专利名称：具有可调式引导单元的晶片输送装置的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及一种具有可调式引导单元的晶片输送装置，可延长引导单元的使用期限，并有利于降低晶片输送装置的使用成本。
背景技术：
在晶片的制作或检测的过程中免不了要对晶片进行输送，晶片的结构较为轻、薄且脆。当晶片输送的过程中与输送机台接触，便容易导致晶片本身的结构出现损伤，例如出现破损、缺角或是肉眼无法辨识的裂痕，此外在长时间的使用下也会造成机台的磨损。请参阅图I，为现有晶片输送机台的俯视图。如图所示，晶片输送机台10包括有一第一输送单兀11及一第二输送单兀13,其中第一输送单兀11与第二输送单兀13相邻，并 可将第一输送单元11上的晶片12传送至第二输送单元13上。第一输送单元11的宽度Wl大于第二输送单元13的宽度W2，为了使得第一输送单元11上的晶片12可顺利进入第二输送单元13，通常会选择在第二输送单元13的输入口132的两侧边设置一引导单元15。引导单元15的宽度由第一输送单元11往第二输送单元13的方向递减，例如宽度W3大于宽度W4。通过引导单元15的设置，可在输送过程中将第一输送单元11所输送的晶片12引导至预设的位置，使得晶片12可顺利进入第二输送单元13。在引导单元15引导晶片12的过程中，晶片12会与引导单元15接触。在经过一段时间的使用之后，晶片12将会在引导单元15的表面形成凹痕，使得使用者必须经常性的更换磨损的引导单元15，并导致晶片输送机台10的使用成本增加。
实用新型内容本实用新型的一个目的，在于提供一种具有可调式引导单元的晶片输送装置，主要引导单元设置于输送单元上，并用以引导输送单元输送的晶片。引导单元还连接调整单元，并可通过调整单元调整引导单元的高度，从而延长引导单元的使用期限，并有利于降低晶片输送装置的使用成本。本实用新型的又一目的，在于提供一种具有可调式引导单元的晶片输送装置，当引导单元出现过度磨损的时候，可通过调整支架调整引导单元的高度，使得与晶片接触的引导单元仍具有完整的构造，并可继续进行晶片的引导。本实用新型的又一目的，在于提供一种具有可调式引导单元的晶片输送装置，主要将引导单元设置在输送单元的输入端或输出端，并用以引导由输入端进入或由输出端输出的晶片。为实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案一种具有可调式引导单元的晶片输送装置，它包括有一输送单兀,用以输送至少一晶片；至少一引导单元，位于该输送单元上，并用以引导该输送单元输送的晶片；及[0013]至少一调整支架，连接该引导单元，并用以调整该引导单元的高度。如上所述的晶片输送装置，其中优选地，所述输送单元包括有一输入端及一输出端，且该晶片由该输入端进入该输送单元，并由该输出端离开该输送单元。如上所述的晶片输送装置，其中优选地，所述引导单元位于所述输送单元的输出端的侧边，并用以引导由该输出端离开该输送单元的晶片。如上所述的晶片输送装置，其中优选地，所述引导单元位于所述输送单元的输入端的侧边，并用以引导由该输入端进入该输送单元的晶片。如上所述的晶片输送装置，其中优选地，所述引导单元的宽度由该输入端往该输出端的方向逐渐缩小。如上所述的晶片输送装置，其中优选地，所述调整支架连接所述输送单元。·[0019]如上所述的晶片输送装置，其中优选地，所述引导单元位于所述输送单元的侧边。一种具有可调式引导单元的晶片输送装置，它包括有一第一输送单兀,用以输送至少一晶片；一第二输送单元，用以由该第一输送单元接收该晶片，并用以进行该晶片的输送；至少一引导单元，位于该第一输送单元及第二输送单元之间，并用以引导该晶片由该第一输送单兀输送至该第二输送单兀；及至少一调整支架，连接该引导单元，并用以调整该引导单元的高度。如上所述的晶片输送装置，其中优选地，它包括有一第三输送单兀位于该第一输送单元与该第二输送单元之间。如上所述的晶片输送装置，其中优选地，所述引导单元位于该第三输送单元上，并用以引导该第三输送单元输送的晶片。如上所述的晶片输送装置，其中优选地，所述引导单元的宽度由该第一输入单元往该第二输入单元的方向逐渐缩小。本实用新型的有益效果在于本实用新型提供了一种具有可调式引导单元的晶片输送装置，当部分的引导单元被晶片磨损后，可通过调整支架调整引导单元的高度，得以延长引导单元的使用期限，并有利于降低晶片输送装置的使用成本。
