专利名称：基材包覆结构的利记博彩app
技术领域：
本实用新型有关于ー种包覆结构，尤其是指ー种用于包覆光电元件的基材包覆结构。
背景技术：
在半导体或发光二极管的后段制程中，晶片在制造完成之后会被粘贴到膜状结构上，再切割成多个晶粒，这些晶粒維持着贴附在膜状结构上的形式，接下来会被送入检测设备之中。检测设备将这些晶粒进行检验测试，并且依其等级做分类，之后这些晶粒仍贴附于膜状结构上，以避免晶粒因滚动而迁移或受损，并且会在膜状结构上贴附保护膜，以保护这些晶粒。然而，由于现有技术的保护膜会涂布化学物质，以便让保护膜与膜状结构进行剥 离。然而，保护膜涂布化学物质，会在覆盖于这些晶粒上时，残留化学物质在这些晶粒上，而造成之后进行的后段制程的良品率下降。因此，克服化学物质残留的问题，将成为提升该制程良品率的重要原因。
实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种基材包覆结构，以改善化学物质残留的问题，因此改变保护膜的材料。由于保护膜上不另外涂布化学物质，可減少化学物质残留的问题，可有效提升后段制程的良品率。本实用新型提供一种基材包覆结构，其包括一基材、一光电元件粘着层及至少ー绝缘层。基材粘附于光电元件粘着层上，绝缘层接合于光电元件粘着层上，且绝缘层覆盖基材。另外，绝缘层的面积大于光电元件粘着层的面积。在一实施例中，该基材为发光_■极管晶粒、监宝石晶片、半导体晶片、单晶娃晶片、多晶硅晶片、太阳能电池面板及芯片的其中ー种。在一实施例中，该光电兀件粘着层为胶膜本体、蓝膜本体及UV膜本体的其中一种。在一实施例中，该绝缘层为聚こ烯本体、聚丙烯本体、聚氯こ烯本体、こ烯-醋酸こ烯脂共聚物本体、聚对苯ニ甲酸酯本体、聚こ烯醇本体、聚こ烯缩丁醛本体及甲基戊烯聚合物本体的其中ー种。在一实施例中，还包括在该绝缘层上涂布离型剂本体，该离型剂本体为硅硐离型剂本体及非硅硐离型剂本体的其中ー种。在一实施例中，还包括在该绝缘层上涂布离型剂本体，该离型剂本体为无溶剂形式，该离型剂本体为加热硬化的离型剂本体及放射线硬化的离型剂本体的其中ー种。 在一实施例中，该绝缘层的表面形成凹陷区。本实用新型提供一种基材包覆结构，其包括一基材、一光电元件粘着层、一离型层及ー抗静电层。基材粘附于光电元件粘着层上，离型层接合于光电元件粘着层上。抗静电层通过离型层与光电元件粘着层接合，抗静电层的面积大于光电元件粘着层的面积。在一实施例中，该光电兀件粘着层为胶膜本体、蓝膜本体及UV膜本体的其中一种，该抗静电层为离型纸本体。在一实施例中，该离型层以及该抗静电层的表面为凹凸的形状。综上所述，本实用新型的基材包覆结构具有好的抗静电及保护的功效，以及便于将绝缘层从光电元件粘着层上进行剥离。并且，不会在发光二极管晶粒上产生残留物，因此后段的封装打线(Wire-bonding)的制程良品率可以提升。为更进一歩了解本实用新型的特征及技术内容，请參阅以下有关本实用新型的详细说明与附图，然而附图仅用以提供參考与说明，并非用来对本实用新型加以限制。
·图I为本实用新型的基材包覆结构第一实施例的片状基材的立体示意图。图2为本实用新型的基材包覆结构第一实施例的块状基材的立体示意图。图3为本实用新型的基材包覆结构第一实施例的两层绝缘层立体示意图。图4为本实用新型的基材包覆结构第一实施例的剖面示意图。图5为本实用新型的基材包覆结构第二实施例的立体示意图。图6为本实用新型的基材包覆结构第二实施例的剖面示意图。其中，附图标记说明如下基材包覆结构 I基材10光电元件粘着层20绝缘层30、31凹陷区32抗静电层40离型层50
具体实施方式
