专利名称：一种湿刻蚀工艺的利记博彩app
技术领域：
本发明属于湿刻蚀领域，涉及一种湿刻蚀工艺，尤其是一种基于制造液晶及OLED面板的湿刻蚀工艺。
背景技术：
最普遍、也是设备成本最低的刻蚀方法。其影响被刻蚀物之刻蚀速率的因素有三刻蚀液浓度、刻蚀液温度及搅拌。定性而言，增加刻蚀温度与施加喷射压力，均能有效提高刻蚀速率；但浓度之影响则较不明确。举例来说，以49%的HF刻蚀Si02，当然比BOE (Buffered-Oxide-Etch ；HF NH4F=1 :6)快的多；但 40% 的 KOH 刻蚀 Si 的速率却比20%K0H慢。一个具有高选择性的刻蚀系统，应该只对被加工薄膜有腐蚀作用，而不伤及一旁之刻蚀掩膜或其下的基板材料。目前用于制造液晶及OLED面板湿刻工艺采用比较广泛的工艺包括上料、EUV、刻蚀、清洗、风刀、出料，而基板在刻蚀过程中由于采用喷射等刻蚀方式进行快速刻蚀，待刻蚀的图形不能实现同步刻蚀，刻蚀后的图形线条一般呈锯齿状，不能得到理想的光滑的图形线条，从而出现刻蚀不均匀。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供一种湿刻蚀工艺，通过采用这种工艺步骤，在传统的刻蚀工序之后增加刻蚀浴步骤，该步骤在蚀刻法生产中不仅可以降低基板广生刻蚀不均勻的几率，还可以提闻良率。本发明的目的是通过以下技术方案来解决的包括以下步骤I)上料利用机械手将玻璃基板从卡匣中取出，放入湿刻机的入口传送带上；2) EUV:对玻璃基板用紫外灯管进行照射去除有机物等杂质，然后用纯水进行清洗，出口用风刀进行烘干处理；3)刻蚀将浓度为59%的磷酸、浓度为5%的硝酸以及浓度为4%的醋酸按照重量比为50:7:15的比例混合形成刻蚀液，并用该刻蚀液对经过EUV处理的玻璃基板进行刻蚀，同时在出口处进行烘干处理；4)刻蚀浴按照步骤3)中的配比配置刻蚀液，并将其稀释为浓度为20 30%，形成刻蚀液浴，将经过刻蚀后的玻璃基板放入在刻蚀液浴中，玻璃基板以的方式通过刻蚀液浴；5)清洗玻璃基板经过刻蚀液浴后，进入清洗单元，利用纯水对玻璃基板残存的药液进行清洗；6)风刀清洗过后，玻璃基板进入风刀单元，利用风刀将玻璃基板表面的水分烘干;7)出料利用机械手将玻璃基板从湿刻机的传送带上取出，放入湿刻机旁指定的卡匣中。上述步骤2)中紫外灯管为波长172nm的紫外灯管。上述步骤3)中，玻璃基板在温度为35 45°C、压力为0. 08 0. 2MPa的混合液中采取喷射方式进行刻蚀。上述步骤4)中，刻蚀液浓度为20 30%。本发明通过在传统的刻蚀工序后加入刻蚀浴，可以避免基板在刻蚀液中完成刻蚀后突然进入清洗使得药液浓度陡变导致的刻蚀不良，降低基板产生刻蚀不均匀的几率，待刻蚀的图形实现同步刻蚀，得到理想的光滑的图形线条，且刻蚀均匀，从而提高基板的良
率。
图1为本发明的工艺流程图。
具体实施例方式下面结合图1对本发明做进一步详细描述实施例1I)上料利用机械手将玻璃基板从卡匣中取出，放入湿刻机的入口传送带上；2)EUV :对玻璃基板用波长为172nm的紫外灯管进行照射去除有机物等杂质，然后用纯水进行清洗，出口用风刀进行处理；3)刻蚀将浓度为59%的磷酸、浓度为5%的硝酸以及浓度为4%的醋酸按照重量比为50:7:15的比例混合形成刻蚀液，并用该刻蚀液在温度为35°C、压力为0. 2MPa的条件下，采取喷射方式对经过EUV处理的玻璃基板进行刻蚀，出口用风刀进行处理；4)刻蚀浴按照步骤3)中的配比配置刻蚀液，并将其稀释为浓度为20 30%，形成刻蚀液浴，将经过刻蚀后的玻璃基板放入在刻蚀液浴中，玻璃基板以的方式通过刻蚀液浴；5)清洗玻璃基板经过刻蚀液浴后，进入清洗单元，利用纯水对玻璃基板残存的药液进行清洗；6)风刀清洗过后，玻璃基板进入风刀单元，利用风刀将玻璃基板表面的水分烘干;7)出料利用机械手将玻璃基板从湿刻机的传送带上取出，放入湿刻机旁指定的卡匣中。