图I为现有晶片输送机台的俯视图。图2为本实用新型具有可调式引导单元的晶片输送装置实施例I的立体示意图。图3为本实用新型具有可调式引导单元的晶片输送装置实施例I的部分构件的放大示意图。图4为本实用新型具有可调式引导单元的晶片输送装置实施例2的立体示意图。图5为本实用新型具有可调式引导单元的晶片输送装置实施例3的立体示意图。图6为本实用新型具有可调式引导单元的晶片输送装置实施例4的立体示意图。主要元件符号说明10 晶片输送机台11 第一输送单元[0038]12晶片13第二输送单元132输入口15引导单元20晶片输送装置201晶片输送装置21输送单元211承载座212输入端213 输送带214输出端23引导单元231第一磨痕233第二磨痕235第三磨痕24连接单元25调整支架251侧支架2511穿孔253连接支架30晶片输送装置31第一输送单元314输出端32第二输送单元322输入端40晶片输送装置41第一输送单元42第二输送单元43引导单元431上表面433侧表面435底表面45调整支架47第三输送单元472输入端474输出端。
具体实施方式
实施例I请参阅图2，为本实用新型具可调式引导单元的晶片输送装置一个实施例的立体示意图。如图所示，晶片输送装置20主要包括有一输送单元21、至少一引导单元23及至少一调整支架25，其中输送单元21可用以进行至少一晶片12的输送，而引导单元23则用以将晶片12引导至预设的位置。输送单兀21主要用以输送晶片12,并包括有一输入端212及一输出端214,其中晶片12由输入端212进入输送单兀21,并由输出端214离开输送单兀21,换句话说,输送单元21由输入端212往输出端214的方向输送晶片12，例如输送单元21可为输送带、气浮式输送单兀或振动式输送单兀等。在本实施例中，输送单兀21包括有一承载座211及一输送带213，其中输送带213位于承载座211上。引导单元23位于输送单元21上，并可用以引导输送单元21所输送的晶片12。在本实施例中，引导单元23位于输送单元21的输入端212的两侧边，并用以引导由输入端212进入输送单元21的晶片12，使得输送单元21可顺利进行晶片12的输送。当然在实际应用时，引导单元23可位于输送单元21的输出端214，此外引导单元23也可位于部分或全部的输送单元21上，相关的设置方式将会在后续的实施例中说明。在本实用新型实施例中，引导单元23位于输送单元21的输入端212，且引导单元23的宽度由输入端212的方向往输出端214的方向逐渐缩小，使得引导单元23可发挥引导晶片12的功能。例如引导单元23的数量为两个，并分别位于输送单元21和/或输送带213的两侧边，且两个引导单元23之间的宽度Wl大于宽度W2。调整支架25连接引导单元23，并可用以调整引导单元23的高度。在实际应用时引导单元23可与输送单元21接触，并以输送单元21承载部分引导单元23的重量。在不同实施例中，也可完全由调整支架25承载弓丨导单元23，使得引导单元23不直接与输送单元21接触。在本实施例中，调整支架25连接输送单元21，并包括有两个侧支架251及一连接支架253，且连接支架253位于两个侧支架251之间，用以连接两个侧支架251。连接支架253连接引导单元23的上方，而两个侧支架251则通过连接单元24连接承载座211。侧支架251上设置有至少一穿孔2511，使得连接单元24可穿过穿孔2511并锁合在承载座211上，其中穿孔2511可为长条状，使得穿孔2511可相对于连接单元24进行位移。在使用时可松脱连接单元24，则调整支架25便可相对于输送单元21、连接承载座211、输送带213和/或连接单元24进行上下的调整。当调整支架25相对于输送单元21、连接承载座211、输送带213和/或连接单元24进行上下调整的同时，也会带动与其连接的引导单元23进行上下的调整，从而改变引导单元23的高度。在本实施例中，输送单元21用以沿着第一方向X输送晶片，而调整支架25则带动引导单元23在第二方向Z进行高度的调整，其中第一方向X与第二方向Z垂直。当然在实际应用时第一方向X也可不与第二方向Z垂直。一般而言，在引导单元23引导晶片12的过程中，晶片12与引导单元23的接触位置会位于同一平面上，并对同一平面上的引导单元23造成磨损。当引导单元23的某一平面发生过度磨损时，使用者便可通过调整支架25调整引导单元23的高度，使得磨损的引导单元23仍可继续使用。请配合参阅图3，在本实施例中，当引导单元23经过一段时间的使用并产生一第一磨痕231时，使用者可通过调整支架25调高或调低引导单元23的高度，使得与晶片12接触的引导单元23的表面仍为完整的构造。