅片，其特征在于，所述硅片本体采用一组对边为4. 5英寸，另一组对边为3. 5英寸的平行四边形结构设置。
3.如权利要求I所述的太阳能级单晶硅片，其特征在于，所述硅片本体采用一组对边为3. 5英寸，另一组对边为5英寸的平行四边形结构设置。
4.如权利要求I所述的太阳能级单晶硅片，其特征在于，所述硅片本体采用一组对边为6英寸，另一组对边为4英寸的平行四边形结构设置。
专利摘要本实用新型涉及太阳能电池技术领域，具体公开了一种太阳能级单晶硅片，其包括硅片本体，该硅片本体采用单晶硅制作而成，所述硅片本体为平行四边形结构，该硅片本体的厚度为100um～200um。本实用新型的太阳能级单晶硅片，其针对于不规则硅棒体，采用平行四边形结构设置，进行因形而取材，可以避免回炉，减少损耗。
文档编号H01L31/0352GK202758897SQ20122041495
公开日2013年2月27日 申请日期2012年8月21日 优先权日2012年8月21日
发明者夏学军 申请人:云南三奇光电科技有限公司