专利名称：一种防止电池片过刻的硅片保护结构的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及太阳能电池保护边框技术领域，尤其是一种防止电池片过刻的硅片保护结构。
背景技术：
太阳能电池选择性发射极的原理是在重扩散的发射极面印刷一层电极图形的蜡层，再通过刻蚀在非图形区形成浅扩散区，在其表面构建满足电池表面不同区域对应不同电阻的需求。SE刻蚀工艺流程背面抛光一正面浅方阻刻蚀一去蜡一去磷硅玻璃一烘干。背面 抛光是采用高浓度的hf+hno3混合液通过滚轮带液仅对硅片背面进行抛光，由于溶液浓度过高，且挥发性极强，重扩后的硅片具有亲水性，会在硅片边缘部位造成过刻现象，这个问题在后续的正面刻蚀过程中会加剧，严重影响硅片表面方阻的均匀性，甚至造成电池片的失效。目前业内的太阳能保护边框保护技术为水膜保护，在Schmid湿法刻蚀机上料前用水喷淋硅片，在硅片表面形成一层水膜，刻蚀时利用水稀释药液，以达到保护的目的。该技术对机台滚轮水平度需要较为严格，要防止水漏到刻蚀槽改变药液浓度，并且，由于硅片表面打蜡保护后具有憎水性，水膜覆盖并不均匀，保护度不够。SE生产线机台硬件原因，会在湿法刻蚀时刻蚀液会上翻到硅片上表面产生刻边异常，镀膜后外观上产生异常的白色边缘。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是克服现有技术中之不足，提供一种能有效改善刻蚀异常，确保太阳能电池外观正常的硅片保护结构。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种防止电池片过刻的硅片保护结构，所述的防止电池片过刻的硅片保护结构为在硅片四周多加印的一圈石蜡边框或者在栅线四周增宽的固化油墨掩膜打印图形边框。在Schmid inkjet机台打印栅线时增加边框保护图形，具体用Schmid inkjet在硅片四周打印一圈蜡，石蜡边框位于栅线之外，距硅片边缘O. 04-0. 06mm,宽度为350-450 μ m。这样进行刻蚀时会将硅片部分与刻蚀液隔离开，达到保护边缘的目的。鉴于石蜡的疏水性和背刻药液的表面张力，通过改变固化油墨掩膜打印的图形来增强硅片边缘与药液的表面张力，减少浓酸对边缘的刻蚀，将原有固化油墨掩膜打印图形从300um增宽至O. 8-1. 2mm,距硅片边缘O. 8-1. 2mm,将大大改善背刻反应所产生的NO2和槽体的酸雾对硅片边缘刻蚀的影响，保护边缘。本实用新型的有益效果是本实用新型保护了硅片边缘，避免刻蚀造成的异常，提高了硅片正面刻蚀的整体方阻均匀性，减少电池片漏电现象，提高产品良率，与现有水膜保护相比，完全杜绝了药液与硅片的接触，保护更全面，不受刻蚀机台硬件影响。以下结合附图
和实施方式对本实用新型进一步说明。图I是实施例I的结构示意图。图2是原有的固化油墨掩膜打印图案。图3是实施例2的结构示意图。图中，I.固化油墨打印图案，2.硅片边缘。
具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作进一步的说明。这些附图均为简化的示意图仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
·[0017]contour和square是notepad++编程软件的编程语句。实施例I如图I所示，利用notepad++编程软件在已经设计好的正常栅线基础上进行编辑，在已经设计好的正常栅线图形上增加next defines clip区域,用contour和square语句，设计出边框线尺寸，将程序加载到软件i_View_430生成图纸，将设计好的图形导入inkjet机台，并手工切换图形，保存后按开始键进行打印。在硅片四周打印的一圈蜡距离硅片边缘0. 05mm,宽度为400 μ m。这样在Schmid刻蚀机上出现翻液时就可以起到保护作用。在栅线之外加印一圈边框，边框与栅线互不影响，可根据不同尺寸的硅片调整保护框从而应用于任何SE印蜡栅线的边缘保护。实施例2如图2和图3所示，固化油墨掩膜打印图形I边框由原来的300um增宽至1mm，距硅片边缘2的距离为1_，将大大改善背刻反应所产生的NO2和槽体的酸雾对硅片边缘2刻蚀的影响。上述实施方式只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并加以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围，凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围内。
权利要求1.一种防止电池片过刻的硅片保护结构，其特征在于所述的防止电池片过刻的硅片保护结构为在栅线之外沿硅片四周多加印的一圈石蜡边框或者在栅线四周增宽的固化油墨掩膜打印图形边框。
2.根据权利要求I所述的防止电池片过刻的硅片保护结构，其特征在于所述的石蜡边框距硅片边缘O. 04-0. 06mm,所述石蜡边框宽度为350-450 μ m。
3.根据权利要求I所述的防止电池片过刻的硅片保护结构，其特征在于所述的固化油墨掩膜打印图形边框宽度为O. 8-1. 2_，边框距硅片边缘O. 8-1. 2_。
专利摘要本实用新型涉及太阳能电池保护边框技术领域，尤其是一种防止电池片过刻的硅片保护结构。这种防止电池片过刻的硅片保护结构，是在硅片四周多加印的一圈石蜡边框或者在栅线四周增宽的固化油墨掩膜打印图形边框。本实用新型保护了硅片边缘，避免刻蚀造成的异常，提高了产品良率，与现有水膜保护相比，完全杜绝了药液与硅片的接触，保护更全面，不受刻蚀机台硬件影响。
文档编号H01L31/0236GK202473944SQ20122006000
公开日2012年10月3日 申请日期2012年2月23日 优先权日2012年2月23日
发明者何美玲, 李艳, 杨斌 申请人:常州天合光能有限公司