专利名称：电铸晶圆凸块的利记博彩app
技术领域：
本实用新型属于覆晶封装技术领域，尤其涉及一种电铸成型于半导体晶片的引脚的电铸晶圆凸块。
背景技术：
覆晶封装技术是将晶片的正面倒置后以凸块型式直接与载板连接，其中晶圆凸块的制造是关键。采用金线的柱球凸块以及用电解或无电解电镀的镀金过程，主要用于引脚数较少的封装(引脚数一般是小于40)，材料成本高且工时长，不适合I/O引腳多的封裝件。 锡铅晶圆凸块的材料比较便宜，在锡铅晶圆凸块的制备中，蒸镀和溅镀法产能效率较低、制造成本较高；印刷法制备成本较低但不易控制进程，不能用于凸块间距小于150μπι的产品。因此有必要提供一种制造成本低、产能高、精度较稳定地控制于150 μ m以下的电铸晶圆凸块。
实用新型内容本实用新型的目的在于克服上述问题，提供一种制造成本低、生产效率高、凸块间距较稳定地控制于150 μ m以下、质量稳定的电铸晶圆凸块。为解决上述问题，本实用新型所采用的技术方案为电铸晶圆凸块，其特征在于 包括IC脚垫和电铸成型于IC 脚垫上的锡铅凸块；所述的锡铅凸块为多个；锡铅凸块的厚度为 O. 02 O. 2mm。前述的电铸晶圆凸块，其特征在于所述的锡铅凸块由外而内分为锡铅球本体和球下冶金层；锡铅球本体为倒置的球形，材料为锡铅合金。前述的电铸晶圆凸块，其特征在于所述的球下冶金层由外向内分为润湿层、保护层和粘附层，粘附层的材料为钛或铬，润湿层的材料为镍或铜，保护层的材料为金或铜。如述的电铸晶圆凸块，其特征在于所述的锡铅球本体的闻度为50 80 μ m。前述的电铸晶圆凸块，其特征在于所述的锡铅凸块为100 200个。前述的电铸晶圆凸块，其特征在于所述的锡铅凸块间距为100 200 μ m。本实用新型具有的有益效果为晶圆凸块采用锡铅合金材料，制造成本较低；采用电铸的方法生成晶圆凸块，生产效率高，凸块间距较稳定地控制于150 μ m以下，精度高， 能获得质量稳定的电铸晶圆凸块。
图I为本实用新型的电铸晶圆凸块的结构图；其中，I IC脚垫，2粘附层，3保护层，4润湿层，5锡铅球本体。
具体实施方式
图I为本实用新型的优选实施例，
以下结合附图对本实用新型作进一步描述，其中，I IC脚垫，2粘附层，3保护层，4润湿层，5锡铅球本体。根据图1，电铸晶圆凸块，其特征在于包括IC脚垫I和电铸成型于IC脚垫I上的锡铅凸块；所述的锡铅凸块为100 200个，锡铅凸块的厚度为O. 02 O. 2mm，锡铅凸块间距为100 200 μ m ;锡铅凸块由外而内分为锡铅球本体5和球下冶金层；锡铅球本体5为倒置的球形，材料为锡铅合金，高度为50 80 μ m,上述的锡铅合金的常用组成有2种，分别为用于陶瓷基板的高温锡铅合金和用于有机基板的低温锡铅合金；球下冶金层由外向内分为润湿层4、保护层3和粘附层2，粘附层2的材料为钛或铬，润湿层4的材料为镍或铜，镍或铜与锡铅合金润湿程度较高，在回焊(Reflow)时焊锡完全滞留附立其上而成球状，保护层3的材料为电阻低的金或铜，可保护凸块及降低电阻值，一方面避免凸块氧化，另一方面可降低凸块与晶片I/O的原子移动，避免高温时凸块破坏IC功能。锡铅晶圆凸块的制备过程如下(I)查看晶圆外观，确认铝垫是否变色；(2)确定凸块位置，溅镀粘附层2 ;(3)上光阻，曝光、显影；(4)在电铸槽中电铸，依次镀上保护层3、 润湿层4，最后镀上锡铅合金层；(5)去光阻，蚀刻润湿层4 ； (6)上助焊剂、回焊处理、清除助焊剂，助焊剂降低锡铅合金熔点，经3 4小时最终形成球形的锡铅球本体5 ; (7)凸块成型后检测。晶圆凸块采用锡铅合金材料，制造成本较低；采用电铸的方法生成晶圆凸块，生产效率闻，凸块间距较稳定地控制于150 μ m以下，精度闻，能获得质量稳定的电铸晶圆凸块。·[0017]上述实施例不以任何形式限制本实用新型，凡采用等同替换或等效变换的方式所获得的技术方案，均落在本实用新型的保护范围内。
权利要求1.电铸晶圆凸块，其特征在于包括IC脚垫和电铸成型于IC脚垫上的锡铅凸块；所述的锡铅凸块为多个；锡铅凸块的厚度为O. 02 O. 2mm。
2.根据权利要求I所述的电铸晶圆凸块，其特征在于所述的锡铅凸块由外而内分为锡铅球本体和球下冶金层；锡铅球本体为倒置的球形，材料为锡铅合金。
3.根据权利要求2所述的电铸晶圆凸块，其特征在于所述的球下冶金层由外向内分为润湿层、保护层和粘附层，粘附层的材料为钛或铬，润湿层的材料为镍或铜，保护层的材料为金或铜。
4.根据权利要求2所述的电铸晶圆凸块，其特征在于所述的锡铅球本体的高度为 50 80 μ m0
5.根据权利要求I所述的电铸晶圆凸块，其特征在于所述的锡铅凸块为100 200个。
6.根据权利要求I所述的电铸晶圆凸块，其特征在于所述的锡铅凸块间距为100 200 μ m。
专利摘要本实用新型属于覆晶封装技术领域，尤其涉及一种电铸成型于半导体晶片的引脚的电铸晶圆凸块，包括IC脚垫和电铸成型于IC脚垫上的锡铅凸块；所述的锡铅凸块为多个，厚度为0.02～0.2mm，锡铅凸块为100～200个，凸块间距为100～200μm；锡铅凸块由外而内分为锡铅球本体和球下冶金层；锡铅球本体为倒置的球形，材料为锡铅合金，锡铅球本体的高度为50～80μm。本实用新型具有的有益效果为晶圆凸块采用锡铅合金材料，制造成本较低；采用电铸的方法生成晶圆凸块，生产效率高，凸块间距较稳定地控制于150μm以下，精度高，能获得质量稳定的电铸晶圆凸块。
文档编号H01L23/488GK202454551SQ201220034180
公开日2012年9月26日 申请日期2012年2月3日 优先权日2012年2月3日
发明者余文龙, 周涛, 李真明, 陈英, 黎盼 申请人:昆山美微电子科技有限公司