专利名称：薄膜晶体管主动装置的利记博彩app及制作的薄膜晶体管主动装置的利记博彩app
技术领域：
本发明涉及平面显示器领域，尤其涉及一种薄膜晶体管主动装置的利记博彩app及制作的薄膜晶体管主动装置。
背景技术：
主动矩阵平面显示器具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的平面显示器装置大部分为背光型液晶显示装置，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，通过玻璃基板通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。
通常液晶显示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶体管基(TFT，ThinFilm Transistor)板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC, Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。所述薄膜晶体管基板一般包括玻璃基板及形成于玻璃基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管通过至少六道光罩制程形成于玻璃基板上。参见图IA至图1F，其为现有技术中薄膜晶体管的制程流程图。IGZ0(IndiumGallium Zinc Oxide)为氧化铟镓锌的缩写，它是一种氧化物薄膜晶体管(TFT)技术，是指在薄膜晶体管的栅极绝缘层之上，设置一层金属氧化物主动层，是一种基于TFT驱动的技术。按照图IA至图IF所示的制程流程图，首先在基板100上形成栅极电极(GE) 101 ;接下来在栅极电极101上覆盖栅极绝缘层(GI层)102，并在栅极绝缘层102上形成一层氧化物半导体层，具体为IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide,铟镓锌氧化物)层103 ;接下来在IGZO层103上形成第一保护层(ES层)104，ES层通常是使用前体物质进行化学气相沉积(CVD)来获得；然后溅射金属层，以形成源极105及漏极106，该金属层除形成源极105及漏极106，还作为布线材料连接至IGZO层103，现有制程一般是将金属沉积于IGZO层103上，并利用蚀刻分别形成源极105和漏极106，其采用的金属一般为铜(Cu)、铝(Al)、钥(Mo)、钛(Ti)或其层叠结构；接下来在源极105及漏极106上覆盖第二保护层(PV层)107，并蚀刻沟道，最后在形成ITO (Indium Tin Oxides,铟锡金属氧化物)层108,至此,形成了主要由栅极电极101、栅极绝缘层102、IGZ0层103、第一保护层104、源极105、漏极106、第二保护层107及ITO层108等组成的薄膜晶体管主动装置
发明内容
本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管主动装置的利记博彩app，其有效简化了生产制程，降低了生产成本。本发明的另一目的在于提供一种薄膜晶体管主动装置，其制程简单，成本低。为实现上述目的，本发明提供一种薄膜晶体管主动装置的利记博彩app，包括以下步骤步骤I、提供一基板；步骤2、在基板上通过溅射及光罩制程形成栅极；步骤3、在栅极上通过化学气相沉积形成栅极绝缘层；步骤4、在栅极绝缘层上通过溅射及光罩制程形成氧化物半导体层；步骤5、在氧化物半导体层上通过化学气相沉积形成第一保护层，在第一保护层上 通过溅射制程形成金属层，并通过光罩制程形成资料线电极；步骤6、在第一保护层及资料线电极上通过化学气相沉积形成第二保护层，并通过光罩制程形成第一、第二与第三桥接孔，所述第一桥接孔位于所述资料线电极上，所述第二与第三桥接孔位于氧化物半导体层的两端；步骤7、在第二保护层上通过溅射形成透明导电层，并通过光罩制程图案化该透明导电层，所述透明导电层一部分通过该第一与第二桥接孔将资料线电极与氧化物半导体层电性连接，另一部分通过第三桥接孔电性连接于氧化物半导体层，形成像素电极，进而制得薄膜晶体管主动装置。所述基板为玻璃或塑胶基板。所述栅极由铜、铝、钥、钛或其层叠结构通过溅射及光罩制程形成。所述栅极绝缘层为氧化硅或氮化硅层。所述氧化物半导体层含有氧化锌、氧化锡、氧化铟及氧化镓中至少一种。所述金属层由铜、铝、钥、钛或其层叠结构通过溅射形成。所述透明导电层为氧化铟锡层、氧化铟锌层、氧化铝锌层或氧化锌镓层其中之一或其叠层。