专利名称：防静电放电器件的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及一种集成器件，尤其涉及一种防静电放电器件。
背景技术：
固体放电器件又称半导体放电管，是一种由多层P-N结构成的，具有防雷击或过压保护的固体器件。在电子产品及设备相当普及的今天，对应用终端的防雷击/过压(过流)保护已变得十分十分重要。从上世纪末开始，到本世纪初期，各种电子产品及设备先后将压敏电阻、气体放电
管、TVS (半导体瞬态抑制二极管)、固体放电管等，作为防雷/防过压保护的关键器件，并得到了广泛的应用。其中前三种器件使用中或因响应速度慢(ms级)、或因过流能力差、或因保护发生后没有恢复功能等问题，始终没能做的很完美。但固体放电管在这些方面有着明显的优势，尤其是其出色的响应能力可以达到μ S级。如图I所示，是现有技术中一种固体放电管器件的结构示意图；经过十来年的技术发展，固体放电器件在使用中也暴露了一些问题。尤其是多层P-N结构成的放电管中结电容相对较小，从公式“电压V=Q电量/C电容”就可以看出。在每次放电过程中，总有一定的电能被储存在结电容中，造成放电后的二次放电或称静电效应，其残压仍可高达4KV 5KV，而且残压的放电时间较长，可对被保护线路造成二级损害。业界对此的改进技术措施，通常用外接二极管旁路的办法解决上述的问题，如图2所示。此结构在具体实施过程中，达到了一定的效果，但在集成规模化的趋势下，各种电器产品的体积设计是越来越小，耗能也越来越低。很多电器生产厂因此不断的向器件制造企业提出各种改善需求，本实用新型就是在这种情况下应运而生。
发明内容本实用新型需要解决的技术问题是在原“放电器件”的基础上，提供了一种“防静电放电器件”，旨在解决上述的问题。为了解决上述技术问题，本实用新型是通过以下技术方案实现的，即将旁路二极管直接集成制造在原放电管芯片上，创造出一种具有防静电击穿，给残余电压提供释放通道的放电器件。本实用新型包括本体P-N结半导体放电管；在所述本体P-N结半导体放电管的两个P区中还分别光刻N+区。与现有技术相比，本实用新型的有益效果是第一，简化了器件数量和安装体积，原来要达到防静电效果，需要二个器件，即放电管和二极管各一个，现在只需要一个防静电放电管即可达到目的;第二，由于采用了集成设计，降低了电子产品的功耗；第三，降低了电子产品的成本。
图I现有技术中一种固体放电管器件的结构示意图。图2现有技术中通过采取外挂一个二极管来达到释放静电的结构示意图。图3是本实用新型结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图与具体实施方式
对本实用新型作进一步详细描述由图3可见本实用新型包括本体P-N结半导体放电管；在所述本体P-N结半导体放电管的两个P区中还分别光刻N+区。 本实用新型将旁路二极管直接集成制造在原放电管芯片上，新增加了两个N+区，这样就产生了二个新的PN结，通过这二个结的作用，使得静电得以释放，对线路后面的负载起到了保护作用。本实用新型的制作步骤如下(即将旁路二极管直接集成制造在原放电管的图形之中，给残存电压提供泄放通道；其中的第二、三、四步骤，是增加两个两个N+区具体的实施工艺方法)I、氧化在硅片表面生长一层致密的二氧化硅薄膜，作为扩散过程中的掩蔽膜或钝化膜；2、光刻N+区借助图像复印和化学腐蚀相结合技术，在二氧化硅上刻出与光刻版相应图形，以便进行定域扩散或杂质注入；3、N+区制成对已完成光刻N+区的硅片，进行N+制程；4、退火对已完成N+制程的硅片中的N+离子重新排列；5、光刻P区借助图像复印和化学腐蚀相结合技术，在二氧化硅上刻出与光刻版相应图形，以便进行定域扩散或注入；6、P区制成对已完成N+制程硅片经光刻后形成的P区区域，通过扩散形成一定的浓度和结深的P区，并具有一定的雪崩击穿电压的制程；7、光刻N++区借助图像复印和化学腐蚀相结合技术，在二氧化硅上刻出与光刻版相应图形，以便进行定域扩散或注入；8、N++区制成在P区制程区域内经光刻后形成的区域，通过扩散形成比较高浓度的N区域；9、光刻电极区借助图像复印和化学腐蚀相结合技术，在二氧化硅上刻出与光刻版相应图形，以便进行电极引出；10、电极金属化对已经光刻形成的电极区域通过金属蒸发多层金属，形成良好的欧姆接触，经烧结后形成电极引出；11、欧姆引出与封装利用导线将芯片中的电极引出，并对芯片进行包封。
权利要求1. 一种防静电放电器件，包括本体P-N结半导体放电管；其特征在于在所述本体P-N结半导体放电管的两个P区中还分别光刻N+区。
专利摘要本实用新型涉及一种防静电放电器件，包括本体P-N结半导体放电管；在所述本体P-N结半导体放电管的两个P区中还分别光刻N+区；本实用新型的有益效果是第一，简化了器件数量和安装体积，原来要达到防静电效果，需要二个器件，即放电管和二极管各一个，现在只需要一个防静电放电管即可达到目的；第二，由于采用了集成设计，降低了电子产品的功耗；第三，降低了电子产品的成本。
文档编号H01L27/02GK202695444SQ20122033397
公开日2013年1月23日 申请日期2012年7月10日 优先权日2012年7月10日
发明者朱曼 申请人:上海华旭玻尔微电子有限公司