当然引导单元23再经过一段时间的使用后，可能会产生第二磨痕233和/或第三磨痕235，之后可继续调整引导单元23的高度，直到引导单元23不堪使用为止。在本实用新型上述实施例中，调整支架25主要与引导单元23的上表面相连接，从而带动引导单元23进行高度的调整。然而在实际应用时，引导单元23只需要与引导单元23连接，便可带动引导单元23位移，而不一定只能连接引导单元23的上表面，例如调整支架25也可连接引导单元23的侧表面或底表面，同样可达到调整引导单元23高度的目的。此外本实用新型上述实施例中，也有提及调整支架25连接输送单元21和/或承载座211的构造。但在实际应用时，调整支架25并不一定要连接输送单元21和/或承载座211，只要将调整支架25连接一固定端，调整支架25便可相对于输送单元21和/或输送带213进行上下位移，并带动引导单元23进行高度的调整。实施例2请参阅图4，为本实用新型具有可调式引导单元的晶片输送装置又一实施例的立体示意图。如图所示，晶片输送装置201主要包括有一输送单元21、至少一引导单元23及至少一调整支架25，其中输送单元21包括有一输入端212及一输出端214，且晶片12由输入端212往输出端214的方向移动，并将引导单元23设置在输送单元21的输出端214。[0071]在输送晶片12的过程中，晶片12由输入端212进入输送单元21，并由输出端214输出输送单元21。在本实施例中，引导单元23位于输送单元21的输出端214侧边，并可用以引导单元23引导离开或即将离输送单元21的晶片12。本实施例所述的引导单元23同样连接调整支架25，并可通过调整支架25调整引导单元23的高度，从而延长引导单元23的使用期限，并有利于降低晶片输送装置201的使用成本。实施例3请参阅图5，为本实用新型具有可调式引导单元的晶片输送装置又一实施例的立体示意图。如图所示，晶片输送装置30主要包括有一第一输送单元31、一第二输送单元32、至少一引导单元23及至少一调整支架25，其中晶片12由第一输送单元31输送至第二输送单元32，而引导单元23则位于第一输送单元31与第二输送单元32之间，并用以引导由第 一输送单兀31输送至第二输送单兀32的晶片12。在本实施例中，第一输送单元31的宽度Wl大于第二输送单元32的宽度W2，因此在将晶片12由第一输送单元31传送至第二输送单元32的过程中，需要通过引导单元23引导晶片12，使得晶片12可顺利进入第二输送单元32。此外引导单元23也连接调整支架25，并可通过调整支架25调整引导单元23相对于第一输送单元31及第二输送单元32的高度，从而提高引导单元23的使用期限，并有利于降低晶片输送装置30的使用成本。在本实施例中，主要是将引导单元23设置在第一输送单元31与第二输送单元32之间，并以引导单元23引导晶片12进入第二输送单元32。然而在实际应用时，引导单元23也可设置在第二输送单元32的输入端322，形成类似图2所示的构造，或者是将引导单元23设置在第一输送单元31的输出端314，形成类似图4所示的构造。无论是以哪一种方式设置引导单元23，均可通过引导单元23将晶片12引导至适当的位置。实施例4请参阅图6，为本实用新型具有可调式引导单元的晶片输送装置又一实施例的立体示意图。如图所示，晶片输送装置40主要包括有一第一输送单元41、一第二输送单元42、一第三输送单元47、至少一引导单元43及至少一调整支架45，其中第三输送单元47位于第一输送单元41及第二输送单元42之间，而引导单元43则位于第三输送单元47上，并用以引导第三输送单元47输送的晶片12。在本实用新型实施例中，第一输送单元41的宽度Wl大于第二输送单元42的宽度W2，因此在将晶片12由第一输送单元41输送至第二输送单元42的过程中，需要通过第三输送单元47侧边的引导单元43引导晶片12，使得晶片12可顺利被传送至第二输送单元42。在本实施例中，引导单元43分别设置在第三输送单元47的两个侧边，并可由第三输送单元47的输入端472延伸至输出端474，且引导单元43之间的宽度由第一输送单元41往第二输送单元42的方向逐渐缩小，例如第三输送单元47的输入端472宽度W3大于输出端474的宽度W4。在本实施例中，第三输送单元47为漂浮式输送单元，例如气浮式输送单元或震动式输送单元，在引导的过程中晶片12会漂浮在第三输送单元47上，从而降低晶片12与第三输送单元47之间的磨擦力，并可进一步减低晶片12对引导单元43所造成的磨损。