专利名称：具有三个角度的台面造型的芯片的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及ー种半导体芯片台面造型结构，具体是ー种普通电カ整流管芯片的台面造型结构。
背景技术：
随着功率器件制造技术的进歩，电カ整流管朝着大电流、高电压的方向发展。为了提高器件的工作电压，就必须要同时提高电カ整流管芯片的承载高电压的能力。在现阶段的技术领域中，业内通常采用的方法是沿着圆形的芯片边缘一周研磨出一定角度和宽度的锥形斜面或弧面(统称为芯片的台面)，从而使芯片具有一定的击穿电 压。而随着不同角度磨角器搭配研磨エ艺新应用技术的出现，芯片边缘一周研磨成多角度台面造型，使电カ整流管芯片具有了承载更高反向击穿电压的能力。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是提供ー种具有三个角度的台面造型的芯片，是圆片结构，这种结构使芯片具有承载更高反向击穿电压的能力。本实用新型采用以下技术方案解决上述技术问题的三个角度的台面造型的芯片，是圆片结构，所述芯片包括呈圆形的芯片主体、位于硅片主体上方的第一斜面体、位于第一斜面体上方的弧面体、位于弧面体上方的的第二斜面体；所述芯片主体、第一斜面体、弧面体、第二斜面体为一体结构。本实用新型进ー步具体为所述第一斜面体的下表面与芯片的主体直径相同，并且边缘重合；所述弧面体的下表面与第一斜面体的上表面的直径相同，并且边缘重合；所述第二斜面体的下表面与弧面体的上表面的直径相同，并且边缘重合。本实用新型进ー步具体为所述第一斜面体的圆周侧面为斜面，斜面各部分相对于水平面的倾斜角度为大于O度小于等于25度；所述弧面体的的圆周侧面为弧面，弧面各部分相对于水平面的倾斜角度为大于O度小于等于20度。所述第二斜面体的圆周侧面为斜面，斜面各部分相对于水平面的倾斜角度为大于O度小于等于25度。本实用新型的优点在于三个角度磨角器(两个锥形和ー个球形)搭配研磨成的芯片台面造型，使得电カ整流管芯片具有承载更高反向击穿电压的能力。
图I是本实用新型是具有三个角度的台面造型的芯片的截面图。
具体实施方式
请參阅图I所示，本实用新型ー种具有三个角度的台面造型的芯片，是圆片结构。所述芯片包括呈圆形的芯片主体I、位于芯片主体I上方的第一斜面体2、位于第一斜面体2上方的弧面体3、位于弧面体3上方的的第二斜面体4。所述芯片主体I、第一斜面体2、弧面体3、第二斜面体4为一体结构。所述第一斜面体2的下表面与芯片主体I的直径相同，并且边缘重合；所述弧面体3的下表面与第一斜面体2的上表面的直径相同，并且边缘重合；所述第二斜面体4的下表面与弧面体3的上表面的直径相同，并且边缘重合。所述第一斜面体2的圆周侧面为斜面22，斜面22各部分相对于水平面的倾斜角度为大于O度小于等于25度。 所述弧面体3的的圆周侧面为弧面32，弧面32各部分相对于水平面的倾斜角度为大于O度小于等于20度。所述第二斜面体4的圆周侧面为斜面42，斜面42各部分相对于水平面的倾斜角度为大于O度小于等于20度。 从而所述第一斜面体2、弧面体3和第二斜面体4的圆周侧面形成的硅片的侧面截面成异形。本实用新型是采用手工磨角方式，即用手将硅片按压在磨角器上，磨角器由电机带动旋转，手工控制使硅片的边缘磨出需要的台面造型。通过三个角度磨角器(两个锥形和ー个球形)搭配研磨成的芯片台面造型，使得电カ整流管芯片具有承载更高反向击穿电压的能力。以上所述仅为本发明创造的较佳实施例而已，并不用以限制本发明创造，凡在本发明创造的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明创造的保护范围之内。
权利要求1.ー种具有三个角度的台面造型的芯片，是圆片结构，其特征在于所述芯片包括呈圆形的芯片主体、位于芯片主体上方的第一斜面体、位于第一斜面体上方的弧面体、位于弧面体上方的的第二斜面体，所述硅片主体、第一斜面体、弧面体、第二斜面体为一体结构。
2.如权利要求I所述的具有三个角度的台面造型的芯片，其特征在于所述第一斜面体的下表面与芯片的主体直径相同，并且边缘重合；所述弧面体的下表面与第一斜面体的上表面的直径相同，并且边缘重合；所述第二斜面体的下表面与弧面体的上表面的直径相同，并且边缘重合。
3.如权利要求2所述的具有三个角度的台面造型的芯片，其特征在于所述第一斜面体的圆周侧面为斜面，斜面各部分相对于水平面的倾斜角度为大于O度小于等于25度； 所述弧面体的的圆周侧面为弧面，弧面各部分相对于水平面的倾斜角度为大于O度小于等于20度。
所述第二斜面体的圆周侧面为斜面，斜面各部分相对于水平面的倾斜角度为大于O度小于等于25度。
专利摘要一种具有三个角度的台面造型的芯片，是圆片结构。芯片台面为芯片边缘一周具有一定角度和宽度的两个锥形和一个弧形的三斜面造型，内圆部分(除台面的剩余部分)为芯片的应接面积部分。所述芯片包括呈圆形的芯片主体、位于芯片主体上方的第一斜面体、位于第一斜面体上方的弧面体、位于弧面体上方的第二斜面体，所述硅片主体、第一斜面体、弧面体、第二斜面体为一体结构。第一斜面体和第二斜面体的斜面相对于水平面的倾斜角度为大于0度小于等于25度；弧面体的弧面各部分相对于水平面的倾斜角度为大于0度小于等于20度。本实用新型的优点在于整流管芯片能承载大电流、高电压的冲击，适用于普通特高压电力整流管芯片。
文档编号H01L29/06GK202662605SQ20122036686
公开日2013年1月9日 申请日期2012年7月26日 优先权日2012年7月26日
发明者戴立新 申请人:黄山市七七七电子有限公司