专利名称：一种变压器铁芯的拼片结构的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及一种变压器铁芯的拼片结构，特别是一种用于三相三柱式变压器铁芯的拼片结构。
背景技术：
在变压器中，铁芯是变压器的基本部件，是变压器的磁路和安装骨架。铁芯一般是由若干片状的硅钢片层叠拼接制成。现有三相三柱式变压器的中柱片的片形通常为六边形，上下轭所用的硅钢片一般带有缺口。上述两种片形的硅钢片在剪片过程中会产生大量不可利用的硅钢片废料，而且废料既占据空间又需浪费人力定期清理。此外，硅钢片的片形种类多且不统一，增加了铁芯制造过程中叠片的复杂度。
发明内容
针对上述问题，本发明提供一种变压器铁芯的拼片结构，其铁芯片的片形少、套裁简单、基本不产生废料。为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为
一种变压器铁芯的拼片结构，包括上铁轭、下铁轭、两个侧柱以及至少一个的中柱，所述上铁轭、下铁轭、侧柱、中柱由其厚度方向并排排列的η组梯形铁芯片拼接制成，其中η大于等于I。优选的，所述梯形铁芯片的梯形面的底角为45°。优选的，每一组上铁轭`包括一个第一梯形铁芯片和两个第二梯形铁芯片，所述第一梯形铁芯片的上底面分别与两个第二梯形铁芯片的下底面相拼接，每一组上铁轭中的第一梯形铁芯片分别与两个第二梯形铁芯片的侧面拼接成两个第一斜面和V形凹槽。优选的，每一组下铁轭包括一个第一梯形铁芯片和两个第二梯形铁芯片，所述第一梯形铁芯片的上底面分别与两个第二梯形铁芯片的下底面相拼接，每一组下铁轭中的第一梯形铁芯片分别与两个第二梯形铁芯片的侧面拼接成两个第二斜面和V形凹槽。优选的，每一组侧柱由第三梯形铁芯片组成，所述第三梯形铁芯片具有上斜面和下斜面。优选的，每一组中柱由两个第四梯形铁芯片组成，所述两个第四梯形铁芯片的下底相拼接，每一组的两个第四梯形铁芯片拼接成上V形凸面和下V形凸面。优选的，所述两个侧柱的上斜面分别与所述上铁轭的两个第一斜面相拼接，所述两个侧柱的下斜面分别与所述下铁轭的两个第二斜面相拼接，所述中柱的上V形凸面与所述上铁轭的上V形凹槽相拼接，所述中柱的下V形凹面与所述下铁轭的下V形凹槽相拼接。优选的，所述梯形铁芯片为梯形体硅钢片。本发明采用以上结构，铁芯全部采用梯形铁芯片，硅钢卷料带材可以在所有硅钢片剪切设备中套裁，几乎无废料产生；梯形铁芯片片形简单，可简化铁芯叠片生产流水线，便于生广，提闻工效。
图1为一种三相三柱式变压器铁芯的传统拼片结构。图2为本发明的一种优选实施例的结构示意图。图3为梯形体硅钢片的剪切示意图。图中1、上铁轭；11、第一梯形铁芯片；12、第二梯形铁芯片；2、下铁轭；3、侧柱；31、第三梯形铁芯片；4、中柱；41、第四梯形铁芯片；5、梯形铁芯片。
具体实施例方式下面将结合附图对本发明的内容用一种优选实施例来作详细阐述。参照图1所示，三相三柱式变压器铁芯的传统拼片结构至少由三种片形构成，且上下轭和中柱所用的硅钢片在剪切过程不可避免的产生废料。参照图2所示，本实施例为一种三相三柱式变压器铁芯的拼片结构。包括上铁轭1、下铁轭2、两个侧柱3、一个中柱4，上铁轭1、下铁轭2、侧柱3、中柱4由其厚度方向并排排列的η组梯形铁芯片拼接制成，其中η大于等于I。所述梯形铁芯片的梯形面的底角为45°。每一组上铁轭I包括一个第一梯形铁芯片11和两个第二梯形铁芯片12，所述第一梯形铁芯片11的上底面分别与两个第二梯形铁芯 片12的下底面相拼接，每一组上铁轭I中的第一梯形铁芯片分别与两个第二梯形铁芯片的侧面拼接成两个第一斜面和V形凹槽。每一组下铁轭2包括一个第一梯形铁芯片11和两个第二梯形铁芯片12，所述第一梯形铁芯片11的上底面分别与两个第二梯形铁芯片12的下底面相拼接，每一组下铁轭2中的第一梯形铁芯片11分别与两个第二梯形铁芯片12的侧面拼接成两个第二斜面和V形凹槽。每一组侧柱3由第三梯形铁芯片31组成，所述第三梯形铁芯片31具有上斜面和下斜面。