实施例2I)上料利用机械手将玻璃基板从卡匣中取出，放入湿刻机的入口传送带上；2)EUV :对玻璃基板用波长为172nm的紫外灯管进行照射去除有机物等杂质，然后用纯水进行清洗，出口用风刀进行处理；3)刻蚀将浓度为59%的磷酸、浓度为5%的硝酸以及浓度为4%的醋酸按照重量比为50:7:15的比例混合形成刻蚀液，并用该刻蚀液在温度为40°C、压力为0. 15MPa的条件下，采取喷射方式对经过EUV处理的玻璃基板进行刻蚀，出口用风刀进行处理；4)刻蚀浴按照步骤3)中的配比配置刻蚀液，并将其稀释为浓度为25%，形成刻蚀液浴，将经过刻蚀后的玻璃基板放入在刻蚀液浴中，玻璃基板以的方式通过刻蚀液浴；5)清洗玻璃基板经过刻蚀液浴后，进入清洗单元，利用纯水对玻璃基板残存的药液进行清洗；6)风刀清洗过后，玻璃基板进入风刀单元，利用风刀将玻璃基板表面的水分烘干;7)出料利用机械手将玻璃基板从湿刻机的传送带上取出，放入湿刻机旁指定的卡匣中。实施例3
I)上料利用机械手将玻璃基板从卡匣中取出，放入湿刻机的入口传送带上；2)EUV :对玻璃基板用波长为172nm的紫外灯管进行照射去除有机物等杂质，然后用纯水进行清洗，出口用风刀进行处理；3)刻蚀将浓度为59%的磷酸、浓度为5%的硝酸以及浓度为4%的醋酸按照重量比为50:7:15的比例混合形成刻蚀液，并用该刻蚀液在温度为45°C、压力为0. 08MPa的条件下，采取喷射方式对经过EUV处理的玻璃基板进行刻蚀，出口用风刀进行处理；4)刻蚀浴按照步骤3)中的配比配置刻蚀液，并将其稀释为浓度为30%，形成刻蚀液浴，将经过刻蚀后的玻璃基板放入在刻蚀液浴中，玻璃基板以的方式通过刻蚀液浴；5)清洗玻璃基板经过刻蚀液浴后，进入清洗单元，利用纯水对玻璃基板残存的药液进行清洗；6)风刀清洗过后，玻璃基板进入风刀单元，利用风刀将玻璃基板表面的水分烘干;7)出料利用机械手将玻璃基板从湿刻机的传送带上取出，放入湿刻机旁指定的卡匣中。
权利要求
1.一种湿刻蚀工艺，其特征在于包括以下步骤 1)上料将玻璃基板放入湿刻机的入口传送带上； 2)EUV :对玻璃基板用紫外灯管进行照射去除杂质，后用纯水进行清洗，最后进行烘干处理； 3)刻蚀将浓度为59%的磷酸、浓度为5%的硝酸以及浓度为4%的醋酸按照重量比为50:7:15的比例混合形成刻蚀液，并用该刻蚀液对经过EUV处理的玻璃基板进行刻蚀，同时在出口处进行烘干处理； 4)刻蚀浴按照步骤3)中的配比配置刻蚀液，并将其稀释为浓度为20 30%，形成刻蚀液浴，将经过刻蚀后的玻璃基板放入在刻蚀液浴中，玻璃基板以的方式通过刻蚀液浴； 5 )清洗玻璃基板经过刻蚀液浴后，进入清洗单元，利用纯水对玻璃基板上残存的刻蚀液进行清洗； 6)风刀清洗过后，将玻璃基板送入风刀单元，利用风刀将玻璃基板表面的水分烘干； 7)出料将玻璃基板从湿刻机的传送带上取出，放入湿刻机旁指定的卡匣中。
2.根据权利要求1所述的一种湿刻蚀工艺，其特征在于步骤I)中利用机械手将玻璃基板放入湿刻机入口的传送带上。
3.根据权利要求1所述的一种湿刻蚀工艺，其特征在于步骤2)中紫外灯管为波长172nm的紫外灯管。
4.根据权利要求1所述的一种湿刻蚀工艺，其特征在于步骤2)中，杂质为有机物杂质。
5.根据权利要求1所述的一种湿刻蚀工艺，其特征在于步骤2)以及步骤3)中，均采用风刀对玻璃基板进行风干处理。
6.根据权利要求1所述的一种湿刻蚀工艺，其特征在于步骤3)中，玻璃基板在温度为35 45°C、压力为O. 08 O. 2MPa的混合液中采取喷射方式进行刻蚀。
全文摘要
本发明公开了一种湿刻蚀工艺，包括对玻璃基板进行上料、EUV、刻蚀、刻蚀浴、清洗、风刀以及最终出料，通过在传统刻蚀工序后加入刻蚀浴，可以避免基板在刻蚀液中完成刻蚀后突然进入清洗使得药液浓度陡变导致的刻蚀不良，降低基板产生刻蚀不均匀的几率，待刻蚀的图形实现同步刻蚀，得到理想的光滑的图形线条，且刻蚀均匀，从而提高基板的良率。
文档编号H01L21/02GK103021811SQ201210510898
公开日2013年4月3日 申请日期2012年12月3日 优先权日2012年12月3日
发明者郑建博, 黄兴成 申请人:彩虹(佛山)平板显示有限公司