当然在不同实施例中第三输送单兀47也可为一般的输送带，同样可通过第三输送单兀47上的引导单元43引导晶片12。 在实际应用时，第一输送单元41及第二输送单元42也可为漂流式输送单元，此外上述实施例中的输送单元21、第一输送单元31及第二输送单元32也可为漂浮式输送单元。引导单元43连接调整支架45，并通过调整支架45调整引导单元43的高度。在本实用新型一实施例中，调整支架45连接引导单元43的上表面431，并带动引导单元43进行高度的调整。然而在不同实施例中，也可依据晶片输送装置和/或输送单元的实际架构，选择将调整支架45连接引导单元43的侧表面433或底表面435，同样可使得引导单元43具有调整高度的功能。在本实用新型中所述的连接，指的是一个或多个物体或构件之间的直接连接或者是间接连接，例如可在一个或多个物体或构件之间存在有一个或多个中间连接物。 虽然已通过举例方式在附图中描述了本实用新型的具体实施方式
，并在说明书中 对其作了详细的说明，但是本实用新型还允许有各种修改和替换形式。本实用新型的附图内容可为不等比例，附图及其详细的描述仅为特定型式的揭露，并不为本实用新型的限制，相反的，依据专利范围的精神和范围内进行修改、均等构件及其置换皆为本实用新型所涵盖的范围。说明书的系统中所描述的也许、必须及变化等字眼并非本实用新型的限制。说明书所使用的专业术语主要用以进行特定实施例的描述，并不为本实用新型的限制。说明书所使用的单数量词(如一个及该个)，在实施上也可为复数个，除非在说明书的内容有明确的说明。例如说明书所提及的一个装置可包括有两个或两个以上的装置的结合，而说明书所提到的一物质则可包括有多种物质的混合。以上所述，仅为本实用新型的较佳实施例而已，并非用来限定本实用新型实施的范围，即凡依本实用新型申请专利范围所述的形状、构造、特征及精神所为的均等变化与修饰，均应包括于本实用新型的申请专利范围内。
权利要求1.一种具有可调式引导单元的晶片输送装置，其特征在于，它包括有 一个用以输送至少一晶片的输送单兀； 至少一个用以引导该输送单元输送的晶片的引导单元，位于该输送单元上；及 至少一个用以调整该引导单元的高度的调整支架，连接该引导单元。
2.如权利要求I所述的晶片输送装置，其特征在于，所述输送单元包括有一输入端及一输出端，且该晶片由该输入端进入该输送单元，并由该输出端离开该输送单元。
3.如权利要求2所述的晶片输送装置，其特征在于，所述引导单元位于所述输送单元的输出端的侧边。
4.如权利要求2所述的晶片输送装置，其特征在于，所述引导单元位于所述输送单元的输入端的侧边。
5.如权利要求2所述的晶片输送装置，其特征在于，所述引导单元的宽度由该输入端往该输出端的方向逐渐缩小。
6.如权利要求I所述的晶片输送装置，其特征在于，所述调整支架连接所述输送单J Li ο
7.如权利要求I所述的晶片输送装置，其特征在于，所述引导单元位于所述输送单元的侧边。
8.一种具有可调式引导单元的晶片输送装置，其特征在于，它包括有 一个用以输送至少一晶片的第一输送单元； 一个用以由该第一输送单元接收该晶片的第二输送单元，并用以进行该晶片的输送；至少一个用以引导该晶圆由该第一输送单元输送至该第二输送单元的引导单元，位于该第一输送单元及第二输送单元之间；及 至少一个用以调整该引导单元的高度的调整支架，连接该引导单元。
9.如权利要求8所述的晶片输送装置，其特征在于，它包括有一第三输送单元位于该第一输送单兀与该第二输送单兀之间。
10.如权利要求9所述的晶片输送装置，其特征在于，所述引导单元位于该第三输送单元上，并用以引导该第三输送单元输送的晶片。
11.如权利要求8所述的晶片输送装置，其特征在于，所述引导单元的宽度由该第一输入单元往该第二输入单元的方向逐渐缩小。
专利摘要本实用新型提供了一种具有可调式引导单元的晶片输送装置，它包括有一输送单元，用以输送至少一晶片；至少一引导单元，位于该输送单元上，并用以引导该输送单元输送的晶片；及至少一调整支架，连接该引导单元，并用以调整该引导单元的高度。本实用新型提供的输送装置在使用时，当部分的引导单元被晶片磨损后，可通过调整支架调整引导单元的高度，得以延长引导单元的使用期限，并有利于降低晶片输送装置的使用成本。
文档编号H01L21/677GK202721113SQ201220236349
公开日2013年2月6日 申请日期2012年5月24日 优先权日2012年5月24日
发明者王雅惠 申请人:立晔科技股份有限公司