专利名称：硅片正反两面各压一条线的jfet二极管的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及一种硅片正反两面各压一条线的JFET 二极管，属于半导体器件制造技术领域。
技术背景 现有JFET 二极管的漏极压线区D和源极压线区S均位于硅片正面1，见图I所示，在两个压线区分别压一根引线，见图2所示。由于JFET二极管的结构特点，其本身并不需要较大硅片面积，但是，由于源极压线区S和漏极压线区D的面积较大，因此，使得JFET 二极管单芯占用硅片面积较大，硅片材料利用率低，造成材料浪费，成本增加。如果减小压线区面积，压线成品率会降低。另外，通过减小引线直径减小压线区面积的措施也受到限制，因为，引线直径小，电流就小，现有铝引线直径一般都大于100微米。采用先进的压线设备，或者使用更细的金丝作为引线，固然能够减小压线区面积，并且能够具有较高的压线成品率，保证器件的工作电流，但是，这些措施要么一次性设备投入太大，要么压线材料成本明显上升，器件成本随之明显上升。
实用新型内容本实用新型其目的在于，在采用通常压线设备及铝引线的前提下，减小JFET 二极管在制造过程中的单芯占用硅片面积，提高硅片利用率，保持应有的压线工步成品率，我们发明了一种硅片正反两面各压一条线的JFET 二极管。本实用新型之硅片正反两面各压一条线的JFET 二极管漏极压线区D位于硅片I正面一侧，见图3所示，其特征在于，条状深磷区2位于硅片I正面另一侧的源极压线区位置，深磷区2将源极与硅片I背面导通，整个硅片I背面成为源极压线区S，见图4所示。本实用新型其有益效果在于，漏极压线区D只占用硅片I正面一侧，不需要减小其面积，与现有技术相同，可以采用通常压线设备及铝引线压线。相比现有技术中的源极压线区S，条状深磷区2占用的硅片I面积很小，因此，可以减小JFET 二极管在制造过程中的单芯占用硅片面积。同时，由于深磷区2将源极与硅片I背面导通，整个硅片I背面成为源极压线区S，当然可以采用通常压线设备及铝引线压线。由于在硅片I正面、背面两面各压一条线，每个压线区面积足够大，压线质量提高，大幅度减少因可能的压歪而产生的废品。在实际工艺中，在JFET 二极管管芯封装过程中，将硅片I背面与管座3粘接并电接触，见图5所示，由于管座3本身与一个管脚e相连，这样的话就不需要再进行源极压线，因此，可以少压一根铝引线，只需在漏极压线区D压一根铝引线并与管脚d连接即可，见图6所示，JFET二极管制造工艺因此得到简化，而现有技术则是在漏极压线区D和源极压线区S分别压线，并将两根引线分别与管脚d和管脚s相连，见图7所示。采用本发明之方案，对于小功率的JFET 二极管来说，减小单芯占用硅片面积不会给压线带来困难，因此，本发明之效果更为明显。本实用新型由于硅片用料的节省、封装工艺的简化以及成品率的提高，整只JFET 二极管的制造成本至少降低5%。
图I是现有JFET 二极管漏极压线区D和源极压线区S在硅片正面分布情况示意图。图2是现有JFET 二极管漏极和源极压线情况示意图。图3是本实用新型之JFET 二极管硅片正面结构示意图。图4是本实用新型之JFET 二极管硅片背面结构示意图。图5是本实用新型之JFET 二极管漏极压线情况及源极与管座导通情况示意图。图6是本实用新型之JFET 二极管源极经管座与一个管脚导通情况示意图，该图同时作为摘要附图。图7是现有JFET 二极管漏极引线、源极引线分别与两个管脚连接情况示意图。
具体实施方式
本实用新型之硅片正反两面各压一条线的JFET 二极管具体是这样实现的，漏极压线区D位于硅片I正面一侧，见图3所示，漏极引线为铝引线，与JFET 二极管的一个管脚d连接，见图5、图7所示。条状深磷区2位于硅片I正面另一侧的源极压线区位置，深磷区宽度为5 15微米，深磷区2将源极与硅片I背面导通，整个硅片I背面成为源极压线区S， 见图4所示。硅片I背面与管座3焊接，管座3与一个管脚c连接，见图5、图6所示。所述深磷区2是这样制作的，在硅片沟道区扩散之前先进行深磷区光刻，深磷区宽度为5 15微米，长度根据产品功率等参数确定，然后将深磷区内的氧化层完全腐蚀干净。采用固态磷源自硅片正面做掺杂磷预扩，扩散层薄层电阻RS=6、Q/ 口。之后做1000^1100° C的深磷扩散，向深磷区里扩散磷的化合物，如五氧化二磷，使深磷区的电阻降至很小。深磷扩散结束以后做氧化，氧化层厚度Τυχ = 3800±400 Α...接下来再进行沟道区扩散，即做沟道区光刻、沟道区注入、沟道区扩散，之后做顶栅区光刻、顶栅区注入、顶栅区扩散，这样就完成了各种掺杂。在引线孔光刻时候需要将深磷区内的氧化层腐蚀干净，在金属光刻工步将深磷区刻孔与源极刻孔连接到一起，实现将源极压线区与硅片背面的导通。
权利要求1.一种娃片正反两面各压一条线的JFET 二极管,漏极压线区D位于娃片(I)正面一侦牝其特征在于，条状深磷区(2)位于硅片(I)正面另一侧的源极压线区位置，深磷区(2)将源极与硅片(I)背面导通，整个硅片(I)背面成为源极压线区S。
2.根据权利要求I所述的硅片正反两面各压一条线的JFET二极管，其特征在于，深磷区(2)宽度为5 15微米。
3.根据权利要求I所述的硅片正反两面各压一条线的JFET二极管，其特征在于，硅片(O背面与管座(3)焊接，管座(3)与一个管脚c连接。
专利摘要本实用新型涉及一种硅片正反两面各压一条线的JFET二极管，属于半导体器件制造技术领域。现有JFET二极管单芯占用硅片面积较大，硅片材料利用率低，造成材料浪费，成本增加。本实用新型采用通常压线设备及铝引线，漏极压线区D位于硅片正面一侧，其特征在于，条状深磷区位于硅片正面另一侧的源极压线区位置，深磷区将源极与硅片背面导通，整个硅片背面成为源极压线区。本实用新型之方案用于JFET二极管制造，可以减小JFET二极管在制造过程中的单芯占用硅片面积，由于硅片用料的节省、封装工艺的简化以及成品率的提高，整只JFET二极管的制造成本至少降低5%。
文档编号H01L29/06GK202662613SQ20122027199
公开日2013年1月9日 申请日期2012年6月11日 优先权日2012年6月11日
发明者孙传帮, 赵卫, 宋洪德, 叶武扬 申请人:吉林华微电子股份有限公司