专利名称：多层压接式电力整流管芯片结构的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及一种普通电力整流管芯片，具体是一种多层压接式电力整流管芯片结构。
背景技术：
整流管是一种将交流电转化为单一方向的脉动直流电的半导体器件。整流二极管具有单向导电性，在工作电路中常常利用它的单向导电性，对电路起到整流保护作用。整流二极管内的芯片可用锗或硅等半导体材料制造。电力整流管器件的芯片结面积较大，可通过较大电流(可达上千安)，但工作频率不高，一般在几十千赫以下。传统普通电力整流二极管的芯片结构多为焊接式制造模式。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是提供一种新型结构的电力整流二极管芯片结构，由于芯片结构的改进，使二极管工作性能得到提高与改善。本实用新型采用以下技术方案解决上述技术问题的一种多层压接式电力整流管芯片结构，包括单晶硅片、钥片、铝箔和铝膜，整流管芯片结构从下至上依次为钥片、铝箔、单晶娃片、招月旲。本实用新型的优点在于由于结构的改进，有效解决了电力整流管芯片的热疲劳问题。整流管芯片漏电小、通态压降小，性能良好。
图I是本实用新型多层压接式电力整流管芯片结构的剖视图。
具体实施方式
请参阅图I所示，本实用新型多层压接式电力整流管芯片结构包括钥片I、铝箔2、 单晶硅片3，以及铝膜4。多层压接式电力整流管芯片结构从下至上依次为钥片I、铝箔2、单晶硅片3、铝膜4。单晶硅片3是制作半导体元件的主要材料。钥片I具有高强度，内部组织均匀和优良的抗高温蠕变性能。用于整流管芯片结构中，使整流管芯片具有良好的承载机械压力的能力和热传导性。并且本实用新型结构中的铝箔2及铝膜4具有铝的良好的导电性能，使单晶硅片3和钥片I及铝膜具有良好的欧姆接触，有利于后道封装的焊接作业。以上所述仅为本发明创造的较佳实施例而已，并不用以限制本发明创造，凡在本发明创造的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明创造的保护范围之内。
权利要求1. 一种多层压接式电力整流管芯片结构，其特征在于包括单晶硅片、钥片、铝箔和铝膜，整流管芯片结构从下至上依次为钥片、铝箔、单晶硅片、铝膜。
专利摘要本实用新型提供一种多层压接式电力整流管芯片结构，包括单晶硅片、钼片、铝箔和铝膜。芯片多层结构从下至上依次为钼片、铝箔、单晶硅片、铝膜。本实用新型的优点在于取代了电力整流管芯片传统的焊接式结构，并且由于压接式多层结构的存在，有效解决了电力整流管芯片的热疲劳问题。整流管芯片漏电小、通态压降小，性能良好。
文档编号H01L29/45GK202721132SQ201220365620
公开日2013年2月6日 申请日期2012年7月26日 优先权日2012年7月26日
发明者戴立新 申请人:黄山市七七七电子有限公司