本发明还提供一种薄膜晶体管主动装置，包括基板、形成于该基板上的栅极、形成于栅极上的栅极绝缘层、形成于栅极绝缘层上的氧化物半导体层、形成于该氧化物半导体层上的第一保护层、形成于该第一保护层上的资料线电极、形成于该第一保护层与资料线电极上的第二保护层及形成于该第二保护层上的透明导电层，所述第二保护层上形成有第一、第二与第三桥接孔，所述第一桥接孔位于所述资料线电极上，所述第二与第三桥接孔位于氧化物半导体层的两端，所述透明导电层一部分通过该第一与第二桥接孔将资料线电极与氧化物半导体层电性连接，另一部分通过第三桥接孔电性连接于氧化物半导体层，形成像素电极。氧化物半导体层含有氧化锌、氧化锡、氧化铟及氧化镓中至少一种。所述透明导电层为氧化铟锡层、氧化铟锌层、氧化铝锌层或氧化锌镓层其中之一或其叠层。本发明的有益效果本发明提供的薄膜晶体管主动装置的利记博彩app及制作的薄膜晶体管主动装置，通过在资料线电极上形成第一桥接孔，在氧化物半导体层上形成第二与第三桥接孔，并通过部分透明导电层将资料线电极与氧化物半导体层电性连接，另一部分透明导电层通过第三桥接孔电性连接于氧化物半导体层形成像素电极，减少一道光罩制程，进而简化了薄膜晶体管主动装置的生产制程，降低了生产成本。为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式
详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。附图中，图IA至图IF为现有用六道光罩制程制得TFT基板的制程流程图；图2为本发明薄膜晶体管主动装置的利记博彩app的流程图； 图3A至图3E为本发明薄膜晶体管主动装置的利记博彩app的制程流程图； 图4为图3E的俯视透视图。
具体实施例方式为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。请参阅图2至图4，本发明提供一种薄膜晶体管主动装置的利记博彩app，包括以下步骤步骤I、提供一基板20。所述基板20为透明基板，优选玻璃或塑胶基板。步骤2、在第一基板20上通过溅射及光罩制程形成栅极22。所述栅极22由铜(Cu)、铝(Al)、钥(Mo)、钛(Ti)或其层叠结构通过溅射及光罩制程形成，其中，所述光罩制程包括光阻材料涂布、曝光、显影及蚀刻等制程。步骤3、在栅极22上通过化学气相沉积形成栅极绝缘层(GI层)23。所述栅极绝缘层23为氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)层，其通过化学气相沉积形成于栅极22上。步骤4、在栅极绝缘层23上通过溅射及光罩制程形成氧化物半导体层24。所述氧化物半导体层24含有氧化锌(ZnOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)及氧化镓(GaOx)中至少一种。步骤5、在氧化物半导体层24上通过化学气相沉积形成第一保护层25，在第一保护层25上通过溅射制程形成金属层，并通过光罩制程形成资料线电极26。所述金属层由铜(Cu)、铝(Al)、钥(Mo)、钛(Ti)或其层叠结构通过溅射形成于第一保护层25上，并通过光罩制程形成资料线电极26。步骤6、在第一保护层25及资料线电极26上通过化学气相沉积形成第二保护层27，并通过光罩制程形成第一、第二与第三桥接孔272、274、276，所述第一桥接孔272位于所述资料线电极26上，所述第二与第三桥接孔274、276位于氧化物半导体层24的两端。步骤7、在第二保护层27上通过溅射形成透明导电层28，并通过光罩制程图案化该透明导电层28，所述透明导电层28 —部分通过该第一与第二桥接孔272、274将资料线电极26与氧化物半导体层24电性连接，另一部分通过第三桥接孔276电性连接于氧化物半导体层24，形成像素电极29，进而制得薄膜晶体管主动装置。所述透明导电层28为氧化铟锡(ITO)层、氧化铟锌(IZO)层、氧化铝锌(AZO)层或氧化锌镓(GZO)层其中之一或其叠层。请参阅图3A至图4，本发明还提供一种薄膜晶体管主动装置，包括基板20、形成于该基板20上的栅极22、形成于栅极22上的栅极绝缘层23、形成于栅极绝缘层23上的氧化物半导体层24、形成于该氧化物半导体层24上的第一保护层25、形成于该第一保护层25上的资料线电极26、形成于该第一保护层25与资料线电极26上的第二保护层27及形成于该第二保护层27上的透明导电层28，所述第二保护层27上形成有第一、第二与第三桥接孔272、274、276，所述第一桥接孔272位于所述资料线电极26上，所述第二与第三桥接孔274、276位于氧化物半导体层24的两端，所述透明导电层28 —部分通过该第一与第二桥接孔272、274将资料线电极26与氧化物半导体层24电性连接，另一部分通过第三桥接孔276电性连接于氧化物半导体层24，形成像素电极29。 