专利名称：一种改善光性能的欧姆接触电极的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及ー种改善光性能的欧姆接触电极，特别是ー种应用在高亮度、高出光效率发光二极管的欧姆接触层技术领域。
背景技术：
近年来，半导体材料已经广泛地应用于光二极管、激光二极管、光检测器及微电子元件中。发光二极管已经成功地发展成为高亮度的商业化产品，在这些元件中良好的欧姆接触(ohmic contact)是十分重要的。半导体器件的制造エ艺中，P型区和N型区的欧姆接触一般采用不同的合金材料和合金化工艺，形成欧姆接触(ohmic contact)的合金经蒸发、光刻、蚀刻エ艺制作成的欧姆接触(ohmic contact)电极尺寸与芯片电极尺寸相同，在施加工作电流后，发光层的部分光由有源区射向外延层表面时被电极遮挡而无法射出，导致发光二极管的出光效率低、外量子效率低，亮度低。 至目前为止，现有技术中制作的欧姆接触层的电极尺寸与芯片电极尺寸均是一般大，这样大量的光被阻挡在金属电极下方而不能发出，使得制作的器件的光学性能明显偏低，应用面窄，市场认可率低，无形中増大的制造成本。
实用新型内容本实用新型针对现有技术的不足，提供ー种改善光性能的欧姆接触电极，它可以实现形成良好欧姆接触的同时，提高外量子效率，增大发光面积，改善器件的性能与可靠性。为解决上述问题采用的技术方案是先将外延片清洗干净，去除表面的颗粒、氧化物、金属离子等杂质，随后在外延片表面蒸发至少两种金属元素，通过光刻、蚀刻エ艺的处理，形成点状(dot)欧姆接触电极，接着进行合金化处理，使其中ー种金属元素氧化形成P型氧化物半导体，其余金属则保持金属状态。本实用新型的ー种改善光性能的欧姆接触电极，可采用以下实施方法实现首先将外延片常温混合液(氢氧化铵双氧水水)中浸泡3-4分钟，混合液比例可以为氢氧化铵双氧水水=2 I 5，然后用去离子水冲洗干净，随后在55°C的混合液(硫酸、双氧水、水)浸泡30秒，混合液比例可以为硫酸双氧水水=5 : I : 1，然后用去离子水冲洗干净，并且将其放置于甩干机中甩干。接着在电子束蒸发台中蒸发1500A~ 2000A的金铍合金层，然后通过光亥IJ、蚀刻等エ艺制作出点状(dot)欧姆接触层电极，接着在合金炉中进行合金(合金温度350°C 400°C，合金时间5 10分钟)作业，接下来在镀有合金层的外延片上继续蒸发ITO层和SiO2层，通过光刻、蚀刻エ艺形成改善光性能的欧姆接触(ohmic contact)电极,便可以进行下一步エ艺作业。提供了通过蒸镀将金铍(AuBe)合金沉积在导体器件上，通过光刻、蚀刻等エ艺将其制作成点状(dot)的欧姆接触层，[0010]本实用新型与现有技术相比，具有以下优点I、发光面积大。金铍欧姆接触层电极尺寸小，对发光面积的遮挡小。大量的光束可以从发光区出射到外延片表面。2、发光区均匀。ITO镀层能起到很好的电流扩展作用，对从有源区发射的光有好的电流扩展作用和高的光透过率。3、外量子效率高。SiO2较ITO (Nno = 2. 08，Nsi02 = I. 45)的折射率低，大量的光束通过SiO2可以很好地折射到外延层表面，避免全反射现象带来的出光效率低下的弊端。4、生产エ艺简单方便。同普通生产エ艺一祥，通过蒸发、光刻、蚀刻、合金处理等エ艺便可以实现。5、对设备没有额外要求，并且设备操作简单方便。
图I是ー种改善光性能的欧姆接触电极结构示意图。
具体实施方式
如图I所示的，本实用新型ー种改善光性能的欧姆接触电极，包括外延片4，和通过电子束蒸发台中蒸发沉积于外延片4上金铍合金层经过光刻、蚀刻等エ艺制作出点状(dot)欧姆接触层电极1，外延片4姆接触层电极I上蒸发沉积ITO层2和SiO2层3。
权利要求1. 一种改善光性能的欧姆接触电极，其特征在于包括外延片，和通过电子束蒸发台中蒸发沉积于外延片上金铍合金层经过光刻、蚀刻工艺制作出点状欧姆接触层电极，外延片姆接触层电极上蒸发沉积ITO层和SiO2层。
专利摘要本实用新型公开的一种改善光性能的欧姆接触电极，包括外延片，和通过电子束蒸发台中蒸发沉积于外延片上金铍合金层经过光刻、蚀刻工艺制作出点状(dot)欧姆接触层电极，外延片姆接触层电极上蒸发沉积ITO层2和SiO2层、蚀刻处理后进行热处理，使过渡金属氧化，随后再在表面蒸发ITO和SiO2，通过光刻、蚀刻技术工艺完成欧姆接触电极的制作。使用本实用新型可增大半导体器件的发光面积，提高外量子效率。
文档编号H01L33/40GK202585518SQ201220002238
公开日2012年12月5日 申请日期2012年1月5日 优先权日2012年1月5日
发明者杨继远 申请人:杨继远