专利名称：环形器中心导体组件的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及一种环形器中心导体组件。
背景技术：
环形器是将进入其任一端口的入射波，按照由静偏磁场确定的方向顺序传入下一个端口的多端口器件。中心导体作为环形器内重要元件之一，其能否正常工作直接影响环形器的使用寿命，现有的环形器在使用过程中其50 Q过渡段极易打火，而50 Q过渡段打火极易烧毁中心导体，降低了中心导体的使用寿命；现有环形器的中心导体大多采用直线结构，不仅外观美观度较差，而且不易于装配，毛刺较多
实用新型内容
本实用新型的目的即在于克服现有技术的不足，提供一种环形器中心导体组件，在中心导体50Q的过渡段填充聚四氟乙烯介质，防止了 50 Q过渡段打火烧毁中心导体，接口端、接口端与Y结组件连接处均呈圆弧形设计，具有消除毛刺，外观美观且易于装配，提高了安全性，延长了器件的使用寿命等优点。本实用新型的目的通过以下技术方案来实现环形器中心导体组件，它包括中心导体、一个Y结组件和至少三个接口端，接口端、接口端与Y结组件连接处均呈圆弧形，中心导体的出口端分别与三个接口端连接，中心导体与接口端相连处设有中心导体过渡段，中心导体过渡段外填充有介质。所述的介质为聚四氟乙烯介质。本实用新型的有益效果是本实用新型提供一种环形器中心导体组件，通过在中心导体50Q的过渡段填充聚四氟乙烯介质，防止了 50Q过渡段打火烧毁中心导体，接口端、接口端与Y结组件连接处均呈圆弧形设计，具有消除毛刺，外观美观且易于装配，提高了安全性，延长了器件的使用寿命等优点。
图I为本实用新型的结构图；图2为本实用新型中心导体过渡段结构图；图中，I-中心导体，2-Y结组件，3-接口端，4-中心导体过渡段，5-介质。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型做进一步的描述，但本实用新型的保护范围不局限于以下所述。如图I、图2所示，环形器中心导体组件，它包括中心导体I、一个Y结组件2和至少三个接口端3，接口端3、接口端3与Y结组件2连接处均呈圆弧形，中心导体I的出口端分别与三个接口端3连接，中心导体I与接口端3相连处设有中心导体过渡段4，中心导体过渡段4外填充有介质5，所述 的介质5为聚四氟乙烯介质。
权利要求1.环形器中心导体组件，其特征在于它包括中心导体(I)、一个Y结组件(2)和至少三个接口端(3)，接口端(3)、接口端(3)与Y结组件(2)连接处均呈圆弧形，中心导体(I)的出口端分别与三个接口端(3 )连接，中心导体(I)与接口端(3 )相连处设有中心导体过渡段(4)，中心导体过渡段(4)外填充有介质(5)。
2.根据权利要求I所述的环形器中心导体组件，其特征在于所述的介质(5)为聚四氟乙烯介质。
专利摘要本实用新型公开了一种环形器中心导体组件，它包括中心导体(1)、一个Y结组件(2)和至少三个接口端(3)，接口端(3)、接口端(3)与Y结组件(2)连接处均呈圆弧形，中心导体(1)的出口端分别与三个接口端(3)连接，中心导体(1)与接口端(3)相连处设有中心导体过渡段(4)，中心导体过渡段(4)外填充有介质(5)。本实用新型提供一种环形器中心导体组件，通过在中心导体50Ω的过渡段填充聚四氟乙烯介质，防止了50Ω过渡段打火烧毁中心导体，接口端、接口端与Y结组件连接处均呈圆弧形设计，具有消除毛刺，外观美观且易于装配，提高了安全性，延长了器件的使用寿命等优点。
文档编号H01P1/383GK202534763SQ201220186060
公开日2012年11月14日 申请日期2012年4月28日 优先权日2012年4月28日
发明者周勇 申请人:成都泰格微波技术股份有限公司