所述氧化物半导体层24含有氧化锌(ZnOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)及氧化镓(GaOx)中至少一种。所述透明导电层28为氧化铟锡(ITO)层、氧化铟锌(IZO)层、氧化铝锌(AZO)层或氧化锌镓(GZO)层其中之一或其叠层。综上所述，本发明提供的薄膜晶体管主动装置的利记博彩app及其制作的薄膜晶体管主动装置，通过在资料线电极上形成第一桥接孔，在氧化物半导体层上形成第二与第三桥接孔，并通过部分透明导电层将资料线电极与氧化物半导体层电性连接，另一部分透明导电层通过第三桥接孔电性连接于氧化物半导体层形成像素电极，减少一道光罩制程，进而简化了液晶显示面板的生产制程，降低了生产成本。以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
权利要求
1.一种薄膜晶体管主动装置的利记博彩app，其特征在于，包括以下步骤 步骤I、提供一基板； 步骤2、在基板上通过溅射及光罩制程形成栅极； 步骤3、在栅极上通过化学气相沉积形成栅极绝缘层； 步骤4、在栅极绝缘层上通过溅射及光罩制程形成氧化物半导体层； 步骤5、在氧化物半导体层上通过化学气相沉积形成第一保护层，在第一保护层上通过溅射制程形成金属层，并通过光罩制程形成资料线电极； 步骤6、在第一保护层及资料线电极上通过化学气相沉积形成第二保护层，并通过光罩制程形成第一、第二与第三桥接孔，所述第一桥接孔位于所述资料线电极上，所述第二与第三桥接孔位于氧化物半导体层的两端； 步骤7、在第二保护层上通过溅射形成透明导电层，并通过光罩制程图案化该透明导电层，所述透明导电层一部分通过该第一与第二桥接孔将资料线电极与氧化物半导体层电性连接，另一部分通过第三桥接孔电性连接于氧化物半导体层，形成像素电极，进而制得薄膜晶体管主动装置。
2.如权利要求I所述的薄膜晶体管主动装置的利记博彩app，其特征在于，所述基板为玻璃或塑胶基板。
3.如权利要求I所述的薄膜晶体管主动装置的利记博彩app，其特征在于，所述栅极由铜、铝、钥、钛或其层叠结构通过溅射及光罩制程形成。
4.如权利要求I所述的薄膜晶体管主动装置的利记博彩app，其特征在于，所述栅极绝缘层 为氧化硅或氮化硅层。
5.如权利要求I所述的薄膜晶体管主动装置的利记博彩app，其特征在于，所述氧化物半导 体层含有氧化锌、氧化锡、氧化铟及氧化镓中至少一种。
6.如权利要求I所述的薄膜晶体管主动装置的利记博彩app，其特征在于，所述金属层由铜、铝、钥、钛或其层叠结构通过溅射形成。
7.如权利要求I所述的薄膜晶体管主动装置的利记博彩app，其特征在于，所述透明导电层为氧化铟锡层、氧化铟锌层、氧化铝锌层或氧化锌镓层其中之一或其叠层。
8.一种薄膜晶体管主动装置，其特征在于，包括基板、形成于该基板上的栅极、形成于栅极上的栅极绝缘层、形成于栅极绝缘层上的氧化物半导体层、形成于该氧化物半导体层上的第一保护层、形成于该第一保护层上的资料线电极、形成于该第一保护层与资料线电极上的第二保护层及形成于该第二保护层上的透明导电层，所述第二保护层上形成有第一、第二与第三桥接孔，所述第一桥接孔位于所述资料线电极上，所述第二与第三桥接孔位于氧化物半导体层的两端，所述透明导电层一部分通过该第一与第二桥接孔将资料线电极与氧化物半导体层电性连接，另一部分通过第三桥接孔电性连接于氧化物半导体层，形成像素电极。
9.如权利要求8所述的薄膜晶体管主动装置，其特征在于，氧化物半导体层含有氧化锌、氧化锡、氧化铟及氧化镓中至少一种。
10.如权利要求8所述的薄膜晶体管主动装置，其特征在于，所述透明导电层为氧化铟锡层、氧化铟锌层、氧化铝锌层或氧化锌镓层其中之一或其叠层。
全文摘要
本发明提供一种薄膜晶体管主动装置的利记博彩app及制作的薄膜晶体管主动装置，所述方法包括以下步骤步骤1、提供一基板；步骤2、在基板上通过溅射及光罩制程形成栅极；步骤3、在栅极上通过化学气相沉积形成栅极绝缘层；步骤4、在栅极绝缘层上通过溅射及光罩制程形成氧化物半导体层；步骤5、在氧化物半导体层上通过化学气相沉积形成第一保护层，在第一保护层上通过溅射制程形成金属层，并通过光罩制程形成资料线电极；步骤6、在第一保护层及资料线电极上通过化学气相沉积形成第二保护层，并通过光罩制程形成第一、第二与第三桥接孔；步骤7、在第二保护层上通过溅射形成透明导电层，并通过光罩制程图案化该透明导电层，进而制得薄膜晶体管主动装置。
文档编号H01L21/336GK102881596SQ201210363720
公开日2013年1月16日 申请日期2012年9月26日 优先权日2012年9月26日
发明者江政隆, 陈柏林 申请人:深圳市华星光电技术有限公司