每一组中柱4由两个第四梯形铁芯片41组成，所述两个第四梯形铁芯片41的下底相拼接，每一组的两个第四梯形铁芯片41拼接成上V形凸面和下V形凸面。两个侧柱3的上斜面32分别与所述上铁轭I的两个第一斜面13相拼接，所述两个侧柱3的下斜面33分别与所述下铁轭2的两个第二斜面相拼接，所述中柱4的上V形凸面与所述上铁轭的上V形凹槽相拼接，所述中柱4的下V形凹面与所述下铁轭的下V形凹槽相拼接。本实施中，梯形铁芯片为梯形体硅钢片。上述上铁轭1、下铁轭2、侧柱3、中柱4的梯形铁芯片拼接完成后，将铁芯灌固化胶固定。参照图3所示，由硅钢卷料带材裁切为梯形铁芯片5的过程中，几乎不会产生任何废料。在本发明中，以上涉及到的方位词，如附图2所示，该变压器铁芯拼片的厚度方向为垂直于纸面的方向。上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能 以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种变压器铁芯的拼片结构，包括上铁轭、下铁轭、两个侧柱以及至少一个的中柱， 其特征在于所述上铁轭、下铁轭、侧柱、中柱均由其厚度方向并排排列的η组梯形铁芯片拼接制成，所述梯形铁芯片在垂直于其厚度方向的截面上呈梯形，其中η大于等于I。
2.根据权利要求1所述的变压器铁芯的拼片结构，其特征在于所述梯形铁芯片的梯形面的底角为45°。
3.根据权利要求1所述的变压器铁芯的拼片结构，其特征在于每一组上铁轭包括一个第一梯形铁芯片和两个第二梯形铁芯片，所述第一梯形铁芯片的上底面分别与两个第二梯形铁芯片的下底面相拼接。
4.根据权利要求1所述的变压器铁芯的拼片结构，其特征在于每一组下铁轭包括一个第一梯形铁芯片和两个第二梯形铁芯片，所述第一梯形铁芯片的上底面分别与两个第二梯形铁芯片的下底面相拼接。
5.根据权利要求1所述的变压器铁芯的拼片结构，其特征在于每一组侧柱由第三梯形铁芯片组成。
6.根据权利要求1所述的变压器铁芯的拼片结构，其特征在于每一组中柱由两个第四梯形铁芯片组成，所述两个第四梯形铁芯片的下底相拼接。
7.根据权利要求1所述的变压器铁芯的拼片结构，其特征在于每一组上铁轭包括一个第一梯形铁芯片和两个第二梯形铁芯片，所述第一梯形铁芯片的上底面分别与两个第二梯形铁芯片的下底面相拼接，每一组上铁轭中的第一梯形铁芯片的两侧面分别与两个第二梯形铁芯片的外侧面拼接成两个第一外斜面，所述两个第二梯形铁芯片的内侧面拼接成第一 V形槽；每一组下铁轭包括一个第一梯形铁芯片和两个第二梯形铁芯片，所述第一梯形铁芯片的上底面分别与两个第二梯形铁芯片的下底面相拼接，每一组上铁轭中的第一梯形铁芯片的两侧面分别与两个第二梯形铁芯片的外侧面拼接成两个第二外斜面，所述两个第二梯形铁芯片的内侧面拼接成第二 V形槽；每一组侧柱由第三梯形铁芯片组成，所述第三梯形铁芯片具有上棱台面和下棱台面，所述上棱台面与所述的第一外斜面相拼接，所述下棱台面与所述第二外斜面相拼接；每一组中柱由两个第四梯形铁芯片组成，所述两个第四梯形铁芯片的下底相拼接形成，这两个第四梯形铁芯片的上部形成与所述第一 V形槽相对拼接的第一 V形部，这两个第四梯形铁芯片的下部形成与所述第二 V形槽相对拼接的第二 V形部。
8.根据权利要求1所述的变压器铁芯的拼片结构，其特征在于所述梯形铁芯片为梯形体硅钢片。
全文摘要
本发明涉及一种变压器铁芯的拼片结构。一种变压器铁芯的拼片结构，包括上铁轭、下铁轭、两个侧柱以及至少一个的中柱，所述上铁轭、下铁轭、侧柱、中柱由其厚度方向并排排列的n组梯形铁芯片拼接制成，其中n大于等于1。所述梯形铁芯片的梯形面的底角为45°。本发明的目的是提供一种变压器铁芯的拼片结构，其铁芯片的片形少、套裁简单、基本不产生废料。
文档编号H01F27/245GK103050238SQ20121058389
公开日2013年4月17日 申请日期2012年12月31日 优先权日2012年12月31日
发明者张春红, 张新根, 花虹, 汝慧红 申请人:吴江市变压器厂有限公司