专利名称：电子可编程熔丝器件利记博彩app
技术领域：
本发明涉及半导体制造工艺，且特别涉及电子可编程熔丝器件利记博彩app。
背景技术：
电子可编程溶丝(electrically programmable fuse,即eFuse)技术利用金属电迁移现象发展起来的一种技术，它能和CMOS工艺技术兼容，面积小。主要用做执行冗余、现场修复芯片、对芯片重新编程，使电子产品变得更加智能化。参考图I，在常见的电子可编程熔丝器件版图中，电极2和电极3之间由多晶硅熔丝I相连接。当在两电极之间加以较高电流时，在较高的电流密度的作用下，相关原子将会沿着电子运动方向进行迁移，形成空洞，最终断路，这种现象就是电迁移(EM)现象。由于多晶硅熔丝在熔断之前和熔断之后的电阻会发生变化，通常熔断之后的电阻为熔断之前的电阻的1(Γ1000倍，电子可编程熔丝器件正是利用多晶硅熔丝的电迁移现象所引起的电阻变化，从而实现可编程的目的。电子可编程熔丝器件的电迁移现象与多晶硅熔丝中的电流密度分布紧密相关，当多晶硅熔丝中的电流密度分布不均匀(即存在电流密度梯度)的时候，相关原子在两个电极方向上受电子风力状况不同，从而更容易发生电迁移现象，使得多晶硅熔丝更容易熔断。
发明内容
本发明提供了一种电子可编程熔丝器件利记博彩app，增强电子可编程熔丝器件的熔断性能。为了实现上述技术目的，本发明提出一种电子可编程熔丝器件利记博彩app，包括将器件区域分为非电子可编程熔丝区域和电子可编程熔丝区域；对所述非电子可编程熔丝区域进行第一光刻，其中，进行所述第一光刻时采用第一光刻胶；对所述电子可编程熔丝区域进行第二光刻，其中，进行所述第二光刻时采用第二光刻胶，所述第二光刻胶的曝光速度快于所述第一光刻胶。可选的，还包括在进行第一光刻之后，通过后续显影刻蚀工艺形成非电子可编程熔丝区域图案以及在进行第二光刻之后，通过后续显影刻蚀工艺形成电子可编程熔丝区域图案。可选的，所述第一光刻胶为对曝光量不敏感配方的光刻胶，所述第二光刻胶为对曝光量敏感配方的光刻胶。相较于现有技术，本发明电子可编程熔丝器件利记博彩app分别对普通区域和电子可编程熔丝器件区域采取不同的光刻胶进行曝光，在电子可编程熔丝区域采用曝光速度较快的光刻胶，使得多晶硅熔丝的边缘粗糙度增大，从而增加了电子可编程熔丝器件中的电流密度变化，增强了电子可编程熔丝器件的熔断性能。
图I为常规的电子可编程熔丝器件版图示意图；图2为本发明电子可编程熔丝器件利记博彩app一种实施方式的流程示意图； 图3为采用本发明电子可编程熔丝器件利记博彩app之后所形成的电子可编程熔丝器件版图示意图。
具体实施例方式下面将结合具体实施例和附图，对本发明进行详细阐述。参考图2，本发明提供了一种电子可编程熔丝器件利记博彩app，包括步骤SI，将器件区域分为非电子可编程熔丝区域和电子可编程熔丝区域；步骤S2，对上述非电子可编程熔丝区域进行第一光刻，其中，进行所述第一光刻时米用第一光刻胶；步骤S3，对上述电子可编程熔丝区域进行第二光刻，其中，进行所述第二光刻时采用第二光刻胶，所述第二光刻胶的曝光速度快于所述第一光刻胶，从而能够在所述电子可编程熔丝区域形成具有粗糙的熔丝边缘。发明人经过多次试验和实践发现，由于所述第二光刻胶的曝光速度快于所述第一光刻胶，经过曝光过程之后，所形成的多晶硅熔丝边缘更加粗糙。一般来说，分别采用具有不同曝光速率的第一光刻胶和第二光刻胶进行两次光刻，所形成的多晶硅熔丝的边缘粗糙度可由常规的不足10%增大到超过40%。在具体实践应用中，所述第一光刻胶可采用对曝光量不敏感配方的光刻胶，所述第二光刻胶可采用对曝光量敏感配方的光刻胶。此外，步骤S2还可包括在进行所述第一光刻之后，通过后续工艺形成非电子可编程熔丝区域图案；步骤S3还可包括在进行所述第二光刻之后，通过后续工艺形成电子可编程熔丝区域图案。参考图3，在采用本发明电子可编程熔丝器件利记博彩app的一种具体实施方式
中，经过显影刻蚀等相关工艺之后，在所形成的电子可编程熔丝器件版图中，连接电极2和电极3的多晶硅熔丝100变得极为粗糙，从而改变了多晶硅熔丝的典型尺寸D。此时，当在电极2和电极3之间加以高电流时，多晶硅熔丝100的电流密度均匀性变差，从而增强了电子可编程熔丝的电迁移性能，进而增强了电子可编程熔丝器件的熔断性能。相较于现有技术，本发明在制作电子可编程熔丝器件的过程中，将待光刻的器件划分为非电子可编程熔丝区域和电子可编程熔丝区域，并采用具有不同曝光速率的光刻胶依次对上述不同区域进行光刻，尤其是在电子可编程熔丝区域采用曝光速度较快的光刻胶，从而提高多晶硅熔丝边缘的粗糙度，使得电子可编程熔丝器件中的电流密度变大，以增强电子可编程熔丝器件的熔断性能。本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。
权利要求
1.一种电子可编程熔丝器件利记博彩app，其特征在于，包括将器件区域分为非电子可编程熔丝区域和电子可编程熔丝区域；对所述非电子可编程熔丝区域进行第一光刻，其中，进行所述第一光刻时采用第一光刻胶；对所述电子可编程熔丝区域进行第二光刻，其中，进行所述第二光刻时采用第二光刻胶，所述第二光刻胶的曝光速度快于所述第一光刻胶。
2.如权利要求I所述的电子可编程熔丝器件利记博彩app，其特征在于，还包括在进行所述第一光刻之后，通过后续显影刻蚀工艺形成非电子可编程熔丝区域图案，以及在进行所述第二光刻之后，通过后续显影刻蚀工艺形成电子可编程熔丝区域图案。
3.如权利要求I所述的电子可编程熔丝器件利记博彩app，其特征在于，所述第一光刻胶为对曝光量不敏感配方的光刻胶，所述第二光刻胶为对曝光量敏感配方的光刻胶。
全文摘要
一种电子可编程熔丝器件利记博彩app，包括将器件区域分为非电子可编程熔丝区域和电子可编程熔丝区域；对所述非电子可编程熔丝区域进行第一光刻，其中，进行所述第一光刻时采用第一光刻胶；对所述电子可编程熔丝区域进行第二光刻，其中，进行所述第二光刻时采用第二光刻胶，所述第二光刻胶的曝光速度快于所述第一光刻胶。本发明分别对普通区域和电子可编程熔丝器件区域采取不同的光刻胶进行曝光，在电子可编程熔丝区域采用曝光速度较快的光刻胶，使得多晶硅熔丝的边缘粗糙度增大，从而增加了电子可编程熔丝器件中的电流密度变化，增强了电子可编程熔丝器件的熔断性能。
文档编号H01L21/768GK102915961SQ20121045179
公开日2013年2月6日 申请日期2012年11月12日 优先权日2012年11月12日
发明者俞柳江, 毛智彪 申请人:上海华力微电子有限公司