请參考图I及图2所示，本实用新型提供一种基材包覆结构1，其包括一基材10、一光电元件粘着层20及至少ー绝缘层30。首先，光电元件粘着层20具有粘性，可将基材10粘附于光电元件粘着层20上。如图I所示，基材10可为片状的形式，因此基材10可为蓝宝石晶片、半导体晶片、单晶硅晶片、多晶硅晶片或太阳能电池面板。如图2所示，基材10可为块状的形式，因此基材10可为发光二极管晶粒或芯片，然而基材10的元件不以上述为限。另外，光电元件粘着层20可为胶膜本体、蓝膜(Blue tape)本体或UV膜本体，然而光电元件粘着层20的材质不以上述为限。在本实施例中是将发光二极管晶粒置于胶膜本体或蓝膜本体上，通过胶膜本体或蓝膜本体本身的粘性，将发光二极管晶粒粘附于胶膜本体或蓝膜本体上。之后，再将绝缘层30覆盖于光电元件粘着层20上，也即绝缘层30是接合于光电元件粘着层20上。并且，绝缘层30充分地覆盖于基材10上，以达到保护基材10以及抗静电的效果。其中，绝缘层30的面积大于光电元件粘着层20的面积，以方便将绝缘层30从光电元件粘着层20上进行剥离。如图3所示，绝缘层30，31也可设计为两层结构，也即于绝缘层30上可再増加绝缘层31而形成两层结构，达到更好的抗静电及保护的功效。然而绝缘层30也可设计为多层结构，并不限定绝缘层30的层数。其中，绝缘层30的材质可为聚乙烯(Polyethylene)、聚丙烯(Polypropylene)、聚氯こ烯(PolyVinyl Chloride) >こ烯-醋酸こ烯脂共聚物(Ethylene Vinyl Acetate)、聚对苯ニ甲酸酯(PolyethyleneTerephthalate)、聚こ烯醇(Polyvinyl alcohol)、聚こ烯醇缩丁醒(Polyvinyl butyral)或甲基戊烯聚合物(TPX)，然而绝缘层30的材质不以上述为限。除此之外，可在绝缘层30上选择性地涂布离型剂本体，离型剂本体可为硅硐(silicone)离型剂本体或非硅硐离型剂本体。或是离型剂本体为ー种无溶剂形式，其可为加热硬化的离型剂本体或放射线硬化的离型剂本体，加热硬化的离型剂本体可经由加热而产生硬化的效果，放射线硬化的离型剂本体可经由紫外光照射而产生硬化的效果。另外，将放射线硬化的离型剂本体涂布于绝缘层30上，可方便用于观察晶粒。并且使用放射性硬 化的方式，不会有离型剂迁移(migration)且残留于晶粒上的问题，因此后段的封装打线(Wire-bonding)的制程良品率可以提升。请參考图4所示，绝缘层30的表面亦可形成凹陷区32，凹陷区32将于该绝缘层30的表面形成纹路，其目的在于减少与光电元件粘着层20接触的面积，以便于将绝缘层30从光电元件粘着层20上进行剥离。且粘合时所产生的气泡，气体可从凹陷区32中排出，以维持绝缘层30的平整性。请參考图5所示，本实用新型另提供一种基材包覆结构1，其包括一基材10、一光电兀件粘着层20、一离型层50及ー抗静电层40。首先，光电元件粘着层20具有粘性，可将基材10粘附于光电元件粘着层20上。然而基材10可为片状或块状的形式，因此基材10可为发光二极管晶粒、蓝宝石晶片、半导体晶片、单晶硅晶片、多晶硅晶片、太阳能电池面板或芯片，然而基材10的元件不以上述为限。另外，光电元件粘着层20可为胶膜本体、蓝膜本体或UV膜本体，然而光电元件粘着层20的材质不以上述为限。在本实施例中是将发光二极管晶粒置于胶膜或蓝膜上，通过胶膜或蓝膜本身的粘性，将发光二极管晶粒粘附于胶膜或蓝膜上。此后，再将离型层50及抗静电层40覆盖于光电元件粘着层20上，也即离型层50接合于光电元件粘着层20上，因此抗静电层40通过离型层50与光电元件粘着层20进行接合，并且抗静电层40的面积大于光电元件粘着层20的面积，方便将抗静电层40从光电元件粘着层20上进行剥离。其中，抗静电层40为离型纸本体。请參考图6所示，离型层50以及抗静电层40的表面可为凹凸的形状，其目的在于减少与光电元件粘着层20接触的面积，以便于将抗静电层40及离型层50从光电元件粘着层20上进行剥离。且粘合时所产生的气泡，气体可从凹凸的形状中排出，以维持抗静电层40的平整性。综上所述，本实用新型的基材包覆结构具有好的抗静电及保护的功效，以及方便将绝缘层从光电元件粘着层上进行剥离。并且，不会产生残留物于发光二极管晶粒上，因此后段的封装打线(Wire-bonding)的制程良品率可以提升。但是以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，非意欲局限本实用新型的专利保护 范围，故举凡运用本实用新型说明书及附图内容所做的等效变化，同理皆包含于本实用新型的权利要求的保护范围内，合予陈明。
权利要求1.一种基材包覆结构，其特征在于，包括一基材；一光电元件粘着层，该基材粘附于该光电元件粘着层上；以及至少一绝缘层，其接合于该光电元件粘着层，且该绝缘层覆盖该基材，该绝缘层的面积大于该光电元件粘着层的面积。
2.如权利要求I所述的基材包覆结构，其特征在于，该基材为发光二极管晶粒、蓝宝石晶片、半导体晶片、单晶硅晶片、多晶硅晶片、太阳能电池面板及芯片的其中一种。
3.如权利要求I所述的基材包覆结构，其特征在于，该光电元件粘着层为胶膜本体、蓝膜本体及UV膜本体的其中一种。
4.如权利要求I所述的基材包覆结构，其特征在于，该绝缘层为聚乙烯本体、聚丙烯本 体、聚氯乙烯本体、乙烯-醋酸乙烯脂共聚物本体、聚对苯二甲酸酯本体、聚乙烯醇本体、聚乙烯醇缩丁醛本体及甲基戊烯聚合物本体的其中一种。
5.如权利要求I所述的基材包覆结构，其特征在于，还包括在该绝缘层上涂布离型剂本体，该离型剂本体为硅硐离型剂本体及非硅硐离型剂本体的其中一种。
6.如权利要求I所述的基材包覆结构，其特征在于，还包括在该绝缘层上涂布离型剂本体，该离型剂本体为无溶剂形式，该离型剂本体为加热硬化的离型剂本体及放射线硬化的离型剂本体的其中一种。
7.如权利要求I所述的基材包覆结构，其特征在于，该绝缘层的表面形成凹陷区。
8.一种基材包覆结构，其特征在于，包括一基材；一光电元件粘着层，该基材粘附于该光电元件粘着层上；一离型层，其接合于该光电元件粘着层；以及一抗静电层，其通过该离型层与该光电兀件粘着层接合，该抗静电层的面积大于该光电元件粘着层的面积。
9.如权利要求8所述的基材包覆结构，其特征在于，该光电元件粘着层为胶膜本体、蓝膜本体及UV膜本体的其中一种，该抗静电层为离型纸本体。
10.如权利要求8所述的基材包覆结构，其特征在于，该离型层以及该抗静电层的表面为凹凸的形状。
专利摘要本实用新型提供一种基材包覆结构，其包括一基材、一光电元件粘着层及至少一绝缘层。基材粘附于光电元件粘着层上，绝缘层接合于光电元件粘着层上，且绝缘层覆盖基材。另外，绝缘层的面积是大于光电元件粘着层的面积。本实用新型的基材包覆结构具有好的抗静电及保护的功效，以及便于将绝缘层从光电元件粘着层上进行剥离。并且，不会在发光二极管晶粒上产生残留物，因此可以提升后段的封装打线(Wire-bonding)的制程良品率。
文档编号H01L21/683GK202633263SQ201220262740
公开日2012年12月26日 申请日期2012年6月5日 优先权日2012年6月5日
发明者汪秉龙, 张正光, 刘华湘, 萧汉璁, 陈裕旺 申请人:久元电子股份有限公司